1.一種雙極結(jié)型晶體管，包括：
共用基極區(qū)；
多個(gè)發(fā)射極區(qū)，被設(shè)置在所述共用基極區(qū)中并且在第一對角線方向上被排列成彼此間隔開；以及
多個(gè)集電極區(qū)，被設(shè)置在所述共用基極區(qū)中并且在所述第一對角線方向上被排列成彼此間隔開，
其中，所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)與所述多個(gè)集電極區(qū)在第二對角線方向上交替地排列。
2.如權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)型晶體管，其中,所述共用基極區(qū)被設(shè)置以圍繞所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)的側(cè)壁及底表面、以及所述多個(gè)集電極區(qū)的側(cè)壁及底表面。
3.如權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)型晶體管，其中,所述共用基極區(qū)包括：
高濃度的基極區(qū)，被設(shè)置在所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)的側(cè)壁以及所述多個(gè)集電極區(qū)的側(cè)壁之間；以及
低濃度的基極區(qū)，圍繞所述高濃度的基極區(qū)、所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)、以及所述多個(gè)集電極區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的雙極結(jié)型晶體管，其中，所述高濃度的基極區(qū)以及所述低濃度的基極區(qū)是P型的，并且所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)以及所述多個(gè)集電極區(qū)是N型的。
5.如權(quán)利要求4所述的雙極結(jié)型晶體管，進(jìn)一步包括：
深阱區(qū)，圍繞所述低濃度的基極區(qū)的側(cè)壁以及底表面，并且被設(shè)置在襯底中。
6.如權(quán)利要求4所述的雙極結(jié)型晶體管，進(jìn)一步包括：
掩埋層，被設(shè)置在所述低濃度的基極區(qū)之下；以及
槽區(qū)，被設(shè)置以接觸所述低濃度的基極區(qū)的側(cè)壁以及所述掩埋層的邊緣。
7.如權(quán)利要求6所述的雙極結(jié)型晶體管，其中，所述掩埋層以及所述槽區(qū)是N型的。
8.如權(quán)利要求7所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述低濃度的基極區(qū)是外延層的一部分。
9.如權(quán)利要求8所述的雙極結(jié)型晶體管，其中所述掩埋層被設(shè)置在所述外延層與襯 底之間。
10.如權(quán)利要求3所述的雙極結(jié)型晶體管，其中，所述高濃度的基極區(qū)以及所述低濃度的基極區(qū)是N型的，并且所述多個(gè)發(fā)射極區(qū)以及所述多個(gè)集電極區(qū)是P型的。