本發(fā)明一般地涉及極紫外光刻底板(lithography blank)以及用于此種極紫外光刻底板的制造與光刻系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

極紫外光刻(EUV，也稱(chēng)為軟x-射線(xiàn)投射光刻)是取代深紫外光刻以制造0.0135微米與更小、最小的特征尺寸半導(dǎo)體器件的競(jìng)爭(zhēng)者。

然而，極紫外光一般處在5至100納米波長(zhǎng)范圍，且實(shí)質(zhì)上在所有材料中強(qiáng)烈地被吸收?；诖嗽颍瑯O紫外系統(tǒng)是通過(guò)光的反射而非通過(guò)光的傳送來(lái)作用。透過(guò)使用一系列鏡子、或透鏡元件與反射元件、或被涂覆有非反射吸收劑掩模圖案的掩模底板，圖案化光化性光被反射到涂覆有抗蝕劑的半導(dǎo)體基板上。

極紫外光刻系統(tǒng)的透鏡元件與掩模底板用諸如鉬與硅之類(lèi)的材料的反射多層涂覆物來(lái)涂覆。已經(jīng)通過(guò)使用涂覆有多層涂覆物的基板來(lái)獲得每個(gè)透鏡元件或掩模底板的約65％的反射值，其中該多層涂覆物會(huì)強(qiáng)烈地反射極窄紫外線(xiàn)帶通內(nèi)的光，例如對(duì)于13.5納米紫外線(xiàn)光是12.5至14.5納米帶通。

基于漸增對(duì)于更小特征尺寸的電子部件的需求，尋求這些問(wèn)題的答案是日益重要的。鑒于不斷增加的商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)壓力，隨之增長(zhǎng)的消費(fèi)者期待，尋求這些問(wèn)題的答案是重要的。此外，降低成本、改善效率與性能以及對(duì)抗競(jìng)爭(zhēng)壓力的需求，為尋求這些問(wèn)題的答案的關(guān)鍵必要性增添了甚至更大的急迫性。

長(zhǎng)久以來(lái)，一直尋求這些問(wèn)題的解決方式，但是先前的發(fā)展并沒(méi)有教導(dǎo)或建議任何解決方式，因而這些問(wèn)題的解決方式已經(jīng)長(zhǎng)久困擾本領(lǐng)域技術(shù)人員。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一實(shí)施方式是一種極紫外(EUV)掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)，該系統(tǒng)提供：基板操控真空腔室，該基板操控真空腔室用以產(chǎn)生真空；基板操控平臺(tái)，該基板操控平臺(tái)位在該真空中，該基板操控平臺(tái)用以傳送被裝載在該基板操控真空腔室中的超低膨脹基板；及多個(gè)子腔室，該多個(gè)子腔室可通過(guò)該基板操控平臺(tái)進(jìn)出，該多個(gè)子腔室用以形成EUV掩模底板，該EUV掩模底板包括：多層堆疊，該多層堆疊形成在該超低膨脹基板上方，該多層堆疊用以反射極紫外(EUV)光；及吸收劑層，該吸收劑層形成在該多層堆疊上方，該吸收劑層用以吸收在13.5nm的波長(zhǎng)的該EUV光，該吸收劑層具有小于80nm的厚度與小于2％的反射率。

本發(fā)明的一實(shí)施方式是一種極紫外(EUV)掩模底板系統(tǒng)，所述系統(tǒng)提供：超低膨脹基板；多層堆疊，該多層堆疊位在該超低膨脹基板上方；及吸收劑層，該吸收劑層位在該多層堆疊上方且具有小于80nm的厚度與小于2％的在13.5nm的波長(zhǎng)的極紫外(EUV)光的反射率。

除了上述或?yàn)榱巳〈鲜龅牟襟E或元件，本發(fā)明的某些實(shí)施方式具有其它步驟或元件。通過(guò)參照隨附的圖詳讀以下詳細(xì)描述，那些步驟或元件對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見(jiàn)的。

下一代的光刻技術(shù)的光源從193nm波長(zhǎng)發(fā)展至13.5nm的極紫外源。因此，掩模底板將從傳送發(fā)展成反射幾何形態(tài)。掩模底板的結(jié)構(gòu)可以是經(jīng)設(shè)計(jì)用于13.5nm波長(zhǎng)最大反射的具有一周期間隔的鉬(Mo)/硅(Si)多層結(jié)構(gòu)。EUV掩模底板是復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，該EUV掩模底板控制各個(gè)層中的光的行為。該掩模的一些區(qū)域?qū)⒎瓷涔舛渌鼌^(qū)域?qū)⑽展?。光反射的區(qū)域是由于來(lái)自周期結(jié)構(gòu)的該多層的各個(gè)界面建設(shè)性干擾，而具有最小吸收。并且，光被吸收的區(qū)域是由于來(lái)自吸收劑層及下方的該多層結(jié)構(gòu)的薄膜吸收與破壞性干擾的組合。實(shí)施方式公開(kāi)單層膜，該單層膜充當(dāng)以13.5nm為中心且具有0.5nm帶寬的輻射的吸收劑。

附圖說(shuō)明

圖1是極紫外(EUV)掩模生產(chǎn)系統(tǒng)。

圖2是根據(jù)一實(shí)施方式的EUV掩模底板的截面圖。

圖3是EUV掩模的正交視圖。

圖4是一種用以制造具有超低缺陷的EUV掩模底板的方法的流程圖。

圖5是一種用以制造具有超低缺陷的EUV掩模底板的替代方法的流程圖。

圖6是用于EUV光刻系統(tǒng)的光學(xué)序列的工作圖。

圖7顯示在一實(shí)施方式中包括吸收劑層的EUV掩模底板的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下充分詳細(xì)地描述實(shí)施方式，以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可制造與使用本發(fā)明。應(yīng)了解的是，基于本公開(kāi)內(nèi)容的其它實(shí)施方式是顯而易知的，并且在不脫離本發(fā)明的范圍條件下可進(jìn)行系統(tǒng)、工藝或機(jī)械變化。

在以下的描述中，給予許多特定細(xì)節(jié)以提供本發(fā)明的全面理解。然而，顯然地，本發(fā)明可在不具有這些特定細(xì)節(jié)下而被實(shí)施。為了避免模糊本發(fā)明，一些已知的電路、系統(tǒng)構(gòu)造與工藝步驟沒(méi)有詳細(xì)地被公開(kāi)。

示出本發(fā)明的系統(tǒng)的實(shí)施方式的附圖是部分圖解的，并且沒(méi)有依比例繪制，具體而言，這些尺寸中的一些尺寸在附圖中是為了清晰的呈現(xiàn)且被擴(kuò)大顯示。同樣地，盡管附圖中的視圖為了便于描述大致上顯示出類(lèi)似的方位，但附圖中此類(lèi)方位描繪對(duì)于主要部分是隨意的。大致上，本發(fā)明能以任何方位來(lái)運(yùn)作。

本文公開(kāi)且描述具有一些共同特征的多個(gè)實(shí)施方式，為了它們的清晰與易于說(shuō)明、描述與了解，類(lèi)似與相似的特征將以類(lèi)似的附圖標(biāo)號(hào)來(lái)描述。

出于說(shuō)明目的，在此使用的詞語(yǔ)“水平”被定義成平行于掩模底板的平面或表面的一平面，無(wú)論該掩模底板的定向?yàn)楹味际侨绱?。詞語(yǔ)“垂直”是指垂直于剛剛所定義的水平的方向。諸如“以上”、“以下”、“底部”、“頂部”、“側(cè)面”(如“側(cè)壁”)、“更高”、“更低”、“更上方”、“上方”與“下方”的詞語(yǔ)是相關(guān)于如圖所示的該水平平面來(lái)定義。詞語(yǔ)“之上”表明元件之間具有直接接觸。

在此使用的詞語(yǔ)“處理”包括所需要用以形成所描述的結(jié)構(gòu)的材料或光刻膠的沉積、材料或光刻膠的圖案化、曝光、顯影、蝕刻、清潔、和/或移除。

現(xiàn)在參照?qǐng)D1，圖中示出整合式極紫外(EUV)掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100。整合式EUV掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100包括掩模底板裝載與載具操控系統(tǒng)102，掩模底板裝載與載具操控系統(tǒng)102具有多個(gè)裝載口104，含有基板105的傳送盒被裝載到該些裝載口104內(nèi)，基板105諸如玻璃、硅、或其它超低熱膨脹材料的基板。氣鎖106提供基板操控真空腔室108的進(jìn)出。在一實(shí)施方式中，基板操控真空腔室108可含有兩個(gè)真空腔室，即第一真空腔室110與第二真空腔室112。第一真空腔室110可含有第一基板操控平臺(tái)114，并且第二真空腔室112可含有第二基板操控平臺(tái)116。

基板操控真空腔室108可在基板操控真空腔室108的周邊具有多個(gè)口以用于附接各種子系統(tǒng)。第一真空腔室110可例如具有除氣子系統(tǒng)118、如吸收劑層沉積腔室那樣的第一物理氣相沉積子腔室120、如背側(cè)夾持層沉積腔室那樣的第二物理氣相沉積子腔室122與預(yù)清潔子系統(tǒng)124。

第二真空腔室112可具有和第二真空腔室112連接的如多層沉積腔室那樣的第一多陰極子腔室126、如平坦化層沉積腔室那樣的可流動(dòng)化學(xué)氣相沉積(FCVD)子腔室128、固化子腔室130、與第二多陰極子腔室132。

第一基板操控平臺(tái)114能于連續(xù)真空中在氣鎖106與各種子系統(tǒng)之間于第一真空腔室110的周?chē)苿?dòng)超低膨脹基板，例如第一工藝中基板134，并且通過(guò)狹縫閥(未示出)。第二基板操控平臺(tái)116能于連續(xù)真空中在第二真空腔室112的周?chē)苿?dòng)超低膨脹基板，例如第二工藝中基板136，同時(shí)將第二工藝中基板136維持在連續(xù)真空中。

已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，整合式EUV掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100可提供制造EUV掩模底板的環(huán)境，同時(shí)最小化第一工藝中基板134與第二工藝中基板136的手動(dòng)傳送。

現(xiàn)在參照?qǐng)D2，圖中示出根據(jù)一實(shí)施方式的EUV掩模底板200的截面圖。EUV掩模底板200可具有玻璃、硅、或其它超低熱膨脹材料的超低熱膨脹基板202。超低熱膨脹材料包括熔融硅氧、熔融石英、氟化鈣、碳化硅、氧化硅-氧化鈦、或具有熱膨脹系數(shù)在這些材料的范圍內(nèi)的其它材料。

已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，平坦化層204可用以填充超低膨脹基板202中的表面瑕疵203，諸如凹洞和/或缺陷，而覆蓋于超低膨脹基板202的頂部上的微粒、或平滑化已經(jīng)被平坦化的超低膨脹基板202的表面以形成平坦表面205。

多層堆疊206可形成在平坦化層204上以形成布拉格(Bragg)反射器。由于使用在EUV的照射波長(zhǎng)的吸收特性，使用反射光學(xué)。為了形成反射器，多層堆疊206可由交替的高-Z與低-Z材料層制成，諸如鉬與硅。

帽蓋層208形成在多層堆疊206上而與超低膨脹基板202相對(duì)，用以形成經(jīng)加蓋的布拉格反射器。帽蓋層208可以是諸如釕(Ru)或釕的非氧化化合物的材料，以有助于保護(hù)多層堆疊206免于氧化以及免于受到EUV掩模底板200在后續(xù)掩模處理期間可能暴露至的任何化學(xué)蝕刻劑。諸如氮化鈦、碳化硼、氮化硅、氧化釕、與碳化硅的其它材料也可被用在帽蓋層208中。

吸收劑層210可形成在帽蓋層208上。吸收劑層210可以是對(duì)于EUV光的特定頻率(約13.5nm)具有高吸收系數(shù)的材料，并且可以是諸如鉻、鉭、或它們的氮化物的材料。作為實(shí)例，由鉻、鉭、或它們的氮化物形成的吸收劑層210的厚度211可大于80nm。該由鉻、鉭、或它們的氮化物形成的吸收劑層210可具有大于2％的反射率。

吸收劑層210必須被保持得盡可能地薄，以為了減少表面視差(parallax)，該視差會(huì)造成在形成于EUV掩模底板上的掩模中的陰影(shadowing)。由鉻、鉭、或它們的氮化物形成且具有厚度211大于80nm的吸收劑層210的限制之一是EUV光的入射角度會(huì)造成陰影，這會(huì)限制通過(guò)使用這樣的EUV掩模底板的掩模生產(chǎn)的集成電路中可達(dá)到的圖案尺寸，且這會(huì)限制所能制造的積體電路元件的尺寸。

吸收劑層210可通過(guò)使用下列金屬之一而形成小于80nm的單層：鎳(Ni)、鉑(Pt)、銀(Ag)、鋅(Zn)、錫(Sn)、金(Au)、鉿(Hf)、鉛(Pb)、銦(In)、鎘(Cd)、或半金屬鉍(Bi)、銻(Sb)、與碲(Te)。吸收劑層210的材料針對(duì)它們?cè)?3.5nm的吸收特征且它們可被蝕刻的能力而選擇?？赏ㄟ^(guò)PVD、CVD、ALD、RF、與DC磁控濺射技術(shù)來(lái)沉積吸收劑層210?？赏ㄟ^(guò)薄膜吸收與EUV光的破壞性干擾的組合來(lái)運(yùn)作吸收劑層210。

可通過(guò)管理吸收劑層210的厚度211來(lái)控制由EUV掩模底板200提供的反射率百分比。作為一實(shí)例，基于吸收劑層210的厚度211，EUV光在13.5nm的波長(zhǎng)的反射率的百分比可被控制至5％、3％、1％、或0.5％。

抗反射涂覆物(ARC)212可被沉積在吸收劑層210上。ARC 212可以是諸如氮氧化鉭或氧化硼鉭的材料。

背側(cè)夾持層214可形成在超低膨脹基板202的背側(cè)表面上，而與平坦化層204相對(duì)，用以將基板安裝在靜電夾盤(pán)(未示出)上或?qū)⒒搴挽o電夾盤(pán)(未示出)安裝在一起。

現(xiàn)在參照?qǐng)D3，圖中示出EUV掩模300的正交視圖。EUV掩模300可以是矩形形狀且具有圖案302在EUV掩模300的頂表面上。圖案302可被蝕刻到ARC 212與吸收劑層210內(nèi)，以暴露帽蓋層208，用以呈現(xiàn)在制造集成電路(未示出)時(shí)相關(guān)聯(lián)階梯的幾何形態(tài)。背側(cè)夾持層214可被施加在EUV掩模300的背側(cè)上，而與圖案302相對(duì)。

現(xiàn)在參照?qǐng)D4，圖中示出一種用以制造具有超低缺陷的EUV掩模底板200的方法400的流程圖。超低缺陷是實(shí)質(zhì)零缺陷。方法400包括，在置入基板步驟402中，提供圖2的超低膨脹基板202。超低膨脹基板202可在基板清潔步驟404中被背側(cè)清潔，在背側(cè)預(yù)步驟406中被除氣、與被預(yù)清潔。

在沉積背側(cè)夾持層步驟408中，圖2的背側(cè)夾持層214被施加到超低膨脹基板202的背側(cè)；以及在一前側(cè)清潔步驟410中，可執(zhí)行前側(cè)清潔?；?05在前側(cè)清潔步驟410之后可被置入到第一真空腔室110以進(jìn)行進(jìn)一步處理。形成經(jīng)加蓋的布拉格反射器412的步驟較佳的是，在圖1的整合式EUV掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100中執(zhí)行，同時(shí)處于連續(xù)真空下，以避免來(lái)自外界狀況的污染。

除氣與預(yù)清潔步驟414與平坦化步驟416可在第一真空腔室110中執(zhí)行。在平坦化層固化步驟418中，圖2的平坦化層204可被固化；以及在沉積多層堆疊步驟420中，可執(zhí)行圖2的多層堆疊206的沉積。平坦化層固化步驟418與沉積多層堆疊步驟420兩者皆可在第二真空腔室112中執(zhí)行。在沉積帽蓋層步驟422中，可于第二真空腔室112內(nèi)沉積圖2的帽蓋層208，用以形成第二工藝中基板136，諸如經(jīng)加蓋的布拉格反射器。

在離開(kāi)整合式EUV掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100之后，第二工藝中基板136經(jīng)受深紫外(DUV)/光化性檢查，此可在檢查步驟424中執(zhí)行，第二工藝中基板136可在第二前側(cè)清潔步驟426中可選地被清潔，并且圖2的吸收劑層210與圖2的抗反射涂覆物212可在EUV掩模底板完成步驟428中被沉積以形成圖2的EUV掩模底板200。

已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，整合式EUV掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100可一致地生產(chǎn)實(shí)質(zhì)上具有零缺陷的EUV掩模底板200。第一真空腔室110中平坦化層204的施加以及第二真空腔室112中平坦化層204的固化可改善整合式EUV掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100的效率，此是因?yàn)榍皇也恍枰教够瘜?04的沉積與平坦化層204的固化之間的熱斜坡時(shí)間(thermal ramp time)。

現(xiàn)在參照?qǐng)D5，圖中示出一種用以制造具有超低缺陷的EUV掩模底板200的替代方法500的流程圖。超低缺陷是實(shí)質(zhì)上零缺陷。替代方法500開(kāi)始于在置入基板步驟502中供應(yīng)圖2的超低膨脹基板202。在背側(cè)清潔步驟504中，超低膨脹基板202可被清潔；及在前側(cè)清潔步驟506中，前側(cè)可被清潔。

形成經(jīng)加蓋的布拉格反射器508的步驟較佳的是，在圖1的整合式EUV掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100中執(zhí)行，同時(shí)處于連續(xù)真空下，以避免來(lái)自外界狀況的污染。

于除氣子系統(tǒng)118中執(zhí)行的真空清潔步驟510中，基板105可被除氣與被預(yù)清潔。在沉積背側(cè)夾持層步驟512中，背側(cè)夾持層214可被沉積；以及在平坦化步驟514中，可進(jìn)行平坦化。在平坦化固化步驟516中，圖2的平坦化層204可被固化，該平坦化固化步驟516可被執(zhí)行在硬化子系統(tǒng)130中。圖2的多層堆疊206的沉積可在沉積多層堆疊步驟518中執(zhí)行，并且圖2的帽蓋層208可在沉積帽蓋沉積物步驟520中被沉積以形成第二工藝中基板136。

盡管DUV/光化性檢查可在整合式EUV掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100內(nèi)執(zhí)行，DUV/光化性檢查也可在檢查步驟522中發(fā)生在整合式EUV掩模底板生產(chǎn)系統(tǒng)100外面。第二工藝中基板136可在第二清潔步驟524中可選地被清潔，并且圖2的吸收劑層210與圖2的抗反射涂覆物212可在EUV掩模底板完成步驟526中被沉積。

現(xiàn)在參照?qǐng)D6，圖中示出用于EUV光刻系統(tǒng)的光學(xué)序列600的工作圖。光學(xué)序列600具有極紫外光源602，諸如等離子體源，以用于產(chǎn)生EUV光且將EUV光收集在收集器604中。收集器604可具有拋物線(xiàn)形狀以將EUV光聚焦在場(chǎng)分面鏡608上。收集器604提供光到場(chǎng)分面鏡608，場(chǎng)分面鏡608是照射系統(tǒng)606的部分。

場(chǎng)分面鏡608的表面可具有內(nèi)凹輪廓以進(jìn)一步將EUV光聚焦在光瞳分面鏡610上。照射系統(tǒng)606也包括一系列的光瞳分面鏡610以用于傳送并聚焦EUV光在標(biāo)線(xiàn)片(reticle)612上(該標(biāo)線(xiàn)片是圖1的基板105的經(jīng)完全處理的版本)。

標(biāo)線(xiàn)片612可具有表現(xiàn)集成電路的處理層的圖案。標(biāo)線(xiàn)片612反射包括圖案的EUV光而通過(guò)投射光學(xué)系統(tǒng)614且到半導(dǎo)體基板616上。投射光學(xué)系統(tǒng)614可減少由標(biāo)線(xiàn)片612所提供的圖案的面積，并且重復(fù)地暴露圖案而使圖案橫越半導(dǎo)體基板616的表面。

現(xiàn)在參照?qǐng)D7，圖中示出在一實(shí)施方式中包括吸收劑層210的EUV掩模底板200的示意圖。本發(fā)明記述一些用作吸收劑層的候選項(xiàng)。吸收劑層210可被圖案化，以控制13.5nm光在單層的金屬與半金屬中的吸收與分散。吸收劑層210可被沉積在經(jīng)加蓋的鉬/硅多層堆疊702上而與超低膨脹基板202相對(duì)。一實(shí)施方式提供帽蓋層208可以是厚度為2.5至3nm的薄釕層。

可預(yù)測(cè)吸收劑層210在經(jīng)加蓋的鉬/硅多層堆疊702上的行為。多層堆疊206可被復(fù)制60次或更多次，而1.7nm的硅化鉬層704位在各界面的基部處。作為一實(shí)例，各個(gè)多層堆疊206的實(shí)施方式包括形成在硅化鉬層704上的2nm的鉬層706。1nm的硅化鉬(MoSi)層708形成在鉬(Mo)層706上。2.26nm厚度的硅(Si)層710可形成在各個(gè)多層堆疊206的頂部處。

額外的多層堆疊712可直接地形成在平坦化層204上。應(yīng)理解，額外的多層堆疊712可包括高達(dá)60個(gè)以垂直堆疊在超低膨脹基板202上方形成的多層堆疊206。

作為一實(shí)例，吸收劑層210的厚度211可處在10nm與83nm的范圍中，以為了提供在13.5nm的EUV光的介于95％與99.5％之間的吸收。由EUV掩模底板200所提供的反射率的百分比可通過(guò)管理吸收劑層210的厚度211來(lái)控制。作為一實(shí)例，基于吸收劑層210的厚度211，在13.5nm的波長(zhǎng)的EUV光的反射率的百分比可被控制至5％、3％、1％、或0.5％，如表1所示。

可采用菲涅耳方程(Fresnel Equation)于各個(gè)界面處使用派瑞特精確遞歸方法(Parratt’s exact recursive method)來(lái)驗(yàn)證所有的反射率結(jié)果。以下的金屬：鎳(Ni)、鉑(Pt)、銀(Ag)、鋅(Zn)、錫(Sn)、金(Au)、鉿(Hf)、鉛(Pb)、銦(In)、鎘(Cd)、以及半金屬鉍(Bi)、銻(Sb)、與碲(Te)，由于它們?cè)?3.5nm的吸收特征及由于它們的蝕刻能力而被選擇，以用于吸收劑層210。吸收劑層210可具有位在31nm至83nm的范圍中的厚度211，以建立在13.5nm的波長(zhǎng)的EUV光的最大的吸收百分比，此吸收百分比大于或等于99％?？赏ㄟ^(guò)PVD、CVD、ALD、RF、與DC磁控濺射技術(shù)來(lái)沉積吸收劑層210。這些金屬可形成非常薄的原生氧化物層，該原生氧化物層對(duì)于在13.5nm的波長(zhǎng)處的吸收與相位轉(zhuǎn)移行為具有非常小的影響。表1提供了對(duì)于各個(gè)金屬為了達(dá)到5、3、1、與0.5％的整體反射率所需要的厚度211。

表1

這些經(jīng)選擇的元素的原子散射因子比周期表中大部分元素具有較高的實(shí)部與虛部。較高的虛部解釋了吸收，而實(shí)部對(duì)應(yīng)于調(diào)變?nèi)肷銭UV光的相位的能力。相位調(diào)變也取決于吸收劑層210的厚度211，這是因?yàn)橄辔徽{(diào)變與路程差異引起的相轉(zhuǎn)移有關(guān)。

所得的方法、工藝、裝置、設(shè)備、產(chǎn)品、和/或系統(tǒng)是簡(jiǎn)便的、符合成本效益的、不復(fù)雜的、高度多功能化的、精確的、靈敏的、與有效的，并且可通過(guò)改變已知的部件來(lái)實(shí)施方法、工藝、裝置、設(shè)備、產(chǎn)品、和/或系統(tǒng)，以適應(yīng)立即的、高效的且經(jīng)濟(jì)的制造、應(yīng)用、與使用。

本發(fā)明的另一重要方面是本發(fā)明有價(jià)值地支持與服務(wù)于降低成本、簡(jiǎn)化系統(tǒng)、與提升性能的歷史趨勢(shì)。

因此，本發(fā)明的這些方面與其它有價(jià)值的方面將技術(shù)狀態(tài)推進(jìn)到至少下一個(gè)等級(jí)。

盡管已經(jīng)結(jié)合特定最佳模式來(lái)描述本發(fā)明，應(yīng)了解，基于前述說(shuō)明的啟示，許多替代、修改、與變化形式對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易知的。因此，本發(fā)明旨在涵蓋所有此類(lèi)落入所包含的權(quán)利要求范圍內(nèi)的替代、修改、與變型。目前為止，本文所闡明的或附圖中所示的所有內(nèi)容皆以說(shuō)明的與非限制的意義進(jìn)行解釋。