1.一種互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
形成基底，所述基底內(nèi)形成有前層待連接件；
在所述基底上形成圖形化的第一光刻膠層，所述第一光刻膠層在前層待連接件上方形成有第一開口，所述第一開口用于定義插塞的位置；
對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行硬化處理；
在硬化后的所述第一光刻膠層上形成填充層，所述填充層填滿所述第一開口并覆蓋所述第一光刻膠層；
在所述填充層上形成圖形化的第二光刻膠層，所述第二光刻膠層在前層待連接件上方形成有第二開口，所述第二開口大于所述第一開口，所述第二開口用于定義后層待連接件的位置；
以所述第二光刻膠層為掩模，去除第二開口底部的填充層，形成露出第一光刻膠層的第三開口，所述第三開口包括用于定義后層待連接件位置的溝槽和位于溝槽底部用于定義插塞位置的接觸孔；
將所述第三開口的圖形轉(zhuǎn)移到所述基底內(nèi)，在所述基底內(nèi)形成露出前層待連接件的第四開口；
向所述第四開口中填充導(dǎo)電材料，以形成互連結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行硬化處理的步驟包括：采用紫外光照射或加熱處理的方式對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行硬化處理。
3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行硬化處理的步驟之后，形成填充層的步驟之前，所述形成方法還包括：形成保形覆蓋硬化后的所述第一光刻膠層和第一開口底部基底的保形層。
4.如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述保形層的材料為氧化硅。
5.如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述保形層的步驟包括：采用原子層沉積的方式形成所述保形層。
6.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，采用原子層沉積的方式形成 所述保形層的步驟包括：形成所述保形層的溫度為160攝氏度至200攝氏度。
7.如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述保形層的步驟包括：所述保形層的厚度為600埃至1000埃。
8.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步驟包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成前層待連接件；形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和所述前層待連接件的層間介質(zhì)層；
將所述第三開口的圖形轉(zhuǎn)移到所述基底內(nèi)的步驟包括：將第三開口的圖形轉(zhuǎn)移到所述層間介質(zhì)層中，在所述層間介質(zhì)層中形成露出所述前層待連接件的第四開口。
9.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步驟之后，形成圖形化的第一光刻膠層的步驟之前，所述形成方法還包括：
在所述基底上依次形成氧化層和第一底部抗反射層。
10.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述填充層為有機(jī)絕緣材料層。
11.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述填充層的步驟包括：采用旋涂的工藝形成所述填充層。
12.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成填充層的步驟之后，形成圖形化的第二光刻膠層的步驟之前，所述形成方法還包括：在所述填充層上形成第二底部抗反射層。
13.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除第二開口底部的填充層，形成露出第一光刻膠層的第三開口的步驟包括：以第二光刻膠為掩模，采用等離子體干法刻蝕方法去除第二開口底部的填充層，形成第三開口。
14.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，將所述第三開口的圖形轉(zhuǎn)移到所述基底內(nèi)的步驟包括：
以剩余的填充層為掩模，對(duì)所述第一光刻膠層和所述基底進(jìn)行第一刻蝕，去除未被剩余的填充層覆蓋的部分第一光刻膠層和未被第一光刻膠層覆蓋的 部分基底；
以剩余的第一光刻膠層為掩模，對(duì)所述基底進(jìn)行第二刻蝕，去除未被剩余第一光刻膠層覆蓋的部分基底；
以剩余的所述第一光刻膠層為掩模，對(duì)所述基底進(jìn)行第三刻蝕，去除剩余的第一光刻膠層和部分基底，形成露出前層待連接件的第四開口。
15.如權(quán)利要求14所述的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕、第二刻蝕和第三刻蝕中的一個(gè)或多個(gè)步驟包括：采用等離子體干法刻蝕方法進(jìn)行刻蝕。
16.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為金屬材料。