離子植入機與控制其中離子束的系統(tǒng)相關(guān)申請交叉參考本申請主張于2013年5月3號提申的美國臨時專利申請案第61/819,080號的優(yōu)先權(quán)。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明是關(guān)于一種離子植入裝置，更特別的是，關(guān)于離子植入裝置中的離子束均勻度控制。

背景技術(shù)：
現(xiàn)今用于半導(dǎo)體電子、太陽電池與其他技術(shù)的工業(yè)是仰賴用于摻雜或者調(diào)整硅與其他類型的基板的離子植入系統(tǒng)。典型的離子植入系統(tǒng)通過產(chǎn)生離子束且將其導(dǎo)向至基板內(nèi)使得離子保持在基板下方來進行摻雜。在許多應(yīng)用中，在基板上方掃描具有經(jīng)定義的形狀與離子束區(qū)域(諸如點束或帶束)的離子束，以將物種植入大于離子束區(qū)域的基板區(qū)域內(nèi)?；蛘撸上鄬τ诠潭ㄊ鴣頀呙杌?，或基板與束兩者可彼此相對掃描。在此些情況中的任一中，許多應(yīng)用需要在基板的大部分的上方均勻的植入。一種可由離子束產(chǎn)生的不均一性的類型稱作“微不均一性(micrononuniformity)”，且其表示基板上的不同離子劑量的規(guī)則圖案的存在。此種圖案可顯現(xiàn)為(例如)當(dāng)基板沿著特定方向掃描時，觀察到的不同離子劑量的條紋。其他不均一性可能歸因于離子束性質(zhì)中的高頻率變化，其亦與離子束中的束電流密度中的急劇改變相關(guān)，例如“熱點(hotspot)”。一般而言，直到已經(jīng)處理基板后，可能不會檢測到此種不均一性。此外，依據(jù)給定應(yīng)用的需求，小至數(shù)千分之一或更小的離子劑量的不均一性可能無法被接受。未被檢測到的微不均一性可能因此導(dǎo)致不慎生產(chǎn)中不可用的產(chǎn)品。關(guān)于這些與其他考慮因素，需要本發(fā)明的改進。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
實施例是關(guān)于用于控制離子束的裝置與方法。在一實施例中，一種控制離子植入機中的離子束的系統(tǒng)包括檢測器，所述檢測器沿著垂直于離子束的傳播方向的第一方向進行所述離子束的多個束電流量測。所述系統(tǒng)亦包括分析組件與調(diào)整組件。所述分析組件用以基于所述多個束電流量測來判定束電流輪廓，所述束電流輪廓包括沿著所述第一方向的束電流的變化，而當(dāng)束電流輪廓指示束高度低于閥時，所述調(diào)整組件沿著所述第一方向調(diào)整所述離子束的高度。在另一實施例中，一種離子植入機包括離子源與檢測器，其中所述離子源用于產(chǎn)生離子束，所述檢測器用于沿著垂直于離子束的傳播方向的第一方向進行所述離子束的多個離子束電流量測。所述離子植入機也包括控制器，所述控制器包括至少一個電腦可讀取存儲媒體，其包括指令，是在執(zhí)行時使所述控制器進行：基于所述多個離子束電流量測而判定束電流輪廓，所述束電流輪廓包括沿著所述第一方向的離子束電流的變化；基于所述束電流輪廓，沿著所述第一方向記算束高度；以及當(dāng)經(jīng)計算的束高度低于閥時，傳送指令以進行參數(shù)調(diào)整來沿著所述第一方向增加離子束高度。附圖說明圖1A描繪示例性離子植入機。圖1B描繪示例性控制系統(tǒng)。圖2描繪顯示在第一組離子束條件下處理基板的結(jié)果的平面圖。圖3A描繪在第一組條件下產(chǎn)生的一離子束沿著大致上垂直于離子束行徑方向的第一方向的示例性束電流輪廓。圖3B描繪圖3A的離子束沿著垂直于所述第一方向且大致上垂直于離子束行徑方向的第二方向的示例性束電流輪廓。圖4A描繪在第二組條件下產(chǎn)生的一離子束在沿著大致上垂直于離子束行進方向的第一方向的示例性束電流輪廓。圖4B描繪圖4A的離子束沿著垂直于所述第一方向且大致上垂直于離子束行進方向的第二方向的示例性束電流輪廓。圖5A描繪離子束與示例性束電流檢測器的平面圖。圖5B描繪圖5A的束電流檢測器的一種變形的平面圖。圖6示出第一示例性邏輯流程圖。圖7示出第二示例性邏輯流程圖。附圖標(biāo)記說明：102：離子植入機104：控制系統(tǒng)106：離子源108：磁性分析器110：靜電掃描器112：校正磁鐵114：基板臺116：基板118、202、502：離子束118A：束部分120、500：偵測器124：分析組件126：調(diào)整組件203：束電流輪廓204、206、404、512、514、516、518、520、522：區(qū)300：位準(zhǔn)402、406：離子束輪廓508：像素600、700：流程602、604、606、608、610、612、614、616、702、704、706、708、710、712、714、716、718、720：方塊HB、HB2、H3：高度I：電流P1、P2、P3、P4、P5、P6：點WB、WB2、W3：寬度具體實施方式本文中描述的實施例提供用于處理或控制離子植入機中的離子束的裝置。一種離子植入機的實例包括束線離子植入機。由本實施例涵蓋的離子植入機包括產(chǎn)生具有橫截面為圓形或橢圓形的一般形狀的“點離子束”的離子植入機、以及產(chǎn)生具有狹長的橫截面的“帶離子束”或“帶束”的離子植入機。本領(lǐng)域具有通常知識者將易于理解到，點束的橫截面形狀亦可為不規(guī)則形狀。在本實施例中，提供一種系統(tǒng)以動態(tài)地控制離子植入系統(tǒng)(離子植入機)中的離子束均勻度。所述系統(tǒng)包括檢測器(或檢測系統(tǒng))、分析組件與調(diào)整組件。所述檢測器用以測量或取樣在離子束中的離子束電流。所述分析組件基于經(jīng)取樣的離子束電流來判定離子束中的不均一性。所述調(diào)整組件基于經(jīng)判定的不均一性來調(diào)整離子植入機的參數(shù)。離子植入機的調(diào)整是以動態(tài)方式進行，亦即，當(dāng)離子束被引導(dǎo)通過離子植入機且被測量時，動態(tài)地調(diào)整控制離子束性質(zhì)的參數(shù)?？梢杂诜忾]循環(huán)(closedloop)中嘗試以反復(fù)的方式、透過調(diào)整離子植入裝置的參數(shù)來調(diào)整離子束性質(zhì)，以進行此制程直到代表不均一性之經(jīng)取樣的離子束電流已降至低于閥值(thresholdvalue)。本實施例因此提供微不均一性的潛在原因的即時檢測(real-timedetection)，所述微不均一性可能產(chǎn)生在基板(諸如半導(dǎo)體晶圓)上。這個提供優(yōu)于目前方法的優(yōu)勢，目前的方法為，僅在完成基板處理后(可能于一批或多批基板上制作完整的裝置(completedevices)后)或在完成植入制程后的大量離線測量(extensiveoff-linemeasurement)后檢測微不均一性。針對離子植入機中會導(dǎo)致在基板中產(chǎn)生微不均一性圖案的條件的即時檢測，會促進用于調(diào)整或“微調(diào)”離子束的自動封閉循環(huán)控制。此產(chǎn)生較佳的設(shè)定處理及/或以離子植入機的不同硬件組件而易于檢測問題(包括預(yù)防性維護操作后的不當(dāng)重建)的能力。圖1A描繪束線離子植入機102以及控制系統(tǒng)104的結(jié)構(gòu)。與本實施例一致，所述控制系統(tǒng)104用于動態(tài)地調(diào)整所述束線離子植入機的硬件或組件。所述束線離子植入機102可包括不同的常用組件，包括離子源106、磁分析器108、校正磁鐵112與基板臺114。在不同實施例中，所述束線離子植入機102產(chǎn)生如點類型離子束或帶束的離子束118。所述束線離子植入機102可包括不同的額外束處理組件，當(dāng)離子束118自所述離子源106傳播至基板116時，其可塑形、聚焦、加速、減速、且彎曲所述離子束118。舉例來說，可提供靜電掃描器110以相對所述基板116掃描所述離子束118。所述離子植入機102也包括一或多個束電流檢測器120，在一些實施例中其可為法拉第檢測器。所述檢測器120可置于所述束線離子植入機102中的不同位置，且在不同實施例中可為靜止的或可移動的。也可量測提供電至某些植入機光學(xué)元件之關(guān)鍵電源的電流輸出，亦即，電源也可做為“檢測器”。如圖1B中進一步示出，所述檢測器120可形成所述控制系統(tǒng)104的一部分，其動態(tài)地調(diào)整所述離子植入機102的一或多個參數(shù)，以減少所述離子束118的變化。經(jīng)調(diào)整的參數(shù)與所述離子植入機102的一或多個組件相關(guān)，其包括除了描繪于圖1A中的此些組件之外諸如聚焦元件、離子束透鏡、可移動孔隙、束引導(dǎo)組件的任意離子束處理元件。所述實施例不限于本文中?，F(xiàn)轉(zhuǎn)至圖1B，其示出有與各實施例一致的所述控制系統(tǒng)104的細節(jié)。如以下詳述，所述控制系統(tǒng)一般包括檢測器，其經(jīng)設(shè)置以分別在一或多個實例進行離子束的一或多個束電流量測。所述控制系統(tǒng)也包括分析組件，其用于由基于所述一或多個束電流量測，來判定離子束的性質(zhì)。所述控制系統(tǒng)也包括用以調(diào)整離子植入機的參數(shù)的調(diào)整組件，以減少可能由離子束的性質(zhì)變化所產(chǎn)生的不均一性。在不同實施中，所述控制系統(tǒng)可調(diào)整參數(shù)以基于所述分析組件的結(jié)果來增加(例如)離子束的束尺寸。這對于避免通常無法被檢測到的離子束的高頻率變化的效應(yīng)特別有用。此種高頻率變化可能在10kHz或更高的頻率發(fā)生，且特別是在離子束尺寸小于閥及/或離子束電流的梯度大于另一閥的情況下，此種高頻率變化可能誘發(fā)橫跨基板植入劑量的不均一性。當(dāng)離子植入裝置中產(chǎn)生離子束時，所述控制系統(tǒng)104、(且特別是)所述分析組件與束調(diào)整組件經(jīng)設(shè)置，以動態(tài)地減少離子束變化。特別的是，可進行沿著第一方向的束高度及/或離子束電流的梯度的動態(tài)調(diào)整，以減少當(dāng)基板沿著第一方向(亦即沿著束高度的方向)掃描時，可能造成的離子劑量的不均一性。在圖示的實施例中，所述控制系統(tǒng)104經(jīng)設(shè)置以接收所述離子束118的束部分118A，以測量與判定離子束電流以及離子束電流中的變化，并基于離子束電流的被判定變化來適當(dāng)?shù)卣{(diào)整所述離子植入機102的參數(shù)。所述控制系統(tǒng)104包括檢測器120、分析組件124與束調(diào)整組件126。在不同實施例中，由所述檢測器120接收的所述束部分118A可為完整的所述離子束118或僅為少于完整的所述離子束118的部分。所述控制系統(tǒng)104還包括基板掃描器(未示出)，以沿著所述第一方向掃描暴露于離子束的基板，其中所述分析組件124經(jīng)設(shè)置以基于基板掃描器的掃描速率與步階大小來判定所述閥。所述控制系統(tǒng)104與其中的組件可包括不同的硬件元件、軟件元件或其組合。硬件元件的實例可包括設(shè)備、組件、處理器、微處理器、微控制器、電路、電路元件(如電晶體、電阻器、電容器、電感器等)、積體電路、特殊應(yīng)用積體電路(applicationspecificintegratedcircuit，ASIC)、可程序邏輯裝置(programmablelogicdevice，PLD)、數(shù)字信號處理器(digitalsignalprocessor，DSP)、現(xiàn)場可編程門陣列(fieldprogrammablegatearray，F(xiàn)PGA)、存儲器單元、邏輯門(logicgate)、暫存器(register)、半導(dǎo)體設(shè)備、晶片、微晶片、晶片組(chipset)等。軟件元件的實例可包括軟件組件、程序、應(yīng)用、電腦程序、應(yīng)用程序、系統(tǒng)程序、機器程序、操作系統(tǒng)軟件、中間軟件(middleware)、韌體、軟件模塊、常用程序(routine)、子常用程序(subroutine)、函數(shù)、方法、程序、軟件介面、應(yīng)用程序介面(applicationprograminterfaces，API)、指令集(instructionset)、計算代碼(computingcode)、計算機代碼(computercode)、碼段(codesegment)、計算機代碼段(computercodesegment)、字(word)、值(value)、符號或其任意組合。是否使用硬件元件及/或軟件元件來執(zhí)行實施例的決定可根據(jù)對于給定實施所需要的任意數(shù)目的因素而變化，所述因素諸如想要的計算速度、功率位元準(zhǔn)、熱容忍度、處理周期預(yù)算、輸入數(shù)據(jù)速度、輸出數(shù)據(jù)速度、存儲器資源、數(shù)據(jù)匯流排速度與其他設(shè)計或效能限制。在以下討論中，揭露用于沿著特定方向檢測離子束“高度”的不同實施例，以及揭露以沿著所述方向的位置為函數(shù)的束電流的改變(稱作“束電流輪廓”)。此些特征的量測可接著用于判定何時要進行離子植入?yún)?shù)的調(diào)整。在一些實例中，可連續(xù)地測量離子束中的束電流，且以連續(xù)、間歇性或周期性的方式分析來自所述離子束的束電流數(shù)據(jù)。如以下進一步描述，所述控制系統(tǒng)104有能力去即時減少離子束變化，可避免或迅速消除歸因于基板處理期間來自離子束變化的潛在問題(諸如基板上的離子劑量的微不均一性)。特別的是，在不同實施例中，所述控制系統(tǒng)104用以識別與減少或消除所述離子束中的束電流變化，其可能與束尺寸、束形狀以及束性質(zhì)的變化相關(guān)(包括高于數(shù)千Hz的頻率的高頻率變化)。圖2繪示在離子束202的行進方向上，朝下望的基板116的離子植入的上視平面圖。在此視角，所述離子束202具有如其(在任意給定實例)撞擊所述基板116的橫截面所示的點束形狀。所述離子束202可大致上從所述基板的左至右來回掃描(如圖2所見)。在一些情況下，可以平行于直角座標(biāo)的X軸(也稱作“X方向”)的方向進行掃描。然而，其他掃描模式是可能的。同時，所述基板116可被所述基板臺114沿著平行于Y軸的方向驅(qū)動。離子束的掃描(大致上從右至左或反之)可沿著Y方向與基板臺的移動結(jié)合，以如所要的使所述離子束202植入整個基板116或盡可能植入所述基板116的大部分。Z方向表示所述離子束202在所述基板116處的傳播方向。如圖2進一步示出，所述離子束202的特征是沿著平行于Y軸的方向的束高度HB與沿著平行于X軸的方向的束寬度WB。所述束高度HB如一般表示在平行于基板移動方向的方向上之所述離子束202的尺寸。當(dāng)所述基板116沿著平行于Y軸的方向趨動而所述離子束202沿著平行于X軸的方向掃描時，所述離子束202可產(chǎn)生一系列植入?yún)^(qū)(諸如區(qū)204、區(qū)206)，其可根據(jù)經(jīng)設(shè)計的圖案而重疊，以產(chǎn)生均勻的離子植入所述基板116。圖3A與圖3B繪示離子束電流的變化，亦即，所述離子束202的束電流輪廓203。圖3A與圖3B示出束電流(I)為X方向與Y方向位置的函數(shù)，以進一步提供所述離子束202的特性的細節(jié)。如繪示，以位置為函數(shù)的離子束電流在這兩個互相垂直的方向上可大致上具有高斯形狀。參數(shù)(束寬度WB束高度HB)可基于超過給定電流位準(zhǔn)300的所述離子束202的尺寸而定義。為了產(chǎn)生均勻離子植入的圖案，所述離子束202的形狀與尺寸的控制(包括束寬度WB束高度HB的控制)可能是重要的。舉例來說，以位置為函數(shù)的電流I值的改變理想上是漸進式的。由于離子束202在向所述基板116傳播時，其可能經(jīng)受多個不同束線組件，因此當(dāng)離子植入機的組件開始啟動時，所述離子束202可能經(jīng)歷導(dǎo)致束特性改變或偏移所需特性的各種干擾。特別的是，束尺寸與束電流輪廓可能會變化且可能偏離想要的尺寸與束電流輪廓。圖4A與圖4B示出另一離子束的另一束電流輪廓，其示出離子束電流(I)為X方向與Y方向位置的函數(shù)，所述另一離子束具有不同于所述離子束202的特性。如繪示，離子束電流輪廓402、離子束電流輪廓406在X方向與Y方向上各自具有非高斯形狀，且展現(xiàn)不同于離子束202的對應(yīng)者WB與HB的束寬度WB2束高度HB2的值。在示出于圖4B中的特定實例中，HB2小于HB且可能比要達到均勻離子植入的值還小。此外，由以沿著Y方向的位置為函數(shù)的I的改變表示的束電流密度輪廓可能展現(xiàn)大于所需的斜率。例如，在離子束的中心區(qū)，明顯有尖銳的峰電流，在約中心區(qū)所述電流沿著Y方向位置變化而急劇降低。在圖4A中的X方向上明顯有相似的特性。此種束電流密度輪廓的尖銳梯度類型，對于所述基板116在沿著Y方向移動的同時且離子束沿著X方向來回掃描時，要維持均勻離子植入來說可能格外棘手。特別的是，視乎在圖4A與圖4B中的離子束輪廓的圖形的特征是如區(qū)404的“熱點”，在區(qū)404中束電流以位置為函數(shù)快速地變化，且其中每單位面積的束電流密度為過量或大于所需值。當(dāng)于基板上方掃描此種束時，對于在欲植入的基板的完整面積上方提供均勻離子劑量可能是不可能的或困難的。這種在一般無法被即時檢測到的離子束特性的高頻率變化的情況特別棘手。根據(jù)本實施例，提供一種檢測系統(tǒng)與技術(shù)來對離子束進行封閉循環(huán)調(diào)整，以減少或消除當(dāng)束高度及/或熱點問題存在時可能發(fā)生的植入劑量不均一性。圖5A描繪示例性檢測器500與由所述檢測器測量的離子束502的平面圖。在此情況下，所述離子束502繪示為朝下游向著基板(未示出)的橫截面。在不同實施中，所述檢測器500經(jīng)排列以攔截所有所述離子束502或小于整個離子束的部分所述離子束502。如圖5A所繪示，所述離子束502一般可為上述的點束。所述離子束502可(例如)沿著平行于X軸的方向來回掃描(raster)?；迮_可沿著平行于Y軸的方向相對于所述離子束502來移動基板。為確?；鍍?nèi)均勻植入劑量，所述檢測器500經(jīng)設(shè)置以測量所述離子束502的參數(shù)，包括束高度(由圖5A的H3表示)與束電流密度梯度。束寬度是由W3表示。在不同實施例中，所述檢測器500經(jīng)設(shè)置以同時進行多個離子束電流量測。舉例來說，所述檢測器500可經(jīng)設(shè)置為多像素分析器(multi-pixelprofiler)，其中在沿著離子束的多個不同點處進行個別電流量測。在一實例中，為說明起見，在一系列的點P1至點P6分別檢測電流，所述點P1至點P6分布在沿著平行于Y軸方向上(或者在此實例中的“束高度”方向)的不同位置處。因此，根據(jù)不同位置的P1至P6，可在給定實例或在給定間隔之下測量一系列的六個不同離子束電流量測。此種量測類型可產(chǎn)生顯示沿著Y軸的不同位置的離子電流的束電流輪廓。此種量測可接著用于取得束高度(H3)資訊以及離子束電流密度梯度資訊，以判定是否對離子植入機參數(shù)進行調(diào)整，來調(diào)整離子束的特性。當(dāng)然，在其他實施中，可沿著給定方向取得更多的個別束電流量測，來改善束高度判定的精確度。圖5B描繪所述檢測器500的一種變形，其中檢測器像素508的二維陣列各自經(jīng)排列，以攔截小部分所述離子束502。在一實施中，可在繪示的分隔區(qū)512522取樣個別束電流，各個所述分隔區(qū)512-522可自多個像素記錄束電流。各區(qū)512-522可相對于Y軸而對應(yīng)于不同的座標(biāo)，諸如上述的點P1至點P6。以此方式，可進行沿著Y軸的束電流分析，以在所述離子束502的整個橫截面上取樣。在進一步的實施例中，可用其他已知的檢測器來沿著所需方向測量束高度及/或束電流輪廓。與本實施例一致，一旦收集束高度及/或束電流輪廓資訊，就可以在封閉循環(huán)調(diào)整處理中調(diào)整離子束特性。舉例來說，所述檢測器500可位于圖1A的所述檢測器120的一個或多個位置。依據(jù)所述檢測器500的位置，所述分析組件124可判定所述調(diào)整組件126待改變的離子植入機的適當(dāng)參數(shù)。舉例來說，在所述調(diào)整組件126包含于控制器的實施例中，所述控制器可耦接于多個束線組件(包括用于不同組件、可移動的孔隙等的功率源)。所述控制器可被以能在不同組件中調(diào)整的所選參數(shù)來預(yù)設(shè)置，以試圖增加必要的離子束高度以及減少熱點的存在。在一實例中，所述調(diào)整組件126可包括控制軟件，其經(jīng)設(shè)計以傳送控制信號來重新調(diào)整離子植入機的所選參數(shù)，以將束高度增加至離子束高度的閥以上。在一些實施例中，所述調(diào)整組件及/或分析組件可因此經(jīng)設(shè)置，以根據(jù)所述檢測器500的位置來進行合適的硬件/待調(diào)整的參數(shù)的判定。同樣地，所述控制軟件可經(jīng)設(shè)計以傳送控制信號，來重新調(diào)整離子植入機的所選參數(shù)，以減少熱點，其可包括減少沿著Y方向的束電流梯度(亦即，沿著Y方向的束電流的改變率)。舉例來說，當(dāng)確定有熱點時，若所述檢測器500位于聚焦元件的下游，則可通過所述調(diào)整組件傳送控制信號，以指示所述聚焦元件來調(diào)整其參數(shù)而將離子束散焦。在一些實施例中，可傳送多個控制信號來調(diào)整多個不同離子植入機組件的各自的參數(shù)。在不同的實施中，可以反復(fù)或平行方式(parallelfashion)傳送此多個控制信號至不同離子植入機組件。本發(fā)明的離子植入機還包括基板掃描器(未示出)，用以掃描暴露在離子束118的基板116，且至少一電腦可讀取存儲媒體包括指令，是在執(zhí)行時使所述控制器基于所述基板掃描器的掃描速率與步階大小來判定所述閥?？梢韵盗械姆忾]束調(diào)整循環(huán)來進行離子束電流檢測、離子束特性分析以及離子植入機參數(shù)的調(diào)整，直到離子束特性落至可接受范圍內(nèi)。在一實例中，各束調(diào)整循環(huán)可包括判定經(jīng)檢測的離子束的束高度低于閥，以及基于經(jīng)檢測的束高度來傳送信號以調(diào)整離子植入機的一個或多個參數(shù)。在另一實例中，各束調(diào)整循環(huán)可包括確定以沿著給定方向(束電流梯度)的位置為函數(shù)的經(jīng)檢測的束電流的改變過大，接著基于經(jīng)檢測的束電流梯度傳送信號，來調(diào)整離子植入機的一個或多個參數(shù)。舉例來說，可調(diào)整施加至聚焦電極的電壓、可改變磁四極透鏡(magneticquadrupolelens)的強度、或調(diào)整束線中的源操縱器(sourcemanipulator)的Z間隔(Zgap)，以調(diào)整束電流輪廓。在不同實施例中，在檢測到熱點或在束高度低于閥后，可進行數(shù)個束調(diào)整循環(huán)來調(diào)整離子束特性。在一些實施例中，若例如離子束高度太小或者熱點仍持續(xù)，則所述控制系統(tǒng)(諸如控制系統(tǒng)104)可經(jīng)設(shè)置，以在進行給定數(shù)目的束調(diào)整循環(huán)之后終止離子束制程。這可能傳訊給操作器，即離子植入裝置無法自動校正組件，來將離子束電流變化轉(zhuǎn)至可容忍的范圍內(nèi)，且人工介入是必須的。在一特定實施中，在預(yù)定數(shù)目的束調(diào)整循環(huán)之后，若后續(xù)進行的離子束量測表示重新調(diào)整的所選參數(shù)并未在離子束特性中產(chǎn)生想得到的改善，則所述控制系統(tǒng)104可經(jīng)設(shè)置以避免離子束進入晶圓階段。舉例來說，所述控制系統(tǒng)104可傳送控制信號至可停止晶圓制程的連鎖裝置(interlock)，直到經(jīng)檢測的束問題的原因被確認且以其他方式矯正。本文中包括的一組流程圖為用于進行已揭露的結(jié)構(gòu)的新穎態(tài)樣的代表性示例性方法。雖然(為說明簡潔起見)本文中所示的一個或多個方法被繪示及描述為一系列的作動(例如以流程圖或流程圖表的形式)，然而應(yīng)了解且注意到，所述方法并不會被作動的順序所限制，如同一些作動可能(根據(jù)這種方式)以不同順序及/或與本文所述及所示出的其他作動并行而發(fā)生。舉例來說，本領(lǐng)域具有通常知識者將會了解且注意到方法可另外諸如在狀態(tài)圖中被表示為一系列相關(guān)的狀態(tài)或現(xiàn)象。此外，新穎的實施中可能不需要在方法中說明的所有作動。圖6描繪用于控制束電流均勻度的第一示例性流程600。在方塊602處開始流程。在方塊604處進行束高度量測。在方塊606處，針對經(jīng)檢測的離子束來進行電流密度梯度計算?？筛鶕?jù)沿著與用于判定束高度的相同方向的經(jīng)檢測的束電流計算所述電流密度梯度。在方塊608處，判定是否檢測到任何熱點。熱點可對應(yīng)于高于閥的過量的密度梯度。若未檢測到熱點，則持續(xù)流程至方塊614，于此使用電流離子植入機參數(shù)來進行離子植入。若在方塊608檢測到熱點，則進行流程至方塊610。在方塊610處，決定是否嘗試調(diào)整束的次數(shù)超過限制。若超過，則進行流程至方塊616，于此停止離子植入制程。若未超過限制，則進行流程至方塊612，于此進行離子植入裝置的一個或多個選擇的參數(shù)的調(diào)整。接著流程回到方塊604。圖7描繪用于控制束電流均勻度的第二示例性流程700。在方塊702處，設(shè)定起始參數(shù)，以在離子植入裝置中產(chǎn)生離子束。在方塊704處，基板臺接收掃描速率與臺階高度參數(shù)(stepheightparameter)，以掃描待離子束植入的基板。在方塊706處，基于接收的掃描速率與臺階高度參數(shù)來為基板判定束高度閥。在方塊708，在沿著第一方向的多個點處進行多個離子束電流量測。在方塊710處，基于所述多個量測來計算實驗束高度。在方塊710之后，流程進行至方塊712，于此判定是否實驗束高度低于束高度閥。若否，則持續(xù)流程至方塊718，于此使用電流參數(shù)來進行離子植入。若是，則進行流程至方塊714，于此判定是否嘗試調(diào)整束的次數(shù)超過限制。若超過限制，則進行流程至方塊720，于此停止離子植入制程。若未超過限制，則進行流程至方塊716，于此對離子植入裝置選擇的參數(shù)進行調(diào)整，以增加束高度。接著流程回到方塊708。本申請并非由本文所述的特定實施例的范疇所限制。確實，本申請的其他各種實施例以及修改加上本文所述的此些部分將從以上描述與隨附圖式而對本領(lǐng)域具有通常知識者而言為顯而易見。因此，此種其他實施例及修改意圖為落入本申請的范疇中。此外，雖然本申請已為特定目的在特定環(huán)境中的特定實施的上下文中描述于本文中，但是本領(lǐng)域具有通常知識者將辨識到，其用途并非限制于此，且本申請可為任意數(shù)量的目的以任意數(shù)目的環(huán)境有益地實施。因此，權(quán)利要求范圍應(yīng)以本文所述的本申請的全廣度及精神來詮釋。