本實(shí)用新型涉及高壓IGBT器件終端技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種減小器件漏電的高壓IGBT器件終端。

背景技術(shù)：

在高壓IGBT的平面工藝中,目前最常用的壽命控制技術(shù)就是擴(kuò)鉑技術(shù)。擴(kuò)鉑工藝具有較好的漏電流與正向壓降折衷，與擴(kuò)金、電子輻照和輕離子輻照相比，鉑形成的缺陷是難于實(shí)現(xiàn)較理想的復(fù)合中心，擴(kuò)鉑工藝一般是在二氧化硅絕緣層的正面開孔之后，沉積正面金屬之前，這道工藝容易在終端引入污染源，器件漏電流增大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種減小器件漏電的高壓IGBT器件終端，通過(guò)優(yōu)化復(fù)合中心的終端金屬場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，提高器件的可靠性，減小器件的漏電流。

為了實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的，所采用的技術(shù)方案是：

本實(shí)用新型的減小器件漏電的高壓IGBT器件終端包括：

n-漂移區(qū)；

第一p環(huán)注入基區(qū)，設(shè)置在所述n-漂移區(qū)中且位于所述n- 漂移區(qū)的左上部；

第二p環(huán)注入基區(qū)，設(shè)置在所述n-漂移區(qū)中且位于所述n- 漂移區(qū)的中上部；

終端截止環(huán)，設(shè)置在所述n-漂移區(qū)中且位于所述n-漂移區(qū)的右上部；

第一終端金屬場(chǎng)板，設(shè)置在所述第一p環(huán)注入基區(qū)的上表面；

第二終端金屬場(chǎng)板，設(shè)置在所述終端截止環(huán)的上表面；

二氧化硅絕緣層，設(shè)置在所述n-漂移區(qū)的上表面且位于所述第一終端金屬場(chǎng)板和第二終端金屬場(chǎng)板之間，所述二氧化硅絕緣層的中心開設(shè)有終端孔，所述終端孔內(nèi)設(shè)有終端多晶硅場(chǎng)板和位于終端多晶硅場(chǎng)板下表面的柵氧層，所述柵氧層位于所述第二p環(huán)注入基區(qū)的上表面；

第三終端金屬場(chǎng)板，設(shè)置在所述終端多晶硅場(chǎng)板的上表面。

本實(shí)用新型所述終端多晶硅場(chǎng)板完全覆蓋所述終端孔。

本實(shí)用新型所述柵氧層的厚度為

本實(shí)用新型的減小器件漏電的高壓IGBT器件終端的有益效果是：本實(shí)用新型的減小器件漏電的高壓IGBT器件終端通過(guò)在第三終端金屬長(zhǎng)板下面引入多晶硅場(chǎng)板和柵氧層，讓第三金屬場(chǎng)板不直接和二氧化硅絕緣層以及第二p環(huán)注入基區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體接觸，避免擴(kuò)鉑工藝中終端引入污染源，通過(guò)優(yōu)化復(fù)合中心的第三終端金屬場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，提高器件的可靠性，減小器件的漏電流。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

圖1是本實(shí)施例的減小器件漏電的高壓IGBT器件終端的等效電路圖。

其中：n-漂移區(qū)1、第一p環(huán)注入基區(qū)21、第二p環(huán)注入基區(qū)22、第一終端金屬場(chǎng)板31、第二終端金屬場(chǎng)板32、第三終端金屬場(chǎng)板33、二氧化硅絕緣層4、柵氧層5、終端多晶硅場(chǎng)板6、終端截止環(huán)7。

具體實(shí)施方式

在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“徑向”、“軸向”、“上”、“下”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。在本實(shí)用新型的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。

在本實(shí)用新型的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“設(shè)置”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本實(shí)用新型中的具體含義。

如圖1所示，本實(shí)施例的減小器件漏電的高壓IGBT器件終端包括n-漂移區(qū)1、第一p環(huán)注入基區(qū)21、第二p環(huán)注入基區(qū)22、終端截止環(huán)7、第一終端金屬場(chǎng)板31、第二終端金屬場(chǎng)板32、二氧化硅絕緣層4和第三終端金屬場(chǎng)板 33，其中，第一p環(huán)注入基區(qū)21設(shè)置在n-漂移區(qū)1中且位于n-漂移區(qū)1的左上部，第二p環(huán)注入基區(qū)22設(shè)置在n- 漂移區(qū)1中且位于n-漂移區(qū)1的中上部，終端截止環(huán)7設(shè)置在n-漂移區(qū)1中且位于n-漂移區(qū)1的右上部，第一終端金屬場(chǎng)板31設(shè)置在第一p環(huán)注入基區(qū)21的上表面，第二終端金屬場(chǎng)板32設(shè)置在終端截止環(huán)7的上表面，二氧化硅絕緣層4設(shè)置在n-漂移區(qū)1的上表面且位于第一終端金屬場(chǎng)板31和第二終端金屬場(chǎng)板32之間，二氧化硅絕緣層4的中心開設(shè)有終端孔，終端孔內(nèi)設(shè)有終端多晶硅場(chǎng)板6和位于終端多晶硅場(chǎng)板6下表面的柵氧層5，柵氧層5位于第二p環(huán)注入基區(qū)22的上表面，第三終端金屬場(chǎng)板33設(shè)置在終端多晶硅場(chǎng)板6的上表面。

現(xiàn)有技術(shù)中的復(fù)合中心處的終端金屬場(chǎng)板直接與二氧化硅絕緣層4以及終端半導(dǎo)體接觸，擴(kuò)鉑工藝中鉑容易擴(kuò)散到硅中，從而造成器件的漏電流變大，本實(shí)施例中的第三終端金屬場(chǎng)板 33位于復(fù)合中心，第三終端金屬場(chǎng)板33的下表面為終端多晶硅場(chǎng)板6，第三金屬場(chǎng)板不直接和二氧化硅絕緣層以及第二p環(huán)注入基區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體接觸，避免擴(kuò)鉑工藝中終端引入污染源，通過(guò)優(yōu)化復(fù)合中心的第三終端金屬場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，提高器件的可靠性，減小器件的漏電流。

而且終端多晶硅場(chǎng)板6和硅之間還有層很薄的柵氧層5，這樣可以在正面擴(kuò)鉑的時(shí)候起到阻擋鉑擴(kuò)散到二氧化硅絕緣層4 以及第二p環(huán)注入基區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體的作用，從而有效降低器件的漏電流。優(yōu)選的，柵氧層5的厚度為

本實(shí)施例中的終端多晶硅場(chǎng)板6要完全覆蓋終端孔，即終端多晶硅場(chǎng)板6大于終端孔保證終端多晶硅場(chǎng)板6能夠完全遮蓋住終端孔，這樣才能保證完全阻擋住鉑的擴(kuò)散，當(dāng)然也可以通過(guò)減小終端孔的方法來(lái)減小鉑在終端孔的擴(kuò)散。

由于終端多晶硅場(chǎng)板6下面只有一層很薄的柵氧層5，所以終端多晶硅場(chǎng)板6還可以起到終端場(chǎng)板的作用。

應(yīng)當(dāng)理解，以上所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。由本實(shí)用新型的精神所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。