技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法和電子裝置，提供具有PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域的半導(dǎo)體襯底，PMOS區(qū)域包括第一虛擬柵極，NMOS區(qū)域包括第二虛擬柵極，在半導(dǎo)體襯底上還形成有環(huán)繞第一和第二虛擬柵極并露出第一和第二虛擬柵極頂面的層間介電層；去除第一虛擬柵極以形成溝槽；在溝槽中和層間介電層上沉積形成功函數(shù)金屬層；執(zhí)行平坦化工藝；在半導(dǎo)體襯底上形成具有拉伸應(yīng)力的硬掩膜層；執(zhí)行退火工藝，以使功函數(shù)金屬層記憶部分或者全部硬掩膜層的拉伸應(yīng)力。該方法減少了PMOS區(qū)域中功函數(shù)金屬層的損傷，同時沒有影響器件性能和結(jié)構(gòu)，進而避免了在晶片邊緣的SWL失效的問題，最終提高了器件的良品率。

技術(shù)研發(fā)人員：張城龍;紀(jì)世良;張海洋
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201510264465
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.21
技術(shù)公布日：2017.01.04