技術(shù)總結(jié)
一種分段雙溝槽高壓屏蔽的橫向絕緣柵雙極器件，包括：P型襯底，其上設(shè)有埋氧層，之上為N型外延層，在外延層表面淀積氧化層，在外延層上設(shè)有環(huán)形溝槽，環(huán)形溝槽在埋氧層上，在N型外延層中設(shè)有P型體區(qū)和N型緩沖層，P型體區(qū)和N型緩沖層位于環(huán)形溝槽內(nèi)側(cè)，緩沖層位于P型體區(qū)內(nèi)側(cè)，在P型體區(qū)內(nèi)設(shè)有N型和P型發(fā)射極，在P型體區(qū)內(nèi)邊界上方有多晶硅柵，在N型緩沖層中設(shè)有P型集電極，在緩沖層外邊界上設(shè)有被氧化層包圍的多晶硅場板，在P型集電極上引出的金屬連線通過U形開口延伸，在開口外側(cè)設(shè)有連續(xù)溝槽，在環(huán)形溝槽及連續(xù)溝槽內(nèi)填充有二氧化硅，其特征在于，在開口與連續(xù)溝槽之間設(shè)有分段溝槽，在相鄰分段溝槽間有載流子撤離通道。

技術(shù)研發(fā)人員：祝靖;張龍;趙敏娜;孫偉鋒;陸生禮;時龍興
受保護的技術(shù)使用者：東南大學
文檔號碼：201610571475
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.19
技術(shù)公布日：2016.12.07