一種刻蝕裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，公開一種刻蝕裝置，用于對待刻蝕件進行刻蝕，包括下部電極以及頂針，下部電極包括電極本體，還包括形成于電極本體支撐表面的多個第一凸點結構和多個第二凸點結構，第一凸點結構和第二凸點結構交錯排列，沿垂直于電極本體支撐表面的方向上，第一凸點結構的高度大于第二凸點結構的高度，當頂針將放置于下部電極上的待刻蝕件頂起時，第一凸點結構對待刻蝕件提供的摩擦力的方向背離電極本體的中心、且與電極本體的支撐表面之間呈銳角，該刻蝕裝置的下部電極的耐磨性較強，使用時間較長，產(chǎn)品良率高。
【專利說明】
一種刻蝕裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種刻蝕裝置。
【背景技術】
[0002]在液晶顯示技術領域，干法刻蝕裝置中下部電極表面的凸點結構主要用于在刻蝕過程中支撐待刻蝕件，通用的下部電極表面的凸點結構如圖1以及圖2所示，圖1中圓柱型的凸點結構相較于圖2中弧面型的凸點結構與待刻蝕件的接觸面積較大，易產(chǎn)生印花姆拉不良，在圖2中，待刻蝕件OI放置在干法刻蝕機下部電極02表面的凸點結構03上，下部電極02和待刻蝕件01相對設置的表面之間形成用于保證待刻蝕件背面冷卻氣體流通的通道。
[0003]目前，這種通用的凸點結構雖然相對簡單，但是容易產(chǎn)生各種不良，比如常見的印花姆拉不良、靜電放電、待刻蝕件破裂等，嚴重影響產(chǎn)品良率。當頂針03處于上升工位時，如圖3所示，待刻蝕件01的彎曲造成邊緣凸點結構04磨損，造成印花姆拉不良，如圖4所示，凸點結構04的弧形表面被磨平，更容易產(chǎn)生印花姆拉不良以及待刻蝕件01破裂，而更嚴重的磨損如圖5所示，整個凸點結構04被磨平，造成靜電放電以及待刻蝕件01破裂。因此，設計一種耐磨的下部電極就顯得尤為重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種刻蝕裝置，該刻蝕裝置的下部電極的耐磨性較強，使用時間較長，提尚了廣品良率。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明提供以下技術方案:
[0006]一種刻蝕裝置，用于對待刻蝕件進行刻蝕，包括下部電極以及頂針，所述下部電極包括電極本體，還包括形成于所述電極本體支撐表面的多個第一凸點結構和多個第二凸點結構，所述第一凸點結構和所述第二凸點結構交錯排列，沿垂直于所述電極本體支撐表面的方向上，所述第一凸點結構的高度大于所述第二凸點結構的高度，當頂針將放置于所述下部電極上的待刻蝕件頂起時，所述第一凸點結構對待刻蝕件提供的摩擦力的方向背離所述電極本體的中心、且與所述電極本體的支撐表面之間呈銳角。
[0007]在上述刻蝕裝置中，由于第一凸點結構的高度大于第二凸點結構的高度，且第一凸點結構和第二凸點結構交錯排列，第一凸點結構以及第二凸點結構的頂端配合形成凹向電極本體的待刻蝕件支撐面，當頂針將放置于下部電極上的待刻蝕件頂起時，第一凸點結構對待刻蝕件提供背離電極本體的中心、且與電極本體的支撐表面之間呈銳角的摩擦力，與【背景技術】中待刻蝕件受到的摩擦力相比，第一凸點結構對待刻蝕件提供的摩擦力較大，使得在頂針將待刻蝕件頂起過程中待刻蝕件向中心移動的距離減小，從而減少對凸點機構的磨損。
[0008]而由于第一凸點結構的高度大于第二凸點結構的高度，使得第一凸點結構先于第二凸點結構磨損，當?shù)谝煌裹c結構被磨損到與第二凸點結構結構一致時，第一凸點結構和第二凸點結構同時支撐待刻蝕件，因而，上述干法刻蝕機的下部電極的耐磨性較強，使用時間車父長，廣品良率尚。
[0009]優(yōu)選地，所述第一凸點結構為圓柱型凸點或者弧面型凸點，所述第二凸點結構為圓柱型凸點或者弧面型凸點。
[0010]優(yōu)選地，所述第一凸點結構為弧面型凸點，所述弧面型凸點的延伸方向與所述電極本體支撐表面之間成設定角度設置，所述設定角度的開口方向背離所述電極本體支撐面的中心區(qū)域，且小于90°。
[0011]優(yōu)選地，所述設定角度大于等于45°。
[0012]優(yōu)選地，所述設定角度的范圍為60°?80°。
[0013]—種刻蝕裝置，用于對待刻蝕件進行刻蝕，包括下部電極以及頂針，所述下部電極包括電極本體，還包括形成于所述電極本體支撐表面的多個第一凸點結構和多個第二凸點結構，多個所述第一凸點結構沿所述電極本體支撐表面的邊緣區(qū)域設置以用于支撐待刻蝕件的邊緣區(qū)域，所述第二凸點結構設置在所述電極本體支撐表面的中間區(qū)域以用于支撐待刻蝕件的中間區(qū)域;所述第一凸點結構的長度大于第二凸點結構的長度，每一個所述第一凸點結構的長度方向與所述電極本體支撐表面之間成設定角度，所述設定角度的開口方向背離所述電極本體支撐表面的中心區(qū)域，且小于90°;沿垂直于所述電極本體支撐表面的方向，所述第一凸點結構的高度等于所述第二凸點結構的高度，當頂針將放置于所述下部電極上的待刻蝕件頂起時，所述第一凸點結構摩擦機構對待刻蝕件提供的摩擦力的方向背離所述電極本體的中心、且與所述電極本體的支撐表面之間呈銳角。
[0014]在上述刻蝕裝置中，電極本體支撐表面的邊緣區(qū)域設置第一凸點結構，且第一凸點結構的長度方向與電極本體支撐表面之間成設定角度，設定角度的開口方向背離電極本體支撐表面的中心區(qū)域，且小于90°，當頂針將放置于下部電極上的待刻蝕件頂起時，第一凸點結構對待刻蝕件提供的摩擦力的方向背離電極本體的中心、且與電極本體的支撐表面之間呈銳角，使得摩擦力增大，使得在頂針將待刻蝕件頂起過程中待刻蝕件向中心移動的距離減小，從而減少對凸點機構的磨損。
[0015]而由于第一凸點結構先于第二凸點結構磨損，且先磨損第一凸點結構的傾斜部分，當?shù)谝煌裹c結構被磨損到與第二凸點結構結構一致時，第一凸點結構和第二凸點結構同時支撐待刻蝕件，因而，上述干法刻蝕機的下部電極的耐磨性較強，使用時間較長，產(chǎn)品良率高。
[0016]優(yōu)選地，所述第一凸點結構為弧面型凸點。
[0017]優(yōu)選地，所述設定角度大于等于45°。
[0018]優(yōu)選地，所述設定角度的范圍為60°?80°。
【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明【背景技術】提供的一種下部電極的凸點結構的結構示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明【背景技術】提供的一種下部電極的凸點結構的另一結構示意圖；
[0021 ]圖3為圖2所提供的下部電極在頂針升起時的狀態(tài)示意圖；
[0022]圖4為圖2所提供的的凸點結構磨損后的狀態(tài)示意圖；
[0023]圖5為圖2所提供的的凸點結構磨損后的另一狀態(tài)示意圖；
[0024]圖6為本發(fā)明提供的一種下部電極的局部結構示意圖；
[0025]圖7為本發(fā)明提供的一種刻蝕裝置的結構示意圖；
[0026]圖8為本發(fā)明提供的一種下部電極的另一結構示意圖；
[0027]圖9為本發(fā)明提供的一種下部電極的另一結構示意圖；
[0028]圖10為本發(fā)明提供的一種下部電極的另一結構示意圖；
[0029]圖11為本發(fā)明提供的一種下部電極的另一結構示意圖；
[0030]圖12為本發(fā)明提供的一種下部電極的另一結構示意圖。
【具體實施方式】
[0031]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0032]如圖6以及圖7所示，一種刻蝕裝置，用于對待刻蝕件進行刻蝕，包括下部電極以及頂針，下部電極包括電極本體I，還包括形成于電極本體支撐表面的多個第一凸點結構2和多個第二凸點結構3，第一凸點結構2和第二凸點結構3交錯排列，沿垂直于電極本體支撐表面的方向上，第一凸點結構2的高度大于第二凸點結構3的高度，當頂針將放置于下部電極上的待刻蝕件頂起時，第一凸點結構2對待刻蝕件提供的摩擦力的方向背離電極本體I的中心、且與電極本體I的支撐表面之間呈銳角。
[0033]在上述刻蝕裝置中，由于第一凸點結構2的高度大于第二凸點結構3的高度，且第一凸點結構2和第二凸點結構3交錯排列，第一凸點結構2以及第二凸點結構3的頂端配合形成凹向電極本體I的待刻蝕件支撐面4，當頂針將放置于下部電極上的待刻蝕件頂起時，第一凸點結構2對待刻蝕件提供背離電極本體I的中心、且與電極本體I的支撐表面之間呈銳角的摩擦力，與【背景技術】中待刻蝕件受到的摩擦力相比，第一凸點結構2對待刻蝕件提供的摩擦力較大，使得在頂針將待刻蝕件頂起過程中待刻蝕件向中心移動的距離減小，從而減少對凸點機構的磨損。
[0034]而由于第一凸點結構2的高度大于第二凸點結構3的高度，使得第一凸點結構2先于第二凸點結構3磨損，當?shù)谝煌裹c結構2被磨損到與第二凸點結構3結構一致時，第一凸點結構2和第二凸點結構3同時支撐待刻蝕件，因而，上述干法刻蝕機的下部電極的耐磨性較強，使用時間較長，產(chǎn)品良率高。
[0035]—種優(yōu)選實施方式中，第一凸點結構2為圓柱型凸點或者弧面型凸點，第二凸點結構3為圓柱型凸點或者弧面型凸點，弧面型凸點與待刻蝕件是點接觸，摩擦力較小，能夠減少待刻蝕件對弧面型凸點的磨損，而采用圓柱直徑較小的圓柱型凸點，能夠保證待刻蝕件平穩(wěn)地放置在下部電極上。
[0036]第一凸點結構2和第二凸點結構3具有如下優(yōu)選的設置方式:
[0037]方式一，如圖6所示，第一凸點結構2為圓柱型凸點，第二凸點結構3為弧面型凸點；
[0038]方式二，如圖8所示，第一凸點結構2為圓柱型凸點，第二凸點結構3為圓柱型凸點；
[0039]方式三，如圖10所示，第一凸點結構2為弧面型凸點，第二凸點結構3為弧面型凸占.V ，
[0040]方式二，如圖9所示，第一凸點結構2為弧面型凸點，第二凸點結構3為圓柱型凸點。
[0041]在方式一中，由于第一凸點結構2的高度大于第二凸點結構3的高度，相鄰的第一凸點結構2的頂端以及第二凸點結構3的頂端配合形成凹向電極本體I的待刻蝕件支撐面4，位于待刻蝕件支撐面4上的待刻蝕件與第一凸點結構2以及第二凸點結構3之間為點接觸，摩擦力較小，待刻蝕件對第一凸點結構2以及第二凸點結構3的磨損較小。
[0042]在方式二中，由于第一凸點結構2的高度大于第二凸點結構3的高度，相鄰的第一凸點結構2的頂端以及第二凸點結構3的頂部平面配合形成凹向電極本體I的待刻蝕件支撐面4，位于待刻蝕件支撐面4上的待刻蝕件與第一凸點結構2之間為點接觸，摩擦力較小，待刻蝕件對第一凸點結構2的磨損較小，位于待刻蝕件支撐面4上的待刻蝕件與第二凸點結構3之間為面接觸，能夠保證待刻蝕件平穩(wěn)地放置在下部電極上。
[0043]在方式三中，由于第一凸點結構2的高度大于第二凸點結構3的高度，相鄰的第一凸點結構2的頂端以及第二凸點結構3的頂端配合形成凹向電極本體I的待刻蝕件支撐面4，位于待刻蝕件支撐面4上的待刻蝕件與弧面型凸點之間為點接觸，摩擦力較小，待刻蝕件對弧面型凸點的磨損較小。
[0044]在方式三中，由于第一凸點結構2的高度大于第二凸點結構3的高度，相鄰的第一凸點結構2的頂端以及第二凸點結構3的頂部平面配合形成凹向電極本體I的待刻蝕件支撐面4，第一凸點結構2為弧面型凸點，待刻蝕件對第一凸點結構2的磨損較小，位于待刻蝕件支撐面4上的待刻蝕件與第二凸點結構3之間為面接觸，能夠保證待刻蝕件平穩(wěn)地放置在下部電極上。
[0045]—種優(yōu)選實施方式中，如圖11所示，第一凸點結構2為弧面型凸點，弧面型凸點的延伸方向與電極本體支撐表面之間成設定角度設置，設定角度的開口方向背離電極本體支撐面的中心區(qū)域，且小于90°。相鄰的第一凸點結構2的頂端以及第二凸點結構3的頂部平面配合形成凹向電極本體I的待刻蝕件支撐面4，第一凸點結構2為弧面型凸點，待刻蝕件對第一凸點結構2的磨損較小，當?shù)谝煌裹c結構2磨損至與第二凸點結構3高度一致時，在頂針頂起待刻蝕件的過程中，第一凸點結構2對與之相接觸的待刻蝕件提供背離電極本體I的中心、且與電極本體I的支撐表面之間呈銳角的摩擦力，使得摩擦力增大，使得在頂針將待刻蝕件頂起過程中待刻蝕件向中心移動的距離減小，從而減少對凸點機構的磨損。而由于第一凸點結構2的高度大于第二凸點結構3的高度，使得第一凸點結構2先于第二凸點結構3磨損，且先磨損第一凸點結構2的傾斜部分，當?shù)谝煌裹c結構2被磨損到與第二凸點結構3結構一致時，第一凸點結構2和第二凸點結構3同時支撐待刻蝕件。
[0046]具體地，設定角度大于等于45°。根據(jù)下部電極和待刻蝕件的尺寸、厚度等實際情況選擇設定角度，其中，設定角度的可選擇45°、50。、55。、60。、65。、70。、75。、80。、85。。
[0047]具體地，設定角度的范圍為60°?80°，設定角度的可優(yōu)選60°、65°、70°、75°、80°。
[0048]如圖12所示，一種刻蝕裝置，用于對待刻蝕件進行刻蝕，包括下部電極以及頂針，下部電極包括電極本體I，還包括形成于電極本體支撐表面的多個第一凸點結構2和多個第二凸點結構3，多個第一凸點結構2沿電極本體支撐表面的邊緣區(qū)域設置以用于支撐待刻蝕件的邊緣區(qū)域，第二凸點結構3設置在電極本體支撐表面的中間區(qū)域以用于支撐待刻蝕件的中間區(qū)域;第一凸點結構2的長度大于第二凸點結構3的長度，每一個第一凸點結構2的長度方向與電極本體支撐表面之間成設定角度，設定角度的開口方向背離電極本體支撐表面的中心區(qū)域，且小于90° ；沿垂直于電極本體支撐表面的方向，第一凸點結構2的高度等于第二凸點結構3的高度，當頂針將放置于下部電極上的待刻蝕件頂起時，所述第一凸點結構摩擦機構對待刻蝕件提供的摩擦力的方向背離電極本體I的中心、且與電極本體I的支撐表面之間呈銳角。
[0049]在上述刻蝕裝置中，電極本體支撐表面的邊緣區(qū)域設置第一凸點結構2，且第一凸點結構2的長度方向與電極本體支撐表面之間成設定角度，設定角度的開口方向背離電極本體支撐表面的中心區(qū)域，且小于90°，當頂針將放置于下部電極上的待刻蝕件頂起時，第一凸點結構2對待刻蝕件提供的摩擦力的方向背離電極本體的中心、且與電極本體的支撐表面之間呈銳角，使得摩擦力增大，使得在頂針將待刻蝕件頂起過程中待刻蝕件向中心移動的距離減小，從而減少對凸點機構的磨損。
[0050]而由于第一凸點結構2先于第二凸點結構3磨損，且先磨損第一凸點結構2的傾斜部分，當?shù)谝煌裹c結構2被磨損到與第二凸點結構3結構一致時，第一凸點結構2和第二凸點結構3同時支撐待刻蝕件，因而，上述干法刻蝕機的下部電極的耐磨性較強，使用時間較長，廣品良率尚。
[0051]如圖12所示，一種優(yōu)選實施方式中，第一凸點結構2為弧面型凸點，第二凸點結構3為弧面型凸點，當頂針將放置于下部電極上的待刻蝕件頂起時，第一凸點結構2先于第二凸點結構3磨損，且先磨損第一凸點結構2的傾斜部分，當?shù)谝煌裹c結構2被磨損到與第二凸點結構3結構一致時，第一凸點結構2和第二凸點結構3同時支撐待刻蝕件，因而，上述干法刻蝕機的下部電極的耐磨性較強，使用時間較長，產(chǎn)品良率高。
[0052]一種優(yōu)選實施方式中，設定角度大于等于45°。根據(jù)下部電極和待刻蝕件的尺寸、厚度等實際情況選擇設定角度，其中，設定角度的可選擇45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°、80。、85。ο
[0053]具體地，設定角度的范圍為60°?80°，設定角度的可優(yōu)選60°、65°、70°、75°、80°。
[0054]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明實施例進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權項】
1.一種刻蝕裝置，用于對待刻蝕件進行刻蝕，包括下部電極以及頂針，所述下部電極包括電極本體，其特征在于，還包括形成于所述電極本體支撐表面的多個第一凸點結構和多個第二凸點結構，所述第一凸點結構和所述第二凸點結構交錯排列，沿垂直于所述電極本體支撐表面的方向上，所述第一凸點結構的高度大于所述第二凸點結構的高度，當頂針將放置于所述下部電極上的待刻蝕件頂起時，所述第一凸點結構對待刻蝕件提供的摩擦力的方向背離所述電極本體的中心、且與所述電極本體的支撐表面之間呈銳角。2.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述第一凸點結構為圓柱型凸點或者弧面型凸點，所述第二凸點結構為圓柱型凸點或者弧面型凸點。3.根據(jù)權利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述第一凸點結構為弧面型凸點，所述弧面型凸點的延伸方向與所述電極本體支撐表面之間成設定角度，所述設定角度的開口方向背離所述電極本體支撐表面的中心區(qū)域，且小于90°。4.根據(jù)權利要求3所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述設定角度大于等于45°。5.根據(jù)權利要求4所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述設定角度的范圍為60°?80°。6.—種刻蝕裝置，用于對待刻蝕件進行刻蝕，包括下部電極以及頂針，所述下部電極包括電極本體，其特征在于，還包括形成于所述電極本體支撐表面的多個第一凸點結構和多個第二凸點結構，多個所述第一凸點結構沿所述電極本體支撐表面的邊緣區(qū)域設置以用于支撐待刻蝕件的邊緣區(qū)域，所述第二凸點結構設置在所述電極本體支撐表面的中間區(qū)域以用于支撐待刻蝕件的中間區(qū)域;所述第一凸點結構的長度大于第二凸點結構的長度，每一個所述第一凸點結構的長度方向與所述電極本體支撐表面之間成設定角度，所述設定角度的開口方向背離所述電極本體支撐表面的中心區(qū)域，且小于90°;沿垂直于所述電極本體支撐表面的方向，所述第一凸點結構的高度等于所述第二凸點結構的高度，當頂針將放置于所述下部電極上的待刻蝕件頂起時，所述第一凸點結構摩擦機構對待刻蝕件提供的摩擦力的方向背離所述電極本體的中心、且與所述電極本體的支撐表面之間呈銳角。7.根據(jù)權利要求6所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述第一凸點結構為弧面型凸點。8.根據(jù)權利要求6所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述設定角度大于等于45°。9.根據(jù)權利要求8所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述設定角度的范圍為60°?80°。
【文檔編號】G02F1/13GK106094269SQ201610446172
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月20日
【發(fā)明人】劉杰, 李偉, 曲泓銘, 安峰, 徐守宇, 谷柏松, 張益存
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司