技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種增強(qiáng)型HEMT，包括主要由第一、第二半導(dǎo)體層組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)和與異質(zhì)結(jié)構(gòu)連接的源、漏、柵電極；該源、漏電極通過形成于異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣電連接，該柵電極分布于源、漏電極之間；分布于柵電極正下方的第一、第二半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料均具有設(shè)定極性，使得當(dāng)在柵電極施加零偏壓或者沒有施加偏壓時(shí)，于柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)無二維電子氣的積累，而當(dāng)在柵電極電壓大于閾值電壓時(shí)，能夠于柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)形成二維電子氣。本發(fā)明還公開一種通過極性控制實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT的方法。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單，重復(fù)性高，器件性能穩(wěn)定優(yōu)良，成本低廉，易于進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：張志利;蔡勇;張寶順;付凱;于國浩;孫世闖;宋亮;鄧旭光
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
文檔號(hào)碼：201510578114
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.11
技術(shù)公布日：2017.03.22