本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示技術領域，特別是涉及一種頂發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術：

有機發(fā)光二極管(OLED)包括頂發(fā)光型和底發(fā)光型，對于頂發(fā)光型OLED，其具有微腔效應，可以提升OLED的發(fā)光效率與色純度，因而頂發(fā)光型OLED得到廣泛的應用。但是，微腔效應提升了OLED的出光指向性，導致垂直于出光發(fā)光面的光強度強，色純度高，而與發(fā)光面成一定角度時，發(fā)光較弱，且色純度也下降，從而導致視角變差。

技術實現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對如何提高器件的視角特性的問題，提供一種頂發(fā)光器件及其制備方法。

一種頂發(fā)光器件，包括位于陰極層上的耦合輸出層，其中，所述耦合輸出層包括由第一材料構成的第一耦合輸出層和由第二材料構成的第二耦合輸出層，所述陰極層、第一耦合輸出層以及第二耦合輸出層依次層疊，且所述第一材料的折射率大于所述第二材料的折射率。

在其中一個實施例中，所述頂發(fā)光器件還包括依次層疊的基板、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層以及電子傳輸層，所述陰極層位于所述電子傳輸層上。

在其中一個實施例中，所述第一材料的折射率為1.7-2.0，所述第二材料的折射率為1.2-1.5。

在其中一個實施例中，所述第一材料和所述第二材料具有不相容性。

在其中一個實施例中，所述第一材料包括金屬螯合物，所述第二材料選自 聚丙烯酸類、聚苯乙烯類、聚酯類、N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺及N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺中的至少一種。

上述頂發(fā)光器件，耦合輸出層包括依次覆蓋在陰極層上的第一耦合輸出層和第二耦合輸出層，且第一耦合輸出層的折射率大于第二耦合輸出層的折射率，從而使得光通過耦合輸出層時，由于第一耦合輸出層和第二耦合輸出層的折射率不同，從而產(chǎn)生散射，提高頂發(fā)光器件的視角。

一種頂發(fā)光器件的制備方法，包括步驟：

將第一材料和第二材料在溶劑中溶解，形成溶液，其中，所述第一材料和所述第二材料不相容，在所述溶液中，所述第一材料的濃度達到所述第一材料的飽和濃度，所述第二材料的濃度低于所述第二材料的飽和濃度，且所述第一材料的折射率大于所述第二材料的折射率；

采用噴墨打印的方式將所述溶液噴在陰極層的表面，在所述陰極層表面上依次形成由所述第一材料構成第一耦合輸出層和由所述第二材料構成的第二耦合輸出層。

在其中一個實施例中，所述第二材料在所述溶劑中的溶解度大于所述第一材料在所述溶劑中的溶解度。

在其中一個實施例中，所述溶劑包括單一溶劑，所述溶劑為沸點在100℃以上的有機溶劑。

在其中一個實施例中，所述溶劑為第一溶劑與第二溶劑的混合物，所述第一溶劑的沸點在100℃以上，所述第二溶劑的沸點為60-100℃，所述第一溶劑與所述第二溶劑的體積比1:9-1:6。

在其中一個實施例中，所述溶劑為第三溶劑、第四溶劑及第五溶劑的混合物，所述第三溶劑的沸點在100℃以上，所述第四溶劑的沸點為60-100℃，所述第五溶劑為丙酮、氯乙烷或N-甲基吡咯烷酮，按照體積百分數(shù)，所述第三溶劑、所述第四溶劑以及所述第五溶劑的含量分別為60％-70％、20％-30％以及0-10％。

在其中一個實施例中，所述第二材料在所述溶液中的濃度為所述第二材料在所述溶劑中的飽和濃度的20-60％。

上述頂發(fā)光器件的制備方法，通過將不相容的第一材料和第二材料溶解在 溶劑中形成溶液，接著，通過噴墨打印的方式將該溶液噴在陰極層的表面，由于第一材料在該溶液中的濃度達到其飽和濃度，而第二材料在該溶液中的濃度低于其飽和濃度，從而當噴墨打印時，溶液噴發(fā)的瞬間，溶液中的溶劑揮發(fā)，第一材料先結(jié)晶析出，形成第一耦合輸出層，第二材料析出的時間比較晚，從而第二材料在第一耦合輸出層上形成，又第一材料的折射率大于第二材料的折射率，使得第一耦合輸出層的折射率大于第二耦合輸出層的折射率，從而使得光通過耦合輸出層時，由于第一耦合輸出層和第二耦合輸出層的折射率不同，從而產(chǎn)生散射，提高頂發(fā)光器件的視角。

附圖說明

圖1為本發(fā)明頂發(fā)光器件的結(jié)構示意圖；

圖2為本發(fā)明頂發(fā)光器件的制備方法的流程示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，一實施例的頂發(fā)光器件100包括依次覆蓋的基板110、陽極層120、空穴注入層130、空穴傳輸層140、發(fā)光層150、空穴阻擋層160、電子傳輸層170、陰極層180以及耦合輸出層190。其中，耦合輸出層190包括第一耦合輸出層191和第二耦合輸出層192，且第一耦合輸出層191的折射率大于第二耦合輸出層192的折射率。

具體地，在本實施例中，陽極層120為Ag和ITO層疊的兩層膜?！翱昭ㄗ⑷雽?30的材料為三苯胺類，比如4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，空穴注入層130的厚度為5-200nm?？昭▊鬏攲?40的材料為聯(lián)苯二胺類，比如N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺(NPB)，空穴傳輸層140的厚度為10-50nm。

發(fā)光層150的材料具有高量子效率的熒光特性，熒光光譜主要分布在400-700nm的可見光區(qū)域內(nèi)，比如4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯(DPVBi)，發(fā)光層150的厚度為10-60nm。

空穴阻擋層160的材料也具有高量子效率的熒光特性，熒光光譜主要分布在400-700nm的可見光區(qū)域內(nèi)，空穴阻擋層160的厚度為5-10nm。電子傳輸層170的材料為喹啉類或鄰菲羅啉類，電子傳輸層的厚度為10-40nm。

第一耦合輸出層191所采用的第一材料的折射率為1.7-2.0，第二耦合輸出層192所采用的第二材料的折射率為1.2-1.5，且第一耦合輸出層191所采用的第一材料和第二耦合輸出層192所采用的第二材料具有不相容性。

第一耦合輸出層191所采用的第一材料包括金屬螯合物等小分子材料，而第二耦合輸出層192所采用的第二材料包括小分子OLED有機材料或聚合物，其中，小分子OLED有機材料包括N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺或N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺等溶解度較高的材料，聚合物包括聚丙烯酸類、聚苯乙烯類或聚酯類等，比如聚甲基丙烯酸甲酯。耦合輸出層190的厚度為50-100nm，其中的第一耦合輸出層191和第二耦合輸出層192的厚度由其所采用的材料的質(zhì)量確定。

通過使得耦合輸出層190具有由兩種不同材料構成的雙層結(jié)構，第一耦合輸出層191和第二耦合輸出層192，從而光通過耦合輸出層190時，由于第一耦合輸出層191和第二耦合輸出層192的折射率不同，從而使得光產(chǎn)生散射，提高頂發(fā)光器件的視角。

為了制得具有雙層結(jié)構的耦合輸出層190，本發(fā)明采用噴墨打印的方式，具體地，一實施例的頂發(fā)光器件100的制備方法，包括：

S1：在基板110上涂布一層陽極層120。

在本實施例中，將Ag和ITO依次涂布在玻璃基板110上，形成Ag和ITO層疊的雙層膜，將涂布有Ag和ITO的玻璃基板110在清潔劑，如醇中進行超聲處理，并利用去離子水進行沖洗，初步完成對玻璃基板110的清洗。然后，將 初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中進行超聲處理，以去除玻璃基板110上的油。將清洗完成后的玻璃基板110放置在潔凈環(huán)境下烘干，然后利用紫外光和臭氧進行清洗，并以低能陽離子束轟擊涂布有Ag和ITO的玻璃基板110的表面，從而使得在玻璃基板110的表面上形成陽極層120。

S2：將帶有陽極的基板110置于真空室中，并在陽極層120上依次蒸鍍空穴注入層130、空穴傳輸層140、發(fā)光層150、空穴阻擋層160以及電子傳輸層170。

在本實施例中，空穴注入層130的材料為三苯胺類，比如4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，空穴注入層130的厚度為5-200nm?？昭▊鬏攲?40的材料為聯(lián)苯二胺類，比如N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺(NPB)，空穴傳輸層140的厚度為10-50nm。發(fā)光層150的材料具有高量子效率的熒光特性，熒光光譜主要分布在400-700nm的可見光區(qū)域內(nèi)，比如4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯(DPVBi)，發(fā)光層150的厚度為10-60nm。

空穴阻擋層160的材料也具有高量子效率的熒光特性，熒光光譜主要分布在400-700nm的可見光區(qū)域內(nèi)，空穴阻擋層160的厚度為5-10nm。電子傳輸層170的材料為喹啉類或鄰菲羅啉類，電子傳輸層的厚度為10-40nm。

S3：在電子傳輸層上蒸鍍鎂和銀的合金，形成陰極層180。

在本實施例中，按質(zhì)量比，鎂和銀的合金中鎂和銀的含量比為10:1-8:1。

S4：將第一材料和第二材料在溶劑中溶解，形成溶液。

具體地，第一材料和第二材料具有不相容性，從而第一材料和第二材料分別在溶劑中的溶解度相差較大，且第一材料在該溶液中的濃度達到其飽和濃度，而第二材料在該溶液中的濃度低于其飽和濃度。

在本實施例中，第一材料在該溶劑中的溶解度較小，，而第二材料在該溶劑中的溶解度較大，在同一溶劑中，第一材料的溶解性為可溶，而第二材料的溶 解性為易溶。優(yōu)選地，第二材料在該溶劑中的溶解度越高越好。第二材料在該溶液中的濃度為其飽和濃度的20-60％，優(yōu)選地，第二材料在該溶液中的濃度為其飽和濃度的25-45％。此外，第一材料的折射率大于第二材料的折射率，第一材料的折射率為1.7-2.0，第二材料的折射率為1.2-1.5。

在本實施例中，第一材料包括金屬螯合物等小分子材料，而第二材料包括小分子OLED有機材料或聚合物，其中，小分子OLED有機材料包括N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺或N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺等溶解度較高的材料，聚合物包括聚丙烯酸類、聚苯乙烯類或聚酯類等。

溶劑可以為沸點在100℃以上的有機溶劑；該溶劑也可以為第一溶劑和第二溶劑的混合物，第一溶劑和第二溶劑的體積比為1:9-1:6，其中，第一溶劑的沸點在100℃以上，第二溶劑的沸點為60-100℃；該溶劑還可以為第三溶劑、第四溶劑以及第五溶劑的混合物，按體積百分比，第三溶劑的含量為60-70％、第四溶劑的含量為20-30％、第五溶劑的含量為0-10％，其中，第三溶劑的沸點在100℃以上，第四溶劑的沸點為60-100℃。沸點在100℃以上的有機溶劑為苯類、醇類或有機酸類等，苯類為甲苯、氯苯等，醇類為乙醇、丙醇等，有機酸為甲酸、乙酸或檸檬酸等；沸點在60-100℃之間的有機溶劑為氯仿等；第五溶劑可以選擇極性較強的溶劑，如丙酮、氯乙烷或N-甲基吡咯烷酮等。

S5：采用噴墨打印的方式將所述溶液噴在陰極層180的表面，在所述陰極層180表面上依次形成第一耦合輸出層191和第二耦合輸出層192。

在本實施例中，將溶液注入到噴墨打印機的墨盒中，在室溫，噴頭電壓為40V下進行噴墨打印。具體地，在噴墨打印的過程中，溶液噴發(fā)的瞬間，溶液中的溶劑揮發(fā)，又由步驟S1中可知，第一材料在該溶液中的濃度達到其飽和濃度，而第二材料在該溶液中的濃度低于其飽和濃度，在本實施例中，第二材料在該溶液中的濃度為其飽和濃度的20-60％，優(yōu)選地，第二材料在該溶液中的濃度為其飽和濃度的25-45％，因此，第一材料很快達到飽和濃度而最先結(jié)晶析出，在陰極層180上形成第一耦合輸出層191，而第二材料在溶液中的濃度低于其飽和濃度，因此，第二材料的析出時間比較晚，從而當?shù)诙牧辖Y(jié)晶析出時，第二材料在第一耦合輸出層191上形成第二耦合輸出層，從而在陰極層180上形 成具有高低折射率的雙層結(jié)構的耦合輸出層190。

由于第一耦合輸出層191和第二耦合輸出層192的折射率不同，從而使得光產(chǎn)生散射，提高頂發(fā)光器件的視角。需要說明的是，第一耦合輸出層191和第二耦合輸出層192的厚度可以通過其在溶液中的濃度進行調(diào)節(jié)。

下面結(jié)合具體實施例，對頂發(fā)光器件100的制備方法做進一步的闡述。

實施例1

將Ag和ITO涂布在玻璃基板110上，形成Ag和ITO層疊的雙層膜，將涂布有Ag和ITO的玻璃基板110在清潔劑，如醇中進行超聲處理，并利用去離子水進行沖洗，初步完成對玻璃基板110的清洗，然后，將初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中進行超聲處理，以去除玻璃基板110上的油，將清洗完成后的玻璃基板110放置在潔凈環(huán)境下烘干，然后利用紫外光和臭氧進行清洗，并以低能陽離子束轟擊涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，從而使得在玻璃基板110的表面上形成陽極層120；

對該真空室進行抽真空至1×10^－5Pa，并在陽極層120上真空蒸鍍4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作為空穴注入層130，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴注入層130的膜厚為170nm；

在空穴注入層130上蒸鍍N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺(NPB)作為空穴傳輸層140，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴傳輸層140的膜厚為15nm；

在空穴傳輸層140上真空蒸鍍發(fā)光層150，該發(fā)光層150為藍光發(fā)光層，該藍光發(fā)光層摻雜有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-雙(1-萘基)蒽(MADN)，蒸鍍速率為0.1nm/s，發(fā)光層150的膜厚為45nm；

在發(fā)光層150上依次蒸鍍DPVBi，形成空穴阻擋層160，該空穴阻擋層160的厚度為5nm；

在空穴阻擋層160上蒸鍍八羥基喹啉鋁，形成電子傳輸層170，其中，電子傳輸層170的蒸鍍速率為0.1nm/s，其膜厚為25nm；

在電子傳輸層170上真空蒸鍍Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的質(zhì)量比為8:1，形成陰極層180，該陰極層180的厚度為15nm；

將0.15克8-羥基喹啉鋁(Alq3)和0.23克聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶于10毫升氯仿中，得到氯仿溶液，然后使用0.1微米的過濾器對氯仿溶液進行過濾，再將溶液注入到噴墨打印機的墨盒中，在室溫，噴頭電壓為40V下進行噴墨打印，在陰極層180上依次形成Alq3層(第一耦合輸出層191)和PMMA層(第二耦合輸出層192)。其中，第一耦合輸出層191的厚度為20nm，第二耦合輸出層192的厚度為30nm。

室溫下，在恒流1A下，采用PR705光譜掃描輻射度計進行亮度和光譜的測量，測得該制備得到的頂發(fā)光器件100在視角為60度下，亮度衰減約為0.18。

實施例2

將Ag和ITO涂布在玻璃基板110上，形成Ag和ITO層疊的雙層膜，將涂布有Ag和ITO的玻璃基板110在清潔劑，如醇中進行超聲處理，并利用去離子水進行沖洗，初步完成對玻璃基板110的清洗，然后，將初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中進行超聲處理，以去除玻璃基板110上的油，將清洗完成后的玻璃基板110放置在潔凈環(huán)境下烘干，然后利用紫外光和臭氧進行清洗，并以低能陽離子束轟擊涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，從而使得在玻璃基板110的表面上形成陽極層120；

對該真空室進行抽真空至1×10^－5Pa，并在陽極層120上真空蒸鍍4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作為空穴注入層130，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴注入層130的膜厚為170nm；

在空穴注入層130上蒸鍍N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺(NPB)作為空穴傳輸層140，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴傳輸層140的膜厚為15nm；

在空穴傳輸層140上真空蒸鍍發(fā)光層150，該發(fā)光層150為藍光發(fā)光層，該藍光發(fā)光層摻雜有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-雙(1-萘基)蒽(MADN)，蒸鍍速率為0.1nm/s，發(fā)光層150的膜厚為45nm；

在發(fā)光層150上依次蒸鍍DPVBi，形成空穴阻擋層160，該空穴阻擋層160的厚度為5nm；

在空穴阻擋層160上蒸鍍八羥基喹啉鋁，形成電子傳輸層170，其中，電子傳輸層170的蒸鍍速率為0.1nm/s，其膜厚為25nm；

在電子傳輸層170上真空蒸鍍Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的質(zhì)量比為8:1，形成陰極層180，該陰極層180的厚度為15nm；

將0.15克8-羥基喹啉鋁(Alq3)和0.3克聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶于10毫升氯仿中，得到氯仿溶液，然后使用0.1微米的過濾器對氯仿溶液進行過濾，再將溶液注入到噴墨打印機的墨盒中，在室溫，噴頭電壓為40V下進行噴墨打印，在陰極層180上依次形成Alq3層(第一耦合輸出層191)和PMMA層(第二耦合輸出層192)。其中，第一耦合輸出層191的厚度為20nm，第二耦合輸出層192的厚度為40nm。

通過實施例1和實施例2可知，可以通過調(diào)整溶液中聚甲基丙烯酸甲酯的含量來調(diào)整第二耦合輸出層192的厚度，同樣地，也可以調(diào)整溶液中8-羥基喹啉鋁的含量來調(diào)整第一耦合輸出層191的厚度。

室溫下，在恒流1A下，采用PR705光譜掃描輻射度計進行亮度和光譜的測量，測得該制備得到的頂發(fā)光器件100在視角為60度下，亮度衰減約為0.2。

實施例3

將Ag和ITO涂布在玻璃基板110上，形成Ag和ITO層疊的雙層膜，將涂布有Ag和ITO的玻璃基板110在清潔劑，如醇中進行超聲處理，并利用去離子 水進行沖洗，初步完成對玻璃基板110的清洗，然后，將初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中進行超聲處理，以去除玻璃基板110上的油，將清洗完成后的玻璃基板110放置在潔凈環(huán)境下烘干，然后利用紫外光和臭氧進行清洗，并以低能陽離子束轟擊涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，從而使得在玻璃基板110的表面上形成陽極層120；

對該真空室進行抽真空至1×10^－5Pa，并在陽極層120上真空蒸鍍4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作為空穴注入層130，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴注入層130的膜厚為170nm；

在空穴注入層130上蒸鍍N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺(NPB)作為空穴傳輸層140，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴傳輸層140的膜厚為15nm；

在空穴傳輸層140上真空蒸鍍發(fā)光層150，該發(fā)光層150為藍光發(fā)光層，該藍光發(fā)光層摻雜有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-雙(1-萘基)蒽(MADN)，蒸鍍速率為0.1nm/s，發(fā)光層150的膜厚為45nm；

在發(fā)光層150上依次蒸鍍DPVBi，形成空穴阻擋層160，該空穴阻擋層160的厚度為5nm；

在空穴阻擋層160上蒸鍍八羥基喹啉鋁，形成電子傳輸層170，其中，電子傳輸層170的蒸鍍速率為0.1nm/s，其膜厚為25nm；

在電子傳輸層170上真空蒸鍍Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的質(zhì)量比為8:1，形成陰極層180，該陰極層180的厚度為15nm；

將0.15克8-羥基喹啉鋁(Alq3)和0.3克聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶于20毫升混合溶劑中，該混合溶劑為氯苯和氯仿，其中，按體積百分比，氯苯和氯仿的比例為7:3，得到混合溶液，然后使用0.1微米的過濾器對氯仿溶液進行過濾，再將溶液注入到噴墨打印機的墨盒中，在室溫，噴頭電壓為40V下進行噴墨打印，在陰極層180上依次形成Alq3層(第一耦合輸出層191)和PMMA 層(第二耦合輸出層192)。其中，第一耦合輸出層191的厚度為20nm，第二耦合輸出層192的厚度為40nm。

室溫下，在恒流1A下，采用PR705光譜掃描輻射度計進行亮度和光譜的測量，測得該制備得到的頂發(fā)光器件100在視角為60度下，亮度衰減約為0.4。

實施例4

將Ag和ITO涂布在玻璃基板110上，形成Ag和ITO層疊的雙層膜，將涂布有Ag和ITO的玻璃基板110在清潔劑，如醇中進行超聲處理，并利用去離子水進行沖洗，初步完成對玻璃基板110的清洗，然后，將初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中進行超聲處理，以去除玻璃基板110上的油，將清洗完成后的玻璃基板110放置在潔凈環(huán)境下烘干，然后利用紫外光和臭氧進行清洗，并以低能陽離子束轟擊涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，從而使得在玻璃基板110的表面上形成陽極層120；

對該真空室進行抽真空至1×10^－5Pa，并在陽極層120上真空蒸鍍4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作為空穴注入層130，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴注入層130的膜厚為170nm；

在空穴注入層130上蒸鍍N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺(NPB)作為空穴傳輸層140，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴傳輸層140的膜厚為15nm；

在空穴傳輸層140上真空蒸鍍發(fā)光層150，該發(fā)光層150為藍光發(fā)光層，該藍光發(fā)光層摻雜有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-雙(1-萘基)蒽(MADN)，蒸鍍速率為0.1nm/s，發(fā)光層150的膜厚為45nm；

在發(fā)光層150上依次蒸鍍DPVBi，形成空穴阻擋層160，該空穴阻擋層160的厚度為5nm；

在空穴阻擋層160上蒸鍍八羥基喹啉鋁，形成電子傳輸層170，其中，電子傳輸層170的蒸鍍速率為0.1nm/s，其膜厚為25nm；

在電子傳輸層170上真空蒸鍍Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的質(zhì)量比為8:1，形成陰極層180，該陰極層180的厚度為15nm；

將0.1克8-羥基喹啉鋁(Alq3)和0.4克N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺(NPB)溶于20毫升混合溶劑中，該混合溶劑為氯苯和氯仿，其中，按體積百分比，氯苯和氯仿的比例為7:3，得到混合溶液，然后使用0.1微米的過濾器對氯仿溶液進行過濾，再將溶液注入到噴墨打印機的墨盒中，在室溫，噴頭電壓為40V下進行噴墨打印，在陰極層180上依次形成Alq3層(第一耦合輸出層191)和NPB層(第二耦合輸出層192)。其中，第一耦合輸出層191的厚度為15nm，第二耦合輸出層192的厚度為45nm。

室溫下，在恒流1A下，采用PR705光譜掃描輻射度計進行亮度和光譜的測量，測得該制備得到的頂發(fā)光器件100在視角為60度下，亮度衰減約為0.38。

實施例5

將Ag和ITO涂布在玻璃基板110上，形成Ag和ITO層疊的雙層膜，將涂布有Ag和ITO的玻璃基板110在清潔劑，如醇中進行超聲處理，并利用去離子水進行沖洗，初步完成對玻璃基板110的清洗，然后，將初步清洗后的玻璃基板110放置在丙酮和乙醇的混合溶液中進行超聲處理，以去除玻璃基板110上的油，將清洗完成后的玻璃基板110放置在潔凈環(huán)境下烘干，然后利用紫外光和臭氧進行清洗，并以低能陽離子束轟擊涂布有Ag/ITO的玻璃基板110的表面，從而使得在玻璃基板110的表面上形成陽極層120；

對該真空室進行抽真空至1×10^－5Pa，并在陽極層120上真空蒸鍍4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作為空穴注入層130，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴注入層130的膜厚為170nm；

在空穴注入層130上蒸鍍N,N-雙(α-萘基-苯基)-4,4-聯(lián)苯二胺(NPB)作為空穴傳輸層140，其中，蒸鍍速率為0.15nm/s，空穴傳輸層140的膜厚為15nm；

在空穴傳輸層140上真空蒸鍍發(fā)光層150，該發(fā)光層150為藍光發(fā)光層，該藍光發(fā)光層摻雜有4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯(DPVBi)的2-甲基-9,10-雙(1-萘基)蒽(MADN)，蒸鍍速率為0.1nm/s，發(fā)光層150的膜厚為45nm；

在發(fā)光層150上依次蒸鍍DPVBi，形成空穴阻擋層160，該空穴阻擋層160的厚度為5nm；

在空穴阻擋層160上蒸鍍八羥基喹啉鋁，形成電子傳輸層170，其中，電子傳輸層170的蒸鍍速率為0.1nm/s，其膜厚為25nm；

在電子傳輸層170上真空蒸鍍Mg/Ag合金，其中，Mg和Ag的質(zhì)量比為8:1，形成陰極層180，該陰極層180的厚度為15nm；

將0.15克8-羥基喹啉鋁(Alq3)和0.4克聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶于30毫升混合溶劑中，該混合溶劑為氯苯、氯仿以及二氯乙烷的混合溶劑，按體積百分比，氯苯、氯仿以及二氯乙烷的比例為7:2:1，得到混合溶液，然后使用0.1微米的過濾器對氯仿溶液進行過濾，再將溶液注入到噴墨打印機的墨盒中，在室溫，噴頭電壓為40V下進行噴墨打印，在陰極層180上依次形成Alq3層(第一耦合輸出層191)和PMMA層(第二耦合輸出層192)。其中，第一耦合輸出層191的厚度為18nm，第二耦合輸出層192的厚度為50nm。

室溫下，在恒流1A下，采用PR705光譜掃描輻射度計進行亮度和光譜的測量，測得該制備得到的頂發(fā)光器件100在視角為60度下，亮度衰減約為0.53。

上述頂發(fā)光器件100的制備方法，通過將不相容的第一材料和第二材料溶解在溶劑中形成溶液，接著，通過噴墨打印的方式將該溶液噴在陰極層180的表面，由于第一材料在該溶液中的濃度達到其飽和濃度，而第二材料在該溶液中的濃度低于其飽和濃度，從而當噴墨打印時，溶液噴發(fā)的瞬間，溶液中的溶劑揮發(fā)，第一材料先結(jié)晶析出，形成第一耦合輸出層191，第二材料析出的時間比較晚，從而第二材料在第一耦合輸出層191上形成，又第一材料的折射率大于第二材料的折射率，使得第一耦合輸出層191的折射率大于第二耦合輸出層192的折射率，從而使得光通過耦合輸出層190時，由于第一耦合輸出層191和 第二耦合輸出層192的折射率不同，從而產(chǎn)生散射，提高頂發(fā)光器件的視角。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。