1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一FinFET，所述第一FinFET包括第一鰭結(jié)構(gòu)、第一柵極電介質(zhì)以及第一柵電極，所述第一鰭結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸，所述第一柵極電介質(zhì)形成在所述第一鰭結(jié)構(gòu)上方，所述第一柵電極形成在所述第一柵極電介質(zhì)上方并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；
第二FinFET，所述第二FinFET包括第二鰭結(jié)構(gòu)、第二柵極電介質(zhì)和第二柵電極，所述第二柵極電介質(zhì)形成在所述第二鰭結(jié)構(gòu)上方，以及所述第二柵電極形成在所述第一柵極電介質(zhì)上方并且在所述第二方向上延伸；以及
分隔塞，由絕緣材料制成并且設(shè)置在所述第一FinFET和所述第二FinFET之間，
其中，當(dāng)從上面看時，所述分隔塞的端部形狀具有凹形的弧形形狀，而所述第一柵電極的鄰接所述分隔塞的端部具有凸形的弧形形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在沿著所述第二方向并且橫跨所述第一柵電極的橫截面中，所述分隔塞具有錐形形狀，所述錐形形狀具有小于底部寬度的頂部寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括：隔離絕緣層，至少設(shè)置在所述第一鰭結(jié)構(gòu)和所述第二鰭結(jié)構(gòu)之間，其中：
所述分隔塞設(shè)置在所述隔離絕緣層上方，以及
測量的所述分隔塞的底部處與所述隔離絕緣層的表面所成的所述分隔塞的錐角為90度或更大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：
所述第一柵電極包括第一金屬柵極材料，以及
所述第二柵電極包括第二金屬柵極材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中：
所述第一柵電極還包括設(shè)置在所述第一柵極介電層和所述第一金屬柵極材料之間的第一功函數(shù)調(diào)整金屬的一層或多層，以及
所述第二柵電極還包括設(shè)置在所述第二柵極介電層和所述第二金屬柵極材料之間的第二功函數(shù)調(diào)整金屬的一層或多層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一FinFET和所述第二FinFET具有相同的溝道類型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一FinFET的溝道類型不同于所述第二FinFET的溝道類型。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述第一FinFET中包括兩個以上的所述第一鰭結(jié)構(gòu)。
9.一種用于制造半導(dǎo)器件的方法，包括：
形成偽電極結(jié)構(gòu)以及層間介電層，所述偽電極結(jié)構(gòu)包括偽柵電極層和側(cè)壁絕緣層，所述側(cè)壁絕緣層設(shè)置在所述偽柵電極層的兩個主側(cè)處，以及所述層間介電層設(shè)置在所述偽電極層的兩個主側(cè)處；
去除所述偽柵電極層的部分使得在所述側(cè)壁絕緣層之間形成第一間隔和第二間隔，所述第一電極間隔和所述第二電極間隔通過柱分隔開，所述柱是所述偽柵電極層的剩余部分；
在所述第一電極間隔和所述第二電極間隔中分別形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)；
去除所述柱使得在所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)之間形成開口；以及
通過利用絕緣材料填充所述開口來形成分隔塞。
10.一種半導(dǎo)體器件，包括：
FET，所述FET包括第一柵極介電層和金屬柵電極；以及
分隔塞，由絕緣材料制成并且相鄰所述FET設(shè)置，
其中，當(dāng)從上面看時，所述分隔塞的端部具有凹形的弧形形狀，而所述金屬柵電極的鄰接所述分隔塞的端部具有凸形的弧形形狀。