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嵌埋式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法與流程

文檔序號:12274791閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種嵌埋式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:其包括:

于一載板上形成一第一導(dǎo)電圖案層;

于該第一導(dǎo)電圖案層上形成一第一導(dǎo)電柱層,并露出部分該第一導(dǎo)電圖案層;

于露出的該第一導(dǎo)電圖案層上形成一導(dǎo)電結(jié)合層;

將一電子組件與該導(dǎo)電結(jié)合層連接;

形成一覆蓋該電子組件、該第一導(dǎo)電柱層及該第一導(dǎo)電圖案層的第一介電層,并露出該第一導(dǎo)電柱層的一表面;

于該第一介電層及該第一導(dǎo)電柱層上形成一第二導(dǎo)電圖案層;

于該第二導(dǎo)電圖案層上形成一第二導(dǎo)電柱層;

形成一覆蓋該第一介電層、該第二導(dǎo)電圖案層及該第二導(dǎo)電柱層的第二介電層,并露出該第二導(dǎo)電柱層的一表面;以及

移除該載板。

2.如權(quán)利要求1所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:該第一導(dǎo)電圖案層、該第一導(dǎo)電柱層、該第二導(dǎo)電圖案層及該第二導(dǎo)電柱層以電鍍、濺鍍、蒸鍍或微影蝕刻技術(shù)形成。

3.如權(quán)利要求1所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:該第一導(dǎo)電圖案層及該第二導(dǎo)電圖案層至少其中之一的厚度小于7微米。

4.如權(quán)利要求1所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:該載板為一金屬載板。

5.一種嵌埋式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:包括:

于一載板上形成一第一導(dǎo)電圖案層;

形成一覆蓋部分第一導(dǎo)電圖案層的固定層;

將一電子組件設(shè)置于該固定層上,并露出至少一電性連接墊;

于露出的該第一導(dǎo)電圖案層及該電性連接墊上形成一第一導(dǎo)電柱層;

形成一覆蓋該電子組件、該第一導(dǎo)電柱層及該第一導(dǎo)電圖案層的第一介電層,并露出該第一導(dǎo)電柱層的一表面;

于該第一介電層及該第一導(dǎo)電柱層上形成一第二導(dǎo)電圖案層;

于該第二導(dǎo)電圖案層上形成一第二導(dǎo)電柱層;

形成一覆蓋該第一介電層、該第二導(dǎo)電圖案層及該第二導(dǎo)電柱層的第二介電層,并露出該第二導(dǎo)電柱層的一表面;以及

移除該載板。

6.如權(quán)利要求5所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:該第一導(dǎo)電圖案層、該第一導(dǎo)電柱層、該第二導(dǎo)電圖案層及該第二導(dǎo)電柱層以電鍍、濺鍍、蒸鍍或微影蝕刻技術(shù)形成。

7.如權(quán)利要求5所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:該第一導(dǎo)電圖案層及該第二導(dǎo)電圖案層至少其中之一的厚度小于7微米。

8.如權(quán)利要求5所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:該載板為一金屬載板。

9.一種嵌埋式封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:包括:

一第一介電層,具有相對的一第一表面及一第二表面;

一第一導(dǎo)電圖案層,設(shè)置于該第一介電層中,且該第一導(dǎo)電圖案層的一表面露出該第一介電層的該第一表面;

一第一導(dǎo)電柱層,設(shè)置于該第一介電層中,并與該第一導(dǎo)電圖案層電性連接,且該第一導(dǎo)電柱層的一表面露出該第一介電層的該第二表面;

一電子組件,設(shè)置于該第一介電層中;

一第二介電層,具有相對的一第三表面及一第四表面;

一第二導(dǎo)電圖案層,設(shè)置于該第二介電層中,且該第二導(dǎo)電圖案層的一表面露出該第二介電層的該第三表面而與露出該第二表面的該第一導(dǎo)電柱層電性連接;以及

一第二導(dǎo)電柱層,設(shè)置于該第二介電層中,并與該第二導(dǎo)電圖案層電性連接,且該第二導(dǎo)電柱層的一表面露出該第二介電層的該第四表面。

10.如權(quán)利要求9所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:該電子組件具有至少一電性連接墊,該電性連接墊通過一導(dǎo)電結(jié)合層而與部分該第一導(dǎo)電圖案層電性連接。

11.如權(quán)利要求9所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:該電子組件具有至少一電性連接墊,該電性連接墊與部分該第一導(dǎo)電柱層電性連接。

12.如權(quán)利要求9所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:該電子組件通過一固定層而與部分該第一導(dǎo)電圖案層連結(jié)。

13.如權(quán)利要求9所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:該第一導(dǎo)電圖案層及該第二導(dǎo)電圖案層至少其中之一的厚度小于7微米。

14.如權(quán)利要求9所述的嵌埋式封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:該電子組件與該第一介電層的該第一表面之間具有一第一距離,該電子組件與該第二介電層的該第四表面之間具有一第二距離,該第一距離不同于該第二距離。

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