技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導體制作領(lǐng)域，尤其涉及一種超結(jié)半導體器件的外延片及其制作方法，包括：依次設(shè)置的襯底和漂移區(qū)，所述襯底由第一導電類型外延層形成，所述漂移區(qū)由第一導電類型的半導體單晶片形成；所述漂移區(qū)內(nèi)包括間隔設(shè)置的第二導電類型摻雜柱，所述第二導電類型摻雜柱為外延形成的；相鄰的第二導電類型摻雜柱之間的所述第一導電類型的半導體單晶片構(gòu)成了第一導電類型摻雜柱；所述第一導電類型摻雜柱與所述第二導電類型摻雜柱之間設(shè)置有第一介質(zhì)層。本發(fā)明解決了由于雜質(zhì)擴散而破壞摻雜離子的理想分布，出現(xiàn)電荷不平衡，使超結(jié)器件耐壓下降的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：李理;馬萬里;趙圣哲
受保護的技術(shù)使用者：北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號碼：201510173299
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.13
技術(shù)公布日：2016.11.23