技術(shù)編號：11553314
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及高壓IGBT器件終端技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種減小器件漏電的高壓IGBT器件終端。背景技術(shù)在高壓IGBT的平面工藝中,目前最常用的壽命控制技術(shù)就是擴(kuò)鉑技術(shù)。擴(kuò)鉑工藝具有較好的漏電流與正向壓降折衷，與擴(kuò)金、電子輻照和輕離子輻照相比，鉑形成的缺陷是難于實現(xiàn)較理想的復(fù)合中心，擴(kuò)鉑工藝一般是在二氧化硅絕緣層的正面開孔之后，沉積正面金屬之前，這道工藝容易在終端引入污染源，器件漏電流增大。實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種減小器件漏電的高壓IGBT器件終端，通過優(yōu)化復(fù)合中...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。