本發(fā)明屬于芯片封裝領(lǐng)域，涉及一種ic芯片封裝方法及結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

圖1及圖2是現(xiàn)有的一種典型的ic封裝裝置(分別為俯視圖及剖面圖)，主要包括引線框架101(leadframe)，芯片焊盤102，焊接金線103(bondinggoldwire)、銀漿104(epoxy)和塑封材料105(moldcompound)等，其中，ic芯片106通過所述銀漿104粘貼于所述芯片焊盤102上。引線框架101的作用是提供電路連接和die的固定作用，主要材料為銅，會(huì)在上面進(jìn)行鍍銀、nipdau等材料。焊接金線103的作用是實(shí)現(xiàn)芯片和外部引線框架的電性和物理連接，金線采用的是99.99％的高純度金。出于成本考慮，也可采用銅線或鋁線，優(yōu)點(diǎn)是成本降低，同時(shí)工藝難度加大，良率降低。塑封材料105的主要成分為環(huán)氧樹脂及各種添加劑(固化劑，改性劑，脫模劑，染色劑，阻燃劑等)，主要功能為在熔融狀態(tài)下將芯片和引線框架包裹起來，提供物理和電氣保護(hù)，防止外界干擾。銀漿104的成分為環(huán)氧樹脂填充金屬粉末(ag)，有三個(gè)作用：將芯片固定在芯片焊盤上；散熱作用；導(dǎo)電作用。

典型的ic封裝流程包括前段工藝和后段工藝，其中，前段工藝(fol-frontofline)主要包括如下流程：晶圓(wafer)——磨片(backgrinding)——晶圓安裝(wafermount)——晶圓切割(wafersaw)——晶圓清洗(waferwash)——第二道光檢(2ndoptical)——芯片粘接(dieattach)——銀漿固化(epoxycure)——引線焊接(wirebond)——第三道光檢(3rdoptical)；后段工藝(eol-endofline)主要包括如下流程：注塑(molding)——激光打字(lasermark)——高溫固化(pmc)——去溢料/電鍍(de-flash/plating)——電鍍退火(annealing)——切筋/成型(trim/form)——第四道光檢(4thoptical)。

相對(duì)于ic芯片封裝，led芯片封裝相對(duì)簡(jiǎn)單。圖3是一種典型的led芯片封裝外形，包括led芯片，支架，金線，銀漿，熒光粉，焊球等，其封裝流程如下：劃片——測(cè)試(芯片分選)——背膠——固晶——烘干——焊線——檢驗(yàn)——灌膠——烘干——脫?！肭小獪y(cè)試——全切——長(zhǎng)烤——分選——打包。以白光led為例，典型的led芯片簡(jiǎn)易封裝流程如下：固晶——固晶烘烤——焊線——熒光粉涂布——熒光粉烘烤——透鏡安裝/灌膠成型——膠體烘烤——半切——初測(cè)——而且——測(cè)試分檔——檢驗(yàn)包裝。

現(xiàn)有的ic芯片封裝過程復(fù)雜，工藝多達(dá)二十多道，效率低，成本較高。因此，如何提供一種新的ic芯片封裝方法及結(jié)構(gòu)，以簡(jiǎn)化封裝流程、提高生產(chǎn)效率、降低封裝成本，成為本 領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)重要技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種ic芯片封裝方法及結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中ic芯片封裝過程復(fù)雜、效率較低、成本較高的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種ic芯片封裝方法，所述ic芯片封裝方法包括如下步驟：

s1：提供一芯片支架；所述芯片支架包括塑膠基座及至少兩個(gè)引腳；所述塑膠基座中設(shè)有一凹腔；所述引腳貫穿凹腔的側(cè)壁，且引腳的外端暴露于所述塑膠基座外、引腳的內(nèi)端位于所述凹腔內(nèi)；

s2：將ic芯片放置于所述凹腔中并固晶；

s3：通過焊接引線將所述ic芯片與所述引腳內(nèi)端連接；

s4：在所述凹腔內(nèi)灌入膠體，封住所述ic芯片及所述引腳內(nèi)端。

可選地，于所述步驟s1中，所述引腳表面預(yù)先形成有電鍍層。

可選地，于所述步驟s4中，還包括膠體烘烤的步驟。

可選地，于所述步驟s4之后，還包括對(duì)所述引腳外端進(jìn)行電鍍以形成電鍍層的步驟。

可選地，于所述步驟s1中，所述芯片支架嵌于支撐框架內(nèi)；所述支撐框架中設(shè)有若干用于支撐所述芯片支架的支撐位。

可選地，于所述步驟s4之后，還包括將所述芯片支架從所述支撐框架上取下，并對(duì)封裝于所述芯片支架上的ic芯片進(jìn)行測(cè)試、分包的步驟。

可選地，所述ic芯片通過對(duì)晶圓劃片得到。

可選地，所述凹腔底部設(shè)有一散熱基板，所述ic芯片固晶于所述散熱基板上。

可選地，所述芯片支架采用led芯片支架。

本發(fā)明還提供一種ic芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述ic芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：

芯片支架；所述芯片支架包括塑膠基座及至少兩個(gè)引腳；所述塑膠基座中設(shè)有一凹腔；所述引腳貫穿凹腔的側(cè)壁，且引腳的外端暴露于所述塑膠基座外、引腳內(nèi)端位于所述凹腔內(nèi)；

固定于所述凹腔中的ic芯片；

連接所述ic芯片與所述引腳內(nèi)端的焊接引線；

封住所述ic芯片及所述引腳內(nèi)端的膠體。

可選地，所述凹腔底部設(shè)有一散熱基板，所述ic芯片固晶于所述散熱基板上。

可選地，所述引腳外端表面形成有電鍍層。

可選地，所述電鍍層包括錫電鍍層。

可選地，所述引線選自金線、鋁線及銅線中的至少一種。

可選地，所述芯片支架采用led芯片支架。

如上所述，本發(fā)明的ic芯片封裝方法及結(jié)構(gòu)相對(duì)于傳統(tǒng)ic芯片封裝，具有以下有益效果：(1)本發(fā)明的ic芯片封裝方法中，采用芯片支架代替了引線框架，由于在制作芯片支架的過程中就可以完成引腳電鍍，因此可以省卻塑封后復(fù)雜的引線框架電鍍的工藝步驟；(2)由于所述芯片支架可以直接從支撐框架上取下，因此本發(fā)明在塑封完畢后可以省卻切筋的工藝步驟；(3)由于芯片支架中設(shè)有凹腔，灌膠時(shí)不用灌膠模具，因此本發(fā)明可以大大簡(jiǎn)化塑封過程；(4)通過控制膠量，即可使得膠體不溢出所述凹腔，因此，本發(fā)明還可以省卻去輔料的過程。本發(fā)明的ic芯片封裝方法及結(jié)構(gòu)可以有效簡(jiǎn)化工藝，節(jié)省成本；并且本發(fā)明中，ic芯片封裝可以與led芯片封裝共用，即ic芯片封裝結(jié)構(gòu)可以直接采用led芯片的支架體，從而減少封裝工序并提高支架的復(fù)用率，提高生產(chǎn)效率。

附圖說明

圖1顯示為現(xiàn)有的一種典型的ic封裝裝置的俯視圖。

圖2顯示為圖1所示結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖3顯示為一種典型的led芯片封裝外形。

圖4顯示為本發(fā)明的ic芯片封裝方法的工藝流程圖。

圖5顯示為本發(fā)明的ic芯片封裝方法中所采用的第一種芯片支架的俯視圖。

圖6顯示為圖5所示結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖7顯示為本發(fā)明的ic芯片封裝方法中所采用的第二種芯片支架的剖視圖。

圖8顯示為本發(fā)明的ic芯片封裝方法中所采用的第三種芯片支架的俯視圖。

圖9顯示為本發(fā)明的ic芯片封裝方法中若干芯片支架嵌于支撐框架內(nèi)的示意圖。

圖10顯示為本發(fā)明的ic芯片封裝方法中將ic芯片放置于所述凹腔中并固晶的示意圖。

圖11顯示為本發(fā)明的ic芯片封裝方法中通過焊接引線將所述ic芯片與所述引腳內(nèi)端連接的示意圖。

圖12顯示為本發(fā)明的ic芯片封裝方法中在所述凹腔內(nèi)灌入膠體，封住所述ic芯片及所述引腳內(nèi)端的示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說明

101引線框架

102芯片焊盤

103焊接金線

104銀漿

105塑封材料

106ic芯片

s1～s4步驟

201塑膠基座

202引腳

203凹腔

204散熱基板

205熱沉

206支撐框架

207ic芯片

208引線

209膠體

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖4至圖12。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

實(shí)施例一

本發(fā)明提供一種ic芯片封裝方法，請(qǐng)參閱圖4，顯示為該方法的工藝流程圖，包括如下步驟：

s1：提供一芯片支架；所述芯片支架包括塑膠基座及至少兩個(gè)引腳；所述塑膠基座中設(shè)有一凹腔；所述引腳貫穿凹腔的側(cè)壁，且引腳的外端暴露于所述塑膠基座外、引腳的內(nèi)端位 于所述凹腔內(nèi)；

s2：將ic芯片放置于所述凹腔中并固晶；

s3：通過焊接引線將所述ic芯片與所述引腳內(nèi)端連接；

s4：在所述凹腔內(nèi)灌入膠體，封住所述ic芯片及所述引腳內(nèi)端。

首先請(qǐng)參閱圖5至圖9，執(zhí)行步驟s1：提供一芯片支架；所述芯片支架包括塑膠基座201及至少兩個(gè)引腳202；所述塑膠基座201中設(shè)有一凹腔203；所述引腳202貫穿所述凹腔203側(cè)壁，且所述引腳202的外端暴露于所述塑膠基座201外、引腳202的內(nèi)端位于所述凹腔203內(nèi)。

作為示例，圖5顯示為一種芯片支架的俯視圖，其中，所述塑膠基座201整體上為方形，所述凹腔203為圓形，所述引腳202的數(shù)目為5個(gè)，引腳內(nèi)端從所述凹腔203邊緣開始暴露出來，并往所述凹腔203中心延伸。圖6顯示為圖5所示結(jié)構(gòu)的剖視圖。

具體的，所述引腳202內(nèi)端作為與ic芯片電性連接的焊盤，所述引腳202外端作為封裝結(jié)構(gòu)的外部電性連接點(diǎn)，可方便插入電路板上。

具體的，所述引腳202表面預(yù)先形成有電鍍層(未圖示)。作為示例，所述電鍍層包括錫鍍層。所述電鍍層的存在可以防止外界環(huán)境的影響，避免引腳被氧化而影響電氣導(dǎo)通，另外，所述電鍍層的存在還可以使最終的封裝結(jié)構(gòu)在pcb板上或其它電路板上更容易焊接，并提高導(dǎo)電性。作為示例，僅所述引腳202的外端表面形成有所述電鍍層。

如圖5及圖6所示，本實(shí)施例中，所述凹腔203底部還設(shè)有一散熱基板204，用于為后續(xù)形成于其上的ic芯片散熱。作為示例，所述散熱基板204包括一支撐平臺(tái)及與所述支撐平臺(tái)相連接的支撐臂。所述支撐平臺(tái)位于所述凹腔203底部中心區(qū)域，用于支撐ic芯片，所述支撐臂外端嵌入所述凹腔203的側(cè)壁中，用以固定所述支撐平臺(tái)。

在另一實(shí)施例中，所述散熱基板204可采用熱沉的結(jié)構(gòu)進(jìn)行散熱。如圖7所示，顯示為所述凹腔203底部設(shè)有一熱沉205的示意圖。作為示例，所述熱沉205包括一底座及連接于所述底座上方的承載平臺(tái)，所述底座嵌于所述塑膠基座201中，其橫截面積大于所述承載平臺(tái)的橫截面積。作為示例，所述承載平臺(tái)為為圓柱體，其頂面為平面或頂面中心凹陷。

需要指出的是，圖7顯示為所述熱沉205的承載平臺(tái)頂端側(cè)面直接暴露于所述塑膠基座201外的情形。在另一實(shí)施例中，所述承載平臺(tái)頂端側(cè)面也可被突出于所述凹腔203底面的塑膠環(huán)所包圍，以增強(qiáng)所述引腳202內(nèi)端與所述熱沉205之間的絕緣性。

具體的，所述散熱基板204或熱沉205包括但不限于銅或鋁材質(zhì)。

需要指出的是，在其它實(shí)施例中，所述塑膠基座201的結(jié)構(gòu)、所述引腳202的數(shù)量及分布、以及所述散熱基板204或熱沉205的結(jié)構(gòu)也可采用其它方式，例如，如圖8所示，顯示 為另一種芯片支架的俯視圖，其中所述凹腔203為方形，所述引腳202的數(shù)量為6個(gè)，其中，位于所述凹腔203角落區(qū)域的引腳內(nèi)端為彎折狀，所述散熱基板204包括位于所述凹腔203底部中心的支撐平臺(tái)及一對(duì)嵌入所述凹腔203側(cè)壁中的支撐臂。其中，所述引腳202的數(shù)量可以根據(jù)要封裝的ic芯片進(jìn)行調(diào)整，此處不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為示例，如圖9所示，所述芯片支架嵌于支撐框架206內(nèi)；所述支撐框架206中設(shè)有若干用于支撐所述芯片支架的支撐位。所述支撐框架206可采用金屬材質(zhì)，包括但不限于銅、鋁等。圖9中顯示為6個(gè)芯片支架嵌于支撐框架206內(nèi)的情形，在其它實(shí)施例中，所述支撐框架206的支撐位可以設(shè)置更多，嵌于其中的芯片支架也更多，從而可以同時(shí)進(jìn)行多個(gè)ic芯片的封裝，提高封裝效率。

然后請(qǐng)參閱圖10，執(zhí)行步驟s2：將ic芯片207放置于所述凹腔203中并固晶。

具體的，所述ic芯片207通過對(duì)晶圓劃片得到。劃片是指將整張晶圓分割成若干獨(dú)立的ic芯片單元。

具體的，固晶是指通過導(dǎo)電膠或絕緣膠將ic芯片粘接在所述凹腔的指定區(qū)域，形成熱通路，為后續(xù)的打線連接提供條件。作為示例，首先在所述散熱基板204或熱沉205上點(diǎn)上固晶膠(未圖示)，然后將所述ic芯片207放置于所述散熱基板204或熱沉205上，待所述固晶膠固化后，即將所述ic芯片207固定。本實(shí)施例中，所述固晶膠優(yōu)選采用銀漿，其固化條件可選用175℃下加熱1小時(shí)，加熱氣氛為氮?dú)?，以防止銀漿氧化。

再請(qǐng)參閱圖11，執(zhí)行步驟s3：通過焊接引線208將所述ic芯片207與所述引腳202內(nèi)端連接。

具體的，所述引線208選自金線、鋁線及銅線中的至少一種。本實(shí)施例中，所述引線208優(yōu)選采用金線。

具體的，采用超聲波焊線機(jī)、自動(dòng)焊線機(jī)或其它現(xiàn)有的焊線機(jī)焊接所述引線。所述引線208將所述ic芯片207的電路焊接點(diǎn)與所述引腳202內(nèi)端連接，使得封裝完畢后，可通過所述引腳202外端對(duì)所述ic芯片施加電信號(hào)或?qū)⑺鰅c芯片的電信號(hào)輸出。

最后請(qǐng)參閱圖12，執(zhí)行步驟s4：在所述凹腔203內(nèi)灌入膠體209，封住所述ic芯片207及所述引腳203內(nèi)端。

具體的，所述膠體209封住所述ic芯片207及所述引腳203內(nèi)端，可以提供良好的物理和電氣保護(hù)，防止外界干擾。所述膠體209包括但不限于環(huán)氧樹脂、硅酮、聚丁二烯、酚醛、聚酯等材料。

具體的，在灌入膠體209之后，還包括膠體烘烤的步驟，以使所述膠體209固化。根據(jù)所述膠體209所采用的材料的不同，固化條件也不相同，此為本領(lǐng)域人員所熟知，此處不應(yīng) 過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

本發(fā)明中，由于所述芯片支架中設(shè)有所述凹腔203，灌膠時(shí)不用灌膠模具，因此可以大大簡(jiǎn)化塑封過程；通過控制膠量，即可使得膠體不溢出所述凹腔，因此還可以省卻去輔料的過程。

此外，本發(fā)明的ic芯片封裝方法中采用芯片支架代替了引線框架，由于在制作芯片支架的過程中就可以完成引腳電鍍，因此可以省卻塑封后復(fù)雜的引線框架電鍍的工藝步驟。當(dāng)然，若所述芯片支架上的引腳沒有預(yù)先形成電鍍層，在膠體烘烤步驟之后，還可以進(jìn)一步對(duì)所述引腳外端進(jìn)行電鍍以形成電鍍層。

進(jìn)一步的，本發(fā)明中，所述芯片支架可以直接從所述支撐框架上取下，例如通過手工或機(jī)器施加一定的力即可將芯片支架掰下或壓下，從而可以省卻切筋的工藝步驟。

至此完成了ic芯片封裝。本發(fā)明中，將所述芯片支架從所述支撐框架上取下之后，還可以進(jìn)一步對(duì)封裝于所述芯片支架上的ic芯片進(jìn)行測(cè)試、分包，以篩選出合格的封裝結(jié)構(gòu)。

需要指出的是，在上述封裝過程中，所述芯片支架也可直接采用現(xiàn)有的led芯片支架，從而減少封裝工序并提高支架的復(fù)用率，提高生產(chǎn)效率。

本發(fā)明的ic芯片封裝方法可以有效簡(jiǎn)化工藝，節(jié)省成本。

實(shí)施例二

本發(fā)明還提供一種ic芯片封裝結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參閱圖12，顯示為該封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖，包括：

芯片支架；所述芯片支架包括塑膠基座201及至少兩個(gè)引腳202；所述塑膠基座201中設(shè)有一凹腔203；所述引腳202貫穿凹腔203的側(cè)壁，且引腳202的外端暴露于所述塑膠基座201外、引腳202的內(nèi)端位于所述凹腔203內(nèi)；

固定于所述凹腔203中的ic芯片207；

連接所述ic芯片207與所述引腳202內(nèi)端的焊接引線208；

封住所述ic芯片207及所述引腳202內(nèi)端的膠體209。

具體的，所述凹腔203底部設(shè)有一散熱基板，所述ic芯片207固晶于所述散熱基板。如圖6所示，顯示為所述凹腔203底部設(shè)有散熱基板204時(shí)的剖視圖，所述散熱基板204用于為ic芯片散熱。

在另一實(shí)施例中，所述散熱基板204可采用熱沉的結(jié)構(gòu)進(jìn)行散熱。如圖7所示，顯示為所述凹腔203底部設(shè)有一熱沉205的示意圖。作為示例，所述熱沉205包括一底座及連接于所述底座上方的承載平臺(tái)，所述底座嵌于所述塑膠基座201中，其橫截面積大于所述承載平臺(tái)的橫截面積。作為示例，所述承載平臺(tái)為為圓柱體，其頂面為平面或頂面中心凹陷。

具體的，所述引腳202外端表面形成有電鍍層(未圖示)。作為示例，所述電鍍層包括錫鍍層。所述電鍍層的存在可以防止外界環(huán)境的影響，避免引腳被氧化而影響電氣導(dǎo)通，另外，所述電鍍層的存在還可以使最終的封裝結(jié)構(gòu)在pcb板上或其它電路板上更容易焊接，并提高導(dǎo)電性。

如圖5所示，顯示為本實(shí)施例中所述芯片支架的俯視圖，所述塑膠基座201整體上為方形，所述凹腔203為圓形，所述引腳202的數(shù)目為5個(gè)，引腳內(nèi)端從所述凹腔203邊緣開始暴露出來，并往所述凹腔203中心延伸。所述引腳202內(nèi)端作為與ic芯片電性連接的焊盤，所述引腳202外端作為封裝結(jié)構(gòu)的外部電性連接點(diǎn)，可方便插入電路板上。

如圖8所示，在另一實(shí)施例中，所述凹腔203也可以為方形，所述引腳202的數(shù)量為6個(gè)，其中，位于所述凹腔203角落區(qū)域的引腳內(nèi)端為彎折狀，所述散熱基板204包括位于所述凹腔203底部中心的支撐平臺(tái)及一對(duì)嵌入所述凹腔203側(cè)壁中的支撐臂。

需要指出的是，所述引腳202的數(shù)量可以根據(jù)要封裝的ic芯片進(jìn)行調(diào)整，且所述塑膠基座201的結(jié)構(gòu)、所述引腳202的分布、以及所述散熱基板204或熱沉205的結(jié)構(gòu)也可采用其它形式，此處不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

具體的，所述引線208選自金線、鋁線及銅線中的至少一種。本實(shí)施例中，所述引線208優(yōu)選采用金線。所述引線208將所述ic芯片207的電路焊接點(diǎn)與所述引腳202內(nèi)端連接，使得電信號(hào)可通過所述引腳202外端施加于所述ic芯片，同時(shí)，所述ic芯片的電信號(hào)也可通過所述引腳202外端輸出。

具體的，所述膠體209封住所述ic芯片207、所述引腳203內(nèi)端及所述引線208，可以提供良好的物理和電氣保護(hù)，防止外界干擾。所述膠體209包括但不限于環(huán)氧樹脂、硅酮、聚丁二烯、酚醛、聚酯等材料。

特別的，所述芯片支架也可直接采用現(xiàn)有的led芯片支架，從而減少封裝工序并提高支架的復(fù)用率，提高生產(chǎn)效率。

綜上所述，本發(fā)明的ic芯片封裝方法及結(jié)構(gòu)相對(duì)于傳統(tǒng)ic芯片封裝，具有以下有益效果：(1)本發(fā)明的ic芯片封裝方法中，采用芯片支架代替了引線框架，由于在制作芯片支架的過程中就可以完成引腳電鍍，因此可以省卻塑封后復(fù)雜的引線框架電鍍的工藝步驟；(2)由于所述芯片支架可以直接從支撐框架上取下，因此本發(fā)明在塑封完畢后可以省卻切筋的工藝步驟；(3)由于芯片支架中設(shè)有凹腔，灌膠時(shí)不用灌膠模具，因此本發(fā)明可以大大簡(jiǎn)化塑封過程；(4)通過控制膠量，即可使得膠體不溢出所述凹腔，因此，本發(fā)明還可以省卻去輔料的過程。本發(fā)明的ic芯片封裝方法及結(jié)構(gòu)可以有效簡(jiǎn)化工藝，節(jié)省成本；并且本發(fā)明中， ic芯片封裝可以與led芯片封裝共用，即ic芯片封裝結(jié)構(gòu)可以直接采用led芯片的支架體，從而減少封裝工序并提高支架的復(fù)用率，提高生產(chǎn)效率。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。