本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是涉及一種具有多種不同外延層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，隨著場(chǎng)效晶體管(field effect transistors,FETs)元件尺寸持續(xù)地縮小，現(xiàn)有平面式(planar)場(chǎng)效晶體管元件的發(fā)展已面臨制作工藝上的極限。為了克服制作工藝限制，以非平面(non-planar)的場(chǎng)效晶體管元件，例如鰭狀場(chǎng)效晶體管(fin field effect transistor,Fin FET)元件來(lái)取代平面晶體管元件已成為目前的主流發(fā)展趨勢(shì)。由于鰭狀場(chǎng)效晶體管元件的立體結(jié)構(gòu)可增加?xùn)艠O與鰭狀結(jié)構(gòu)的接觸面積，因此，可進(jìn)一步增加?xùn)艠O對(duì)于載流子通道區(qū)域的控制，從而降低小尺寸元件面臨的漏極引發(fā)能帶降低(drain induced barrier lowering,DIBL)效應(yīng)，并可以抑制短通道效應(yīng)(short channel effect,SCE)。再者，由于鰭狀場(chǎng)效晶體管元件在同樣的柵極長(zhǎng)度下會(huì)具有更寬的通道寬度，因而可獲得加倍的漏極驅(qū)動(dòng)電流。甚而，晶體管元件的臨界電壓(threshold voltage)也可通過調(diào)整柵極的功函數(shù)而加以調(diào)控。

然而，在現(xiàn)行的鰭狀場(chǎng)效晶體管元件制作工藝中，鰭狀結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)仍存在許多瓶頸，除了影響通道區(qū)載流子的遷移率之外，又影響元件的整體電性表現(xiàn)。因此如何改良現(xiàn)有鰭狀場(chǎng)效晶體管制作工藝即為現(xiàn)今一重要課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件，包含一基底，其上定義有一第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域以及一第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域，多條第一鰭狀結(jié)構(gòu)位于該基底上并位于該第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)，以及多條第二鰭狀結(jié)構(gòu)位于該基底上并位于該第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)，多個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)位于該第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)，橫跨該多條第一鰭狀結(jié)構(gòu)，以及多個(gè)第二柵極結(jié)構(gòu)位于該第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)，橫跨該多條第二鰭狀結(jié)構(gòu)，以及至少兩第一冠狀外延層，設(shè)置于該第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域 內(nèi)，且位于各該第一柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以及多個(gè)第二外延層，設(shè)置于該第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)，位于各該第二柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，其中該第一冠狀外延層位于該第一柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的一第一凹槽內(nèi)，該第一凹槽具有一平坦底面，且同時(shí)接觸該多個(gè)第一鰭狀結(jié)構(gòu)，另外該第二外延層的形狀與該第一冠狀外延層不同。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件，包含一基底，其上定義有一第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域，該第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)包含有一第一區(qū)域以及一第二區(qū)域，多條第一鰭狀結(jié)構(gòu)位于該基底上并位于該第一區(qū)域內(nèi)，以及多條第二鰭狀結(jié)構(gòu)位于該基底上并位于該第二區(qū)域內(nèi)，多個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)位于該第一區(qū)域內(nèi)，橫跨該多條第一鰭狀結(jié)構(gòu)，以及多個(gè)第二柵極結(jié)構(gòu)位于該第二區(qū)域內(nèi)，橫跨該多條第二鰭狀結(jié)構(gòu)，以及至少兩第一冠狀外延層，設(shè)置于該第一區(qū)域內(nèi)，且位于各該第一柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以及多個(gè)第二外延層，設(shè)置于該第二區(qū)域內(nèi)，位于各該第二柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，其中該第一冠狀外延層位于該第一柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的一第一凹槽內(nèi)，該第一凹槽具有一平坦底面，且同時(shí)接觸該多個(gè)第一鰭狀結(jié)構(gòu),另外該第二外延層的形狀與該第一冠狀外延層不同。

本發(fā)明的特征在于，在同一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之中，不同的導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)，包含有不同形狀的外延層。或者是同一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的同一個(gè)導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)，包含有不同區(qū)域，且各區(qū)域分別包含不同形狀的外延層。本發(fā)明將不同形狀的外延層制作于同一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，可提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在應(yīng)用上的靈活性。

附圖說(shuō)明

圖1至圖6為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖，其中圖4為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的立體示意圖；

圖7為本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖8為本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖9為本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖視圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明

10 基底

12 鰭狀結(jié)構(gòu)

13 淺溝隔離

14 光致抗蝕劑圖案

16 凹槽

20 絕緣層

30 柵極結(jié)構(gòu)

32 柵極介電層

34 柵極導(dǎo)電層

36 帽蓋層

100 第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域

100A 第一區(qū)域

100B 第二區(qū)域

100C 第三區(qū)域

100D 第四區(qū)域

112 鰭狀結(jié)構(gòu)

130 柵極結(jié)構(gòu)

139 掩模層

140 凹槽

150 冠狀外延層

150A 冠狀外延層

152 底面

154 頂面

200 第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域

212 鰭狀結(jié)構(gòu)

212’ 次鰭狀結(jié)構(gòu)

230 柵極結(jié)構(gòu)

240 次外延層

240B 次外延層

250 牙狀外延層

250C 牙狀外延層

252 凹槽

254 上表面

260 冠狀外延層

260D 冠狀外延層

A1 區(qū)域

P1 蝕刻步驟

P2 鰭狀切割步驟

P3 選擇性外延成長(zhǎng)步驟

P4 選擇性外延成長(zhǎng)步驟

P5 選擇性外延成長(zhǎng)步驟

具體實(shí)施方式

為使熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附的附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。

為了方便說(shuō)明，本發(fā)明的各附圖僅為示意以更容易了解本發(fā)明，其詳細(xì)的比例可依照設(shè)計(jì)的需求進(jìn)行調(diào)整。在文中所描述對(duì)于圖形中相對(duì)元件的上下關(guān)系，在本領(lǐng)域的人都應(yīng)能理解其是指物件的相對(duì)位置而言，因此都可以翻轉(zhuǎn)而呈現(xiàn)相同的構(gòu)件，此都應(yīng)同屬本說(shuō)明書所揭露的范圍，在此容先敘明。

圖1至圖5繪示了本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1繪示了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于初始階段的剖視圖。如圖1所示，首先，提供一基底10，基底10上設(shè)置有多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)12?；?0除了塊硅基底之外，上述基底10也可例如是一含硅基底、一三五族半導(dǎo)體覆硅基底(例如GaAs-on-silicon)、一石墨烯覆硅基底(graphene-on-silicon)或硅覆絕緣(silicon-on-insulator,SOI)基底、氧化硅基底(silicon dioxide)、鋁化硅基底(aluminum oxide)、藍(lán)寶石基底(sapphire)、含鍺(germanium)基底或是硅鍺合金基底(alloy of silicon and germanium)等半導(dǎo)體基底。

詳細(xì)來(lái)說(shuō)，鰭狀結(jié)構(gòu)12的制備方法可包括下列步驟，但不以此為限。舉例來(lái)說(shuō)，首先提供一塊狀基底(未繪示)，并在其上形成硬掩模層(未繪示)，接著利用光刻以及蝕刻制作工藝，將硬掩模層圖案化，以定義出后續(xù)欲對(duì)應(yīng)形成的鰭狀結(jié)構(gòu)12的位置。接著，進(jìn)行一蝕刻步驟P1，將定義于硬掩模層內(nèi)的圖案轉(zhuǎn)移至塊狀基底中，而形成所需的鰭狀結(jié)構(gòu)12。最后選擇性地去除硬掩模層，便可獲得如圖1所示的結(jié)構(gòu)。在此情況下，鰭狀結(jié)構(gòu)12可視為延伸出自基底10的一表面，且彼此間具有相同的成分組成，例如單 晶硅。另一方面，當(dāng)基底并非選自上述塊狀基底，而是選自于三五族半導(dǎo)體覆硅基底時(shí)，則鰭狀結(jié)構(gòu)的主要組成會(huì)與此基底的三五族半導(dǎo)體組成相同。

接下來(lái)，再利用一光致抗蝕劑圖案14當(dāng)作掩模來(lái)進(jìn)行一鰭狀結(jié)構(gòu)切割(fin-cut)步驟。如圖2所示，經(jīng)過鰭狀切割步驟P2之后，部分鰭狀結(jié)構(gòu)12與部分的基底被移除而形成凹槽16。一般來(lái)說(shuō)，凹槽16所在的區(qū)域?qū)⒃俸罄m(xù)步驟會(huì)被填入絕緣層，而形成例如淺溝隔離(shallow trench isolation,STI)的絕緣區(qū)。而被凹槽16所包圍的區(qū)域A1可定義為半導(dǎo)體元件的主動(dòng)區(qū)，也就是后續(xù)步驟中形成的晶體管等元件的所在區(qū)域。

如圖3所示，移除光致抗蝕劑圖案14后，全面性形成一平坦的絕緣層20于基底10上，覆蓋基底10表面并且填入凹槽16中，然后進(jìn)行一平坦化步驟以及一回蝕刻步驟(圖未示)，以形成淺溝隔離13。絕緣層20例如為氧化硅或是氮化硅等絕緣材質(zhì)。此外，在形成絕緣層20之前，可先選擇性形成一襯墊層(圖未示)于基底10與絕緣層20之間，在此不多加贅述。

圖4繪示了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的立體圖。請(qǐng)注意，為了圖示簡(jiǎn)潔，圖4僅繪出部分半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。如圖4所示，形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)30，位于絕緣層20上并且橫跨于各鰭狀結(jié)構(gòu)12上。其中各柵極結(jié)構(gòu)30可包含一柵極介電層32、一柵極導(dǎo)電層34以及一帽蓋層36。其中柵極介電層32的材料可以包括氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)，或包含介電常數(shù)大于4的介電材料，例如選自氧化鉿(hafnium oxide，HfO₂)、硅酸鉿氧化合物(hafnium silicon oxide，HfSiO₄)、硅酸鉿氮氧化合物(hafnium silicon oxynitride，HfSiON)、氧化鋁(aluminum oxide，Al₂O₃)、氧化鑭(lanthanum oxide，La₂O₃)、氧化鉭(tantalum oxide，Ta₂O₅)、氧化釔(yttrium oxide，Y₂O₃)、氧化鋯(zirconium oxide，ZrO₂)、鈦酸鍶(strontium titanate oxide，SrTiO₃)、硅酸鋯氧化合物(zirconium silicon oxide，ZrSiO₄)、鋯酸鉿(hafnium zirconium oxide，HfZrO₄)、鍶鉍鉭氧化物(strontium bismuth tantalate,SrBi₂Ta₂O₉,SBT)、鋯鈦酸鉛(lead zirconate titanate,PbZr_xTi_1-xO₃,PZT)、鈦酸鋇鍶(barium strontium titanate,Ba_xSr_1-xTiO₃,BST)、或其組合所組成的群組。柵極導(dǎo)電層34的材料可以包括未摻雜的多晶硅、重?fù)诫s的多晶硅、金屬硅化物、或是單層或多層金屬層，金屬層例如功函數(shù)金屬層，阻擋層和低電阻金屬層等。帽蓋層36可包括單層結(jié)構(gòu)或多層的介電材料，例如氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、碳氮化硅(SiCN)，氮氧化硅(SiON)或者其組合。此外，柵極結(jié)構(gòu)30側(cè)壁可含有間隙 壁，但為了附圖簡(jiǎn)潔，間隙壁未被繪于圖4中。

到此步驟為止，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)已經(jīng)形成多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)12于基底10上，并形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)30于基底10上，并且各柵極結(jié)構(gòu)30橫跨至少一鰭狀結(jié)構(gòu)12。接下來(lái)在基底上定義有至少一第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100，以及一第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200，第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100與第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200之間存在有淺溝隔離。其中第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100或第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200各包含有至少一鰭狀結(jié)構(gòu)以及至少一柵極結(jié)構(gòu)位于其中，為了更清楚說(shuō)明，以下段落將位于第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100內(nèi)的鰭狀結(jié)構(gòu)12標(biāo)記為鰭狀結(jié)構(gòu)112，位于第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100內(nèi)的柵極結(jié)構(gòu)30標(biāo)記為柵極結(jié)構(gòu)130，位于第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200內(nèi)的鰭狀結(jié)構(gòu)12標(biāo)記為鰭狀結(jié)構(gòu)212，位于第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200內(nèi)的柵極結(jié)構(gòu)30標(biāo)記為柵極結(jié)構(gòu)230，其結(jié)構(gòu)特征與上述的鰭狀結(jié)構(gòu)12以及柵極結(jié)構(gòu)30相同，在此不另外贅述。

其中，第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100可能為一n型晶體管區(qū)域，而在后續(xù)步驟中形成至少一n型晶體管于第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100內(nèi)，或者是一p型晶體管區(qū)域，而在后續(xù)步驟中形成至少一p型晶體管于第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100內(nèi)。同樣地，第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200也可能包含有一n型晶體管區(qū)域或是一p型晶體管區(qū)域。優(yōu)選地，后續(xù)步驟中，第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100與第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200內(nèi)所包含的晶體管，具有互補(bǔ)的導(dǎo)電型態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，若第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100是一n型晶體管區(qū)域，則第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200是一p型晶體管區(qū)域，但不限于此。以下依序介紹本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所包含的外延層結(jié)構(gòu)。

1.冠狀外延層(crown epitaxial layer)：

請(qǐng)參考圖5～圖6，并一并參考上述的圖3～圖4。圖5～圖6為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖視圖。其中冠狀外延層150形成在第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100內(nèi)。其制作方法包含先形成一具有開口的掩模層139，至少覆蓋部分的鰭狀結(jié)構(gòu)(例如覆蓋于第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200內(nèi))，然后進(jìn)行一蝕刻步驟(例如離子反應(yīng)蝕刻等)，移除部分的鰭狀結(jié)構(gòu)112，在此步驟中，僅有被柵極結(jié)構(gòu)130(請(qǐng)參考圖4的立體結(jié)構(gòu))所覆蓋的部分鰭狀結(jié)構(gòu)未被移除，而其余曝露的鰭狀結(jié)構(gòu)則被完全移除，因此上述蝕刻步驟之后形成至少兩凹槽140(圖5中僅繪出其中一個(gè))，分別位于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。其中凹槽140具有一平坦底面，且凹槽140同時(shí)曝露(或接觸)多個(gè)未被移除的鰭狀結(jié)構(gòu)。

接著再進(jìn)行一選擇性外延成長(zhǎng)(SEG)步驟P3，以于凹槽140內(nèi)形成一冠狀外延層150，冠狀外延層150位于柵極結(jié)構(gòu)130的兩側(cè)。根據(jù)不同實(shí)施例，冠狀外延層150可包含一硅鍺外延層，而適用于一PMOS晶體管，或者冠狀外延層150可包含一硅碳外延層，而適用于一NMOS晶體管。熟悉該項(xiàng)技術(shù)的人士應(yīng)知，在進(jìn)行外延成長(zhǎng)步驟P3時(shí)，冠狀外延層150沿著凹槽140的各表面成長(zhǎng)，但不會(huì)沿著絕緣層表面成長(zhǎng)。因此冠狀外延層150填滿凹槽140，優(yōu)選地，冠狀外延層150具有一平坦底面152以及一平坦頂面154，但不限于此。另外值得注意的是，由于鰭狀結(jié)構(gòu)112僅位于凹槽140旁(位于柵極結(jié)構(gòu)130下方)，而不位于凹槽140內(nèi)，因此冠狀外延層150雖然位于多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)112旁并且直接接觸多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)112，但是卻不會(huì)覆蓋于鰭狀結(jié)構(gòu)112之上。

值得注意的是，本實(shí)施例中冠狀外延層150位于第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100內(nèi)，但本發(fā)明不限于此，冠狀外延層150可能位于其他區(qū)域，也屬于本發(fā)明的涵蓋范圍內(nèi)。

2.次外延層(sub-epitaxial layer)

請(qǐng)繼續(xù)參考圖5～圖6，并且一并參考上述的圖3～圖4。在第二區(qū)域中，形成多個(gè)次外延層240，位于柵極結(jié)構(gòu)230(其位置請(qǐng)參考圖4)旁，且覆蓋于各鰭狀結(jié)構(gòu)212上。與上述冠狀外延層150的制作方法不同在于，制作次外延層240并不需要進(jìn)行蝕刻步驟來(lái)移除鰭狀結(jié)構(gòu)，而是可以直接進(jìn)行一選擇性外延成長(zhǎng)(SEG)步驟P4，于各鰭狀結(jié)構(gòu)212上形成次外延層240。根據(jù)不同實(shí)施例，次外延層240可包含一硅鍺外延層，而適用于一PMOS晶體管，或者次外延層240可包含一硅碳外延層，而適用于一NMOS晶體管。

值得注意的是，本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200內(nèi)，由于未移除鰭狀結(jié)構(gòu)212，因此次外延層240至少會(huì)覆蓋于部分鰭狀結(jié)構(gòu)212的三個(gè)表面，包含一頂面以及兩側(cè)壁。根據(jù)不同實(shí)施例，調(diào)整選擇性外延成長(zhǎng)(SEG)步驟P4的參數(shù)(例如時(shí)間等)，可能導(dǎo)致各次外延層240可能會(huì)彼此分開或是互相聚合(merged)一起。上述方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故不再贅述，但本發(fā)明不以此為限。

3.牙狀外延層(teeth epitaxial layer)：

請(qǐng)參考圖7，并一并參考上述的圖3～圖4。圖7為本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖視圖。其中冠狀外延層150形成在第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域 100內(nèi)。其制作方法與上述第一實(shí)施例相同，在此不另外贅述。另外本實(shí)施例中，至少二牙狀外延層250形成于位于柵極結(jié)構(gòu)230(其位置請(qǐng)參考圖4)旁，其制作方法類似形成冠狀外延層的步驟，包含先形成一具有開口的掩模層(圖未示)，至少覆蓋部分的鰭狀結(jié)構(gòu)212，然后進(jìn)行一蝕刻步驟(例如離子反應(yīng)蝕刻等)，移除部分的鰭狀結(jié)構(gòu)212，在此步驟中，被柵極結(jié)構(gòu)230(請(qǐng)參考圖4的立體結(jié)構(gòu))所覆蓋的部分鰭狀結(jié)構(gòu)212未被移除，而其余曝露的鰭狀結(jié)構(gòu)則被部分移除，而形成多個(gè)次鰭狀結(jié)構(gòu)212’，各次鰭狀結(jié)構(gòu)212’由位于柵極結(jié)構(gòu)230正下方，未被移除的鰭狀結(jié)構(gòu)212延伸出來(lái)，并且次鰭狀結(jié)構(gòu)212’的高度較第二鰭狀結(jié)構(gòu)212的高度低。因此上述蝕刻步驟之后形成至少兩凹槽252(圖6中僅繪出其中一個(gè))，分別位于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。其中凹槽252內(nèi)包含有多個(gè)次鰭狀結(jié)構(gòu)212’。

接著再進(jìn)行一選擇性外延成長(zhǎng)(SEG)步驟P5，以于凹槽252內(nèi)形成一牙狀外延層250，牙狀外延層250位于柵極結(jié)構(gòu)230的兩側(cè)。根據(jù)不同實(shí)施例，牙狀外延層250可包含一硅鍺外延層，而適用于一PMOS晶體管，或者牙狀外延層250可包含一硅碳外延層，而適用于一NMOS晶體管。熟悉該項(xiàng)技術(shù)的人士應(yīng)知，在進(jìn)行外延成長(zhǎng)步驟P5時(shí)，牙狀外延層250沿著凹槽252的各表面成長(zhǎng)，且凹槽252內(nèi)包含有多個(gè)次鰭狀結(jié)構(gòu)212’，因此牙狀外延層250填滿凹槽250，同時(shí)，牙狀外延層250的一上表面254應(yīng)具有凹凸輪廓。此外，牙狀外延層250直接覆蓋于次鰭狀結(jié)構(gòu)212’正上方，并且位于鰭狀結(jié)構(gòu)212旁。

請(qǐng)參考圖8，并一并參考上述的圖3～圖4。圖8為本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖視圖。其中冠狀外延層150形成在第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100內(nèi)。其制作方法與上述第一實(shí)施例相同，在此不另外贅述。而第二導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域200內(nèi)則形成有多個(gè)冠狀外延層260，其制作方法也與冠狀外延層150相同，只是在本實(shí)施例中，通過調(diào)整凹槽的深度，冠狀外延層150與冠狀外延層260具有不同的厚度。另外值得注意的是，上述其他形狀的外延層，也可與本實(shí)施例整合，也就是通過調(diào)整制作工藝參數(shù)而改變厚度。舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在其中一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域中包含有一牙狀外延層，在另外一個(gè)導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域中則包含有另一具有不同厚度的牙狀外延層，也屬于本發(fā)明的涵蓋范圍內(nèi)。

此外，上述各實(shí)施例也可以互相整合，舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的一實(shí)施例中， 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在其中一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域中包含有多個(gè)次外延層，在另外一個(gè)導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域中則包含有另一牙狀外延層。僅需要滿足在同一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，包含有不同形狀的外延層，都屬于本發(fā)明涵蓋范圍。

另外，上述各實(shí)施例中揭露在同一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，不同的導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域中，分別包含有不同形狀的外延層。但是在本發(fā)明中，即使是同一個(gè)導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域中，也可以包含有不同形狀的外延層。請(qǐng)參考圖9，其繪示本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖視圖。本實(shí)施例中，基底10尚包含有多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)12以及柵極結(jié)構(gòu)(圖9未示，可參考前述圖4)，另外第一導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域100中還包含有多個(gè)區(qū)域，例如第一區(qū)域100A、第二區(qū)域100B、第三區(qū)域100C以及第四區(qū)域100D等，各區(qū)域之間以淺溝隔離13相互分隔。在本實(shí)施例中，第一區(qū)域100A內(nèi)包含有至少一冠狀外延層150A、第二區(qū)域100B中內(nèi)包含有至少一次外延層240B、第三區(qū)域100C中內(nèi)包含有至少一牙狀外延層250C、第四區(qū)域100D中則包含有一冠狀外延層260D，其中冠狀外延層260D的厚度與冠狀外延層150A不同。本實(shí)施例中所述的冠狀外延層、次外延層以及牙狀外延層等，其結(jié)構(gòu)特征與制作方法都與上述本案第一至第三實(shí)施例所述相同，在此不另外贅述。

值得注意的是，圖9所示僅為本發(fā)明的其中一實(shí)施例，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的同一個(gè)導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域中，所包含區(qū)域的數(shù)量，或者是各區(qū)域內(nèi)形成的外延層形狀，都可以依照實(shí)施需求調(diào)整，本發(fā)明不以此為限。

綜上所述，本發(fā)明的特征在于，在同一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之中，不同的導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)，包含有不同形狀的外延層。或著是同一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的同一個(gè)導(dǎo)電型態(tài)區(qū)域內(nèi)，包含有不同區(qū)域，且各區(qū)域分別包含不同形狀的外延層。本發(fā)明將不同形狀的外延層制作于同一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，可提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在應(yīng)用上的靈活性。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，都應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。