本發(fā)明涉及一種集成電路制造的方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit；IC)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)歷了指數(shù)性的成長(zhǎng)。集成電路材料和設(shè)計(jì)上的技術(shù)進(jìn)展已經(jīng)產(chǎn)生了數(shù)個(gè)集成電路世代，且每一世代均具有比其上一世代更小的尺寸和更復(fù)雜的電路。在集成電路發(fā)展的過(guò)程中，功能密度(functional density)(即每一晶片面積的內(nèi)連接裝置(interconnected device)個(gè)數(shù))普遍增加，而幾何尺寸(即可使用工藝所創(chuàng)造的最小元件或?qū)Ь€)普遍減小。此微縮工藝(scaling down process)普遍提供生產(chǎn)效率增加和相關(guān)成本降低等好處，但也增加集成電路流程和制造的復(fù)雜度。

舉例而言，隨著光學(xué)微影達(dá)到其技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上的限制，多重圖案工藝用于制造具有微小關(guān)鍵尺寸(critical dimension；CD)和/或微小間距的圖案。在多重圖案工藝中，集成電路布局被分解為二或多個(gè)次布局。掩膜是為了每一次布局而制造。接著，使用這些二或多個(gè)掩膜，以使用光微影來(lái)共同制造(或圖案化)晶圓，其是藉由在晶圓的同層上使一掩膜的影像與其他掩膜的影像部分重疊(overlap)。這些次布局的實(shí)例包含主要/切割布局和心軸(mandrel)/間隔物(spacer)/切割布局等。在多重圖案工藝中，僅最佳化單一圖案工藝的掩膜并不足夠。掩膜組需共同最佳化，以達(dá)到這些掩膜中個(gè)別圖案擬真(pattern fidelity)與疊對(duì)預(yù)算之間的平衡效能表現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種集成電路制造的方法，相較于現(xiàn)有技術(shù)，其可對(duì)掩膜組共同進(jìn)行最佳化，進(jìn)而增加集成電路上的圖案擬真和集成電路的可制造率。

本發(fā)明提出一種方法，此方法包含接收集成電路的標(biāo)的布局；以及分解標(biāo)的布局為多個(gè)用于多重圖案工藝的次布局，其中這些次布局包含多個(gè)圖案邊緣，每一圖案邊緣在個(gè)別自由區(qū)域中為可重新設(shè)置。此方法更包含這些重新設(shè)置圖案邊緣以增加集成電路的可制造率并產(chǎn)生多個(gè)經(jīng)修飾的次布局；分別對(duì)這些經(jīng)修飾的次布局進(jìn)行光學(xué)鄰近校正(optical proximity correction；OPC)工藝；以及儲(chǔ)存這些經(jīng)修飾的次布局至實(shí)體計(jì)算機(jī)可讀媒介中，以用于后續(xù)集成電路工藝階段。

本發(fā)明另提出一種方法，此方法包含接收集成電路的標(biāo)的布局；以及分解標(biāo)的布局為一第一次布局和一第二次布局。第一次布局的多個(gè)多邊形圖案與第二次布局的多個(gè)多邊形圖案部分重疊(overlap)。第一次布局和該第二次布局分別包含多個(gè)第一可重新設(shè)置邊緣和多個(gè)第二可重新設(shè)置邊緣。每一可重新設(shè)置邊緣與可供其置放的個(gè)別自由區(qū)域相關(guān)。此方法更包含對(duì)這些第一可重新設(shè)置邊緣和這些第二可重新設(shè)置邊緣進(jìn)行邊緣重新設(shè)置工藝，藉以分別產(chǎn)生第一經(jīng)修飾的次布局和第二經(jīng)修飾的次布局。邊緣重新設(shè)置工藝包含：基于標(biāo)的工藝選擇評(píng)估指標(biāo)；在這些第一可重新設(shè)置邊緣和這些第二可重新設(shè)置邊緣的一或多個(gè)邊緣的個(gè)別自由區(qū)域中移動(dòng)此一或多個(gè)邊緣；基于評(píng)估指標(biāo)計(jì)算可制造率分?jǐn)?shù)；以及重復(fù)移動(dòng)步驟和計(jì)算步驟，直到分?jǐn)?shù)達(dá)到局部最大值。此方法更包含使用第一經(jīng)修飾的次布局以形成第一掩膜；以及使用第二經(jīng)修飾的次布局以形成第二掩膜。第一掩膜和該第二掩膜是用于對(duì)晶圓所進(jìn)行的第一工藝和第二工藝中，以共同形成集成電路。

本發(fā)明另提出一種方法，此方法包含接收集成電路的標(biāo)的布局；以及分解標(biāo)的布局為第一次布局和第二次布局，其中第一次布局的部分圖案與第二次布局的部分圖案重疊。此方法更包含辨別在第一次布局和第二次布局中的多個(gè)可重新設(shè)置邊緣；使每一可重新設(shè)置邊緣與可供其置放的個(gè)別自由區(qū)域相關(guān)；以及對(duì)這些可重新設(shè)置邊緣進(jìn)行邊緣重新設(shè)置工藝，藉以分別產(chǎn)生第一修飾的次布局和第二經(jīng)修飾的次布局。邊緣重新設(shè)置工藝包含：基于標(biāo)的工藝選擇評(píng)估指標(biāo)；在這些可重新設(shè)置邊緣的一或多個(gè)邊緣的個(gè)別自由區(qū)域中移動(dòng)此一或多個(gè)邊緣；基于評(píng)估指標(biāo)計(jì)算可制造率分?jǐn)?shù)；以及重復(fù)移動(dòng)步驟和計(jì)算步驟，直到分?jǐn)?shù)滿足門(mén)檻值。此方法更包含使用第一經(jīng)修飾的次布局以對(duì)晶圓進(jìn)行第一標(biāo)的工藝；以及使用第二經(jīng)修飾的次布局以對(duì)該晶圓進(jìn)行第二標(biāo)的工藝。第一 工藝和第二工藝共同在晶圓上形成集成電路。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，藉由在多重圖案工藝中分解標(biāo)的布局為多個(gè)次布局，且在晶圓上部分重疊掩膜組的影像，可制造具有最小間距的集成電路，并且可增加所制造的集成電路上的圖案擬真。此外，本發(fā)明可藉由最佳化后分解數(shù)據(jù)來(lái)共同增加在多重圖案工藝中的圖案擬真和集成電路的可制造率。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說(shuō)明

為了更完整了解實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)參照結(jié)合所附圖式所做的下列描述，其中：

圖1A為集成電路(integrated circuit；IC)制造是統(tǒng)以及與集成電路制造系統(tǒng)相關(guān)的集成電路生產(chǎn)流程的簡(jiǎn)單方框圖；

圖1B為依據(jù)本發(fā)明各態(tài)樣的如圖1A所示的掩膜室的詳細(xì)方框圖；

圖2顯示依據(jù)本發(fā)明各態(tài)樣的制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖；

圖3顯示依據(jù)本發(fā)明一些態(tài)樣的重新設(shè)置圖案邊緣以最佳化集成電路可制造率的方法的流程圖；

圖4為依據(jù)一些實(shí)施例的使用圖2和圖3的方法制造的示范標(biāo)的機(jī)體電路布局；以及

圖5A、圖5B、圖6A、圖6B、圖7A至圖7D、圖8A至圖8D和圖9繪示依據(jù)本發(fā)明各態(tài)樣的圖4中的集成電路布局在多重圖案工藝中的處理。

其中，附圖標(biāo)記

100 集成電路制造系統(tǒng)

120 設(shè)計(jì)屋

122 集成電路設(shè)計(jì)布局(或標(biāo)的布局)

122A、122B 次布局

123、123A、123B、123B-1、123B-2、123B-3 圖案

124、124AF、124AR、124BF、124BR 邊緣

125、126 區(qū)域

127A、127B 箭頭

128-1、128-2、128-3 間隔

129 輔助特征

130 掩膜屋

132 數(shù)據(jù)準(zhǔn)備

134 布局分解

136 邊緣重新設(shè)置

138 工藝模型

144 掩膜生產(chǎn)

150 集成電路制造廠

152 晶圓

160 集成電路裝置

180 設(shè)計(jì)系統(tǒng)

182 處理器

184 系統(tǒng)記憶體

186 大容量?jī)?chǔ)存裝置

188 通信模塊

190 掩膜

192 第一GDSII文件

194 第二GDSII文件

200 方法

202、204、206、208、210、212 操作

302、304、306、308 步驟

具體實(shí)施方式

后續(xù)說(shuō)明書(shū)提供許多不同實(shí)施例或范例，用以達(dá)成本發(fā)明的不同特征。后續(xù)描述的元件及配置的特定范例，是用來(lái)簡(jiǎn)要說(shuō)明本發(fā)明。當(dāng)然，這些只是范例，并非用來(lái)限制本發(fā)明。舉例而言，在后續(xù)說(shuō)明中，第一特征形成于第二特征上，可能包括的實(shí)施例為第一特征及第二特征形成直接接觸，以及可能包括的實(shí)施例為額外的特征可能形成介于第一及第二特征之間，使得第一及第二特 征可能非直接接觸。此外，在本發(fā)明中，在許多實(shí)例中可能重復(fù)標(biāo)號(hào)和/或文字。這些重復(fù)的使用是以簡(jiǎn)化和明確說(shuō)明為目的，其本身并非意指多個(gè)實(shí)施例和/或討論的設(shè)置之間的關(guān)系，除非有特別注明作為意指一關(guān)系。

再者，在此可使用空間相關(guān)的用語(yǔ)，例如「下方的(underlying)」、「下(below)」、「較下方(lower)」、「上方(overlying)」、「較上方(upper)」及類似用語(yǔ)，使敘述一部件或特征與另一或另一些部件或特征之間如圖式所繪示的關(guān)系更為容易。這些空間相關(guān)的用語(yǔ)意圖包括裝置除圖示所示的方位之外，在不同使用或操作中的額外的方位。另外，裝置也可具有其他方位(旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)，而在此使用的空間相關(guān)用語(yǔ)可據(jù)此類似方式被解釋。

本發(fā)明通常有關(guān)于制造半導(dǎo)體裝置的方法，且別是有關(guān)于準(zhǔn)備用于掩膜生產(chǎn)或使用多重圖案工藝的無(wú)掩膜(maskless)光微影的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的方法。在多重圖案工藝中，集成電路的標(biāo)的布局被分解為多個(gè)次布局(sub-layout)。掩膜(或倍縮掩膜(reticle))個(gè)別被生產(chǎn)為每一次布局，且其建立一組掩膜。晶圓接著使用沉積、曝光、顯影和蝕刻等一系列的工藝而以掩膜組來(lái)微影圖案化(或印刷)。藉由在晶圓上部分重疊掩膜組的影像，可制造具有最小間距的集成電路，此最小間距小于單一曝光顯影工藝的光學(xué)極限。相似地，多重圖案工藝可用以增加所制造的集成電路上的圖案擬真(pattern fidelity)。本發(fā)明的一目的為藉由最佳化后分解數(shù)據(jù)來(lái)共同增加在多重圖案工藝中的圖案擬真和集成電路的可制造率，以用于掩膜的生產(chǎn)。本發(fā)明的實(shí)施例通常對(duì)掩膜生產(chǎn)設(shè)施和使用無(wú)掩膜光微影的集成電路制造廠提供益處。

圖1A為集成電路(integrated circuit；IC)制造系統(tǒng)100以及與集成電路制造系統(tǒng)相關(guān)的集成電路生產(chǎn)流程的簡(jiǎn)單方框圖。集成電路制造系統(tǒng)100可從本發(fā)明的一或多個(gè)態(tài)樣得益。集成電路制造系統(tǒng)100包含多個(gè)實(shí)體(entity)，例如設(shè)計(jì)室(design house)120、掩膜室(mask house)130和集成電路制造廠(IC manufacturer or fab)150。這些個(gè)體在有關(guān)生產(chǎn)集成電路160的設(shè)計(jì)、發(fā)展、生產(chǎn)循環(huán)和/或服務(wù)上與另一個(gè)體互動(dòng)。這些個(gè)體藉由通信網(wǎng)絡(luò)連接，此通信網(wǎng)絡(luò)可以是單一網(wǎng)絡(luò)或是多樣的不同網(wǎng)絡(luò)，例如私有內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)(private intranet)和/或網(wǎng)際網(wǎng)絡(luò)，且可包含有線或是無(wú)線通信通道。每一個(gè)體可與其他個(gè)體互動(dòng)，且可提供服務(wù)予其他個(gè)體和/或從其他個(gè)體接收服務(wù)。設(shè)計(jì)室120、掩膜室130和集成電路制造廠150的一或多者可由單一公司所擁有，且更可在 一共同設(shè)施(common facility)中共同存在及使用共同的資源。

設(shè)計(jì)室120產(chǎn)生集成電路設(shè)計(jì)布局122(在本發(fā)明中亦稱為標(biāo)的布局122)?；趯⑸a(chǎn)的集成電路產(chǎn)品的規(guī)范，標(biāo)的布局122包含多樣為了集成電路產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的幾何圖案(geometrical pattern)。幾何圖案對(duì)應(yīng)于金屬層、氧化層或是半導(dǎo)體層的圖案，其組成集成電路160中的各種元件。這些各樣的層結(jié)合以形成各種集成電路特征。舉例而言，標(biāo)的布局122的一部分包含各種集成電路特征，例如形成在一半導(dǎo)體基板(例如硅晶圓)中以及設(shè)置于半導(dǎo)體基板上各種材料層中的主動(dòng)區(qū)(active region)、柵極、源極和漏極、一中間層內(nèi)連接(interlayer interconnection)的金屬線或介層窗(via)、和接合墊(bonding pad)的開(kāi)口(opening)。標(biāo)的布局122以具有幾何圖案信息的一或多個(gè)數(shù)據(jù)文件來(lái)表示。舉例而言，標(biāo)的布局122可以GDSII文件格式或DFII文件格式來(lái)表示。

標(biāo)的布局122的一實(shí)例如圖4所示。參照?qǐng)D4，標(biāo)的布局122包含多個(gè)圖案123。在此實(shí)施例中，這些圖案123為多邊形形狀。特別地，這些圖案123包含矩形形狀。在各個(gè)實(shí)施例中，這些圖案123可以是其他形狀，例如圓形、橢圓形、環(huán)形、六邊形…等等。每一圖案123被多個(gè)邊緣124所包圍，這些邊緣124界定(delineate)這些圖案123的邊界。這些圖案123代表將在晶圓上被制造的集成電路特征。因?yàn)橐恍﹫D案123(例如在區(qū)域125內(nèi)的圖案123)具有規(guī)則形狀和大尺寸，以及在這些圖案123之間具有大間隔，故這些圖案123容易制造。因此，使用這些圖案而在晶圓上形成的集成電路特征更可匹配在標(biāo)的布局122中的圖案形狀。換句話說(shuō)，圖案擬真(pattern fidelity)將會(huì)是有效的。然而，一些其他的圖案123(例如在區(qū)域126內(nèi)的圖案)并非如此容易被制造。首先，這些圖案之間的間隔可能超過(guò)標(biāo)的制造流程可確實(shí)生產(chǎn)的極限。據(jù)此，這些圖案的圖案擬真可能不充足。本發(fā)明提供處理設(shè)計(jì)布局(例如標(biāo)的布局122)的方法，以增加其圖案擬真和可制造率。此方法將在后面的段落中討論。

請(qǐng)回到圖1A，掩膜室130使用標(biāo)的布局122來(lái)生產(chǎn)將用于制造集成電路160的各種層的一或多個(gè)掩膜。掩膜室130進(jìn)行各種任務(wù)(task)，包含數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132和選擇性的(optionally)掩膜生產(chǎn)144。在數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132中，標(biāo)的布局122被編譯為可藉由掩膜撰寫(xiě)器(mask writer)實(shí)體寫(xiě)入的形式。在掩膜生 產(chǎn)144中，修飾準(zhǔn)備好的設(shè)計(jì)布局，以符合特定的掩膜制造廠，且之后生產(chǎn)設(shè)計(jì)布局。在此實(shí)施例中，數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132和掩膜生產(chǎn)144被描述為兩個(gè)分開(kāi)的元件。然而，數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132和掩膜生產(chǎn)144可共同被稱為掩膜數(shù)據(jù)準(zhǔn)備任務(wù)。在一實(shí)施例中，集成電路制造系統(tǒng)100可使用無(wú)掩膜微影技術(shù)，例如電子束(electron beam)微影或光學(xué)無(wú)掩膜微影。在此系統(tǒng)中，掩膜生產(chǎn)144被繞過(guò)，且數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132使標(biāo)的布局122適合用于特定無(wú)掩膜微影技術(shù)的晶圓處理。

數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132包含布局分解134。在一實(shí)施例中，布局分解134利用一或多個(gè)多重圖案化(multiple patterning)技術(shù)來(lái)將復(fù)雜的布局分解成一組較簡(jiǎn)單的次布局，或是將密集的布局分解成一組寬松的次布局。較簡(jiǎn)單的布局和/或?qū)捤傻牟季指子诒恢圃?。在一?shí)施例中，布局分解134將一布局分解成主要布局(main layout)和切割布局(cut layout)。在集成電路制造廠150中，主要布局(或主要圖案)在第一顯影曝光中形成在晶圓152上，且切割布局(或切割圖案)接著被應(yīng)用為在第二顯影曝光中移除主要圖案的多余部分和/或衍生物。集成電路160的最后圖案包含主要圖案加上衍生物，但不包含切割圖案。在其他實(shí)施例中，布局分解134將標(biāo)的布局分解成第一次布局和第二次布局，其包含互相部分重疊的圖案。在集成電路制造廠150中，第一次布局的圖案在第一微影工藝中形成在晶圓152上，且第二次布局的圖案在第二微影工藝中形成在晶圓152的同層上。第一微影工藝的圖案和第二微影工藝的圖案在晶圓152上部分重疊。集成電路160的最后圖案包含圖案的部分重疊部分和非重疊部分。

數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132更包含邊緣重新設(shè)置(edge relocation)136，此邊緣重新設(shè)置136最佳化各種次布局的后分解(post-decomposition)。在一實(shí)施例中，布局分解134產(chǎn)生主要次布局和切割次布局，且邊緣重新設(shè)置136最佳化切割次布局邊緣在主要次布局上的接合(landing)，使得這些邊緣之間具有充足的疊對(duì)(overlay)。在其他實(shí)施例中，布局分解134產(chǎn)生第一次布局和第二次布局，此第一次布局和此第二次布局部分重疊，且邊緣重新設(shè)置136最佳化在部分重疊區(qū)域中的邊緣接合。因此，不只第一次布局和第二次布局的每一者具有充足的用于集成電路制造廠150的工藝視窗，以，并且第一次布局和第二次布局的部分重疊區(qū)域亦具有充足的用于集成電路制造廠150的疊對(duì)預(yù)算(overlay budget)。布局分解134和邊緣重新設(shè)置136的各個(gè)實(shí)施例將在之后進(jìn)一步詳 細(xì)說(shuō)明。

當(dāng)在布局分解134和邊緣重新設(shè)置136進(jìn)行任務(wù)時(shí)，工藝模型138可用以執(zhí)行各種模擬。工藝模型138可基于集成電路制造廠150的實(shí)際工藝參數(shù)。工藝參數(shù)可包含與集成電路制造循環(huán)的各種工藝相關(guān)的參數(shù)、與用于制造集成電路的工具相關(guān)的參數(shù)、和/或其他工藝的態(tài)樣。工藝模型138考慮各種工藝效能參數(shù)，例如在無(wú)掩膜微影中的強(qiáng)度對(duì)數(shù)斜率(intensity log slope；ILS)、最小關(guān)鍵尺寸(depth of focus；DOF)、掩膜誤差增強(qiáng)因子(mask error enhancement factor；MEEF)和數(shù)據(jù)誤差增強(qiáng)因子(data error enhancement factor；DEEF)、關(guān)鍵尺寸(critical dimension；CD)變異預(yù)算(variation budget)、疊對(duì)預(yù)算、最小區(qū)域規(guī)則、最小關(guān)鍵尺寸、最小間隔、其他合適的因子或上述的組合。

在實(shí)施例中，數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132更包含光學(xué)鄰近校正(optical proximity correction；OPC)(圖未繪示)。光學(xué)鄰近校正使用微影增強(qiáng)技術(shù)來(lái)補(bǔ)償影像誤差(image errors)，例如可由繞射(diffraction)、干涉(interference)或其他工藝效應(yīng)所產(chǎn)生的影像誤差。光學(xué)鄰近校正可根據(jù)光學(xué)模型或規(guī)則來(lái)增加輔助特征(assist features)至集成電路設(shè)計(jì)布局122，例如散射條紋(scattering bar)、對(duì)線(serif)和/或錘頭線(hammerhead)，使得在微影工藝后，晶圓上的最后圖案可被改良而具增強(qiáng)的分辨率和精確度。光學(xué)鄰近校正可使用基于模型的(model-based)校正或基于規(guī)則的(rule-based)校正。數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132可包含進(jìn)一步的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(resolution enhancement technique；RET)，例如偏軸照射(off-axis illumination)、次分辨率輔助特征(sub-resolution features)、相位移掩膜(phase-shifting mask)、其他合適的技術(shù)或是上述的組合。

應(yīng)理解的是，上述數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132的描述已被簡(jiǎn)化，以為了清楚說(shuō)明，且數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132可包含額外特征，例如邏輯運(yùn)算(logic operation；LOP)，以根據(jù)制造規(guī)范來(lái)修改集成電路設(shè)計(jì)布局122。此外，在數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132中，應(yīng)用至集成電路設(shè)計(jì)布局122的工藝可依據(jù)各樣的不同順序來(lái)執(zhí)行。

在數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132修飾集成電路設(shè)計(jì)布局122后，修飾結(jié)果儲(chǔ)存在一或多個(gè)數(shù)據(jù)文件中，例如儲(chǔ)存在GDSII文件格式或DFII文件格式的文件中。此一或多個(gè)數(shù)據(jù)文件包含幾何圖案，例如代表主要設(shè)計(jì)圖案和/或輔助特征的多邊形。數(shù)據(jù)文件移交至掩膜生產(chǎn)144，或者直接移交至集成電路制造廠150以用于無(wú) 掩膜微影工藝。在掩膜生產(chǎn)144中，掩膜或掩膜組基于經(jīng)修飾的集成電路設(shè)計(jì)布局來(lái)生產(chǎn)。舉例而言，電子束(electron-beam；e-beam)或多重電子束的機(jī)制用以基于經(jīng)修飾的集成電路設(shè)計(jì)布局來(lái)形成在掩膜(掩膜(photomask)或倍增掩膜)上的圖案。掩膜可使用各種技術(shù)來(lái)形成。在一實(shí)施例中，掩膜圖案包含不透明區(qū)域和透明區(qū)域。輻射光束(例如紫外線光束)被不透明區(qū)域阻擋且通過(guò)透明區(qū)域，此輻射光束用以暴露涂布在晶圓上的影像感測(cè)材料層(例如光阻)。在一實(shí)例中，二元式掩膜(binary mask)包含透明基材(例如熔融石英(fused quartz))和涂布在掩膜的不透明區(qū)域中的不透明材料(例如鉻)。在其他實(shí)例中，可使用相位移技術(shù)來(lái)生產(chǎn)掩膜。在相位移掩膜中，各種形成在掩膜上的圖案中的特征被配置為具有適當(dāng)?shù)南辔徊町?，以增?qiáng)分辨率和影像品質(zhì)。在各種實(shí)例中，相位移掩膜可以是如本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域現(xiàn)有的衰減式相位移掩膜(attenuated PSM)或交替式相位移掩膜(alternating PSM)。在一實(shí)施例中，掩膜為反射掩膜的極端紫外線(extreme ultraviolet；EUV)掩膜。在此掩膜中，其頂部表面的一些部分反射投影在其上的輻射，以形成集成電路圖案的空間影像(aerial image)，其將被印刷在一標(biāo)的上，例如晶圓152。極端紫外線掩膜可結(jié)合分辨率增益技術(shù)(resolution enhancement technique)，例如相位移掩膜和/或光學(xué)鄰近校正。

集成電路制造廠150(例如半導(dǎo)體制造廠)使用掩膜室140所生產(chǎn)的遮罩(掩膜)(或多個(gè)遮罩)來(lái)制造集成電路160。或者，集成電路制造廠150可使用設(shè)計(jì)室130準(zhǔn)備的數(shù)據(jù)，以使用一些無(wú)掩膜微影技術(shù)(例如電子束直寫(xiě)(electron beam direct write；EBDW)微影)來(lái)制造集成電路160。集成電路制造廠150為集成電路生產(chǎn)事業(yè)體，其可包含許多用以生產(chǎn)多種不同集成電路產(chǎn)品的制造設(shè)施。舉例而言，可具有用于多個(gè)集成電路產(chǎn)品的前端生產(chǎn)(即前端工藝(front-end-of-line；FEOL)生產(chǎn))的第一制造設(shè)施，而第二制造設(shè)施可提供用于集成電路產(chǎn)品的內(nèi)連線(interconnection)和封裝的后端生產(chǎn)(即后端工藝(back-end-of-line；BEOL)生產(chǎn))))，且第三制造設(shè)施可提供其他服務(wù)予制造廠事業(yè)體。在此實(shí)施例中，使用一或多個(gè)微影工藝來(lái)制造半導(dǎo)體晶圓152，以形成集成電路160，此微影工藝為例如深紫外線(deep ultraviolet；DUV)微影、浸潤(rùn)(immersion)微影、極端紫外線微影、電子束微影、X射線微影、離子束微影和其他合適的微影工藝。半導(dǎo)體晶圓152包含硅基材或其 他具有材料層形成于其上的適當(dāng)基材。其他適當(dāng)?shù)幕牟牧习硪缓线m的元素半導(dǎo)體(例如鉆石或鍺)、化合物半導(dǎo)體(例如碳化硅、砷化銦或磷化銦)或合金半導(dǎo)體(例如碳鍺硅，磷砷化鎵或磷銦化鎵)。半導(dǎo)體晶圓152更可包含各種摻雜區(qū)域，介電特征與多層內(nèi)連接(在后續(xù)制造步驟中形成)。遮罩可用于多樣工藝。舉例而言，遮罩可用于在半導(dǎo)體晶圓152內(nèi)形成各個(gè)摻雜區(qū)域的離子布植工藝中、在半導(dǎo)體晶圓152內(nèi)形成各個(gè)蝕刻區(qū)域的蝕刻工藝中、和/或其他合適的工藝中。

圖1B為依據(jù)本發(fā)明各態(tài)樣的如圖1A所示的掩膜室130的詳細(xì)方框圖。在繪示的實(shí)施例中，掩膜室130包含設(shè)計(jì)系統(tǒng)180，此設(shè)計(jì)系統(tǒng)180可用以進(jìn)行所述與圖1的數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132相關(guān)的功能。設(shè)計(jì)系統(tǒng)180為信息處理系統(tǒng)，例如電腦、伺服器、工作站或其他合適的系統(tǒng)。設(shè)計(jì)系統(tǒng)180包含處理器182，此處理器182通信耦接于系統(tǒng)記憶體184、大容量?jī)?chǔ)存裝置186和通信模塊188。系統(tǒng)記憶體184提供具有非暫態(tài)電腦可讀取儲(chǔ)存媒體的處理器182，以藉此處理器182來(lái)促進(jìn)電腦指令的執(zhí)行。系統(tǒng)記憶體的實(shí)例可包含隨機(jī)存取記憶體(random access memory；RAM)裝置，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(dynamic RAM；DRAM)、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(synchronous DRAM；SDRAM)、固態(tài)記憶體裝置和/或本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域現(xiàn)有的多樣其他記憶體裝置。電腦程序、指令和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存于大容量?jī)?chǔ)存裝置186中。大容量?jī)?chǔ)存裝置186的實(shí)例可包含硬碟、光碟、磁光碟、固態(tài)儲(chǔ)存裝置和/或本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域現(xiàn)有的多樣其他大容量?jī)?chǔ)存裝置。通信模塊188可用以與集成電路制造系統(tǒng)100中的其他元件(例如設(shè)計(jì)室120)傳遞信息，例如集成電路設(shè)計(jì)布局文件)。通信模塊188的實(shí)例可包含乙太網(wǎng)絡(luò)卡、IEEE 802.11WiFi裝置、蜂巢式數(shù)據(jù)無(wú)線電裝置(cellular data radio)和/或本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域現(xiàn)有的合適裝置。

在操作上，設(shè)計(jì)系統(tǒng)180被配置為依據(jù)各種不同設(shè)計(jì)規(guī)則和限制來(lái)操作集成電路設(shè)計(jì)布局122。舉例而言，在一實(shí)施例中，數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132可被實(shí)施為在設(shè)計(jì)系統(tǒng)180上執(zhí)行的軟體指令。在此實(shí)施例中，設(shè)計(jì)系統(tǒng)180從設(shè)計(jì)室120接收包含標(biāo)的布局122的第一GDSII文件192。在數(shù)據(jù)準(zhǔn)備132完成后，設(shè)計(jì)系統(tǒng)180傳送包含經(jīng)修飾的布局的第二GDSII文件194至生產(chǎn)一或多個(gè)掩膜190的掩膜生產(chǎn)144。在另一實(shí)施例中，集成電路設(shè)計(jì)布局可以其他文件格式(例如DFII、CIF、OASIS或其他合適的文件類型)在集成電路制作系統(tǒng)100 的元件之間傳輸。應(yīng)理解的是，在其他實(shí)施例中，設(shè)計(jì)系統(tǒng)180和掩膜室130可包含額外和/或不同的元件。

圖2為依據(jù)本發(fā)明各態(tài)樣的形成半導(dǎo)體裝置的方法200的流程圖。依據(jù)一實(shí)施例，方法200的操作210更繪示于圖3中。方法200僅為一實(shí)例，且其非用以限制本發(fā)明超出在權(quán)利要求范圍中所明確敘述的范圍。額外的操作可在方法200之前、期間或之后提供，且一些用于方法200的額外實(shí)施例的所描述的操作可被取代、刪除或移動(dòng)。方法200可藉由在集成電路制造系統(tǒng)100中的一或多個(gè)實(shí)體來(lái)實(shí)施。特別地，方法200的實(shí)施例可在設(shè)計(jì)系統(tǒng)180中實(shí)施。方法200結(jié)合圖1A至圖9說(shuō)明如下。

請(qǐng)參照?qǐng)D2，在操作202中，方法200(圖2)接收集成電路設(shè)計(jì)布局，例如圖4所示的集成電路設(shè)計(jì)布局122。請(qǐng)參照?qǐng)D4，集成電路設(shè)計(jì)布局122包含多個(gè)集成電路圖案123。每一圖案123為被多個(gè)邊緣124所圍繞的幾何形狀。集成電路設(shè)計(jì)布局122包含不同部分或區(qū)域，例如區(qū)域125和區(qū)域126。這些在區(qū)域125內(nèi)的圖案123具有規(guī)則形狀和大尺寸，且這些圖案之間具有大間隔。在集成電路制造廠150內(nèi)，這些圖案通常容易在標(biāo)的光微影工藝中制造。相較之下，由于因?yàn)檫@些在區(qū)域126內(nèi)的圖案123的不規(guī)則形狀和這些圖案123之間的較小間隔，這些圖案123可代表對(duì)光微影工藝的挑戰(zhàn)。一些關(guān)鍵尺寸或間隔可能太小而不能被制造。為了解決此問(wèn)題，方法200使用如下所述的多重圖案工藝。

在操作204中，方法200(圖2)將標(biāo)的布局122分解成多個(gè)次布局，這些次布局將共同在晶圓152上形成標(biāo)的集成電路設(shè)計(jì)布局。在此實(shí)施例中，方法200將標(biāo)的布局122分解成次布局122A和122B，如圖5A和圖5B所示。請(qǐng)參照?qǐng)D5A，次布局122A包含在區(qū)域125內(nèi)的這些圖案123和在區(qū)域126內(nèi)的這些圖案123A。這些圖案123A為在區(qū)域126內(nèi)的這些圖案123的一部分。請(qǐng)參照?qǐng)D5B，次布局122B包含在區(qū)域126內(nèi)的多個(gè)圖案123B。這些圖案123B為在區(qū)域126內(nèi)的這些圖案123的一部分。當(dāng)這些圖案123A和這些圖案123B部分重疊時(shí)，這些圖案123A和這些圖案123B在區(qū)域126內(nèi)形成這些圖案123。因?yàn)閰^(qū)域126存在于次布局122A和122B兩者中，故區(qū)域126亦被稱為「部分重疊區(qū)域」。同時(shí)，因?yàn)閰^(qū)域125僅存在于次布局122A和122B的其中一者中，故區(qū)域125亦被稱為「獨(dú)立區(qū)域」。與標(biāo)的布局122相比，次 布局122A和122B具有較規(guī)則的形狀，且在這些形狀之間具有較大的間隔，藉以提供更佳的可制造率。

在各個(gè)實(shí)施例中，方法200可分解集成電路設(shè)計(jì)布局122為兩個(gè)、三個(gè)或多個(gè)次布局。分解需考慮包含這些圖案123的特征、集成電路制造廠150的標(biāo)的制造能力和工藝視窗因子等因子。舉例而言，圖案的特征可包含復(fù)雜度、關(guān)鍵尺寸和圖案的間隔。舉例而言，標(biāo)的制造能力可包含照射源、光學(xué)系統(tǒng)極化(polarization)、光學(xué)焦點(diǎn)深度、照射強(qiáng)度對(duì)數(shù)斜率以及在將被制造的晶圓上的薄膜堆疊。舉例而言，工藝視窗因子可包含無(wú)掩膜微影的關(guān)鍵尺寸變異預(yù)算、疊對(duì)預(yù)算、掩膜誤差增強(qiáng)因子和數(shù)據(jù)誤差增強(qiáng)因子、圖案的最小區(qū)域、圖案的最小關(guān)鍵尺寸和圖案之間的最小間隔。

標(biāo)的布局122至次布局122A和122B的分解成初始分解。如此一來(lái)，一些圖案形狀和/或位置可依據(jù)評(píng)估指標(biāo)來(lái)進(jìn)一步最佳化。在一實(shí)施例中，評(píng)估指標(biāo)包含選自關(guān)鍵尺寸變異預(yù)算、疊對(duì)預(yù)算、焦點(diǎn)深度、強(qiáng)度對(duì)數(shù)斜率、掩膜誤差增強(qiáng)因子、數(shù)據(jù)誤差增強(qiáng)因子、最小區(qū)域、最小關(guān)鍵尺寸和最小間隔所構(gòu)成的群組的一或多個(gè)因子。常觀察到的是，當(dāng)一圖案(包含其形狀、尺寸、間隔等)因一效能因子而被最佳化時(shí)，相同的圖案可能提升或阻礙其他效能因子。此外，這些圖案123A和這些圖案123B亦具有相互依存性(inter-dependency)。因此，這些圖案123A和這些圖案123B的最佳化應(yīng)共同被考慮，其將在之后討論。

在操作206中，方法200(圖2)辨別在次區(qū)域122A和次區(qū)域122B中的可重新設(shè)置邊緣。一些可重新設(shè)置邊緣的實(shí)例如圖6A和6B所示。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，在圖6A和圖6B中僅顯示這些圖案123A和這些圖案123B的一部分。

請(qǐng)參照?qǐng)D6A，這些圖案123A為次布局122A的將被形成的圖案，而這些圖案123B僅為了例示目的而顯示。這些圖案123A和這些圖案123B在一些區(qū)域中部分重疊。這些圖案123A的一些邊緣124AR(以虛線繪示于圖6A中)在部分重疊區(qū)域中。這些邊緣稱為「可重新設(shè)置」邊緣，其可在次布局122A和122B互相重疊時(shí)在不改變組合布局下沿著箭頭127A指示的方向移動(dòng)至一定的距離。這些圖案123A的一些邊緣(例如邊緣124AF)被固定(非可重新設(shè)置)。這些邊緣可預(yù)期為在光微影圖案化工藝后被固定在一定的位置。在實(shí)施例中，這些經(jīng)固定的邊緣的位置可藉由光學(xué)鄰近校正來(lái)修飾，以確保其在微 影圖案化工藝后取得一定的位置。

請(qǐng)參照?qǐng)D6B，這些圖案123B的可重新設(shè)置邊緣124BR是以相似的方式來(lái)辨別(圖6B中的虛線)。這些圖案123A僅為了例示目的而顯示。這些邊緣124BR可在次布局122A和122B互相重疊時(shí)在不改變組合布局下沿著箭頭127B指示的方向移動(dòng)至一定的距離可。相似地，邊緣124BF為在次布局122中經(jīng)固定的邊緣的一實(shí)例。

在操作208中，方法200(圖2)使每一可重新設(shè)置邊緣與個(gè)別自由區(qū)域(region of freedom)相關(guān)，而為了最佳化目的，邊緣將被重新定位。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D6A和圖6B，可重新設(shè)置邊緣124AR和124BR的自由區(qū)域分別由箭頭127A和127B的長(zhǎng)度所指示?？芍匦略O(shè)置邊緣124AR和124BR更被部分重疊圖案的尺寸限制，亦即可重新設(shè)置邊緣124AR(124BR)不移動(dòng)至對(duì)應(yīng)的圖案123B(123A)外。因此，可重新設(shè)置邊緣124AR和124BR的移動(dòng)具有相互依存性且共同被考慮。

在操作210中，方法200(圖2)重新設(shè)置一或多個(gè)可重新設(shè)置邊緣124AR和124BR，以為了可制造率而最佳化次布局122A和122B。這些邊緣的重新設(shè)置被這些邊緣的個(gè)別自由區(qū)域所限制。在一實(shí)施例中，操作210涉及多重疊代回圈(iterative loops)。在每一回圈的期間，一些暫定重新設(shè)置(tentative relocation)被計(jì)畫(huà)，且標(biāo)的功能被評(píng)估(亦即計(jì)算分?jǐn)?shù))，其考慮這些圖案和標(biāo)的工藝的特征。若分?jǐn)?shù)增加，則暫定重新設(shè)置被實(shí)行為修飾次布局122A和122B。在一實(shí)施例中，一旦達(dá)到使用者定義的門(mén)檻值，即結(jié)束疊代回圈，亦即這些經(jīng)修飾的次布局被認(rèn)為滿足標(biāo)的工藝的標(biāo)準(zhǔn)。在其他實(shí)施例中，疊代回圈在分?jǐn)?shù)達(dá)到區(qū)域最佳值(local optimum)或全域最佳值(global optimum)時(shí)終止。

操作210的一實(shí)施例更如圖3的流程圖所示。請(qǐng)參照?qǐng)D3，操作210基于標(biāo)的工藝選擇評(píng)估指標(biāo)(步驟302)。評(píng)估指標(biāo)可用以建立標(biāo)的功能。在一實(shí)施例中，評(píng)估指標(biāo)包含選自關(guān)鍵尺寸變異預(yù)算、疊對(duì)預(yù)算、焦點(diǎn)深度、強(qiáng)度對(duì)數(shù)斜率、掩膜誤差增強(qiáng)因子、數(shù)據(jù)誤差增強(qiáng)因子(用于無(wú)掩膜微影)、最小區(qū)域、最小關(guān)鍵尺寸和最小間隔所構(gòu)成的群組的一或多個(gè)因子。在一實(shí)施例中，評(píng)估指標(biāo)為經(jīng)過(guò)加權(quán)，亦即權(quán)重可分配至選自上述的每一效能因子，使得最佳化可提供一定的解決方案空間。在其他實(shí)施例中，評(píng)估指標(biāo)包含邊緣置放誤差 (edge placement errors；EPE)。進(jìn)一步地，在此實(shí)施例中，操作210會(huì)考慮這些經(jīng)固定的邊緣的顯影后位置。舉例而言，這些可重新設(shè)置邊緣124AR(圖6A)的移動(dòng)可能影響光學(xué)鄰近校正如何處理經(jīng)固定的邊緣124AF，其可能依序影響最終微影圖案化工藝后的這些經(jīng)固定的邊緣的置放。

請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3，操作210移動(dòng)一或多個(gè)可重新設(shè)置邊緣124AR和可重新設(shè)置邊緣124BR(步驟304)，以修飾在次布局122A和次布局122B中的圖案。在一實(shí)施例中，操作210可固定次布局122A(122B)中的邊緣在其初始位置，且僅在次布局122B(122A)中移動(dòng)這些邊緣。在其他實(shí)施例中，操作210可同時(shí)移動(dòng)在次布局122A和122B中的邊緣。進(jìn)一步地，操作210可選擇性地移動(dòng)一些邊緣，但非移動(dòng)所有邊緣。

圖7A至圖7C繪示有關(guān)次布局122B的這些邊緣124BR的三個(gè)示范暫定重新設(shè)置。請(qǐng)參照?qǐng)D7A，這些邊緣124BR被置放在部分重疊(或結(jié)合)的圖案123A的中間。為了方便說(shuō)明，得到的圖案123B被標(biāo)記為123B-1。這些圖案123B-1具有垂直間隔128-1。請(qǐng)參照?qǐng)D7B，這些邊緣124BR被置放在或接近結(jié)合邊緣123A的一邊緣，使得得到的圖案123B-2具有與結(jié)合邊緣123A的最大部分重疊。這些圖案123B-2具有垂直間隔128-2，此垂直間隔128-2小于間隔128-1。請(qǐng)參照?qǐng)D7C，這些邊緣124BR被置放在或接近結(jié)合邊緣123A的另一邊緣，使得得到的圖案123B-3具有具有與結(jié)合邊緣123A的最小部分重疊123A。這些圖案123B-3具有垂直的間隔128-3，此間隔128-3大于間隔128-1。

如圖7A至圖7C所示，對(duì)于標(biāo)的工藝，這些邊緣124BR的不同位置具有不同的含意。舉例而言，當(dāng)次布局122A和122B在光微影工藝期間疊對(duì)時(shí)，相較于圖7B和圖7C的排列，圖7A的排列提供關(guān)鍵尺寸變異預(yù)算和疊對(duì)預(yù)算的較大的工藝視窗。圖7A的排列亦有益于一些其他效能因子。舉例而言，相較于圖7B的排列，圖7A的排列提供較大的間隔，且相較于圖7C的排列，圖7A的排列提供較大的關(guān)鍵尺寸，故圖7A的排列提供較佳的掩膜誤差增強(qiáng)因子。因?yàn)橄嗤睦碛?，?dāng)最小關(guān)鍵尺寸和/或最小間隔的需求為標(biāo)的工藝的特殊考量時(shí)，圖7A的排列提供較佳的性能表現(xiàn)。另一方面，因這些圖案123B-2的相對(duì)區(qū)域較大，圖7B的排列而提供較佳的焦點(diǎn)深度，且由于間隔128-3相對(duì)較大，圖7C的排列提供較佳的強(qiáng)度對(duì)數(shù)斜率。進(jìn)一步觀察，當(dāng)最小區(qū)域的需求為標(biāo)的工藝的特殊考量時(shí)，相較于圖7C的排列，圖7A和圖7B的排列提 供較佳的效能表現(xiàn)。對(duì)于給定的標(biāo)的工藝，可一起考慮一或多個(gè)上述效能因子，以計(jì)算用于觀察不同排列的可制造率的分?jǐn)?shù)(圖3的步驟306)。一實(shí)例繪示于圖7中。

請(qǐng)參照?qǐng)D7D，在所示的實(shí)施例中，評(píng)估指標(biāo)包含下列效能因子：關(guān)鍵尺寸變異預(yù)算、疊對(duì)預(yù)算、焦點(diǎn)深度、強(qiáng)度對(duì)數(shù)斜率、掩膜誤差增強(qiáng)因子、最小關(guān)鍵尺寸、最小間隔和最小區(qū)域。圖7A至圖7C的每一排列的每一效能因子給予等級(jí)為1至3的分?jǐn)?shù)。每一排列的總分?jǐn)?shù)接著被計(jì)算。在所示的實(shí)例中，圖7A至圖7C的三個(gè)排列累計(jì)的總分?jǐn)?shù)分別為14、9和8。因此，對(duì)于此評(píng)估指標(biāo)，圖7A的排列相較于圖7B和圖7C的排列為優(yōu)選。在一實(shí)施例中，可分配不同權(quán)重至各種效能因子，其可指引最佳化工藝達(dá)成一定的解決方案空間。舉例而言，若焦點(diǎn)深度被分配到的權(quán)重比其他因子還大，則圖7B的排列可累計(jì)較圖7A和圖7C的排列為高的總分?jǐn)?shù)，且因此圖7B的排列可被選擇為解決方案。

在實(shí)施例中，重復(fù)移動(dòng)這些邊緣的步驟(圖3的步驟304)和計(jì)算分?jǐn)?shù)的步驟(圖3的步驟306)，以為了找出可接受解決方案，此可接受解決方案可以是評(píng)估指標(biāo)的區(qū)域最佳值、評(píng)估指標(biāo)的全域最佳值、或者雖然不是區(qū)域最佳值或全域最佳值但符合預(yù)先定義的門(mén)檻值的解決方案。以上說(shuō)明如圖3的步驟308所示。操作210的解決方案空間被次布局122A和122B的相互依存性以及各種效能因子的相互依存性所限制。

在如圖7A至圖7C所示的實(shí)例中，全部的圖案為多邊形，且這些圖案的形狀為矩形。進(jìn)一步地，每一圖案包含至多一個(gè)可重新設(shè)置邊緣。此實(shí)例簡(jiǎn)化最佳化工藝。然而，此實(shí)例并不限制本發(fā)明。在各個(gè)實(shí)施例中，這些圖案可以是任何的多邊形形狀，例如三角形、五邊形和六邊形，且可包含凸多邊形、非凸多邊形(non-convex polygon)、簡(jiǎn)單多邊形和非簡(jiǎn)單多邊形(non-simple polygon)。進(jìn)一步地，圖案可包含二或多個(gè)可重新設(shè)置邊緣或邊緣區(qū)段。此實(shí)例繪示于圖8A至圖8D中。在圖8A中，這些圖案123B包含一個(gè)可重新設(shè)置區(qū)域124BR，其移動(dòng)方向和自由區(qū)域分別由雙向箭頭和虛線表示。在圖8B中，這些圖案123B包含兩個(gè)可重新設(shè)置區(qū)域124BR-1和124BR-2，且每一可重新設(shè)置區(qū)域僅為邊緣的一部分?？芍匦略O(shè)置區(qū)域124BR-1和可重新設(shè)置區(qū)域124BR-2具有位于部分重疊區(qū)域中的個(gè)別自由區(qū)域，此部分重疊區(qū)域介于 圖案123B與其結(jié)合圖案123A之間。在此例中，邊緣區(qū)段124BR-1和/或124BR-2的重新設(shè)置可將圖案123B從矩形修飾為五邊形或六邊形。相似地，圖8C的圖案123B包含三個(gè)可重新設(shè)置邊緣區(qū)段，且圖8D的圖案123B包含四個(gè)可重新設(shè)置邊緣。再次說(shuō)明，圖8A至圖8D并非為限制性的實(shí)例。

請(qǐng)回到圖2，在發(fā)現(xiàn)且實(shí)施重新設(shè)置邊緣的可接受解決方案后，方法200更繼續(xù)集成電路步驟階段(操作212)。在一實(shí)施例中，方法200將經(jīng)修飾的次布局122A和122B儲(chǔ)存在實(shí)體計(jì)算機(jī)可讀媒介中，其可在其他的集成電路步驟階段中被使用。在一實(shí)施例中，對(duì)經(jīng)修飾的次布局122A和122B進(jìn)行光學(xué)鄰近校正。光學(xué)鄰近校正更可修飾圖案123A和圖案123B，以補(bǔ)償影像誤差，例如從散射、干涉或其他工藝效應(yīng)產(chǎn)生的影像誤差。光學(xué)鄰近校正可增加輔助特征(例如散射條紋、對(duì)線和/或錘頭線)至次布局122A和122B，其繪示于圖9中。請(qǐng)參照?qǐng)D9，這些圖案123A的輪廓(外部邊緣)已被修飾，且輔助特征129已被插入至次布局122A。雖然圖中未顯示，次布局122B可被光學(xué)鄰近校正以相似的方式來(lái)修飾。

在一實(shí)施例中，方法200繼續(xù)使用經(jīng)修飾的次布局122A和122B以形成多個(gè)掩膜。在一實(shí)施例中，方法200使用經(jīng)修飾的次布局122A以形成第一掩膜，且使用經(jīng)修飾的次布局122B以形成第二掩膜。這些掩膜可以是深紫外線掩膜或極端紫外線掩膜，且這些掩膜更可包含多個(gè)增強(qiáng)特征(enhancement feature)，例如相位移特征(phase-shifting feature)。在一實(shí)施例中，方法200更使用這些掩膜進(jìn)行光微影工藝，以形成集成電路160。舉例而言，方法200使用第一掩膜以對(duì)晶圓進(jìn)行第一光微影工藝，且接著使用第二掩膜以對(duì)相同的晶圓進(jìn)行第二光微影工藝。在第一光微影工藝中，在晶圓上的材料層以經(jīng)修飾的次布局122A且經(jīng)由沉積、曝光、顯影和蝕刻工藝的一或多個(gè)工藝而被圖案化。在第二光微影工藝中，相同的材料層接著以經(jīng)修飾的次布局122B且經(jīng)由沉積、曝光、顯影和蝕刻工藝的一或多個(gè)工藝而被圖案化。因此，第一光微影工藝和第二光微影工藝共同圖案化材料層，以形成集成電路布局，此集成電路布局接近匹配圖4的標(biāo)的布局122。

在其他實(shí)施例中，方法200繼續(xù)后續(xù)集成電路工藝，以在不生產(chǎn)掩膜下(即無(wú)掩膜微影)使用經(jīng)修飾的次布局122A和122B來(lái)圖案化晶圓。舉例而言，方法200可使用電子束直寫(xiě)(electron beam direct write；EBDW)技術(shù)來(lái)圖案 化晶圓。就這方面而言，方法200使用經(jīng)修飾的次布局122A來(lái)對(duì)晶圓進(jìn)行第一無(wú)掩膜微影工藝，且后續(xù)使用經(jīng)修飾的次布局122B來(lái)對(duì)晶圓進(jìn)行第二無(wú)掩膜微影工藝。第一無(wú)掩膜微影工藝和第二無(wú)掩膜微影工藝共同形成集成電路特征，此集成電路特征接近匹配圖4的標(biāo)的布局122。

雖非意于限制，本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例提供許多制造半導(dǎo)體裝置的益處。舉例而言，本發(fā)明的實(shí)施例可在多重圖案工藝中實(shí)施，以將復(fù)雜的布局分解成一組較簡(jiǎn)單的布局，且更共同最佳化這些較簡(jiǎn)單的布局。因此，本發(fā)明可增加復(fù)雜的布局的可制造率。

在一示范態(tài)樣中，本發(fā)明是指一種方法。此方法包含接收集成電路的標(biāo)的布局；以及分解標(biāo)的布局為多個(gè)用于多重圖案工藝的次布局，其中這些次布局包含多個(gè)圖案邊緣，每一圖案邊緣在個(gè)別自由區(qū)域中為可重新設(shè)置。此方法更包含這些重新設(shè)置圖案邊緣以增加集成電路的可制造率并產(chǎn)生多個(gè)經(jīng)修飾的次布局；分別對(duì)這些經(jīng)修飾的次布局進(jìn)行光學(xué)鄰近校正工藝；以及儲(chǔ)存這些經(jīng)修飾的次布局至實(shí)體計(jì)算機(jī)可讀媒介中，以用于后續(xù)集成電路工藝階段。

在另一示范態(tài)樣中，本發(fā)明是指一種方法。此方法包含接收集成電路的標(biāo)的布局；以及分解標(biāo)的布局為一第一次布局和一第二次布局。第一次布局的多個(gè)多邊形圖案與第二次布局的多個(gè)多邊形圖案部分重疊。第一次布局和該第二次布局分別包含多個(gè)第一可重新設(shè)置邊緣和多個(gè)第二可重新設(shè)置邊緣。每一可重新設(shè)置邊緣與可供其置放的個(gè)別自由區(qū)域相關(guān)。此方法更包含對(duì)這些第一可重新設(shè)置邊緣和這些第二可重新設(shè)置邊緣進(jìn)行邊緣重新設(shè)置工藝，藉以分別產(chǎn)生第一經(jīng)修飾的次布局和第二經(jīng)修飾的次布局。邊緣重新設(shè)置工藝包含：基于標(biāo)的工藝選擇評(píng)估指標(biāo)；在這些第一可重新設(shè)置邊緣和這些第二可重新設(shè)置邊緣的一或多個(gè)邊緣的個(gè)別自由區(qū)域中移動(dòng)此一或多個(gè)邊緣；基于評(píng)估指標(biāo)計(jì)算可制造率分?jǐn)?shù)；以及重復(fù)移動(dòng)步驟和計(jì)算步驟，直到分?jǐn)?shù)達(dá)到局部最大值。此方法更包含使用第一經(jīng)修飾的次布局以形成第一掩膜；以及使用第二經(jīng)修飾的次布局以形成第二掩膜。第一掩膜和該第二掩膜是用于對(duì)晶圓所進(jìn)行的第一工藝和第二工藝中，以共同形成集成電路。

在另一示范態(tài)樣中，本發(fā)明是指一種方法。此方法包含接收集成電路的標(biāo)的布局；以及分解標(biāo)的布局為第一次布局和第二次布局，其中第一次布局的部分圖案與第二次布局的部分圖案重疊。此方法更包含辨別在第一次布局和第二 次布局中的多個(gè)可重新設(shè)置邊緣；使每一可重新設(shè)置邊緣與可供其置放的個(gè)別自由區(qū)域相關(guān)；以及對(duì)這些可重新設(shè)置邊緣進(jìn)行邊緣重新設(shè)置工藝，藉以分別產(chǎn)生第一修飾的次布局和第二經(jīng)修飾的次布局。邊緣重新設(shè)置工藝包含：基于標(biāo)的工藝選擇評(píng)估指標(biāo)；在這些可重新設(shè)置邊緣的一或多個(gè)邊緣的個(gè)別自由區(qū)域中移動(dòng)此一或多個(gè)邊緣；基于評(píng)估指標(biāo)計(jì)算可制造率分?jǐn)?shù)；以及重復(fù)移動(dòng)步驟和計(jì)算步驟，直到分?jǐn)?shù)滿足門(mén)檻值。此方法更包含使用第一經(jīng)修飾的次布局以對(duì)晶圓進(jìn)行第一標(biāo)的工藝；以及使用第二經(jīng)修飾的次布局以對(duì)該晶圓進(jìn)行第二標(biāo)的工藝。第一工藝和第二工藝共同在晶圓上形成集成電路。

前述說(shuō)明摘要多個(gè)實(shí)施例的特征，使得熟習(xí)此技藝者可以更了解本發(fā)明的態(tài)樣。熟習(xí)此技藝者應(yīng)知其可以輕易地利用本發(fā)明作為一基礎(chǔ)，以進(jìn)行設(shè)計(jì)或修改其他工藝及結(jié)構(gòu)，用以達(dá)成相同目的，和/或達(dá)成與在此提出實(shí)施例的相同態(tài)樣。熟習(xí)此技藝者也應(yīng)可理解，這些等效的結(jié)構(gòu)并不脫離本發(fā)明的精神與范圍，而且在不脫離本發(fā)明的精神與范圍下，可以做各種變更，替代及潤(rùn)飾。