本申請主張2014年11月7日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局申請的申請?zhí)?0-2014-0154785的韓國申請的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其整體并入此文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容的各種實施例有關(guān)于雙極結(jié)型晶體管，并且更具體而言有關(guān)于具有高電流驅(qū)動能力的橫向雙極結(jié)型晶體管。

背景技術(shù)：

雙極結(jié)型晶體管被使用在例如信號放大電路及參考電壓產(chǎn)生電路的各種電路中。一般而言，雙極結(jié)型晶體管利用純粹的雙極工藝技術(shù)來被制造。然而，在某些情形中，雙極結(jié)型晶體管利用互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)兼容的工藝技術(shù)、雙極CMOS(BiCMOS)工藝技術(shù)、或類似者來被制造而具有CMOS電路、或雙重擴散的金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)電路。因此，雙極結(jié)型晶體管已經(jīng)被采用在各種的電子系統(tǒng)中，例如辦公室自動化設(shè)備、家用電器、或其它電子產(chǎn)品。通過所述CMOS兼容的工藝技術(shù)制造的雙極結(jié)型晶體管被稱為橫向雙極結(jié)型晶體管，并且眾所周知的是橫向雙極結(jié)型晶體管具有高的閾值頻率(Ft)以及高的電流增益(β)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

各種的實施例針對于具有高電流驅(qū)動能力的橫向雙極結(jié)型晶體管。

根據(jù)一實施例，一種橫向雙極結(jié)型晶體管包括：共用基極區(qū)；多個發(fā)射極區(qū)，其被設(shè)置在所述共用基極區(qū)中并且在第一對角線方向上被排列成彼此間隔開；以及多個集電極區(qū)，其被設(shè)置在所述共用基極區(qū)中并且在所述第一對角線方向上被排列成彼此間隔開；其中所述多個發(fā)射極區(qū)與多個集電極區(qū)在第二對角線方向上交替地排列。

附圖說明

本公開內(nèi)容的實施例在考慮到所附的附圖以及所附的詳細說明下將會變得更明顯，其中：

圖1是描繪一般被用在半導(dǎo)體器件中的橫向NPN雙極結(jié)型晶體管的平面圖；

圖2是描繪根據(jù)一實施例的一種橫向雙極結(jié)型晶體管的平面圖；

圖3是根據(jù)一實施例的在圖2中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管的沿著圖2的線Ⅰ-Ⅰ'所取的橫截面圖；

圖4是描繪在圖2中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管的主動模式中介于集電極區(qū)與發(fā)射極區(qū)之間的電流路徑的平面圖；

圖5是根據(jù)另一實施例的一種橫向雙極結(jié)型晶體管的橫截面圖；

圖6是描繪根據(jù)另一實施例的一種橫向雙極結(jié)型晶體管的平面圖；

圖7是根據(jù)一實施例的在圖6中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管的沿著圖6的線Ⅱ-Ⅱ'所取的橫截面圖；

圖8是根據(jù)另一實施例的在圖6中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管的沿著圖6的線Ⅱ-Ⅱ'所取的橫截面圖；

圖9是根據(jù)又一實施例的在圖6中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管的沿著圖6的線Ⅱ-Ⅱ'所取的橫截面圖；以及

圖10是描繪在圖6中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管的主動模式中，介于集電極區(qū)與發(fā)射極區(qū)之間的電流路徑的平面圖。

具體實施方式

將會了解到的是，盡管例如"第一"、"第二"、"第三"等等的術(shù)語可能在此被使用來描述各種的組件，但是這些組件不應(yīng)該受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語只是被用來區(qū)別一組件與另一組件。因此，在某些實施例中的第一組件可能在其它實施例中被稱為第二組件，而不脫離本公開內(nèi)容的教導(dǎo)。

同樣將會理解到的是，當(dāng)一組件被稱為位于另一組件"上"、"之上"、"上方"、"下"、"之下"或"下方"時，其可以直接接觸所述另一組件、或至少一介于中間的組件可以存在于兩者之間。于是，在此所用的例如"上"、"之上"、"上方"、"下"、"之下"、"下方"與類似者的術(shù)語只是為了描述特定實施例的目的而已，因而并不欲限制本公開內(nèi)容的范圍。

進一步將會理解到的是，當(dāng)組件被稱為"連接"或"耦接"至另一組件時，其可以直接連接或耦接至所述另一組件、或介于中間的組件可以存在。

圖1是描繪一般在半導(dǎo)體器件中被采用的橫向NPN雙極結(jié)型晶體管10的平面圖。參照圖1，橫向NPN雙極結(jié)型晶體管10可以包括多個摻雜的區(qū)域，例如發(fā)射極區(qū)(E)12、 基極區(qū)(B)14、以及集電極區(qū)(C)16。發(fā)射極區(qū)(E)12可以被基極區(qū)(B)14所圍繞，并且基極區(qū)(B)14可以被集電極區(qū)(C)16所圍繞。發(fā)射極區(qū)(E)12可以被重摻雜N型雜質(zhì)，并且集電極區(qū)(C)16可以被輕摻雜N型雜質(zhì)?；鶚O區(qū)(B)14可以被摻雜P型雜質(zhì)。在橫向NPN雙極結(jié)型晶體管10中，若正向偏置被施加在發(fā)射極區(qū)(E)12與基極區(qū)(B)14之間并且反向偏置被施加在基極區(qū)(B)14與集電極區(qū)(C)16之間，則集電極電流可以如同由箭頭20所指出的從集電極區(qū)(C)16流向發(fā)射極區(qū)(E)12。在此種情形中，集電極電流量可能會受到在發(fā)射極區(qū)(E)12與基極區(qū)(B)14之間的結(jié)面積的影響。換言之，若在發(fā)射極區(qū)(E)12與基極區(qū)(B)14之間的結(jié)面積增大以改善橫向NPN雙極結(jié)型晶體管10的電流驅(qū)動能力，則橫向NPN雙極結(jié)型晶體管10所占用的平面面積亦可能會增大。

圖2是描繪根據(jù)一實施例的一種橫向雙極結(jié)型晶體管100的平面圖。參照圖2，橫向雙極結(jié)型晶體管100可以對應(yīng)于橫向NPN雙極結(jié)型晶體管，并且可以包括共用基極區(qū)120、被設(shè)置在共用基極區(qū)120中的多個島狀發(fā)射極區(qū)131～137、以及被設(shè)置在共用基極區(qū)120中的多個島狀集電極區(qū)141～146。共用基極區(qū)120可以包括低濃度的基極區(qū)122以及高濃度的基極區(qū)124。低濃度的基極區(qū)122可以被輕摻雜P型雜質(zhì)，并且高濃度的基極區(qū)124可以被重摻雜P型雜質(zhì)。低濃度的基極區(qū)122可以被設(shè)置以圍繞高濃度的基極區(qū)124的側(cè)壁以及底表面。在某些實施例中，低濃度的基極區(qū)122在平面圖中可以具有矩形形狀。類似地，高濃度的基極區(qū)124在平面圖中亦可以具有矩形形狀。

多個島狀發(fā)射極區(qū)131～137可以是N型，并且多個島狀集電極區(qū)141～146亦可以是N型。發(fā)射極區(qū)131～137的雜質(zhì)濃度可以高于集電極區(qū)141～146的雜質(zhì)濃度。發(fā)射極區(qū)131～137可以包括第一發(fā)射極區(qū)131～135、第二發(fā)射極區(qū)136、以及第三發(fā)射極區(qū)137。第一發(fā)射極區(qū)131～135可以在對角線210上被排列成彼此間隔開，對角線210在第一對角線方向上從高濃度的基極區(qū)124的左上角朝向高濃度的基極區(qū)124的右下角延伸。第二發(fā)射極區(qū)136可以被設(shè)置在高濃度的基極區(qū)124的右上角，并且第三發(fā)射極區(qū)137可以被設(shè)置在高濃度的基極區(qū)124的左下角。集電極區(qū)141～146可以包括第一集電極區(qū)141～143以及第二集電極區(qū)144～146。第一集電極區(qū)141～143可以被設(shè)置在對角線210與第二發(fā)射極區(qū)136之間，并且可以在第一對角線方向上被排列成彼此間隔開。第二集電極區(qū)144～146可以被設(shè)置在對角線210與第三發(fā)射極區(qū)137之間，并且可以在第一對角線方向上被排列成彼此間隔開。根據(jù)上述的發(fā)射極區(qū)與集電極區(qū)的陣列，發(fā)射極區(qū)與集電極區(qū)可以在垂直于第一對角線方向的第二對角線方向上交替地排列。

圖3是根據(jù)一實施例的在圖2中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管100的沿著圖2的線Ⅰ-Ⅰ'所取的橫截面圖。參照圖2及3，N型深阱區(qū)104可以被設(shè)置在P型襯底102的上方區(qū)域中。共用基極區(qū)120的低濃度的基極區(qū)122可以被設(shè)置在深阱區(qū)104的上方區(qū)域中。 發(fā)射極區(qū)131～137以及集電極區(qū)141～146可以被設(shè)置在低濃度的基極區(qū)122的上方區(qū)域中，以彼此間隔開。高濃度的基極區(qū)124可以被設(shè)置在發(fā)射極區(qū)131～137以及集電極區(qū)141～146的側(cè)壁之間。

第一發(fā)射極區(qū)133以及高濃度的基極區(qū)124可以具有相同的結(jié)深度。盡管未顯示在圖3中，所有在圖2中所描繪的發(fā)射極區(qū)131～137都可以具有和高濃度的基極區(qū)124實質(zhì)相同的結(jié)深度。第一集電極區(qū)143以及第二集電極區(qū)144可以具有大于高濃度的基極區(qū)124的結(jié)深度的結(jié)深度。所有在圖2中所描繪的集電極區(qū)141～146亦可以具有實質(zhì)相同的結(jié)深度。如上所述，第一集電極區(qū)143以及第二集電極區(qū)144可以被輕摻雜N型雜質(zhì)。因此，所有的集電極區(qū)141～146都可以在NMOS晶體管的N型輕摻雜的漏極(LDD)區(qū)(亦即，N型延伸)在襯底102的相鄰于橫向雙極結(jié)型晶體管100的其它區(qū)域中被形成的同時被形成。第一發(fā)射極區(qū)133以及高濃度的基極區(qū)124分別可以被重摻雜N型雜質(zhì)以及P型雜質(zhì)。因此，第一發(fā)射極區(qū)133(亦即，所有的發(fā)射極區(qū)131～137)可以在NMOS晶體管的N型源極/漏極區(qū)在襯底102的相鄰橫向雙極結(jié)型晶體管100的其它區(qū)域中被形成時被形成，并且高濃度的基極區(qū)124可以在NMOS晶體管(或PMOS晶體管)的P型本體接觸區(qū)(或P型源極/漏極區(qū))在襯底102的相鄰于橫向雙極結(jié)型晶體管100的其它區(qū)域中被形成時被形成。于是，若NMOS晶體管的N型LDD區(qū)(亦即，N型延伸)比NMOS晶體管的N型源極/漏極區(qū)以及P型本體接觸區(qū)深，則如同在圖3中所繪，第一集電極區(qū)143以及第二集電極區(qū)144可以比高濃度的基極區(qū)124以及第一發(fā)射極區(qū)133深。

深阱區(qū)104可以被設(shè)置以將低濃度的基極區(qū)122與襯底102電性隔離。例如，若被施加至深阱區(qū)104的電壓高于被施加至低濃度的基極區(qū)122的電壓，則由深阱區(qū)104以及低濃度的基極區(qū)122所構(gòu)成的寄生PN二極管可以被反向偏置，以將低濃度的基極區(qū)122與襯底102電性絕緣。換言之，低濃度的基極區(qū)122可以與被設(shè)置在襯底102中的相鄰于深阱區(qū)104的其它器件電性隔離，并且即使橫向雙極結(jié)型晶體管100在操作，襯底102的電位也不會波動。

第一發(fā)射極區(qū)133可以電連接至發(fā)射極端子E。盡管圖3描繪了其中只有第一發(fā)射極區(qū)133電連接至發(fā)射極端子E的橫截面圖，但是所有在圖2中所描繪的發(fā)射極區(qū)131～137都可以電連接至發(fā)射極端子E。第一及第二集電極區(qū)143及144可以電連接至集電極端子C。更明確地說，所有在圖2中所描繪的集電極區(qū)141～146都可以電連接至集電極端子C。高濃度的基極區(qū)124可以電連接至基極端子B。因為低濃度的基極區(qū)122以及高濃度的基極區(qū)124都是P型，因此偏置電壓可以從基極端子B起通過高濃度的基極區(qū)124而被傳送至低濃度的基極區(qū)122。

若正向偏置被施加在發(fā)射極端子E與基極端子B之間，并且反向偏置被施加在集電 極端子C與基極端子B之間，則橫向雙極結(jié)型晶體管100可以操作在主動模式中。在橫向NPN雙極結(jié)型晶體管100的主動模式中，對應(yīng)于電流的主(dominant)載流子(或多數(shù)載流子)的電子可以從發(fā)射極端子E朝向集電極端子C移動。于是，集電極電流可以從集電極端子C流向發(fā)射極端子E。明確地說，如通過箭頭311所指出的，集電極電流的一部分可以從第一集電極區(qū)143流向第一發(fā)射極區(qū)133。再者，如通過箭頭312所指出的，集電極電流的另一部分可以從第二集電極區(qū)144流向第一發(fā)射極區(qū)133。

圖4是描繪在圖2中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管100的主動模式中在集電極區(qū)與發(fā)射極區(qū)之間的電流路徑的平面圖。在圖4中，和在圖2中所用的相同的附圖標(biāo)記表示相同的組件。因此，和在圖2中所繪的相同的組件的說明在此實施例中將會被省略、或被簡略地提及。

參照圖4，如同參考圖3所述的，被設(shè)置在高濃度的基極區(qū)124的中央?yún)^(qū)域的第一發(fā)射極區(qū)133可以通過電流路徑311及312以從第一及第二集電極區(qū)143及144接收集電極電流。類似地，第一發(fā)射極區(qū)133可以通過電流路徑313以從被設(shè)置在第一發(fā)射極區(qū)133的上方側(cè)的第一集電極區(qū)141接收集電極電流，并且可以通過電流路徑314以從被設(shè)置在第一發(fā)射極區(qū)133的下方側(cè)的第二集電極區(qū)146接收集電極電流。因此，當(dāng)從圖4的平面圖觀之，到達第一發(fā)射極區(qū)133的電流路徑311、312、313及314分別可以面對第一發(fā)射極區(qū)133的四個側(cè)壁。

第一發(fā)射極區(qū)132可以通過電流路徑321以從第一集電極區(qū)142接收集電極電流，并且可以通過電流路徑322以從第二集電極區(qū)145接收集電極電流。因此，當(dāng)從圖4的平面圖觀之，到達第一發(fā)射極區(qū)132的電流路徑321及322分別可以面對第一發(fā)射極區(qū)132的右側(cè)壁以及下側(cè)壁。此外，第一發(fā)射極區(qū)131可以通過電流路徑331以從第一集電極區(qū)141接收集電極電流，并且可以通過電流路徑332以從第二集電極區(qū)144接收集電極電流。因此，當(dāng)從圖4的平面圖觀之，到達第一發(fā)射極區(qū)131的電流路徑331及332分別可以面對第一發(fā)射極區(qū)131的右側(cè)壁以及下側(cè)壁。

第一發(fā)射極區(qū)134可以通過電流路徑341以從第一集電極區(qū)142接收集電極電流，并且可以通過電流路徑342以從第二集電極區(qū)145接收集電極電流。因此，當(dāng)從圖4的平面圖觀之，到達第一發(fā)射極區(qū)134的電流路徑341及342分別可以面對第一發(fā)射極區(qū)134的上側(cè)壁以及左側(cè)壁。此外，第一發(fā)射極區(qū)135可以通過電流路徑351以從第一集電極區(qū)143接收集電極電流，并且可以通過電流路徑352以從第二集電極區(qū)146接收集電極電流。因此，當(dāng)從圖4的平面圖觀之，到達第一發(fā)射極區(qū)135的電流路徑351及352分別可以面對第一發(fā)射極區(qū)135的上側(cè)壁以及左側(cè)壁。

第二發(fā)射極區(qū)136可以通過電流路徑361以從第一集電極區(qū)141接收集電極電流，并且可以通過電流路徑362以從第一集電極區(qū)143接收集電極電流。因此，當(dāng)從圖4的平面圖觀之，到達第一發(fā)射極區(qū)136的電流路徑361及362分別可以面對第二發(fā)射極區(qū)136的左側(cè)壁以及下側(cè)壁。類似地，第三發(fā)射極區(qū)137可以通過電流路徑371以從第二集電極區(qū)144接收集電極電流，并且可以通過電流路徑372以從第二集電極區(qū)146接收集電極電流。因此，當(dāng)從圖4的平面圖觀之，到達第一發(fā)射極區(qū)137的電流路徑371及372分別可以面對第三發(fā)射極區(qū)137的上側(cè)壁以及右側(cè)壁。

如上所述，橫向雙極結(jié)型晶體管100可以被配置以在發(fā)射極端子E(亦即，發(fā)射極區(qū))與集電極端子C(亦即，集電極區(qū))之間具有十六個電流路徑。換言之，在相同的平面面積中，橫向雙極結(jié)型晶體管100可以被設(shè)計以在發(fā)射極端子E(亦即，發(fā)射極區(qū))與集電極端子C(亦即，集電極區(qū))之間具有十六個電流路徑，而在圖1中所示的一般雙極結(jié)型晶體管10在發(fā)射極端子E(亦即，發(fā)射極區(qū)12)與集電極端子C(亦即，集電極區(qū)16)之間只有四個電流路徑20。在此例中，橫向雙極結(jié)型晶體管100的發(fā)射極-基極結(jié)面積的每一個可能小于在圖1中所示的一般雙極結(jié)型晶體管10的發(fā)射極-基極結(jié)面積。然而，橫向雙極結(jié)型晶體管100的發(fā)射極-基極結(jié)區(qū)的總數(shù)可以是在圖1中所示的一般雙極結(jié)型晶體管10的發(fā)射極-基極結(jié)區(qū)的總數(shù)的七倍。因此，相較于在圖1中所示的一般雙極結(jié)型晶體管10，橫向雙極結(jié)型晶體管100的電流驅(qū)動能力可以得到改善。

圖5是根據(jù)另一實施例的一種橫向雙極結(jié)型晶體管400的橫截面圖。在圖5中，與在圖2及3所用的相同的附圖標(biāo)記表示相同的組件。

參照圖2及5，P型半導(dǎo)體層410可以被設(shè)置在P型襯底102的上方區(qū)域中。P型半導(dǎo)體層410可以利用外延生長工藝來被形成。N型掩埋層420可以被設(shè)置在半導(dǎo)體層410與襯底102之間。在形成半導(dǎo)體層410的同時，掩埋層420中的雜質(zhì)可以被激活，并且垂直地擴散到半導(dǎo)體層410以及襯底102之中。掩埋層420的邊緣可以接觸N型槽(sink)區(qū)430的下端。槽區(qū)430可以向上地延伸以穿透半導(dǎo)體層410。盡管未顯示在圖5中，N型槽接觸區(qū)可以被設(shè)置在槽區(qū)430的上方區(qū)域中。由槽區(qū)430以及掩埋層420所圍繞的半導(dǎo)體層410可以作用為低濃度的基極區(qū)122。若超過某一電平的正電壓被施加至槽區(qū)430及掩埋層420并且半導(dǎo)體層410被接地，則低濃度的基極區(qū)122可以因槽區(qū)430及掩埋層420的存在而與被設(shè)置在襯底102或半導(dǎo)體層410中的其它器件電性隔離，因而即使被制造在低濃度的基極區(qū)122中的橫向雙極結(jié)型晶體管400操作時，襯底102的電位也不會波動。

第一發(fā)射極區(qū)133、第一集電極區(qū)143以及第二集電極區(qū)144可以被設(shè)置在低濃度的基極區(qū)122的上方區(qū)域中而為間隔開的。高濃度的基極區(qū)124可以被設(shè)置在第一發(fā)射 極區(qū)133與第一及第二集電極區(qū)143及144的側(cè)壁之間。第一發(fā)射極區(qū)133以及高濃度的基極區(qū)124可以具有相同的結(jié)深度。盡管未顯示在圖5中，如同在圖2及3中所繪，橫向雙極結(jié)型晶體管400可以包括具有與高濃度的基極區(qū)124實質(zhì)相同的結(jié)深度的多個發(fā)射極區(qū)。第一集電極區(qū)143以及第二集電極區(qū)144可以具有大于高濃度的基極區(qū)124的結(jié)深度的結(jié)深度。如同在圖2及3中所繪，橫向雙極結(jié)型晶體管400可以包括具有與第一及第二集電極區(qū)143及144實質(zhì)相同的結(jié)深度的多個集電極區(qū)。

第一發(fā)射極區(qū)133可以電連接至發(fā)射極端子E。盡管圖5描繪了其中只有第一發(fā)射極區(qū)133電連接至發(fā)射極端子E的橫截面圖，但是所有的發(fā)射極區(qū)都可以電連接至發(fā)射極端子E。第一及第二集電極區(qū)143及144可以電連接至集電極端子C。更明確地說，所有的集電極區(qū)都可以電連接至集電極端子C。高濃度的基極區(qū)124可以電連接至基極端子B。因為低濃度的基極區(qū)122以及高濃度的基極區(qū)124兩者都是P型，因此偏置電壓可以從基極端子B起通過高濃度的基極區(qū)124而甚至被傳送至低濃度的基極區(qū)122。

若正向偏置被施加在發(fā)射極端子E與基極端子B之間，并且反向偏置被施加在集電極端子C與基極端子B之間，則橫向雙極結(jié)型晶體管400可以在主動模式中操作。在橫向NPN雙極結(jié)型晶體管400的主動模式中，對應(yīng)于電流的主載流子(或多數(shù)載流子)的電子可以從發(fā)射極端子E朝向集電極端子C移動。于是，集電極電流可以從集電極端子C流向發(fā)射極端子E。明確地說，如同由箭頭311所指出的，集電極電流的一部分可以從第一集電極區(qū)143流向第一發(fā)射極區(qū)133。再者，如同由箭頭312所指出的，集電極電流的另一部分可以從第二集電極區(qū)144流向第一發(fā)射極區(qū)133。橫向NPN雙極結(jié)型晶體管400可以呈現(xiàn)與參考圖4所述的相同的電流路徑。

圖6是描繪根據(jù)另一實施例的一種橫向雙極結(jié)型晶體管500的平面圖。參照圖6，橫向雙極結(jié)型晶體管500可以對應(yīng)于橫向PNP雙極結(jié)型晶體管，并且可以包括共用基極區(qū)520、被設(shè)置在共用基極區(qū)520中的多個島狀發(fā)射極區(qū)531～537、以及被設(shè)置在共用基極區(qū)520中的多個島狀集電極區(qū)541～546。共用基極區(qū)520可以包括低濃度的基極區(qū)522以及高濃度的基極區(qū)524。低濃度的基極區(qū)522可以被輕摻雜N型雜質(zhì)，并且高濃度的基極區(qū)524可以被重摻雜N型雜質(zhì)。低濃度的基極區(qū)522可以被設(shè)置以圍繞高濃度的基極區(qū)524的側(cè)壁以及底表面。在某些實施例中，低濃度的基極區(qū)522在平面圖中可以具有矩形形狀。類似地，高濃度的基極區(qū)524在平面圖中亦可以具有矩形形狀。

多個島狀發(fā)射極區(qū)531～537可以是P型，并且多個島狀集電極區(qū)541～546亦可以是P型。發(fā)射極區(qū)531～537的雜質(zhì)濃度可以高于集電極區(qū)541～546的雜質(zhì)濃度。發(fā)射極區(qū)531～537可以包括第一發(fā)射極區(qū)531～535、第二發(fā)射極區(qū)536、以及第三發(fā)射極區(qū)537。第一發(fā)射極區(qū)531～535可以在對角線610上被排列成彼此間隔開，對角線610在第一對 角線方向上從高濃度的基極區(qū)524的左上角朝向高濃度的基極區(qū)524的右下角延伸。第二發(fā)射極區(qū)536可以被設(shè)置在高濃度的基極區(qū)524的右上角，并且第三發(fā)射極區(qū)537可以被設(shè)置在高濃度的基極區(qū)524的左下角。集電極區(qū)541～546可以包括第一集電極區(qū)541～543以及第二集電極區(qū)544～546。第一集電極區(qū)541～543可以被設(shè)置在對角線610與第二發(fā)射極區(qū)536之間，并且可以在第一對角線方向上被排列成彼此間隔開。第二集電極區(qū)544～546可以被設(shè)置在對角線610與第三發(fā)射極區(qū)537之間，并且可以在第一對角線方向上被排列成彼此間隔開。根據(jù)上述的發(fā)射極區(qū)以及集電極區(qū)的陣列，發(fā)射極區(qū)以及集電極區(qū)可以在垂直于第一對角線方向的第二對角線方向上交替地排列。

圖7是根據(jù)一實施例的在圖6中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管500的沿著圖6的線Ⅱ-Ⅱ'所取的橫截面圖。盡管未顯示在圖6中，第一P型深阱區(qū)504可以被設(shè)置在P型襯底502的上方區(qū)域中。第一P型深阱區(qū)504可以在在襯底502中形成相鄰于橫向PNP雙極結(jié)型晶體管500的其它器件的P型阱區(qū)的同時被形成。因此，若其它器件被形成為無任何P型阱區(qū)，則橫向PNP雙極結(jié)型晶體管500可以被形成為無第一P型深阱區(qū)504。共用基極區(qū)520的低濃度的基極區(qū)522可以被設(shè)置在第一P型深阱區(qū)504的上方區(qū)域中。發(fā)射極區(qū)531～537以及集電極區(qū)541～546可以被設(shè)置在低濃度的基極區(qū)522的上方區(qū)域中，以彼此間隔開。高濃度的基極區(qū)524可以被設(shè)置在發(fā)射極區(qū)531～537以及集電極區(qū)541～546的側(cè)壁之間。

第一發(fā)射極區(qū)533以及高濃度的基極區(qū)524可以具有相同的結(jié)深度。盡管未顯示在圖7中，所有在圖6中描繪的發(fā)射極區(qū)531～537都可以具有與高濃度的基極區(qū)524實質(zhì)相同的結(jié)深度。第一集電極區(qū)543以及第二集電極區(qū)544可以具有大于高濃度的基極區(qū)524的結(jié)深度的結(jié)深度。所有在圖6中描繪的集電極區(qū)541～546亦可以具有實質(zhì)相同的結(jié)深度。如上所述的，第一集電極區(qū)543以及第二集電極區(qū)544可以被輕摻雜P型雜質(zhì)。因此，所有的集電極區(qū)541～546都可以于在襯底502的相鄰于橫向雙極結(jié)型晶體管500的其它區(qū)域中形成PMOS晶體管的P型輕摻雜漏極(LDD)區(qū)(亦即，P型延伸)的同時被形成。第一發(fā)射極區(qū)533以及高濃度的基極區(qū)524分別可以被重摻雜P型雜質(zhì)及N型雜質(zhì)。因此，第一發(fā)射極區(qū)533(亦即，所有的發(fā)射極區(qū)531～537)可以于在襯底502的相鄰于橫向雙極結(jié)型晶體管500的其它區(qū)域中形成PMOS晶體管的P型源極/漏極區(qū)的同時被形成，并且高濃度的基極區(qū)524可以于在襯底502的相鄰于橫向雙極結(jié)型晶體管500的其它區(qū)域中形成PMOS晶體管(或NMOS晶體管)的N型本體接觸區(qū)(或N型源極/漏極區(qū))的同時被形成。于是，若PMOS晶體管的P型LDD區(qū)域(亦即，P型延伸)比PMOS晶體管的P型源極/漏極區(qū)及N型本體接觸區(qū)深，則如同在圖7中所繪，第一集電極區(qū)543以及第二集電極區(qū)544可以被形成為比高濃度的基極區(qū)524以及第一發(fā)射極區(qū)533深。

由于第一深阱區(qū)504及/或襯底502P型而且低濃度的基極區(qū)522N型，因此寄生P-N二極管可以被設(shè)置在襯底502與低濃度的基極區(qū)522之間。因此，若被施加至第一深阱區(qū)504及/或襯底502的電壓低于被施加至低濃度的基極區(qū)522的電壓，則寄生P-N二極管可以被反向偏置。于是，低濃度的基極區(qū)522可以與被設(shè)置在襯底502中的相鄰于第一深阱區(qū)504的其它器件電性隔離，并且即使橫向雙極結(jié)型晶體管500操作時，襯底502的電位也不會波動。

第一發(fā)射極區(qū)533可以電連接至發(fā)射極端子E。盡管圖7描繪了其中只有第一發(fā)射極區(qū)533電連接至發(fā)射極端子E的橫截面圖，但是所有在圖6中描繪的發(fā)射極區(qū)531～537都可以電連接至發(fā)射極端子E。第一及第二集電極區(qū)543及544可以電連接至集電極端子C。更明確地說，所有在圖6中描繪的集電極區(qū)541～546都可以電連接至集電極端子C。高濃度的基極區(qū)524可以電連接至基極端子B。因為低濃度的基極區(qū)522以及高濃度的基極區(qū)524兩者都是N型，因此偏置電壓可以從基極端子B起通過高濃度的基極區(qū)524而甚至被傳送至低濃度的基極區(qū)522。

若正向偏置被施加在發(fā)射極端子E與基極端子B之間，并且反向偏置被施加在集電極端子C與基極端子B之間，則橫向雙極結(jié)型晶體管500可以在主動模式中操作。在橫向PNP雙極結(jié)型晶體管500的主動模式中，對應(yīng)于電流的主載流子(或多數(shù)載流子)的空穴可以從發(fā)射極端子E朝向集電極端子C移動。于是，集電極電流可以從發(fā)射極端子E流向集電極端子C。

圖8是根據(jù)另一實施例的在圖6中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管500的沿著圖6的線Ⅱ-Ⅱ'所取的橫截面圖。在圖8中，與在圖6及7中所用的相同的附圖標(biāo)記表示相同的組件。盡管未顯示在圖6中，第一P型深阱區(qū)504可以被設(shè)置在P型襯底502的上方區(qū)域中。第一P型深阱區(qū)504的側(cè)壁以及底表面可以由被設(shè)置在襯底502中的第二N型深阱區(qū)503所圍繞。換言之，第二N型深阱區(qū)503可以在襯底502的頂表面露出，并且第一P型深阱區(qū)504亦可以在襯底502的頂表面露出。共用基極區(qū)520的低濃度的基極區(qū)522可以被設(shè)置在第一P型深阱區(qū)504的上方區(qū)域中。發(fā)射極區(qū)531～537以及集電極區(qū)541～546可以被設(shè)置在低濃度的基極區(qū)522的上方區(qū)域中，以彼此間隔開。共用基極區(qū)520的高濃度的基極區(qū)524可以被設(shè)置在發(fā)射極區(qū)531～537以及集電極區(qū)541～546的側(cè)壁之間。

第一發(fā)射極區(qū)533以及高濃度的基極區(qū)524可以具有相同的結(jié)深度。盡管未顯示在圖8中，所有在圖6中描繪的發(fā)射極區(qū)531～537都可以具有與高濃度的基極區(qū)524實質(zhì)相同的結(jié)深度。第一集電極區(qū)543以及第二集電極區(qū)544可以具有大于高濃度的基極區(qū)524的結(jié)深度的結(jié)深度。所有在圖6中描繪的集電極區(qū)541～546亦可以具有實質(zhì)相同的 結(jié)深度。如上所述的，第一集電極區(qū)543以及第二集電極區(qū)544可以被輕摻雜P型雜質(zhì)。因此，所有的集電極區(qū)541～546都可以于在襯底502的相鄰于橫向雙極結(jié)型晶體管500的其它區(qū)域中形成PMOS晶體管的P型輕摻雜漏極(LDD)區(qū)域(亦即，P型延伸)的同時被形成。第一發(fā)射極區(qū)533以及高濃度的基極區(qū)524分別可以被重摻雜P型雜質(zhì)及N型雜質(zhì)。因此，第一發(fā)射極區(qū)533(亦即，所有的發(fā)射極區(qū)531～537)可以于在襯底502的相鄰于橫向雙極結(jié)型晶體管500的其它區(qū)域中形成PMOS晶體管的P型源極/漏極區(qū)的同時被形成，并且高濃度的基極區(qū)524可以于在襯底502的相鄰于橫向雙極結(jié)型晶體管500的其它區(qū)域中形成PMOS晶體管(或NMOS晶體管)的N型本體接觸區(qū)(或N型源極/漏極區(qū))的同時被形成。于是，若PMOS晶體管的P型LDD區(qū)(亦即，P型延伸)比PMOS晶體管的P型源極/漏極區(qū)以及N型本體接觸區(qū)深，則如同在圖8中所繪，第一集電極區(qū)543以及第二集電極區(qū)544可以比高濃度的基極區(qū)524以及第一發(fā)射極區(qū)533深。

第一寄生P-N二極管可以被設(shè)置在第一P型深阱區(qū)504與低濃度的基極區(qū)522之間。此外，第二寄生P-N二極管可以被設(shè)置在第一P型深阱區(qū)504與第二N型深阱區(qū)503之間。因此，若被施加至低濃度的基極區(qū)522的電壓高于被施加至第一深阱區(qū)504的電壓，則第一寄生P-N二極管可以被反向偏置，以將低濃度的基極區(qū)522與襯底502電性隔離。再者，若被施加至第二深阱區(qū)503的電壓高于被施加至第一深阱區(qū)504的電壓，則第二寄生P-N二極管亦可以被反向偏置，以將第一深阱區(qū)504與襯底502電性隔離。在任一種情形中，低濃度的基極區(qū)522都可以與被設(shè)置在襯底502中的相鄰于第一深阱區(qū)504的其它器件電性隔離，因而即使橫向雙極結(jié)型晶體管500操作時，襯底502的電位也不會波動。

第一發(fā)射極區(qū)533可以電連接至發(fā)射極端子E。盡管圖8描繪了其中只有第一發(fā)射極區(qū)533電連接至發(fā)射極端子E的橫截面圖，但是所有在圖6中描繪的發(fā)射極區(qū)531～537都可以電連接至發(fā)射極端子E。第一及第二集電極區(qū)543及544可以電連接至集電極端子C。更明確地說，所有在圖6中描繪的集電極區(qū)541～546都可以電連接至集電極端子C。高濃度的基極區(qū)524可以電連接至基極端子B。因為低濃度的基極區(qū)522以及高濃度的基極區(qū)524兩者都是N型，因此偏置電壓可以從基極端子B起通過高濃度的基極區(qū)524而被傳送至低濃度的基極區(qū)522。若正向偏置被施加在發(fā)射極端子E與基極端子B之間，并且反向偏置被施加在集電極端子C與基極端子B之間，則橫向雙極結(jié)型晶體管500可以在主動模式中操作。在橫向PNP雙極結(jié)型晶體管500的主動模式中，對應(yīng)于電流的主載流子(或多數(shù)載流子)的空穴可以從發(fā)射極端子E朝向集電極端子C移動。于是，集電極電流可以從發(fā)射極端子E流向集電極端子C。

圖9是根據(jù)另一實施例的在圖6中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管500的沿著圖6的線 Ⅱ-Ⅱ'所取的橫截面圖。在圖9中，所用的附圖標(biāo)記表示與圖6、7及8相同的組件。盡管未顯示在圖6中，P型半導(dǎo)體層610可以被設(shè)置在P型襯底502的上方區(qū)域中。P型半導(dǎo)體層610可以利用外延生長工藝來被形成。N型掩埋層620可以被設(shè)置在半導(dǎo)體層610與襯底502之間。在形成半導(dǎo)體層610的同時，在掩埋層620中的雜質(zhì)可以被激活并且垂直地擴散到半導(dǎo)體層610以及襯底502之中。掩埋層620的邊緣可以接觸N型槽區(qū)630的下端。槽區(qū)630可以向上地延伸，以穿透半導(dǎo)體層610。盡管未顯示在圖9中，N型槽接觸區(qū)可以被設(shè)置在槽區(qū)630的上方區(qū)域中。由槽區(qū)630以及掩埋層620所圍繞的半導(dǎo)體層610可以作用為P型深阱區(qū)710。低濃度的基極區(qū)522可以被設(shè)置在深阱區(qū)710的上方區(qū)域中。若被施加至槽區(qū)630以及掩埋層620的電壓高于被施加至深阱區(qū)710的電壓，則低濃度的基極區(qū)522可以與被設(shè)置在襯底502或半導(dǎo)體層610中的其它器件電性隔離，并且即使在低濃度的基極區(qū)522中所制造的橫向雙極結(jié)型晶體管500操作時，襯底502的電位也不會波動。

第一發(fā)射極區(qū)533、第一集電極區(qū)543以及第二集電極區(qū)544可以被設(shè)置在低濃度的基極區(qū)522的上方區(qū)域中，以彼此間隔開。高濃度的基極區(qū)524可以被設(shè)置在第一發(fā)射極區(qū)533與第一及第二集電極區(qū)543及544的側(cè)壁之間。第一發(fā)射極區(qū)533以及高濃度的基極區(qū)524可以具有相同的結(jié)深度。盡管未顯示在圖9中，所有在圖6中描繪的發(fā)射極區(qū)531～537可以具有和高濃度的基極區(qū)524實質(zhì)相同的結(jié)深度。第一集電極區(qū)543以及第二集電極區(qū)544可以具有大于高濃度的基極區(qū)524的結(jié)深度的結(jié)深度。所有在圖6中描繪的集電極區(qū)541～546亦可以具有實質(zhì)相同的結(jié)深度。

第一發(fā)射極區(qū)533可以電連接至發(fā)射極端子E。盡管圖9描繪了其中只有第一發(fā)射極區(qū)533電連接至發(fā)射極端子E的橫截面圖，但是所有在圖6中描繪的發(fā)射極區(qū)531～537都可以電連接至發(fā)射極端子E。第一及第二集電極區(qū)543及544可以電連接至集電極端子C。更明確地說，所有在圖6中描繪的集電極區(qū)541～546都可以電連接至集電極端子C。高濃度的基極區(qū)524可以電連接至基極端子B。因為低濃度的基極區(qū)522以及高濃度的基極區(qū)524兩者都是P型，因此偏置電壓可以從基極端子B起通過高濃度的基極區(qū)524而甚至被傳送至低濃度的基極區(qū)522。若正向偏置被施加在發(fā)射極端子E與基極端子B之間，并且反向偏置被施加在集電極端子C與基極端子B之間，則橫向雙極結(jié)型晶體管500可以在主動模式中操作。在橫向PNP雙極結(jié)型晶體管500的主動模式中，對應(yīng)于電流的主載流子(或多數(shù)載流子)的空穴可以從發(fā)射極端子E朝向集電極端子C移動。于是，集電極電流可以從發(fā)射極端子E流向集電極端子C。

圖10是描繪在圖6中所示的橫向雙極結(jié)型晶體管500的主動模式中在集電極區(qū)與發(fā)射極區(qū)之間的電流路徑的平面圖。在圖10中，與在圖6中所用的相同的附圖標(biāo)記表示 相同的組件。因此，與在圖6中所繪的相同的組件的說明在此實施例中將會被省略、或被簡略地提及。

參照圖10，被設(shè)置在高濃度的基極區(qū)524的中央?yún)^(qū)域的第一發(fā)射極區(qū)533可以分別通過電流路徑811及812而朝向第一及第二集電極區(qū)543及544發(fā)射載流子(例如，空穴)。再者，第一發(fā)射極區(qū)533可以通過電流路徑813而朝向被設(shè)置在第一發(fā)射極區(qū)533的上方側(cè)的第一集電極區(qū)541發(fā)射載流子(例如，空穴)，并且可以通過電流路徑814而朝向被設(shè)置在第一發(fā)射極區(qū)533的下方側(cè)的第二集電極區(qū)546發(fā)射載流子(例如，空穴)。因此，電流路徑811、812、813及814可以從第一發(fā)射極區(qū)533的四個側(cè)壁分別朝向集電極區(qū)543、544、541及546來延伸。

第一發(fā)射極區(qū)532可以通過電流路徑821而朝向第一集電極區(qū)542發(fā)射載流子(例如，空穴)，并且可以通過電流路徑822而朝向第二集電極區(qū)545發(fā)射載流子(例如，空穴)。因此，電流路徑821及822可以從第一發(fā)射極區(qū)532的右側(cè)壁以及下側(cè)壁分別朝向第一及第二集電極區(qū)542及545來延伸。第一發(fā)射極區(qū)531可以通過電流路徑831而朝向第一集電極區(qū)541發(fā)射載流子(例如，空穴)，并且可以通過電流路徑832而朝向第二集電極區(qū)544發(fā)射載流子(例如，空穴)。因此，電流路徑831及832可以從第一發(fā)射極區(qū)531的右側(cè)壁以及下側(cè)壁分別朝向第一及第二集電極區(qū)541及544來延伸。

第一發(fā)射極區(qū)534可以通過電流路徑841而朝向第一集電極區(qū)542發(fā)射載流子(例如，空穴)，并且可以通過電流路徑842而朝向第二集電極區(qū)545發(fā)射載流子(例如，空穴)。因此，電流路徑841及842可以從第一發(fā)射極區(qū)534的上側(cè)壁以及左側(cè)壁分別朝向第一及第二集電極區(qū)542及545來延伸。第一發(fā)射極區(qū)535可以通過電流路徑851而朝向第一集電極區(qū)543發(fā)射載流子(例如，空穴)，并且可以通過電流路徑852而朝向第二集電極區(qū)546發(fā)射載流子(例如，空穴)。因此，電流路徑851及852可以從第一發(fā)射極區(qū)535的上側(cè)壁以及左側(cè)壁分別朝向第一及第二集電極區(qū)543及546來延伸。

第二發(fā)射極區(qū)536可以通過電流路徑861而朝向第一集電極區(qū)541發(fā)射載流子(例如，空穴)，并且可以通過電流路徑862而朝向第一集電極區(qū)543發(fā)射載流子(例如，空穴)。因此，電流路徑861及862可以從第二發(fā)射極區(qū)536的左側(cè)壁以及下側(cè)壁分別朝向第一集電極區(qū)541及543來延伸。第三發(fā)射極區(qū)537可以通過電流路徑871而朝向第二集電極區(qū)544發(fā)射載流子(例如，空穴)，并且可以通過電流路徑872而朝向第二集電極區(qū)546發(fā)射載流子(例如，空穴)。因此，電流路徑871及872可以從第三發(fā)射極區(qū)537的上側(cè)壁以及右側(cè)壁分別朝向第二集電極區(qū)544及546來延伸。

如上所述的，橫向雙極結(jié)型晶體管500可以被配置以在發(fā)射極端子E(亦即，發(fā)射極 區(qū))與集電極端子C(亦即，集電極區(qū))之間具有十六個電流路徑。換言之，在相同的平面面積中，橫向雙極結(jié)型晶體管500可以被設(shè)計以在發(fā)射極端子E(亦即，發(fā)射極區(qū))與集電極端子C(亦即，集電極區(qū))之間具有十六個電流路徑，而在圖1中所示的一般雙極結(jié)型晶體管10在發(fā)射極端子E(亦即，發(fā)射極區(qū)12)與集電極端子C(亦即，集電極區(qū)16)之間只有四個電流路徑20。因此，相較于在圖1中所示的一般雙極結(jié)型晶體管10，橫向雙極結(jié)型晶體管500的電流驅(qū)動能力可以得到改善。

本公開的實施例已經(jīng)在以上為了舉例說明的目的而被公開。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會體認到各種的修改、添加及替代都是可能的，而不脫離如同在所附的權(quán)利要求中公開的本發(fā)明的范圍及精神。

通過以上實施例可以看出，本申請?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。

技術(shù)方案1.一種雙極結(jié)型晶體管，包括：

共用基極區(qū)；

多個發(fā)射極區(qū)，被設(shè)置在所述共用基極區(qū)中并且在第一對角線方向上被排列成彼此間隔開；以及

多個集電極區(qū)，被設(shè)置在所述共用基極區(qū)中并且在所述第一對角線方向上被排列成彼此間隔開，

其中，所述多個發(fā)射極區(qū)與所述多個集電極區(qū)在第二對角線方向上交替地排列。

技術(shù)方案2.如技術(shù)方案1所述的雙極結(jié)型晶體管，其中,所述共用基極區(qū)被設(shè)置以圍繞所述多個發(fā)射極區(qū)的側(cè)壁及底表面、以及所述多個集電極區(qū)的側(cè)壁及底表面。

技術(shù)方案3.如技術(shù)方案1所述的雙極結(jié)型晶體管，其中,所述共用基極區(qū)包括：

高濃度的基極區(qū)，被設(shè)置在所述多個發(fā)射極區(qū)的側(cè)壁以及所述多個集電極區(qū)的側(cè)壁之間；以及

低濃度的基極區(qū)，圍繞所述高濃度的基極區(qū)、所述多個發(fā)射極區(qū)、以及所述多個集電極區(qū)。

技術(shù)方案4.如技術(shù)方案3所述的雙極結(jié)型晶體管，其中，所述高濃度的基極區(qū)以及所述低濃度的基極區(qū)是P型的，并且所述多個發(fā)射極區(qū)以及所述多個集電極區(qū)是N型的。

技術(shù)方案5.如技術(shù)方案4所述的雙極結(jié)型晶體管，進一步包括：

深阱區(qū)，圍繞所述低濃度的基極區(qū)的側(cè)壁以及底表面，并且被設(shè)置在襯底中。

技術(shù)方案6.如技術(shù)方案4所述的雙極結(jié)型晶體管，進一步包括：

掩埋層，被設(shè)置在所述低濃度的基極區(qū)之下；以及

槽區(qū)，被設(shè)置以接觸所述低濃度的基極區(qū)的側(cè)壁以及所述掩埋層的邊緣。

技術(shù)方案7.如技術(shù)方案6所述的雙極結(jié)型晶體管，其中，所述掩埋層以及所述槽區(qū)是N型的。

技術(shù)方案8.如技術(shù)方案7所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述低濃度的基極區(qū)是外延層的一部分。

技術(shù)方案9.如技術(shù)方案8所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述掩埋層被設(shè)置在所述外延層與襯底之間。

技術(shù)方案10.如技術(shù)方案3所述的雙極結(jié)型晶體管，其中，所述高濃度的基極區(qū)以及所述低濃度的基極區(qū)是N型的，并且所述多個發(fā)射極區(qū)以及所述多個集電極區(qū)是P型的。

技術(shù)方案11.如技術(shù)方案10所述的雙極結(jié)型晶體管，進一步包括：

第一深阱區(qū)，圍繞所述低濃度的基極區(qū)的側(cè)壁以及底表面，并且被設(shè)置在襯底中。

技術(shù)方案12.如技術(shù)方案11所述的雙極結(jié)型晶體管，進一步包括：

第二深阱區(qū)，被設(shè)置在所述襯底中，并且圍繞所述第一深阱區(qū)的側(cè)壁以及底表面。

技術(shù)方案13.如技術(shù)方案11所述的雙極結(jié)型晶體管，進一步包括：

掩埋層，被設(shè)置在所述第一深阱區(qū)之下；以及

槽區(qū)，被設(shè)置成接觸所述第一深阱區(qū)的側(cè)壁以及所述掩埋層的邊緣。

技術(shù)方案14.如技術(shù)方案13所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述掩埋層以及所述槽區(qū)是N型的。

技術(shù)方案15.如技術(shù)方案14所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述第一深阱區(qū)外延層的一部分。

技術(shù)方案16.如技術(shù)方案15所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述掩埋層被設(shè)置在所述外延層與所述襯底之間。

技術(shù)方案17.如技術(shù)方案1所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述第一對角線方向與第二對角線方向是彼此垂直的。

技術(shù)方案18.如技術(shù)方案1所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述共用基極區(qū)在平面圖中具有矩形形狀。

技術(shù)方案19.如技術(shù)方案18所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述多個發(fā)射極區(qū)包括：

第一發(fā)射極區(qū)，被排列在對角線上，所述對角線從所述共用基極區(qū)的左上角朝向所述共用基極區(qū)的右下角延伸；

第二發(fā)射極區(qū)，被設(shè)置在所述共用基極區(qū)的右上角；以及

第三發(fā)射極區(qū)，被設(shè)置在所述共用基極區(qū)的左下角。

技術(shù)方案20.如技術(shù)方案19所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述多個集電極區(qū)包括：

第一集電極區(qū)，被設(shè)置在所述對角線與所述第二發(fā)射極區(qū)之間，并且被排列在所述第一對角線方向上；以及

第二集電極區(qū)，被設(shè)置在所述對角線與所述第三發(fā)射極區(qū)之間，并且被排列在所述第一對角線方向上。