1.一種新型串并聯(lián)質(zhì)譜裝置，其特征在于，包括：
離子源，設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓內(nèi)，產(chǎn)生離子束；
多級梯度真空系統(tǒng)，包括多個依次通過通孔連通的真空區(qū)間，在正對離子源的位置也開有通孔；
離子導(dǎo)入管路，設(shè)置在初級真空區(qū)間內(nèi)，正對各真空區(qū)間連接的通孔，用以傳遞離子源產(chǎn)生的離子束；
離子導(dǎo)引管路，設(shè)置在初級真空區(qū)間以后的各級真空區(qū)間內(nèi)，正對各真空區(qū)間連接的通孔，與離子導(dǎo)入管路連通，用以傳遞離子源產(chǎn)生的離子束；
四極濾質(zhì)器，位于多級梯度真空系統(tǒng)后方，在多級梯度真空系統(tǒng)的對應(yīng)位置開有通孔，由離子導(dǎo)引管路傳遞的離子束進入到四極濾質(zhì)器內(nèi)；
四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器，包括濾質(zhì)四極桿和設(shè)置在濾質(zhì)四極桿前方的前端蓋和后方的后端蓋，和四極濾質(zhì)器設(shè)置在相同的真空區(qū)間內(nèi)，位于四極濾質(zhì)器的后方；
緩沖氣導(dǎo)入系統(tǒng)，向四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器內(nèi)通入緩沖氣，與四極桿/線性離子質(zhì)量分析器的前端蓋或后端蓋通過管路連通；
碰撞氣導(dǎo)入系統(tǒng)，向四極桿/線性離子質(zhì)量分析器內(nèi)通入碰撞氣，與四極桿/線性離子質(zhì)量分析器的前端蓋或后端蓋通過管路連通；
四極偏轉(zhuǎn)器，包括入口、出口、第一偏轉(zhuǎn)口和第二偏轉(zhuǎn)口，所述入口和出口之間連線與第一偏轉(zhuǎn)口和第二偏轉(zhuǎn)口之間的連線成十字交叉，設(shè)置在四極桿/線性離子質(zhì)量分析器的后方，四極桿/線性離子質(zhì)量分析器的后端蓋孔與四極偏轉(zhuǎn)器的入口通過離子導(dǎo)引管路連通，位于四極桿/線性離子質(zhì)量分析器所在真空區(qū)間的后一級真空區(qū)間內(nèi)；
雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)，與四極偏轉(zhuǎn)器的第一偏轉(zhuǎn)口通過離子管道連通，包括用于定量分析模式的雙曲面四極桿質(zhì)量分析器，雙曲四極桿質(zhì)量分析器的前端裝配用預(yù)四極桿，后端均裝配有整形四極桿，在整形四極桿后方設(shè)置檢測器，所述檢測器為離子計數(shù)器系統(tǒng)與電子倍增器雙模式選用系統(tǒng)。
低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)，與四極偏轉(zhuǎn)器的第二偏轉(zhuǎn)口通過離子管道連通，包括用于定性分析模式的三段雙曲面線性離子阱，在離子阱兩側(cè)設(shè)置有檢測器，所述檢測器為狹縫兩端雙電子倍增器；
垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)，與四極偏轉(zhuǎn)器的出口通過離子導(dǎo)引管路連通，在離子導(dǎo)引管路出口設(shè)置脈沖高壓發(fā)生器，在脈沖高壓發(fā)生器的上方設(shè)置飛行時間管路，在飛行時間管路的開口處設(shè)置MCP檢測器，在飛行時間管路的封閉端設(shè)置用于反射離子的反射裝置。
2.一種權(quán)利要求1所述的新型串并聯(lián)質(zhì)譜裝置的離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，應(yīng)用濃度為0.1～1.0ppm的調(diào)諧液，利用雙曲面四極桿質(zhì)譜分析器系統(tǒng)調(diào)通離子傳輸光路，獲得初步離子光學(xué)參數(shù)和雙曲四極桿的初步質(zhì)量軸系數(shù)；
S2，以初步離子光學(xué)參數(shù)為基礎(chǔ)，分別調(diào)通低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)和垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)的離子傳輸光路，并獲得各自的初步離子光學(xué)參數(shù)和初步質(zhì)量軸系數(shù)；
S3，應(yīng)用同一種調(diào)諧液，利用已經(jīng)調(diào)通離子傳輸光路、并獲得各自的初步離子光學(xué)參數(shù)和初步質(zhì)量軸系數(shù)的雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)、低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)和垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)調(diào)整四極濾質(zhì)器，獲得四極濾質(zhì)器的質(zhì)量軸系數(shù)，并根據(jù)通過四極濾質(zhì)器的離子的質(zhì)量寬度調(diào)節(jié)四極濾質(zhì)器的通過系數(shù)；
S4，應(yīng)用同一種調(diào)諧液，再次調(diào)節(jié)四極偏轉(zhuǎn)器后的雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)、低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)和垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)的離子光學(xué)參數(shù)以及質(zhì)量軸系數(shù)；
S5，利用雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)、低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)和垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)做接受檢測端，用相對步驟S4中所述的調(diào)諧液更低濃度的調(diào)諧液調(diào)節(jié)設(shè)置于四極濾質(zhì)器前方、四極濾質(zhì)器后方至四極偏轉(zhuǎn)器前的離子光學(xué)器件的離子光學(xué)參數(shù)，對應(yīng)所有接受檢測端均調(diào)節(jié)至少一次后，將調(diào)節(jié)結(jié)果中獲得最高離子通過率時的參數(shù)為最佳參數(shù)，其中離子在單位質(zhì)量分辨時最高信號為最高離子通過率；
S6，應(yīng)用步驟S5中所述濃度的調(diào)諧液，并以步驟S5中的最佳參數(shù)為基準(zhǔn)，分別調(diào)節(jié)四極偏轉(zhuǎn)器后到雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)、低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)和垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)的離子光學(xué)參數(shù)，獲得最佳離子通過率；
S7，改變掃描速率和分辨率，然后再次以較步驟S6中調(diào)節(jié)時更小的步進分別調(diào)節(jié)四極偏轉(zhuǎn)器后到雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)、低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)和垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)的離子光學(xué)參數(shù)，從而獲得不同掃描速率下和不同分辨率要求下的最高信號的質(zhì)量分析器相關(guān)參數(shù)的系數(shù)信息。
S8，應(yīng)用與步驟S6中同種的的調(diào)諧液，利用雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)、低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)和垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)做接受檢測端，調(diào)試四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器作為碎裂裝置時的離子光學(xué)參數(shù)，所述離子光學(xué)參數(shù)包括碰撞氣壓流量參數(shù)，通過碰撞氣壓流量參數(shù)獲取離子碎裂效率和碎裂速度；
S9，應(yīng)用與步驟S8中相同的調(diào)諧液，利用低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)和垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)為接受檢測端，調(diào)試四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器作為離子存儲裝置時的離子光學(xué)參數(shù)，所述離子光學(xué)參數(shù)包括緩沖氣壓流量參數(shù)，通過緩沖氣壓流量參數(shù)獲取四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器的存儲效率。
3.一種基于權(quán)利要求2中的新型串并聯(lián)質(zhì)譜裝置的離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行的被測樣品定量分析方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，根據(jù)所述離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行離子光學(xué)參數(shù)的調(diào)節(jié)；
S2，被測樣品基體由離子源離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；
S3，離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿，m±Δm范圍外的離子被濾質(zhì)四級桿逐出，不進入整形四極桿，其中：Δm＝1～2amu；
S4，離子m進入整形四極桿經(jīng)過整形后，進入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器，在離子通過的過程中與注入到四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器中的碰撞氣進行碰撞，離子m及其子離子飛向四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器后方的離子導(dǎo)引管路；
S5，離子m及其子離子由離子導(dǎo)引管路進入四極偏轉(zhuǎn)器，通過四極偏轉(zhuǎn)器的偏轉(zhuǎn)力導(dǎo)入到雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)；
S6，離子m及其子離子經(jīng)過預(yù)四極桿整形后進入雙曲面四極桿，雙曲面四極桿具有全掃描或選擇離子掃描兩種掃描模式，通過全掃描或選擇離子掃描模式對離子m進行質(zhì)譜掃描，經(jīng)過掃描后的離子m或離子m的一個或多個子離子進入整形四極桿再次整形，離子計數(shù)器系統(tǒng)探測到離子m或離子m的一個或多個子離子并進行記錄，最終完成對離子m的定量分析。
4.一種基于權(quán)利要求3中的新型串并聯(lián)質(zhì)譜裝置的離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行的被測樣品定性分析方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，根據(jù)所述離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行離子光學(xué)參數(shù)的調(diào)節(jié)；
S2，被測樣品基體由離子源離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；
S3，離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿，m±Δm范圍外的離子被濾質(zhì)四級桿逐出，不進入整形四極桿；
S4，離子m進入整形四極桿經(jīng)過整形后，進入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器，離子m與注入至四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器的緩沖氣進行碰撞冷卻初始動能，經(jīng)過累積和富集，離子m的數(shù)量達到飽和后，對離子m進一步隔離，逐出m±Δm范圍外的離子；
S5，向四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器的前端蓋和后端蓋施加電壓，將四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器中的離子m通過四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器后方的離子導(dǎo)引管路導(dǎo)入至四極偏轉(zhuǎn)器，經(jīng)四極偏轉(zhuǎn)器的偏轉(zhuǎn)作用，將離子m導(dǎo)入至低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)；
S6，離子m進入到低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)存儲，低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)具有全掃描和選擇離子掃描兩種掃描模式，等離子初始動能冷卻后，低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)通過兩種掃描模式共振彈射低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)中的離子m，電子倍增器探測到離子m并進行記錄，最終完成對離子m的定性分析。
5.一種基于權(quán)利要求2中的新型串并聯(lián)質(zhì)譜裝置的離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行的質(zhì)譜檢測快速分析方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，根據(jù)所述離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行離子光學(xué)參數(shù)的調(diào)節(jié)；
S2，被測樣品基體由離子源離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；
S3，離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿進行整形，離子m經(jīng)過整形后，進入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器，離子m與注入至四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器的碰撞氣進行碰撞，離子m及其子離子通過四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器后方的離子導(dǎo)引管路進入到四極偏轉(zhuǎn)器；
S4，離子m及其子離子經(jīng)過四極偏轉(zhuǎn)器后，由四極偏轉(zhuǎn)器的出口進入到垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)的離子導(dǎo)引管路中；
S5，通過離子導(dǎo)引管路的離子m及其子離子被脈沖高壓在100ns的時間范圍內(nèi)垂直彈射到飛行時間管路，給予離子m及其子離子在垂直方向的動能，離子m及其子離子飛行到飛行時間管路封閉端時，被反射裝置反射至飛行時間管路的開口處，然后被MCP檢測器檢測到，根據(jù)各離子反射至飛行時間管路開口處的時間速率不同，MCP檢測器檢測獲得不同離子的信號并記錄，最終形成質(zhì)譜圖。
6.一種基于權(quán)利要求2中的新型串并聯(lián)質(zhì)譜裝置的離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法實現(xiàn)的痕量物高精度定性分析方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，根據(jù)所述離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行離子光學(xué)參數(shù)的調(diào)節(jié)；
S2，被測樣品基體由離子源離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；
S3，離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿，m±Δm范圍外的離子被濾質(zhì)四級桿逐出，不進入整形四極桿，其中：Δm＝1～2amu；
S4，離子m經(jīng)過整形后進入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器，進入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器后與緩沖氣進行碰撞冷卻初始動能，經(jīng)過累積和富集，直至四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器內(nèi)離子m的數(shù)量飽和，然后對離子m進一步隔離，逐出m±Δm范圍外的離子；
S5，離子m及其子離子由離子導(dǎo)引管路進入四極偏轉(zhuǎn)器，通過四極偏轉(zhuǎn)器的出口進入到垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)的離子導(dǎo)引管路中；
S6，通過離子導(dǎo)引管路的離子m及其子離子被脈沖高壓100ns的時間范圍內(nèi)垂直彈射到飛行時間管路，給予離子m及其子離子在垂直方向的動能，離子m及其子離子飛行到飛行時間管路封閉端時，被反射裝置反射至飛行時間管路的開口處，然后被MCP檢測器檢測到，根據(jù)各離子反射至飛行時間管路開口處的時間速率不同，MCP檢測器檢測獲得不同離子的信號并記錄，最終形成質(zhì)譜圖。
7.一種基于權(quán)利要求4中的新型串并聯(lián)質(zhì)譜裝置的離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法實現(xiàn)的定量分析輔助定性分析方法，其特征在于，包括第一大部分和第二大部分，其中：
第一大部分用于建立同種標(biāo)樣離子注入相同時間T，分別用雙曲面四極桿系統(tǒng)檢測獲得信號值Iq和雙曲面離子阱系統(tǒng)檢測獲得信號值It，再建立Iq與It在不同T值下的對應(yīng)關(guān)系；
第二大部分用于面向被測樣品，利用建立的對應(yīng)關(guān)系，通過雙曲四極桿系統(tǒng)測得定量數(shù)據(jù)，計算出離子入住時間t，讓雙曲離子阱系統(tǒng)做定性分析，起到定量輔助定性，獲得單一質(zhì)量分析器難以達到的定性效果。
第一大部分包括如下步驟：
S1，根據(jù)所述離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行離子光學(xué)參數(shù)的調(diào)節(jié)；
S2，被測標(biāo)準(zhǔn)品由離子源離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿，m±Δm范圍外的離子被濾質(zhì)四級桿逐出，不進入整形四極桿；離子m進入整形四極桿經(jīng)過整形后，在指定時間段T注入離子進入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器，在離子通過的過程中與注入到四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器中的緩沖氣進行碰撞，離子m及其子離子飛向四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器后方的離子導(dǎo)引管路；
S3，離子m經(jīng)過預(yù)四極桿整形后進入雙曲面四極桿，雙曲面四極桿具有全掃描和選擇離子掃描兩種掃描模式，任選一種掃描模式對離子m進行質(zhì)譜掃描，經(jīng)過掃描后的離子m進入后四極桿，離子計數(shù)器系統(tǒng)探測到離子m并進行記錄，最終完成對離子m的定量分析；
S4，采用被測標(biāo)準(zhǔn)品定量分析方法對被測樣品進行定量分析得到被測樣品定量分析結(jié)果Iq；
S5，采用被測標(biāo)準(zhǔn)品定量分析方法對被測樣品進行定量分析得到被測樣品定量分析結(jié)果It；
S6，將步驟S4中得到的被測樣品定量分析結(jié)果和步驟S5中得到的被測樣品定量分析結(jié)果結(jié)合建立對應(yīng)關(guān)系；
第二大部分包括如下步驟：
S7，面向被測樣品，采用步驟S1-S4步驟，獲得被測樣品在離子注入時間t1情況下的雙曲四極桿系統(tǒng)檢測信號值Iq1，依據(jù)建立的所述對應(yīng)關(guān)系計算出注入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器的時長t；
S8，將被測樣品基體由離子源離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿，m±Δm范圍外的離子被濾質(zhì)四級桿逐出，不進入整形四極桿；離子m進入整形四極桿經(jīng)過整形后，在t時間段內(nèi)向四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器內(nèi)注入離子m，經(jīng)離子與緩沖氣進行碰撞冷卻初始動能，對離子m進一步隔離，逐出m±Δm范圍外的離子；
S9，讓離子m與緩沖氣進行碰撞產(chǎn)生子離子；
S10，在前端蓋和后端蓋施加電壓，使四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器中的離子m及離子m的子離子通過離子導(dǎo)引管路進入四極偏轉(zhuǎn)器，再經(jīng)過四極偏轉(zhuǎn)器的偏轉(zhuǎn)作用，將離子m及離子m的子離子通過離子管道導(dǎo)入到低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)內(nèi)；
S11，離子m及離子m的子離子進入到低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)內(nèi)存儲，低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)具有全掃描和選擇離子掃描兩種掃描模式，等離子初始動能冷卻后，低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)通過兩種掃描模式共振彈射低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)中的離子m，電子倍增器探測到離子m并進行記錄，最終完成對離子m及離子m子離子的定性分析。
8.一種基于權(quán)利要求3中的新型串并聯(lián)質(zhì)譜裝置的離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法實現(xiàn)的定量和定性分析方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，根據(jù)所述離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行離子光學(xué)參數(shù)的調(diào)節(jié)；
S2，被測樣品基體由離子源離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿，m±Δm范圍外的離子被濾質(zhì)四級桿逐出，不進入整形四極桿；
S3，離子m進入整形四極桿經(jīng)過整形后，向四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器內(nèi)持續(xù)注入離子m至少2s的時間，離子與緩沖氣經(jīng)過8～12ms的碰撞冷卻初始動能，對離子m進一步隔離，逐出m±Δm范圍外的離子；
S4，讓離子m與緩沖氣進行碰撞產(chǎn)生子離子；
S5，在前端蓋和后端蓋施加電壓，使四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器中的離子m及離子m的子離子通過離子導(dǎo)引管路進入四極偏轉(zhuǎn)器，再經(jīng)過四極偏轉(zhuǎn)器的偏轉(zhuǎn)作用，將離子m及離子m的子離子通過離子管道導(dǎo)入到低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)內(nèi)；
S6，離子m及離子m的子離子進入到低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)內(nèi)存儲，低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)具有全掃描和選擇離子掃描兩種掃描模式，等離子初始動能冷卻后，低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)通過兩種掃描模式共振彈射低氣壓線性離子阱質(zhì)量分析器系統(tǒng)中的離子m，電子倍增器探測到離子m并進行記錄，完成對離子m及離子m子離子的定性分析；
S7，再次將被測樣品基體離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿，m±Δm范圍外的離子被濾質(zhì)四級桿逐出，不進入整形四極桿；
S8離子m進入整形四極桿經(jīng)過整形后，進入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器裝置，不做離子碎裂操作，離子m飛向四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器后方的離子導(dǎo)引管路；
S9離子m由離子導(dǎo)引管路進入四極偏轉(zhuǎn)器，通過四極偏轉(zhuǎn)器的偏轉(zhuǎn)力導(dǎo)入到雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)；
S10，離子m經(jīng)過預(yù)四極桿整形后進入雙曲面四極桿，雙曲面四極桿具有全掃描或選擇離子掃描兩種掃描模式，通過全掃描或選擇離子掃描模式對離子m進行質(zhì)譜掃描，經(jīng)過掃描后的離子m進入整形四極桿再次整形，離子計數(shù)器系統(tǒng)探測到離子m并進行記錄，最終完成對離子m的定量分析；
S11，將步驟S6中得到的被測樣品定性分析結(jié)果和步驟S10中得到的被測樣品定量分析結(jié)果結(jié)合得出分析測試報告。
9.一種基于權(quán)利要求3或8中的新型串并聯(lián)質(zhì)譜裝置的離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法實現(xiàn)的定量和定性分析方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，根據(jù)所述離子光學(xué)參數(shù)調(diào)節(jié)方法進行離子光學(xué)參數(shù)的調(diào)節(jié)；
S2，被測樣品基體由離子源離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿，m±Δm范圍外的離子被濾質(zhì)四級桿逐出，不進入整形四極桿；
S3，離子m進入整形四極桿經(jīng)過整形后，在超長時間進入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器，經(jīng)一定時間離子與緩沖氣進行碰撞冷卻初始動能，對離子m進一步隔離，逐出m±Δm范圍外的離子；
S4，讓離子m與緩沖氣進行碰撞產(chǎn)生子離子；
S5，在前端蓋和后端蓋施加電壓，使四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器中的離子m及離子m的子離子通過離子導(dǎo)引管路進入四極偏轉(zhuǎn)器，離子m及其子離子經(jīng)過四極偏轉(zhuǎn)器后，由四極偏轉(zhuǎn)器的出口進入到垂直反射飛行時間質(zhì)譜系統(tǒng)的離子導(dǎo)引管路中；
S6，通過離子導(dǎo)引管路的離子m及其子離子被脈沖高壓100ns的時間范圍內(nèi)垂直彈射到飛行時間管路，給予離子m及其子離子在垂直方向的動能，離子m及其子離子飛行到飛行時間管路封閉端時，被反射裝置反射至飛行時間管路的開口處，然后被MCP檢測器檢測到，根據(jù)各離子反射至飛行時間管路開口處的時間速率不同，MCP檢測器檢測獲得不同離子的信號并記錄形成質(zhì)譜圖；
S7，再次將被測樣品基體離子化為離子m，經(jīng)過離子導(dǎo)入管路、離子導(dǎo)引管路后進入四極濾質(zhì)器；離子m先通過四極濾質(zhì)器前方的濾質(zhì)四級桿然后進入后方的整形四極桿，m±Δm范圍外的離子被濾質(zhì)四級桿逐出，不進入整形四極桿；
S8離子m進入整形四極桿經(jīng)過整形后，進入四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器裝置，不做離子碎裂操作，離子m飛向四極桿/線性離子阱質(zhì)量分析器后方的離子導(dǎo)引管路；
S9離子m由離子導(dǎo)引管路進入四極偏轉(zhuǎn)器，通過四極偏轉(zhuǎn)器的偏轉(zhuǎn)力導(dǎo)入到雙曲面四極桿質(zhì)量分析器系統(tǒng)；
S10，離子m經(jīng)過預(yù)四極桿整形后進入雙曲面四極桿，雙曲面四極桿具有全掃描或選擇離子掃描兩種掃描模式，通過全掃描或選擇離子掃描模式對離子m進行質(zhì)譜掃描，經(jīng)過掃描后的離子m進入整形四極桿再次整形，離子計數(shù)器系統(tǒng)探測到離子m并進行記錄，最終完成對離子m的定量分析；
S11，將步驟S6中得到的被測樣品定性分析結(jié)果和步驟S10中得到的被測樣品定量分析結(jié)果結(jié)合得出分析測試報告。