本發(fā)明涉及一種增強(qiáng)型HEMT(high electron mobility transistor)器件及其制備方法，特別涉及一種通過調(diào)控柵電極下方所生長的半導(dǎo)體材料的極性，利用極化電場的改變實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)HEMT器件的方法，屬于微電子工藝領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

HEMT器件是充分利用半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Heterostructure)結(jié)構(gòu)形成的二維電子氣而制成的，與Ⅲ-Ⅵ族(如AlGaAs/GaAs HEMT)相比，Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體由于壓電極化和自發(fā)極化效應(yīng)，在異質(zhì)結(jié)構(gòu)(如AlGaN/GaN)中能夠形成高濃度的二維電子氣。所以在使用Ⅲ族氮化物制成的HEMT器件中，勢壘層一般不需要進(jìn)行摻雜。同時(shí)，Ⅲ族氮化物具有大的禁帶寬度、較高的飽和電子漂移速度、高的臨界擊穿電場和極強(qiáng)的抗輻射能力等特點(diǎn)，能夠滿下一代電力電子系統(tǒng)對功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更高溫度的工作的要求。

現(xiàn)有的Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體HEMT器件作為高頻器件或者高壓大功率開關(guān)器件使用時(shí)，特別是作為功率開關(guān)器件時(shí)，增強(qiáng)型HEMT器件與耗盡型HEMT器件相比更有助于提高系統(tǒng)的安全性、降低器件的損耗和簡化設(shè)計(jì)電路。目前實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT主要的方法有薄的勢壘層、凹柵結(jié)構(gòu)、P型蓋帽層和F處理等技術(shù)，但這些技術(shù)都存在不足。例如，薄的勢壘層技術(shù)不需使用刻蝕工藝，所以帶來的損傷小，但是由于較薄的勢壘層，器件的飽和電流較小。又例如，F(xiàn)等離子處理也能實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT器件，并且不需要刻蝕，但是F的等離子體在注入的過程中也會(huì)刻蝕勢壘層，造成器件性能的降低。

因而，業(yè)界亟待發(fā)展出一種易于實(shí)施，重復(fù)性好，且能有效保證器件性能的增強(qiáng)型HEMT器件的實(shí)現(xiàn)方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的主要目的在于提出一種通過極性控制實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT的方法及增強(qiáng)型HEMT。

為實(shí)現(xiàn)前述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括：

在一些實(shí)施例中提供了一種增強(qiáng)型HEMT，包括：主要由作為溝道層的第一半導(dǎo)體層和作為勢壘層的第二半導(dǎo)體層組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，以及，與所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)連接的源、漏、柵電極；所述源、漏電極通過形成于異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣電連接，所述柵電極分布于源、漏電極之間；其中，分布于柵電極正下方的第一半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料及第二半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料均具有設(shè)定極性，使得當(dāng)在所述柵電極施加零偏壓或者沒有施加偏壓時(shí)，于所述柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)無二維電子氣的積累，而當(dāng)在所述柵電極電壓大于閾值電壓時(shí)，能夠于所述柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)形成二維電子氣。

在一些實(shí)施例中，分布于柵電極正下方的第一半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料及第二半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料的極性均與第一半導(dǎo)體層內(nèi)其余區(qū)域的組成材料及第二半導(dǎo)體層內(nèi)其余區(qū)域的組成材料的極性相反。

在一些實(shí)施例中提供了一種通過極性控制實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT的方法，其包括：

在襯底上依次生長主要由作為溝道層的第一半導(dǎo)體層和作為勢壘層的第二半導(dǎo)體層組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，且使分布于柵電極正下方的第一半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料及第二半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料均具有設(shè)定極性，從而使得當(dāng)在所述柵電極施加零偏壓或者沒有施加偏壓時(shí)，于所述柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)無二維電子氣的積累，而當(dāng)在所述柵電極電壓大于閾值電壓時(shí)，能夠于所述柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)形成二維電子氣；

以及，制作源、漏、柵電極，并使所述源、漏電極能夠通過形成于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣電連接，且使所述柵電極分布于源、漏電極之間。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括：通過在材料生長過程中控制材料的極性而實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)型HEMT器件(例如增強(qiáng)型GaN基HEMT器件)，優(yōu)選的，其中材料極性的控制是通過對襯底進(jìn)行圖形化處理而實(shí)現(xiàn)，其可有效的保證異質(zhì)結(jié)構(gòu)處材料的晶體質(zhì)量，從而使器件的整體性能不受到或者受到較小的影響，并且在實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT的過程中沒有引入等離子體的刻蝕，較小了器件的損傷，具有工藝簡單，重復(fù)性高，成本低廉，易于進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)等特點(diǎn)。

附圖說明

圖1是普通耗盡型GaN HEMT器件的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是普通增強(qiáng)型GaN HEMT器件的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明一典型實(shí)施方案采用極性控制實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明一典型實(shí)施方案采用極性控制實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型MISHEMT的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明一典型實(shí)施方案采用極性控制實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT的能帶示意圖；

附圖標(biāo)記說明：襯底1、氮化鎵2、氮化鋁3、勢壘層4、源電極5、漏電極6、二維電子氣7、柵電極8、種子層9、氮極性區(qū)域10、柵介質(zhì)11。

具體實(shí)施方式

下文將對本發(fā)明的技術(shù)方案作更為詳盡的解釋說明。但是，應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明范圍內(nèi)，本發(fā)明的上述各技術(shù)特征和在下文(如實(shí)施例)中具體描述的各技術(shù)特征之間都可以互相組合，從而構(gòu)成新的或優(yōu)選的技術(shù)方案。限于篇幅，在此不再一一累述。

本發(fā)明的一個(gè)方面涉及了一種增強(qiáng)型HEMT。在一些實(shí)施例中，所述增強(qiáng)型HEMT包括：主要由作為溝道層的第一半導(dǎo)體層和作為勢壘層的第二半導(dǎo)體層組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，以及，與所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)連接的源、漏、柵電極；所述源、漏電極通過形成于異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣電連接，所述柵電極分布于源、漏電極之間。其中，分布于柵電極正下方的第一半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料及第二半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料均具有設(shè)定極性，使得當(dāng)在所述柵電極施加零偏壓或者沒有施加偏壓時(shí)，于所述柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)無二維電子氣的積累，而當(dāng)在所述柵電極電壓大于閾值電壓時(shí)，能夠于所述柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)形成二維電子氣。

需說明的是，前述的“柵電極下方”主要是指柵電極在異質(zhì)結(jié)構(gòu)上正投影所覆蓋的區(qū)域。

在一些實(shí)施例中，分布于柵電極正下方的第一半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料及第二半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料的極性均與第一半導(dǎo)體層內(nèi)其余區(qū)域的組成材料及第二半導(dǎo)體層內(nèi)其余區(qū)域的組成材料的極性相反。

在一些實(shí)施例中，于所述柵電極與所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間還分布有柵介質(zhì)層，即形成增強(qiáng)型MIS(metal-insulator-semiconductor)HEMT結(jié)構(gòu)。

在一些較為具體的實(shí)施例中，所述增強(qiáng)型HEMT可以包括：主要由GaN層和Al_xGa_(1-x)N (0＜x≤1)層組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，以及，與所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)連接的源、漏、柵電極；所述源、漏電極分布在Al_xGa_(1-x)N層上，并且通過形成于異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣電連接，柵電極設(shè)于源、漏電極之間；分布于柵電極正下方的GaN層的局部區(qū)域的組成材料和Al_xGa_(1-x)N層的局部區(qū)域的組成材料均為N性極化材料，而所述GaN層內(nèi)其余區(qū)域的組成材料及所述Al_xGa_(1-x)N層內(nèi)其余區(qū)域的組成材料均為Ga性極化材料。

在一些實(shí)施例中，所述源、漏電極位于Al_xGa_(1-x)N層表面并且通過歐姆接觸與所述二維電子氣電連接。

在一些實(shí)施例中，分布于所述柵電極下方的半導(dǎo)體材料(尤其是組成所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料)的極性與分布于柵電極下方以外的區(qū)域的半導(dǎo)體材料極性相反。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)柵電極是零偏壓時(shí)，所述HEMT柵下的材料極性為氮極性，二維電子氣無法形成，器件處于斷開狀態(tài)，而當(dāng)在柵電極加正向電壓時(shí)，所述HEMT在柵電極下端積累電子，器件處于處于開啟狀態(tài)。

在一些實(shí)施例中，在所述HEMT工作時(shí)，所述源電極和漏電極分別與電源的低電位和高電位連接。

在一些實(shí)施例中，于形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)第一、第二半導(dǎo)體層之間還可設(shè)有插入層等，其材質(zhì)可以是AlN等，但不限于此。

在一些較為典型的具體實(shí)施例中，一種增強(qiáng)型HEMT的異質(zhì)結(jié)構(gòu)主要由GaN/Al_xGa_(1-x)N(0＜x≤1)組成，源、漏電極位于Al_xGa_(1-x)N表面并且通過歐姆接觸與二維電子氣相連接，柵電極設(shè)于源、漏電極之間，并且柵電極下方的GaN和Al_xGa_(1-x)N材料為N面材料，在此區(qū)域內(nèi)，由于材料極性的改變，在材料內(nèi)部產(chǎn)生的極化電場方向發(fā)生改變，在異質(zhì)結(jié)構(gòu)處無法形成電子的積累，而在柵電極以外的區(qū)域，材料為鎵性極化，所以在異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面處會(huì)產(chǎn)生二維電子氣。因此，可以實(shí)現(xiàn)HEMT器件在零柵偏壓的時(shí)候處于關(guān)斷狀態(tài)，達(dá)到由常開型HEMT器件向常關(guān)型HEMT器件的轉(zhuǎn)變。

前述的GaN/Al_xGa_(1-x)N(0＜x≤1)異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)也可替換為GaN/InAlN等異質(zhì)結(jié)構(gòu)，或業(yè)界所知的其它適用的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的一個(gè)方面還提供了一種通過極性控制實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT的方法。在一些實(shí)施例中，所述方法包括：

在襯底上依次生長主要由作為溝道層的第一半導(dǎo)體層和作為勢壘層的第二半導(dǎo)體層組成 的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，且使分布于柵電極正下方的第一半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料及第二半導(dǎo)體層的局部區(qū)域的組成材料均具有設(shè)定極性，從而使得當(dāng)在所述柵電極施加零偏壓或者沒有施加偏壓時(shí)，于所述柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)無二維電子氣的積累，而當(dāng)在所述柵電極電壓大于閾值電壓時(shí)，能夠于所述柵電極正下方的異質(zhì)結(jié)構(gòu)局部區(qū)域內(nèi)形成二維電子氣；

以及，制作源、漏、柵電極，并使所述源、漏電極能夠通過形成于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣電連接，且使所述柵電極分布于源、漏電極之間。

在一些實(shí)施例中，對于半導(dǎo)體材料極性的控制，可以通過但不限于在襯底上首先生長一層納米級(jí)的種子層(厚度約幾納米到幾百納米，材料可以選擇但不限于選擇氮化鎵，氮化鋁等半導(dǎo)體材料，可以有效的改變生長材料的生長極性即可)，然后通過圖形化的方式刻蝕部分區(qū)域的種子層，實(shí)現(xiàn)帶有種子層區(qū)域和未有種子層區(qū)域生長材料過程中極性的轉(zhuǎn)變。

在一些實(shí)施例中，所述方法具體可以包括：

在襯底上設(shè)置種子層，并對種子層進(jìn)行圖形化處理，且使圖形化種子層所在區(qū)域或從種子層中露出的襯底所在區(qū)域與柵電極的分布區(qū)域?qū)?yīng)，

在圖形化種子層及從圖形化種子層中露出的襯底表面上依次生長第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，其中，生長在種子層上的半導(dǎo)體材料與直接生長在襯底表面的半導(dǎo)體材料極性相反。

在一些較為具體的實(shí)施案例中，所述種子層的組成材料為氮性材料，且生長于圖形化種子層表面的材料為氮性材料，且柵電極在襯底上的正投影覆蓋圖形化種子層。

其中，所述種子層的材質(zhì)可以選擇但不限于選擇氮化鎵，氮化鋁等半導(dǎo)體材料。

在一些實(shí)施例中，所述種子層的生長方式可以選擇但不限于使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)或磁控濺射等。

在一些實(shí)施例中，所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)與柵電極之間設(shè)置柵介質(zhì)層。所述柵介質(zhì)層的材質(zhì)可以選擇但不限于使用Al₂O₃、氮化硅、SiO₂等半導(dǎo)體介質(zhì)。

本發(fā)明通過在半導(dǎo)體材料生長過程中對材料極性進(jìn)行控制，即可有效實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT器件，不會(huì)引入等離子體等對材料的損傷，因而可保障器件性能，且具有工藝簡單，重復(fù)性高，成本低廉，易于進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)等特點(diǎn)。

以下結(jié)合附圖等對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的解釋說明。

參閱圖1，對于普通HEMT器件(以AlGaN/GaN器件為例，如下均簡稱“器件”)，一般而言，當(dāng)在柵電極8施加零偏壓或者沒有施加偏壓時(shí)，漏電極6和源電極5都與二維電子 氣7相連接，所以器件的漏電極6和源電極5是導(dǎo)通的，器件處于開啟狀態(tài)，一般稱這種器件為耗盡型HEMT器件，也可以稱作常開型HEMT器件。在器件關(guān)斷過程中，柵電極必須施加一定的負(fù)偏壓，并且所加偏壓V<Vth，將柵下二維電子耗盡，在實(shí)際的應(yīng)用過程中，存在功耗高和安全性方面的問題。

參閱圖2，對于普通增強(qiáng)型HEMT器件而言，當(dāng)在柵電極8施加零偏壓或者沒有施加偏壓時(shí)，由于柵電極8下面的二維電子氣被耗盡，所以源電極5和漏電極6處于斷開狀態(tài)，一般稱這種器件為增強(qiáng)型HEMT器件，也可以稱作常關(guān)型HEMT器件。為了使器件處于開啟狀態(tài)，必須使柵電極的下端積累電子，實(shí)現(xiàn)源電極5和漏電極6之間的連接，當(dāng)柵電極8加偏壓達(dá)到Vg>Vth時(shí)，Vth為器件的閾值電壓，對于增強(qiáng)型HEMT器件一般Vth為正值，器件開啟。

參閱圖3是本發(fā)明一典型實(shí)施方案中采用極性控制方法所實(shí)現(xiàn)的增強(qiáng)型HEMT的結(jié)構(gòu)示意圖。

而一種實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT的方法可以包括：首先，在襯底1上生長一層用來改變材料極性的種子層9，生長方式可以選擇但不限于使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)或磁控濺射等。然后通過圖形化的方法，將柵下的種子層刻蝕干凈，進(jìn)行材料的外延生長，在外延過程中，生長在種子層9上的材料和直接生長在襯底上的材料10的極性相反，所以可以實(shí)現(xiàn)在柵電極區(qū)域，無法形成二維電子氣的積累，在柵電極區(qū)域以外，由于勢壘層4和溝道層的自發(fā)極化和壓電極化，會(huì)形成高濃度的二維電子氣。當(dāng)在柵電極8施加零偏壓或者沒有施加偏壓時(shí)，漏電極6和源電極5都與二維電子氣7相連接，但在器件的柵電極下方?jīng)]有二維電子氣的積累，所以器件的漏電極6和源電極5是斷開的，器件處于關(guān)閉狀態(tài)，當(dāng)柵壓大于閾值電壓時(shí)，柵電極的下端積累電子，實(shí)現(xiàn)源電極5和漏電極6之間的連接，器件導(dǎo)通，所以器件為常關(guān)型GaN HEMT器件。

參閱圖4是本發(fā)明一典型實(shí)施方案中采用極性控制的方法實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型MISHEMT的示意圖；首先，在襯底1上，生長一層用來改變材料極性的種子層9，生長方式可以選擇但不限于使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)或磁控濺射等。然后通過圖形化方法，將柵下的種子層刻蝕干凈，進(jìn)行材料的外延生長。其中，圖形化方法可以利用業(yè)界知悉的任何合適方式，例如光刻、濕法或干法刻蝕等方式實(shí)現(xiàn)。進(jìn)而，在外延生長過程中，生長在種子層9上的半導(dǎo)體材料和直接生長在襯底上的半導(dǎo)體材料10的極性相反，所以可以 實(shí)現(xiàn)在柵電極區(qū)域，無法形成二維電子氣的積累，在柵電極區(qū)域以外，由于勢壘層4和溝道層的自發(fā)極化和壓電極化，會(huì)形成高濃度的二維電子氣。為減小柵漏電和增加?xùn)艛[幅，在勢壘層4和柵電極8之間插入一層?xùn)沤橘|(zhì)11，柵介質(zhì)的材質(zhì)可以選擇但不限于二氧化硅、氮化硅和氧化鋁等半導(dǎo)體。

參閱圖5是本發(fā)明一典型實(shí)施方案采用極性控制實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT的能帶示意圖；由能帶示意圖可以得到，不同極性GaN材料的能帶彎曲時(shí)相反的，對于鎵面材料而言，如果勢壘層是GaN，那么在異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面處由于能帶無法形成量子阱限制二維電子氣，所以沒有電子的積累。因而可以通過極化的不同實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT器件。

實(shí)施例請參考圖3，首先在襯底1上生長種子層9，其材質(zhì)可以選擇但不限于選擇氮化鎵，氮化鋁等半導(dǎo)體材料，生長方式可以選擇但不限于使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)或磁控濺射等。生長的種子層為氮性材料，對于前述樣品進(jìn)行圖形化，在帶有種子層的上方生長的材料為氮性材料，并且氮性材料在柵電極的覆蓋之下。在柵電極以外為鎵性半導(dǎo)體材料，通過外延技術(shù)，依次在襯底1上生長溝道層2，空間層3和勢壘層4，在這里只表示出HEMT器件的基本結(jié)構(gòu)和外延結(jié)構(gòu)，在實(shí)際的外延和器件制作過程中，還會(huì)涉及緩沖層、高阻層和蓋帽層等結(jié)構(gòu)，而形成這些結(jié)構(gòu)的方法均可以采用業(yè)界已知的合適方式。以及，在器件的制作過程中，可首先進(jìn)行臺(tái)面隔離，隔離方式可以選擇但不限于使用離子注入隔離和臺(tái)面刻蝕隔離(如使用氯等離子體)，然后通過設(shè)計(jì)的掩膜版和光刻技術(shù)在樣品表面形成源、漏電極的圖形化，然后再沉積金屬，一般選擇沉積鈦/鋁/鎳/金(Ti/Al/Ni/Au 20nm/130nm/50nm/150nm)等多層金屬，金屬沉積后將源、漏電極外的金屬剝離干凈，進(jìn)行快速退火(890℃30秒)，退火后源電極5和漏電極6與二維電子氣7相連接。然后通過光刻的方法形成柵金屬的圖形，沉積柵金屬(一般選擇Ni/Au 50nm/150nm)和剝離工藝，形成柵電極，柵電極完全覆蓋氮性氮化鎵材料。在一些較為優(yōu)選的實(shí)施方案之中，為了提高器件的性能，還可以采取一些鈍化方式，這些都是通過業(yè)界已知的合適方式實(shí)現(xiàn)的。

又及，為減小柵漏電和增加?xùn)艛[幅，本發(fā)明也適合制作MISHEMT器件，其可通過在勢壘層4和柵電極8之間插入至少一層?xùn)沤橘|(zhì)11而實(shí)現(xiàn)。其中，柵介質(zhì)可以選擇但不限于二氧化硅、氮化硅和氧化鋁等半導(dǎo)體材料。

該HEMT的工作原理如下：參閱圖2，閾值電壓Vth為正值，當(dāng)柵電壓Vg<Vth時(shí)，由于柵下為氮性半導(dǎo)體材料，由于極化電場的轉(zhuǎn)變，在異質(zhì)結(jié)構(gòu)處無法形成二維電子氣，所以 源電極5和漏電極6處于斷開，所以器件處于斷開狀態(tài)。當(dāng)柵電壓Vg>Vth時(shí)，柵下區(qū)域會(huì)積累電子，積累的電子形成新的導(dǎo)通溝道，使源電極5和漏電極6導(dǎo)通，器件處于開啟狀態(tài)。

應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。