1.一種透明介質(zhì)窗，所述透明介質(zhì)窗位于加熱組件和基片之間，其特征在于，所述透明介質(zhì)窗的不同區(qū)域的厚度不同，以使所述加熱組件對(duì)所述透明介質(zhì)窗加熱時(shí)，所述透明介質(zhì)窗的溫度均勻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明介質(zhì)窗，其特征在于，所述透明介質(zhì)窗包括本體和位于所述本體的中間區(qū)域上的一個(gè)凸臺(tái)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明介質(zhì)窗，其特征在于，所述透明介質(zhì)窗上所述凸臺(tái)所在位置的厚度與所述透明介質(zhì)窗上所述本體所在位置的厚度之間的差值為5mm±1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明介質(zhì)窗，其特征在于，所述透明介質(zhì)窗包括本體和位于所述本體上的多個(gè)凸臺(tái)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明介質(zhì)窗，其特征在于，所述透明介質(zhì)窗的邊緣為打磨面，以遮擋射向所述透明介質(zhì)窗的邊緣的光線。
6.一種基片處理腔室，包括腔體，所述腔體內(nèi)設(shè)置有用于承載基片的支撐平臺(tái)，所述腔體頂部設(shè)置有加熱組件，其特征在于，所述處理腔室包括如權(quán)利要求1所述的透明介質(zhì)窗，所述透明介質(zhì)窗位于所述加熱組件和所述支撐平臺(tái)之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基片處理腔室，其特征在于，所述加熱組件包括排列緊密的內(nèi)圈燈泡和排列稀疏的外圈燈泡，所述透明介質(zhì)窗包括本體和位于所述本體的中間區(qū)域上的一個(gè)凸臺(tái)，所述本體和所述凸臺(tái)的橫截面均為圓形，所述凸臺(tái)的邊界在所述腔室頂部投影所得的圓周，位于所述內(nèi)圈燈泡所在圓周和所述外圈燈泡所在圓周之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基片處理腔室，其特征在于，所述凸臺(tái)的邊界在所述腔室頂部投影所得的圓周，與所述內(nèi)圈燈泡所在圓周之間的距離，和與所 述外圈燈泡所在圓周之間的距離相等。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基片處理腔室，其特征在于，所述加熱組件包括排列緊密的內(nèi)圈燈泡和排列稀疏的外圈燈泡，所述透明介質(zhì)窗包括本體和位于所述本體上的多個(gè)凸臺(tái)，所述本體和所述凸臺(tái)的橫截面均為圓形，多個(gè)所述凸臺(tái)呈內(nèi)外圈排布，內(nèi)圈排布的所述凸臺(tái)與所述內(nèi)圈燈泡一一對(duì)應(yīng)，外圈排布的所述凸臺(tái)與外圈燈泡一一對(duì)應(yīng)。
10.一種基片處理系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求6～9任一項(xiàng)所述的基片處理腔室。