1.一種多晶硅硅錠的清洗方法,包括以下步驟:
步驟S100:清洗前要對(duì)需要清洗的硅塊料進(jìn)行噴砂處理,時(shí)間在20-40min之間;
步驟S200:用酒精把硅塊頭尾的字跡,污漬擦洗干凈;
步驟S300:往清洗機(jī)的1號(hào)水槽中加入適量純水后加入3L-5L硅片清洗液,加熱到45-55℃,把用酒精清洗過的硅塊放入水槽,超聲清洗10-30min;
步驟S400:往清洗機(jī)的2號(hào)水槽中加入適量純水,鼓泡清洗5-15min分鐘進(jìn)行初漂洗;
步驟S500:往清洗機(jī)的3號(hào)水槽中加入食用級(jí)檸檬酸5-8L,加熱到65-85℃,把漂洗過的硅塊放入3號(hào)水槽中,清洗5-15min,并用無塵紙擦洗表面;
步驟S600:重復(fù)步驟S400后,將硅塊放入已進(jìn)行清洗的托盤上,硅塊底部要墊上無塵紙;
步驟S700:把清洗過放在烘干托盤上的硅塊進(jìn)行烘干處理,烘干溫度150-200℃,時(shí)間為1-2h;
步驟S800:用干凈的聚乙稀塑料包裝袋放入周轉(zhuǎn)箱內(nèi),密封好,并做好標(biāo)示。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅硅錠的清洗方法,其特征在于,所述步驟S300:往清洗機(jī)的1號(hào)水槽中加入適量純水后加入3L硅片清洗液,加熱到50℃,把用酒精清洗過的硅塊放入水槽,超聲清洗10min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅硅錠的清洗方法,其特征在于,所述步驟S400:往清洗機(jī)的2號(hào)水槽中加入適量純水,鼓泡清洗10min分鐘進(jìn)行初漂洗。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅硅錠的清洗方法,其特征在于,所述步驟S500:往清洗機(jī)的3號(hào)水槽中加入食用級(jí)檸檬酸5L,加熱到70℃,把漂洗過的硅塊放入3號(hào)水槽中,清洗10min,并用無塵紙擦洗表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅硅錠的清洗方法,其特征在于,所述步驟S700:把清洗過放在烘干托盤上的硅塊進(jìn)行烘干處理,烘干溫度150℃,時(shí)間為2h。