技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的各個實施例涉及：在例如在SOI襯底上(尤其是FDSOI襯底上)制造的集成電路的有源區(qū)上制造接觸的方法；以及對應的集成電路。集成電路包括有源區(qū)，該有源區(qū)位于半導體襯底之上?？涨慌c有源區(qū)接界，并且在絕緣區(qū)中盡可能遠地延伸到半導體區(qū)域的附近。提供絕緣多層，并且導電接觸在該絕緣多層內(nèi)延伸以存在于有源區(qū)上并且進入到空腔內(nèi)。絕緣多層包括第一絕緣層，該第一絕緣層覆蓋了在接觸外部的有源區(qū)并且襯覆空腔的壁。附加絕緣層覆蓋了第一絕緣層的襯覆空腔的壁的部分。接觸到達在空腔中的附加絕緣層。絕緣區(qū)域位于由圍繞接觸的絕緣材料制成的附加絕緣層和第一絕緣層之上。

技術(shù)研發(fā)人員：E·佩蒂特普瑞茲
受保護的技術(shù)使用者：意法半導體（克洛爾2）公司
文檔號碼：201510860310
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.30
技術(shù)公布日：2016.12.28