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技術(shù)編號：11836791

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，尤其涉及一種超結(jié)半導(dǎo)體器件的外延片及其制作方法。背景技術(shù)溝槽型垂直雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管(VDMOS)的漏源兩極分別在器件的兩側(cè)，使電流在器件內(nèi)部垂直流通，增加了電流密度，改善了額定電流，單位面積的導(dǎo)通電阻也較小，是一種用途非常廣泛的功率器件。傳統(tǒng)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)通常采用VDMOS結(jié)構(gòu)，為了承受高耐壓，需降低漂移區(qū)摻雜濃度或者增加漂移區(qū)厚度，這帶來的直接后果是導(dǎo)通電阻急劇增大。超結(jié)MOSFET采用交替的P-N結(jié)構(gòu)替代傳統(tǒng)功率器件中單一導(dǎo)電類型...
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