1.一種存儲(chǔ)元件，其特征在于，包括：
多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，位于襯底上；
多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)，分別位于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)之間的所述襯底上；
多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)，分別位于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的兩側(cè)壁，其中各所述多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)具有空氣間隙；以及
多個(gè)介電層，分別位于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)上，各所述多個(gè)介電層覆蓋各所述多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)的所述空氣間隙的頂面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其特征在于，各所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)體層與位于所述導(dǎo)體層上的頂蓋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其特征在于，各所述多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)包括：
第一部分；以及
第二部分，位于所述第一部分上，其中所述第一部分的底表面與所述第二部分的底表面相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其特征在于，還包括多個(gè)電容器分別位于所述多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其特征在于，各所述多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)包括三層結(jié)構(gòu)或更多層結(jié)構(gòu)。
6.一種存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，包括：
形成多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)于襯底上；
分別形成多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)之間的所述襯底上；
分別形成多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的兩側(cè)壁，其中各所述多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)具有空氣間隙；以及
分別形成多個(gè)介電層于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)上，各所述多個(gè)介電層覆蓋各所述多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)的所述空氣間隙的頂面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，在分別形成所述多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)之間的所述襯底上的步驟，包括：
分別形成多個(gè)第一部分于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)之間的所述襯底上；
移除部分所述多個(gè)第一部分，使得所述多個(gè)第一部分的頂面低于所述多 個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的頂面；
分別形成多個(gè)第二部分于所述多個(gè)第一部分上；以及
移除部分所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，使得所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的頂面低于所述多個(gè)第二部分的頂面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述多個(gè)第一部分的材料包括摻雜多晶硅，所述多個(gè)第二部分的材料包括鎢、鈷、鎳、鋁、銅、鈦、氮化鈦或其組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，分別形成所述多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的兩側(cè)壁的步驟，包括：
分別形成包括至少三層結(jié)構(gòu)的多個(gè)間隙壁材料層于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的兩側(cè)壁，其中各所述多個(gè)間隙壁材料層包括至少一氧化硅；以及
進(jìn)行蝕刻工藝，以移除所述多個(gè)間隙壁材料層中的所述至少一氧化硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，分別形成所述多個(gè)介電層于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)上的步驟，包括：
形成第一介電材料層于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)上；
形成第二介電材料層于所述第一介電材料層上；以及
圖案化所述第二介電材料層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述第一介電材料層的階梯覆蓋率低于所述第二介電材料層。