本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片表面沾污的處理方法，尤其是對中測后期引入的芯片表面沾污的一種處理方法，屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

中測后期引入的芯片表面沾污，一直是一個令封裝廠比較困擾的問題。前期中測合格但是在后續(xù)工藝鏡檢過程中發(fā)現(xiàn)存在表面沾污的芯片會被視作不良品并將其剔除。由于芯片表面沾污的存在，導(dǎo)致原本合格的芯片無法流入下工序。芯片總體合格率的下降直接導(dǎo)致了生產(chǎn)成品率的下降，大大抬高了生產(chǎn)成本；同時，芯片的鏡檢效率也因此大打折扣。

由于引入沾污的因素和途徑非常多：運輸、傳遞及工藝過程中都有可能引入沾污。對于芯片表面沾污的現(xiàn)象，常規(guī)的處理手段是使用高壓或者二流體方式進行清洗，這些方式可以清洗掉部分的表面外來物沾污。但在實際生產(chǎn)過程中，對于上述清洗處理無效的芯片表面沾污問題，我們往往沒有比較行之有效的處理方法。

正如前面所言，引入沾污的因素和途徑非常多，沾污的類型也多種多樣：各類溶劑、膠、微觀顆粒物等；同時，以晶圓為單位，沾污芯片也比較分散。要處理諸如此類的沾污，首先要分析各類沾污的成分及特性，然后再針對性地利用特定的化學(xué)試劑或采用擦拭、或采用浸泡等的方式對其進行處理。但實際上，上述的處理手段往往收效甚微。究其原因，上述方式通常是人工處理，人工處理的特點是靈活，但是過程也相對不可控，所以往往芯片表面原有的沾污沒有完全被去除，反而導(dǎo)致了其他正常的芯片表面也容易出現(xiàn)異常，包括因操作不當(dāng)或材料本身而造成的芯片二次沾污、表面蹭傷、腐蝕等問題的發(fā)生。

綜上所述，尋找一種簡單并且行之有效的處理方法對芯片表面沾污的問題進行整體處理是非常迫切的，徹底改善或者解決芯片表面的沾污問題，對提高生產(chǎn)成品率，降低生產(chǎn)成本是非常有好處的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種適用于半導(dǎo)體芯片表面沾污的處理方法，該方法采用分選的方法，將表面沾污芯片挑出并集中放置，再利用一種強黏附性材料，粘貼于需要處理的沾污芯片的表面，然后使用自動刷洗設(shè)備對其進行整體刷洗，通過此方法，可以對芯片表面沾污進行處理，大大地改善了原先處理效果不理想的狀態(tài)，極大地提高芯片表面鏡檢成品率。

為實現(xiàn)以上技術(shù)目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體芯片表面沾污的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一. 將需要進行處理的沾污圓片集中挑出，并進行劃片，形成若干個按陣列排列芯片；

步驟二. 取一片外形完整的陪片，對其進行井字形分割處理；

步驟三. 將分割后陪片的中心區(qū)域剔除，把步驟一按陣列排列的沾污芯片依次填入陪片的中心區(qū)域，形成一完整圓片；

步驟四. 在步驟三形成的完整圓片的未沾污面上黏貼一種具有強黏附性的保護膜，所述保護膜的厚度為150μm ~200μm；

步驟五. 將步驟四中黏貼保護膜的圓片放入烘箱中烘烤；

步驟六. 將步驟五中烘烤完畢的圓片取出，放置于自動刷洗設(shè)備上，對圓片的沾污面進行刷洗；

步驟七. 將刷洗完畢的芯片進行鏡檢，挑出沒有沾污的合格芯片。

進一步地，所述陪片為硅晶圓。

進一步地，所述陪片分割后的中心區(qū)域的X方向長度為A，Y方向長度為B，按陣列排列的沾污芯片的X方向長度為a，Y方向長度為b；其中A≥a；B≥b。

進一步地，所述陪片“井”字中心區(qū)域的大小根據(jù)需要處理的沾污芯片的數(shù)量及大小設(shè)定。

進一步地，步驟五中烘箱的烘烤溫度為60℃~90℃，烘烤的時間為15~30min。

進一步地，所述的自動刷洗設(shè)備為具有自動刷洗功能的全自動減薄設(shè)備。

進一步地，所述自動刷洗設(shè)備的刷洗液為去離子水、酒精、丙酮或Diamaflow。

與傳統(tǒng)表面沾污處理方法相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：

（1）本發(fā)明運用“歸一化”的思路，將存在沾污現(xiàn)象的芯片統(tǒng)一集中進行處理，針對性強；

（2）使用全自動機械化的處理方法，可以使整個處理過程更為有效、可控，整體性強，且節(jié)省人工成本；

（3）該處理方法一致性好，可操作性強。

附圖說明

圖1為陪片進行“井”字形分割處理并剔除中心區(qū)域的示意圖。

圖2為沾污芯片按陣列排列填入陪片中心區(qū)域的示意圖。

附圖說明：1-芯片、2-陪片。

具體實施方式

下面結(jié)合具體附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。

實施例為一種半導(dǎo)體芯片正面沾污處理方法，芯片尺寸為W* L，劃片后的數(shù)量為100個，需要進行芯片正面沾污處理。

步驟一. 將需要進行處理的沾污圓片集中挑出，并進行劃片，形成100個按陣列排列芯片1，X方向10個、Y方向10個依次排列，X方向尺寸為10*W，記為長度a，Y方向尺寸為10*L，記為長度b；

步驟二. 取一片外形完整的陪片2，對其進行“井”字形分割處理，分割后陪片2的中心區(qū)域的X方向為A，Y方向為B，所述陪片2為硅晶圓；

步驟三. 將分割后陪片2的中心區(qū)域剔除，把步驟一按陣列排列的沾污芯片1依次填入陪片2的中心區(qū)域，形成一完整圓片，其中A≥a；B≥b；

步驟四. 在步驟三形成的完整圓片的背面上黏貼一種具有強黏附性的保護膜，保護膜將完整圓片黏附在一起，所述保護膜為半導(dǎo)體封裝、減薄、劃片工藝中常規(guī)使用的圓片保護膜，所述保護膜的厚度為150μm ~200μm；

步驟五. 將步驟四中黏貼保護膜的圓片放入烘箱中烘烤，烘箱的烘烤溫度為60℃~90℃，烘烤的時間為15~30min，目的是去除附在芯片1表面的水汽，同時使保護膜更好的與圓片黏合；

步驟六. 將步驟五中烘烤完畢的圓片取出，放置于自動刷洗設(shè)備上，對圓片的正面進行刷洗，所述自動刷洗設(shè)備為具有自動刷洗功能的全自動減薄設(shè)備，本發(fā)明中凡具備自動刷洗功能的刷洗設(shè)備均可；

根據(jù)不同的沾污類型，自動刷洗設(shè)備的刷洗液為去離子水、酒精、丙酮或Diamaflow，具體地，若沾污物為顆粒物，一般使用去離子水或Diamaflow去清洗；若沾污物為膠狀物，則使用酒精或丙酮去清洗。

步驟七. 將刷洗完畢的芯片1去掉保護膜并進行鏡檢，挑出沒有沾污的合格芯片。

本發(fā)明中陪片2分割的“井”字中心區(qū)域的大小根據(jù)需要處理的沾污芯片1的數(shù)量及大小設(shè)定，且若芯片1正面沾污，則保護膜貼在芯片1的背面，若芯片1背面沾污，則保護膜貼在芯片1的正面。

本發(fā)明的特點在于，采用分選的方法，將表面沾污的芯片1挑出并集中放置，再利用一種強黏附性的保護膜，將需要處理的沾污芯片黏附在一起，然后使用自動刷洗設(shè)備對其進行整體刷洗，通過此方法，可以對芯片1表面沾污進行處理，大大地改善了原先處理效果不理想的狀態(tài)，極大地提高芯片1表面鏡檢成品率，節(jié)約了成本。

以上對本發(fā)明及其實施方式進行了描述，該描述沒有限制性，附圖中所示的也只是本發(fā)明的實施方式之一，實際的結(jié)構(gòu)并不局限于此。總而言之如果本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造宗旨的情況下，不經(jīng)創(chuàng)造性的設(shè)計出與該技術(shù)方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實施例，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍。