1.一種靜電卡盤裝置，其通過靜電吸附用電極吸附板狀試樣，并且對(duì)所述板狀試樣進(jìn)行冷卻，
所述靜電卡盤裝置具有靜電卡盤部，所述靜電卡盤部以陶瓷燒結(jié)體為形成材料，所述靜電卡盤部的一個(gè)主面是載置所述板狀試樣的載置面，
在所述載置面設(shè)置有支承所述板狀試樣的多個(gè)突起部，
所述突起部在頂面與所述板狀試樣接觸并支承所述板狀試樣，并且截面積從所述頂面的高度位置向下方遞增，
所述突起部的從所述頂面的下端向下方距離0.6μm的位置的截面積相對(duì)于所述頂面的下端的截面積為110％以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤裝置，其中，
所述突起部的從所述頂面的下端向下方距離2.6μm的位置的截面積相對(duì)于所述頂面的下端的截面積為120％以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靜電卡盤裝置，其中，
所述突起部的高度為6μm以上且50μm以下，所述突起部的1/2高度位置的截面積相對(duì)于所述頂面的下端的截面積為140％以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤裝置，其中，
所述突起部的所述頂面是所述突起部的從頂點(diǎn)到下方的0.4μm距離為止的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的靜電卡盤裝置，其中，
所述載置面包括氧化鋁-碳化硅復(fù)合燒結(jié)體、氧化鋁燒結(jié)體、氮化鋁燒結(jié)體或氧化釔燒結(jié)體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的靜電卡盤裝置，其中，
所述突起部的所述頂面的表面粗糙度Ra為0.1μm以下，
所述載置面中的未形成有所述突起部的底面的表面粗糙度Ra為1.0μm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的靜電卡盤裝置，其中，
將多個(gè)所述頂面的下端的截面積的總和相對(duì)于俯視觀察所述載置面的面積所占的比率設(shè)為0.1％以上且20％以下。