本發(fā)明涉及多晶硅技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅硅錠的清洗方法
背景技術(shù)：
目前，鑄錠生產(chǎn)對(duì)于硅料的清洗都是用HF和HNO3的混合酸來(lái)清洗，這種清洗方法幾乎適用于每一種原料。更有甚者，需要先用NaOH浸泡后再進(jìn)行酸洗。這種清洗方法不僅需要特定的酸洗設(shè)備和尾氣處理設(shè)備，成本較高，而且會(huì)對(duì)環(huán)境產(chǎn)生很大的影響，不利于環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展。酸洗僅適用于專業(yè)的酸處理廠家，并不適用于提倡新能源的多晶硅鑄錠企業(yè)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是：提供一種非酸洗的一種硅料的清洗方法，對(duì)于適用原料不僅能夠達(dá)到理想的清洗效果，同時(shí)也不會(huì)對(duì)環(huán)境產(chǎn)生影響，成本很低。
本發(fā)明提供了一種多晶硅硅錠的清洗方法，包括以下步驟：步驟S100：清洗前要對(duì)需要清洗的硅塊料進(jìn)行噴砂處理，時(shí)間在20-40min之間；步驟S200：用酒精把硅塊頭尾的字跡，污漬擦洗干凈；步驟S300：往清洗機(jī)的1號(hào)水槽中加入適量純水后加入3L-5L硅片清洗液，加熱到45-55℃，把用酒精清洗過(guò)的硅塊放入水槽，超聲清洗10-30min；步驟S400：往清洗機(jī)的2號(hào)水槽中加入適量純水，鼓泡清洗5-15min分鐘進(jìn)行初漂洗；步驟S500：往清洗機(jī)的3號(hào)水槽中加入食用級(jí)檸檬酸5-8L，加熱到65-85℃，把漂洗過(guò)的硅塊放入3號(hào)水槽中，清洗5-15min，并用無(wú)塵紙擦洗表面；步驟S600：重復(fù)步驟S400后，將硅塊放入已進(jìn)行清洗的托盤(pán)上，硅塊底部要墊上無(wú)塵紙；步驟S700：把清洗過(guò)放在烘干托盤(pán)上的硅塊進(jìn)行烘干處理，烘干溫度150-200℃，時(shí)間為1-2h；步驟S800： 用干凈的聚乙稀塑料包裝袋放入周轉(zhuǎn)箱內(nèi)，密封好，并做好標(biāo)示。
優(yōu)選的，所述步驟S300：往清洗機(jī)的1號(hào)水槽中加入適量純水后加入3L硅片清洗液，加熱到50℃，把用酒精清洗過(guò)的硅塊放入水槽，超聲清洗10min。此舉可有效清除硅錠表面附著的油污等堿溶性的雜質(zhì)。
優(yōu)選的，所述步驟S400：往清洗機(jī)的2號(hào)水槽中加入適量純水，鼓泡清洗10min分鐘進(jìn)行初漂洗?？梢郧宄蝗苄缘碾s質(zhì)附著。
優(yōu)選的，所述步驟S500：往清洗機(jī)的3號(hào)水槽中加入食用級(jí)檸檬酸5L，加熱到70℃，把漂洗過(guò)的硅塊放入3號(hào)水槽中，清洗10min，并用無(wú)塵紙擦洗表面?？捎行コ崛苄噪s質(zhì)。
優(yōu)選的，所述步驟S700：把清洗過(guò)放在烘干托盤(pán)上的硅塊進(jìn)行烘干處理，烘干溫度150℃，時(shí)間為2h。溫度適中，既不造成硅錠表面氧化，也減少烘干時(shí)間。
有益效果：這種清洗方法可以使得清洗成本從7元/kg降低為3元/kg；清洗過(guò)程中不使用嚴(yán)重污染的HF和HNO3，有利于環(huán)境保護(hù)。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題、采用的技術(shù)方案和達(dá)到的技術(shù)效果更加清楚，下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。本發(fā)明是在沒(méi)有酸洗設(shè)備和不能排酸的情況下的一種硅料的清洗方法，適用于提純小方錠，回爐硅塊和T2循環(huán)料等表面較為光滑的硅料。進(jìn)入清洗室必須穿好工作衣，工作鞋，戴工作帽，清洗操作時(shí)必須佩帶防酸堿手套和口罩。用專業(yè)毛巾清洗工作臺(tái)，保證工作臺(tái)面的清潔度。
實(shí)施例1
步驟S100：清洗前要對(duì)需要清洗的硅塊料進(jìn)行噴砂處理，時(shí)間在20min之間；步驟S200：用酒精把硅塊頭尾的字跡，污漬擦洗干凈；步驟S300：往清洗機(jī)的1號(hào)水槽中加入適量純水后加入3L硅片清洗液，加熱到45℃，把用酒精清洗過(guò)的硅塊放入水槽，超聲清洗10min；步驟S400：往清洗機(jī)的2號(hào)水槽中加入適量純水，鼓泡清洗5min分鐘進(jìn)行初漂洗；步驟S500：往清洗機(jī)的3號(hào)水槽中加入食用級(jí)檸檬酸5L，加熱到65℃，把漂洗過(guò)的硅塊放入3號(hào)水槽中，清洗5min，并用無(wú)塵紙擦洗表面；步驟S600：重復(fù)步驟S400后，將硅塊放入已進(jìn)行清洗的托盤(pán)上，硅塊底部要墊上無(wú)塵紙；步驟S700：把清洗過(guò)放在烘干托盤(pán)上的硅塊進(jìn)行烘干處理，烘干溫度150℃，時(shí)間為1h；步驟S800：用干凈的聚乙稀塑料包裝袋放入周轉(zhuǎn)箱內(nèi)，密封好，并做好標(biāo)示。
實(shí)施例2
步驟S100：清洗前要對(duì)需要清洗的硅塊料進(jìn)行噴砂處理，時(shí)間在30min之間；步驟S200：用酒精把硅塊頭尾的字跡，污漬擦洗干凈；步驟S300：往清洗機(jī)的1號(hào)水槽中加入適量純水后加入4L硅片清洗液，加熱到50℃，把用酒精清洗過(guò)的硅塊放入水槽，超聲清洗20min；步驟S400：往清洗機(jī)的2號(hào)水槽中加入適量純水，鼓泡清洗10min分鐘進(jìn)行初漂洗；步驟S500：往清洗機(jī)的3號(hào)水槽中加入食用級(jí)檸檬酸6.5L，加熱到75℃，把漂洗過(guò)的硅塊放入3號(hào)水槽中，清洗10min，并用無(wú)塵紙擦洗表面；步驟S600：重復(fù)步驟S400后，將硅塊放入已進(jìn)行清洗的托盤(pán)上，硅塊底部要墊上無(wú)塵紙；步驟S700：把清洗過(guò)放在烘干托盤(pán)上的硅塊進(jìn)行烘干處理，烘干溫度175℃，時(shí)間為1.5h；步驟S800：用干凈的聚乙稀塑料包裝袋放入周轉(zhuǎn)箱內(nèi)，密封好，并做好標(biāo)示。
實(shí)施例3
步驟S100：清洗前要對(duì)需要清洗的硅塊料進(jìn)行噴砂處理，時(shí)間在40min之 間；步驟S200：用酒精把硅塊頭尾的字跡，污漬擦洗干凈；步驟S300：往清洗機(jī)的1號(hào)水槽中加入適量純水后加入5L硅片清洗液，加熱到55℃，把用酒精清洗過(guò)的硅塊放入水槽，超聲清洗30min；步驟S400：往清洗機(jī)的2號(hào)水槽中加入適量純水，鼓泡清洗15min分鐘進(jìn)行初漂洗；步驟S500：往清洗機(jī)的3號(hào)水槽中加入食用級(jí)檸檬酸8L，加熱到85℃，把漂洗過(guò)的硅塊放入3號(hào)水槽中，清洗15min，并用無(wú)塵紙擦洗表面；步驟S600：重復(fù)步驟S400后，將硅塊放入已進(jìn)行清洗的托盤(pán)上，硅塊底部要墊上無(wú)塵紙；步驟S700：把清洗過(guò)放在烘干托盤(pán)上的硅塊進(jìn)行烘干處理，烘干溫度200℃，時(shí)間為2h；步驟S800：用干凈的聚乙稀塑料包裝袋放入周轉(zhuǎn)箱內(nèi)，密封好，并做好標(biāo)示。
最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。