技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：在電阻存儲層上順序地形成界面導(dǎo)電層和刻蝕停止層；在刻蝕停止層上形成主導(dǎo)電層；通過圖案化主導(dǎo)電層來暴露刻蝕停止層的一部分；通過圖案化刻蝕停止層的所述一部分來暴露界面導(dǎo)電層的一部分；通過圖案化界面導(dǎo)電層的所述一部分來形成上電極結(jié)構(gòu)；清洗上電極結(jié)構(gòu)的表面以及電阻存儲層的暴露表面；以及使用上電極結(jié)構(gòu)作為刻蝕掩膜來圖案化電阻存儲層。

技術(shù)研發(fā)人員：金奎顯;金大原;李秉起;曹漢宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號碼：201510994203
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.25
技術(shù)公布日：2016.12.21