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一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):11553293閱讀:481來源:國知局
一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)的制造方法與工藝

本實(shí)用新型涉及一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu),屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。



背景技術(shù):

由于大功率MOS管發(fā)熱量較大,而散熱效果的優(yōu)劣可以直接影響MOS管及設(shè)備的穩(wěn)定性,因此通常會(huì)在大功率MOS管背面貼裝散熱器以提高大功率三極管的散熱效率。然而,為保證其應(yīng)用于高壓環(huán)境中的大功率MOS管的絕緣性能,需要在制造的過程中采用絕緣措施將引線框架與散熱器隔開。最常見的方法是把陶瓷片貼裝于引線框架與散熱器之間。這種絕緣措施有以下缺點(diǎn):

1、陶瓷片的絕緣的絕緣性市場(chǎng)上優(yōu)劣不等,需要繁瑣的檢驗(yàn)流程確定其絕緣性;

2、陶瓷片裝片時(shí)如發(fā)生斜管將直接導(dǎo)致,芯片離載片臺(tái)的距離不等,絕緣效果也不等;

3、陶瓷片的制作流程繁瑣,市場(chǎng)價(jià)格昂貴。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu),它能夠解決傳統(tǒng)通過陶瓷片絕緣的價(jià)格昂貴和絕緣性的限制。

本實(shí)用新型解決上述問題所采用的技術(shù)方案為:一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu),它包括引線框架,所述引線框架包括載片臺(tái)和引腳,所述載片臺(tái)上通過焊料設(shè)置有芯片,所述芯片通過焊線與引線框架的引腳電性連接,所述引線框架下方設(shè)置有散熱片,所述引線框架、芯片、焊線和散熱片外圍均包封有塑封料,所述散熱片背面露出于塑封料之外,所述散熱片中間設(shè)置有一開孔,所述開孔內(nèi)填充有塑封料。

所述載片臺(tái)上設(shè)置有V形槽,所述V形槽位于芯片外圍。

所述散熱片背面四周邊緣處設(shè)置有鎖膠臺(tái)階。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:

本實(shí)用新型一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu),它通過塑封料進(jìn)行絕緣,工藝簡(jiǎn)單,絕緣結(jié)構(gòu)制造成本低。本實(shí)用新型散熱片和載片臺(tái)之間的絕緣層厚度可安需求進(jìn)行調(diào)整,其絕緣效果可控。本實(shí)用新型能夠解決傳統(tǒng)通過陶瓷片絕緣的價(jià)格昂貴和絕緣性不可控的限制。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2~圖10為本實(shí)用新型一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法的各工序流程圖。

其中:

引線框架1

引腳1.1

載片臺(tái)1.2

芯片2

焊料3

焊線4

散熱片5

V形槽6

鎖膠臺(tái)階7

開孔8

模具9

頂針10

塑封料11。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

如圖1所示,本實(shí)施例中的一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu),它包括引線框架1,所述引線框架1包括載片臺(tái)1.2和引腳1.1,所述載片臺(tái)1.2上通過焊料3設(shè)置有芯片2,所述芯片2通過焊線4與引線框架1的引腳1.1電性連接,所述引線框架1下方設(shè)置有散熱片5,所述散熱片5背面四周邊緣處設(shè)置有鎖膠臺(tái)階7,所述引線框架1、芯片2、焊線4和散熱片5外圍均包封有塑封料11,所述散熱片5背面露出于塑封料11之外,所述散熱片5中間設(shè)置有一開孔8,所述開孔8內(nèi)填充有塑封料11;

所述載片臺(tái)1.2上設(shè)置有V形槽6,所述V形槽6位于芯片2外圍。

其工藝方法如下:

步驟一、參見圖2,取一引線框架,引線框架包含載片臺(tái)和引腳,載片臺(tái)上設(shè)有V形槽;

步驟二,參見圖3,在步驟一引線框架的載片臺(tái)上涂覆導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì),然后在粘結(jié)物質(zhì)上植入芯片;

步驟三,參見圖4,在芯片正面與引腳正面之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè),所述金屬線的材料采用金、銀、銅、鋁或是合金的材料,金屬絲的形狀可以是絲狀也可以是帶狀;

步驟四,參見圖5,提供一散熱片,散熱片中間具有一開孔,散熱片背面設(shè)有鎖膠臺(tái)階;

步驟五,參見圖6,預(yù)置散熱片至模具內(nèi),模具上對(duì)應(yīng)散熱片開孔位置具有一活動(dòng)頂針,活動(dòng)頂針穿過散熱片的開孔并露出散熱片上表面;

步驟六、參見圖7,將步驟三完成鍵合金屬線作業(yè)的引線框架放入模具中,模具的頂針向上頂起載片臺(tái),使載片臺(tái)下表面距離散熱片上表面有一定距離;

步驟七、參見圖8,向模具內(nèi)注入塑封料,塑封料可以采用有填料物質(zhì)或是無填料物質(zhì)的環(huán)氧樹脂。注入塑封料后,散熱片和載片臺(tái)之間的間隙中會(huì)填充進(jìn)塑封料,使散熱片和載片臺(tái)之間絕緣;

步驟八,參見圖9,活動(dòng)頂針向下運(yùn)動(dòng),未固化的塑封料填充進(jìn)開孔中,使載片臺(tái)背面完全包覆在塑封料中;

步驟九、參見圖10,將完成塑封的半成品進(jìn)行切割或是沖切作業(yè),使原本陣列式的塑封體切割或是沖切獨(dú)立開來,制得一種活動(dòng)頂針內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)。

除上述實(shí)施例外,本實(shí)用新型還包括有其他實(shí)施方式,凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案,均應(yīng)落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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