本發(fā)明涉及柔性顯示基板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性顯示基板的制備方法。

背景技術(shù)：

柔性顯示器具有輕薄、可彎曲等優(yōu)點(diǎn)，在未來顯示市場中具有巨大的潛在優(yōu)勢。柔性顯示器中所用的顯示基板通常為柔性顯示基板。

柔性顯示基板的一般制造方法為：在承載基底上首先制備柔性顯示基板，然后在柔性顯示基板上制備薄膜晶體管和其它器件。例如對(duì)于柔性O(shè)LED(有機(jī)發(fā)光二極管)顯示基板，通常需要制作薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管。柔性顯示基板制備完成后使用激光將其與承載基底剝離，剝離過程中激光往往會(huì)損傷薄膜晶體管，導(dǎo)致TFT Vth(薄膜晶體管閾值電壓)漂移、器件失效，使得柔性顯示器顯示異常，甚至無法正常工作。

并且，依據(jù)上述方法制備的柔性顯示基板厚度統(tǒng)一地較大，使得柔性顯示基板的曲率半徑也比較大，柔性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種柔性顯示基板的制備方法，用于制備器件不容易損壞，曲率半徑均勻且較小的柔性顯示基板，以提高柔性顯示基板的性能和良率。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種柔性顯示基板的制備方法，包括：

在剛性承載基底上形成凹凸圖案層；

在形成有所述凹凸圖案層的剛性承載基底上制備柔性顯示基板，所述柔性顯示基板含有顯示器件，所述凹凸圖案層中的圖案避開所述顯示器件；

對(duì)所述柔性顯示基板和所述剛性承載基底進(jìn)行剝離而獲得所述柔性顯示基板。

在上述技術(shù)方案所述的柔性顯示基板的制備方法中，所述在剛性承載基底上形成凹凸圖案層的步驟具體可以有兩種方式，其中一種方式為制作凸起的圖案層，另一種方式為制作凹陷的圖案層。

制作凸起的圖案層的步驟包括：在所述剛性承載基底上沉積圖案層薄膜；采用構(gòu)圖工藝在所述圖案層薄膜上形成凸起的圖案層。其中，沉積所述圖案層薄膜所使用的材料包括金屬材料、合金材料、復(fù)合材料或絕緣材料。并且，在將所述柔性顯示基板與所述剛性承載基底剝離開之后，所述方法還包括：去除剝離完成后所述柔性顯示基板上殘留的所述圖案層材料。

制作凹陷的圖案層的步驟包括：直接在所述剛性承載基底上進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成凹陷的圖案層。

上述各技術(shù)方案中，在形成所述凹凸圖案層之后，在剛性承載基底上制備柔性顯示基板具體包括：

在形成有所述凹凸圖案層的剛性承載基底上形成柔性襯底；

在所述柔性襯底上制備顯示元件層。

具體而言，所述凹凸圖案層可以由多個(gè)相互分隔的圖案區(qū)域構(gòu)成，所述凹凸圖案層中的圖案分布在所述圖案區(qū)域中，每個(gè)所述圖案區(qū)域的橫向和縱向的尺寸范圍均為1um-300um、高度方向上的尺寸范圍為1um-300um，每兩個(gè)相鄰的圖案區(qū)域之間的間隔距離范圍為1um-3um。

所述圖案區(qū)域的平面形狀為矩形、梯形、三角形或圓形等多種形狀。

此外，為了方便掩模板的制作，所述多個(gè)相互分隔的圖案區(qū)域之間可以相互連接形成網(wǎng)格狀的圖案區(qū)域。

本發(fā)明提供的柔性顯示基板的制備方法中，由于在剛性承載基底上形成有凹凸圖案層，并且在剛性承載基底上制作柔性顯示基板之后，所述凹凸圖案層中的圖案避開所述柔性顯示基板上的顯示器件，因此在剝離時(shí)將會(huì)在圖案層的圖案處形成應(yīng)力集中，應(yīng)力集中處的受力較大，而在其余沒有應(yīng)力集中的地方例如柔性顯示基板上包含顯示器件的地方受力較小，剝離時(shí)不容易損壞柔性顯示基板上的器件。并且，因?yàn)樵摪纪箞D案層使得柔性顯示基板厚度不統(tǒng)一，這樣在柔性基板厚度較小的地方曲率半徑也較小，因此通過該凹凸圖案層可以使柔性顯示基板上一部分區(qū)域的厚度減小，從而使該部分區(qū)域的曲率半徑減小，可以在一定程度上獲得具有更小曲率半徑的柔性顯示基板。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性顯示基板的制備方法的流程圖；

圖2a為在圖1所示步驟1之后形成凹凸圖案層的示意圖一；

圖2b為圖2a沿A-A線的剖面圖；

圖3為在圖1所示步驟1之后形成凹凸圖案層的示意圖二；

圖4為利用圖1提供的方法制得的柔性顯示基板。

附圖標(biāo)記：

201-剛性承載基底 202-凸起的圖案層

203-凹陷的圖案層 204-柔性襯底

205-緩沖層 206-柵極

207-柵絕緣層 208-有源層

209-源極 210-漏極

211-鈍化層 212-像素電極

具體實(shí)施方式

為便于理解，下面結(jié)合說明書附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性顯示基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性顯示基板的制備方法包括：

步驟1、在剛性承載基底上形成凹凸圖案層；

步驟2、在形成有所述凹凸圖案層的剛性承載基底上制備柔性顯示基板，所述柔性顯示基板含有顯示器件，所述凹凸圖案層中的圖案避開所述顯示器件；

步驟3、對(duì)所述柔性顯示基板和所述剛性承載基底進(jìn)行剝離而獲得所述柔性顯示基板。

在上述柔性顯示基板的制備方法中，由于在剛性承載基底上形成有凹凸圖案層，并且在剛性承載基底上制作柔性顯示基板之后，所述凹凸圖案層中的圖案避開所述柔性顯示基板上的顯示器件，因此在剝離時(shí)將會(huì)在圖案層的圖案處形成應(yīng)力集中，應(yīng)力集中處的受力較大，而在其余沒有應(yīng)力集中的地方例如柔性顯示基板上包含顯示器件的地方受力較小，剝離時(shí)不容易損壞柔性顯示基板上的器件。并且，因?yàn)樵摪纪箞D案層使得柔性顯示基板厚度不統(tǒng)一，這樣在柔性基板厚度較小的地方曲率半徑也較小，因此通過該凹凸圖案層可以使柔性顯示基板上一部分區(qū)域的厚度減小，從而使該部分區(qū)域的曲率半徑減小，可以在一定程度上獲得具有更小曲率半徑的柔性顯示基板。

在圖1所示的柔性顯示基板的制備方法中，所述步驟1、在剛性承載基底上形成凹凸圖案層具體可以有兩種方式，其中一種方式為制作凸起的圖案層，另一種方式為制作凹陷的圖案層。

制作凸起的圖案不損壞剛性承載基底，剛性承載基底可以重復(fù)使用，且在一塊剛性承載基底上可以依據(jù)柔性顯示基板的不同而制備不同的凸起圖案，例如在一次使用中制備一種形式的凸起圖案，在下一次使用中制備另一種形式的凸起圖案，使用靈活性高。而制作凹陷的圖案則不需要在剛性承載基底上另行沉積薄膜再制作圖案層，節(jié)省了材料的使用，且節(jié)省了沉積等工藝步驟，工藝簡單。

圖2a和2b為經(jīng)過上述步驟1之后制得的凸起的圖案層的示意圖。制作凸起的圖案層的步驟包括：

在剛性承載基底201上沉積圖案層薄膜；

采用構(gòu)圖工藝在所述圖案層薄膜上形成凸起的圖案層202。

并且，在將所述柔性顯示基板與所述剛性承載基底剝離開之后，制作凸起的圖案層的方法還包括：去除剝離完成后所述柔性顯示基板上殘留的所述圖案層材料。

其中，沉積所述圖案層薄膜所使用的材料包括金屬材料、合金材料、復(fù)合材料或絕緣材料。在沉積圖案層薄膜時(shí)可以使用PVD(物理氣相沉積)方法，以Cr、Ti、Mo、W、Al、Cu等金屬材料、或者合金材料及其它復(fù)合材料作為靶材進(jìn)行薄膜沉積?；蛘撸部梢允褂肅VD(化學(xué)氣相沉積)方法，利用SiOx、SiNx、SiONx、AlOx等其中一種或多種絕緣材料進(jìn)行薄膜沉積。在沉積圖案層薄膜時(shí)，材料的選擇不限，可以依據(jù)材料價(jià)格、獲得方式等使用合適的材料，選擇上更加靈活方便。

之后，采用構(gòu)圖工藝形成凸起的圖案層，所述構(gòu)圖工藝包括薄膜沉積、掩膜板曝光、刻蝕、剝離等操作。

最后，可以采用與凸起的圖案層相適應(yīng)的清洗液去除剝離完成后所述柔性顯示基板上殘留的所述圖案層材料?；蛘撸部梢圆捎梦锢矸椒ㄈコ?。將凸起的圖案層材料清除之后，剛性承載基底可以重復(fù)使用。

具體而言，上述制得的凸起的圖案層202可以由多個(gè)相互分隔的圖案區(qū)域構(gòu)成，所述凹凸圖案層中的圖案分布在所述圖案區(qū)域中，該圖案區(qū)域的形狀例如可以是圖2a和2b所示的凸臺(tái)形狀(其在圖2a的平面圖上投影形成的平面形狀為矩形)，每個(gè)所述圖案區(qū)域的橫向和縱向的尺寸范圍均為1um-300um，如圖2b中圖案區(qū)域的橫向尺寸L1的范圍可以為1um-300um，高度方向上的尺寸范圍為1um-300um，每兩個(gè)相鄰的圖案區(qū)域之間的間隔距離L2的范圍為1um-3um。通過對(duì)圖案區(qū)域的尺寸和間隔進(jìn)行設(shè)置可以獲得不同的圖案層形狀，圖案層的形狀影響著應(yīng)力集中的分布，通常應(yīng)力集中分布得越均勻，在進(jìn)行剝離操作時(shí)柔性顯示基板上的器件越不容易損壞，通過控制圖案層的形狀可以使得剝離過程更加順利。

所述圖案區(qū)域的平面形狀不限，例如為矩形、梯形、三角形或圓形等多種形狀。圖案區(qū)域可以選擇做成各種各樣的形狀，相應(yīng)地對(duì)掩模板的制作要求降低，可以節(jié)省成本。

此外，為了方便掩模板的制作，所述多個(gè)相互分隔的圖案區(qū)域之間可以相互連接形成網(wǎng)格狀的圖案區(qū)域。

圖3為經(jīng)過上述步驟1之后制得的凹陷的圖案層的示意圖。制作凹陷的圖案層的步驟包括：直接在所述剛性承載基底上進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成凹陷的圖案層203。需要說明的是，制作形成的凹陷的圖案層203也包括相互分隔的圖案區(qū)域，該圖案區(qū)域的形狀例如可以是圖3所示的圓坑形狀，每個(gè)所述圖案區(qū)域的橫向和縱向的尺寸范圍均為1um-300um，如圖3中圖案區(qū)域的橫向尺寸L3的范圍可以為1um-300um，高度方向上的尺寸范圍為1um-300um，每兩個(gè)相鄰的圖案區(qū)域之間的間隔距離L4的范圍為1um-3um。并且，為了進(jìn)一步避免柔性顯示基板損壞以及使柔性顯示基板的厚度均勻，可以將所述圖案區(qū)域與所述柔性顯示基板的顯示區(qū)域相對(duì)應(yīng)設(shè)置。此外，為了方便掩模板的制作，所述多個(gè)相互分隔的圖案區(qū)域之間可以相互連接形成網(wǎng)格狀的圖案區(qū)域。

上述各實(shí)施例中，在形成所述凹凸圖案層(包括凸起的圖案層和凹陷的圖案層)之后，在剛性承載基底上制備柔性顯示基板具體包括：

在形成有所述凹凸圖案層的剛性承載基底上形成柔性襯底；

在所述柔性襯底上制備顯示元件層。

下面結(jié)合附圖4對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性顯示基板的制備方法進(jìn)行整體地介紹：

S1、清洗剛性承載基底201，形成凹凸圖案層，該凹凸圖案層可以是凸起的圖案層202或凹陷的圖案層203。

首先對(duì)剛性承載基底進(jìn)行清洗，清洗時(shí)可以使用去離子水。剛性承載基底可以是玻璃基板等。

在剛性承載基底上制作凹凸圖案層的方法可以參照上面的介紹。

S2、制作柔性襯底204。

通過旋涂或者黏貼工藝制備柔性襯底，柔性襯底的材料可包括：聚酰亞胺(PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等。柔性襯底的厚度范圍可以為1-300um，本實(shí)施例厚度優(yōu)選為200um。

S3、制作緩沖層205。

采用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)沉積緩沖層，緩沖層可采用SiOx、SiNx、SiONx、AlOx等其中的一種或多種絕緣材料制作，本實(shí)施例緩沖層采用SiOx。緩沖層可以是一層或多層結(jié)構(gòu)，厚度為1-800nm，本實(shí)施例優(yōu)選厚度為300nm。

S4、制作金屬柵極206。

在緩沖層上制備柵極導(dǎo)電層，柵極導(dǎo)電層可采用Cr、Ti、Mo、W、Al、Cu等金屬材料、合金材料及其它導(dǎo)電材料制作。上述柵極導(dǎo)電層可以是一層或多層結(jié)構(gòu)，厚度為1-1000nm，本實(shí)施例優(yōu)選厚度為300nm。

S5、制作柵極絕緣層207。

采用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)沉積柵極絕緣層，柵極絕緣層可采用SiOx、SiNx、SiONx、AlOx等其中的一種或多種絕緣材料制作，本實(shí)施例柵極絕緣層采用SiOx。柵極絕緣層可以是一層或多層結(jié)構(gòu)，厚度為1-800nm，本實(shí)施例優(yōu)選厚度為300nm。

S6、制作有源層208。

采用磁控濺射技術(shù)沉積氧化銦鎵鋅(IGZO)有源層，有源層材料還包括：ITZO、HIZO、ATZIO、ATZO、ZTO、GTO、IGTO等氧化物半導(dǎo)體材料，有源層可以是一層或多層結(jié)構(gòu)，厚度為1-500nm，本實(shí)施例優(yōu)選厚度為50nm。

S7、制作源極209和漏極210。

采用磁控濺射技術(shù)沉積源、漏導(dǎo)電層，源、漏導(dǎo)電層可采用Cr、Ti、Mo、W、Al、Cu等金屬材料、合金材料及其它導(dǎo)電材料制作。上述的源、漏電極導(dǎo)電層可以是一層或多層結(jié)構(gòu)，厚度為1-1000nm，本實(shí)施例優(yōu)選為400nm。

S8、制作鈍化層211。

采用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)沉積鈍化層，鈍化層可采用SiOx、SiNx、SiONx、AlOx等其中的一種或多種絕緣材料制作，通過構(gòu)圖工藝形成過孔，本實(shí)施例鈍化層采用SiOx。鈍化層可以是一層或多層結(jié)構(gòu)，厚度為1-800nm，本實(shí)施例優(yōu)選為300nm。

S9、制作像素電極212。

采用磁控濺射技術(shù)沉積像素電極，材料包括：ITO、IZO等，厚度為1-300nm；實(shí)施例優(yōu)選厚度為40nm。

通過上述步驟就形成了完整的柔性TFT陣列，若要實(shí)現(xiàn)顯示功能，可根據(jù)需要選擇制作平坦化層、像素界定層、并進(jìn)行EL蒸鍍、封裝等。

S10、柔性顯示基板制備完成后使用激光將其與剛性承載基底剝離分開。

該實(shí)施例以在剛性承載基底上形成凸起的圖案層為例介紹了柔性襯底和顯示元件層的制作方法，還可在剛性承載基底上直接形成凹陷的圖案層，然后使用相同方法制備柔性顯示基板。

通過上述方法制得的柔性顯示基板，包括在手機(jī)、平板、顯示器、電視、廣告牌等上的應(yīng)用，但不局限于此。

在上述實(shí)施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。