集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底及形成于其上的至少一層金屬層，相鄰金屬層之間形成有層間介質(zhì)層；所述金屬層包括至少一條金屬互連線，所述金屬互連線中形成有若干縱向長條形通槽或傾斜長條形通槽，所述金屬互連線的長度大于布萊什長度。本實用新型通過在金屬互連線中設(shè)置縱向或傾斜長條形通槽，使得金屬互連線類似于由若干段短導(dǎo)線連接而成，每一段短導(dǎo)線的長度均小于布萊什長度，從而有效抑制金屬互連線的電遷移，而總的金屬互連線長度又可以遠(yuǎn)大于布萊什長度，從而大幅減少互連金屬層的層數(shù)，降低集成電路復(fù)雜性，提高器件可靠性；橫向長條形通槽可以使應(yīng)力分布更加均勻，進(jìn)一步降低晶界擴散，改善電遷移。
【專利說明】集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，涉及一種集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]電遷移(Electromigrat1n)是由于通電導(dǎo)體內(nèi)的電子運動，把它們的動能傳遞給導(dǎo)體的金屬離子，使離子朝電場反方向運動而逐漸遷移，導(dǎo)致導(dǎo)體的原子擴散，損失的一種現(xiàn)象。由法國科學(xué)家伽拉丁約在100年前發(fā)現(xiàn)的。但到1966年出現(xiàn)集成電路后，才有更多人對它進(jìn)行研究。影響電遷移的重要物理因素主要有溫度、導(dǎo)線的寬度和導(dǎo)線的長度。當(dāng)電遷移效應(yīng)出現(xiàn)時，由于離子流的不對稱性，可造成二種電線路的失敗:1)當(dāng)流走的離子通量超過流入離子通量時；形成空缺，造成開斷電路；2)當(dāng)流入離子流超過流出離子流時，出現(xiàn)“小山丘”，造成電路短路。金屬互連線中，晶格擴散主要包括以下三種過程:晶界擴散，體擴散及表面擴散。
[0003]由于科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，集成電路的密度不斷提高，現(xiàn)已發(fā)展到應(yīng)用納米技術(shù)階段，目前其發(fā)展趨勢如下:電流密度由1E4 A/cm2到3E7 A/cm2 ;線寬由90nm變小到15nm ；線長由lkm/cm2增大到7km/cm2。在這樣高密度的集成電路要求下，如何避免電遷移效應(yīng)的發(fā)生是一個首先要考慮的問題。
[0004]Blech等人于1976年發(fā)現(xiàn)于較短的金屬導(dǎo)線中，并無電遷移效應(yīng)產(chǎn)生，由于電遷移效應(yīng)造成原子從陰極擴散到陽極，因此于陽極產(chǎn)生了一股壓應(yīng)力(compressivestress),此壓應(yīng)力達(dá)到一定程度時即會產(chǎn)生一股反作用力，抵償了由于電遷移引起的金屬原子輸運，因此抑制了電遷移效應(yīng)的產(chǎn)生。而于一定電流密度下，導(dǎo)線長度需要達(dá)到一臨界長度，若導(dǎo)線長度低于該臨界長度則電遷移效應(yīng)將受到抑制，該臨界長度稱為Blech長度(布萊什長度)、Blech特征長度或Blech臨界長度。布萊什長度與電流密度有關(guān)，不同尺寸金屬導(dǎo)線的布萊什長度也不相同。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中基于Blech效應(yīng)將金屬互連線設(shè)置為小于Blech長度，不同金屬互連線之間通過通孔連接，形成長導(dǎo)線。然而，這種方法并不好，需要多層金屬設(shè)計，從而導(dǎo)致器件設(shè)計復(fù)雜化。
[0006]因此，設(shè)計一種新的集成電路中的金屬互連線結(jié)構(gòu)以在避免電遷移效應(yīng)的基礎(chǔ)上延長金屬互連線長度、減少金屬層的層數(shù)、降低器件復(fù)雜性實屬必要。
實用新型內(nèi)容
[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中單根金屬互連線長度太短，需要通過層間通孔將多根金屬互連線進(jìn)行多層互連才能形成長導(dǎo)線、導(dǎo)致器件復(fù)雜性增加、可靠性降低的問題。
[0008]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底及形成于所述半導(dǎo)體襯底上的至少一層金屬層，相鄰金屬層之間形成有層間介質(zhì)層；所述金屬層包括至少一條金屬互連線，所述金屬互連線中形成有若干縱向長條形通槽或傾斜長條形通槽，所述金屬互連線的長度大于布萊什長度。
[0009]可選地，所述金屬互連線中形成有若干橫向長條形通槽及若干縱向長條形通槽。
[0010]可選地，所述縱向長條形通槽在所述金屬互連線長度方向上一一排列，相鄰縱向長條形通槽之間形成有一組橫向長條形通槽，每組橫向長條形通槽至少包括一條橫向長條形通槽。
[0011]可選地，所述縱向長條形通槽的長度至少為所述金屬互連線寬度的二分之一。
[0012]可選地，所述縱向長條形通槽上下兩側(cè)分別形成有一條橫向長條形通槽。
[0013]可選地，所述縱向長條形通槽的長度至少為所述金屬互連線寬度的四分之一。
[0014]可選地，相鄰兩條縱向長條形通槽之間的距離小于布萊什長度。
[0015]可選地，所述金屬互連線中僅形成有若干縱向長條形通槽，相鄰兩條縱向長條形通槽之間的距離小于布萊什長度，所述縱向長條形通槽的長度至少為所述金屬互連線寬度的二分之一。
[0016]可選地，所述金屬互連線中僅形成有若干傾斜長條形通槽，相鄰兩條傾斜長條形通槽之間的距離小于布萊什長度。
[0017]可選地，所述傾斜長條形通槽的傾斜角度范圍是30?150°。
[0018]可選地，所述金屬互連線的長度至少為布萊什長度的兩倍。
[0019]可選地，所述金屬互連線的長度為布萊什長度的10?500倍。
[0020]如上所述，本實用新型的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:1)本實用新型通過在金屬互連線中設(shè)置縱向長條形通槽或傾斜長條形通槽，相鄰兩條縱向長條形通槽或傾斜長條形通槽之間的距離小于布萊什長度，使得金屬互連線類似于由若干段短導(dǎo)線連接而成，每一段短導(dǎo)線的長度均小于布萊什長度，從而有效抑制金屬互連線的電遷移，而總的金屬互連線長度又可以遠(yuǎn)大于布萊什長度，從而大幅減少互連金屬層的層數(shù)，降低集成電路復(fù)雜性，提高器件可靠性；2)本實用新型還可以在縱向長條形通槽的基礎(chǔ)上進(jìn)一步在金屬互連線中設(shè)置橫向長條形通槽，橫向長條形通槽可以使得金屬互連線中的應(yīng)力分布更加均勻，并且對于需要應(yīng)用到較寬金屬互連線(微米或亞微米級別)的情況，如汽車電子領(lǐng)域等要用到大電流的情況，橫向長條形通槽可以進(jìn)一步降低較寬金屬互連線的晶界擴散，改善電遷移。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1顯示為本實用新型的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)中金屬互連線在實施例一中的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2顯示為本實用新型的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)中金屬互連線在實施例二中的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖3顯示為金屬互連線的晶粒分布圖。
[0024]圖4顯示為橫向長條形通槽阻止晶粒相互擴散的示意圖。
[0025]圖5顯示為本實用新型的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)中金屬互連線在實施例三中的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖6顯示為本實用新型的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)中金屬互連線在實施例四中的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]元件標(biāo)號說明
[0028]I金屬互連線
[0029]2縱向長條形通槽
[0030]3橫向長條形通槽
[0031]4傾斜長條形通槽
[0032]L1相鄰兩條縱向長條形通槽之間的距離
[0033]L2相鄰兩條傾斜長條形通槽之間的距離
[0034]Θ傾斜角度

【具體實施方式】
[0035]以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。
[0036]請參閱圖1至圖6。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實用新型可實施的范疇。
[0037]實施例一
[0038]本實用新型提供一種集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底及形成于所述半導(dǎo)體襯底上的至少一層金屬層，相鄰金屬層之間形成有層間介質(zhì)層；所述金屬層包括至少一條金屬互連線，所述金屬互連線中形成有若干縱向長條形通槽，所述金屬互連線的長度大于布萊什長度。
[0039]具體的，所述半導(dǎo)體襯底中形成有半導(dǎo)體器件，所述金屬層用于進(jìn)行電互連，所述層間介質(zhì)層用于層間絕緣，不同金屬層之間可通過層間通孔進(jìn)行連接。
[0040]請參閱圖1，顯示為所述金屬互連線I中形成有若干縱向長條形通槽I的示意圖。需要指出的是，此處長條形通槽是指通槽的長度大于寬度，優(yōu)選為通槽長度大于通槽寬度的兩倍，長條形通槽的兩端可以為弧形或直線型，圖1中示出的是弧形的情形；此處縱向是相對于所述金屬互連線I的走向而言，其中，縱向代表與金屬互連線垂直，后面所述橫向代表與金屬互連線平行，傾斜代表與金屬互連線非平行及非垂直。
[0041]本實施例中，所述金屬互連線I中僅形成有若干縱向長條形通槽2，所述縱向長條形通槽2在所述金屬互連線I長度方向上一一排列，優(yōu)選為上下居中。相鄰兩條縱向長條形通槽之間的距離L1小于布萊什長度(Blech長度)，所述縱向長條形通槽2的長度至少為所述金屬互連線I寬度的二分之一。
[0042]具體的，所述金屬互連線的長度至少為布萊什長度的兩倍，作為示例，可為10?500倍。由于金屬互連線的長度可以在同一層中做得很長，無需通過多層互連將多段短導(dǎo)線連接成長導(dǎo)線，可以有效減少器件中互連金屬層的層數(shù)，降低電路復(fù)雜性。所述金屬互連線的寬度可為先進(jìn)工藝的14nm、28nm等，也可以根據(jù)器件需求做得更寬，此處不應(yīng)過分限制本實用新型的保護(hù)范圍。
[0043]本實用新型的集成電路互連線結(jié)構(gòu)中，通過在金屬互連線中設(shè)置縱向長條形通槽，相鄰兩條縱向長條形通槽之間的距離小于布萊什長度，使得金屬互連線類似于由若干段短導(dǎo)線連接而成，每一段短導(dǎo)線的長度均小于布萊什長度，從而有效抑制金屬互連線的電遷移，而總的金屬互連線長度又可以遠(yuǎn)大于布萊什長度，從而大幅減少互連金屬層的層數(shù)，降低集成電路復(fù)雜性，提高器件可靠性。
[0044]實施例二
[0045]本實用新型提供一種集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底及形成于所述半導(dǎo)體襯底上的至少一層金屬層，相鄰金屬層之間形成有層間介質(zhì)層；所述金屬層包括至少一條金屬互連線，所述金屬互連線中形成有若干縱向長條形通槽及橫向長條形通槽，所述金屬互連線的長度大于布萊什長度。
[0046]請參閱圖2，顯示為所述金屬互連線I中形成有若干橫向長條形通槽3及若干縱向長條形通槽2的示意圖。
[0047]具體的，所述縱向長條形通槽2在所述金屬互連線I長度方向上一一排列，相鄰縱向長條形通槽2之間形成有一組橫向長條形通槽3，每組橫向長條形通槽至少包括一條橫向長條形通槽3。作為示例，圖2顯示為每組橫向長條形通槽包括三條橫向長條形通槽3的情形，在其它實施例中，也可為其它數(shù)目，如一條、兩條等，此處不應(yīng)過分限制本實用新型的保護(hù)范圍。
[0048]具體的，所述縱向長條形通槽I的長度至少為所述金屬互連線寬度的二分之一，且相鄰兩條縱向長條形通槽2之間的距離L1小于布萊什長度。
[0049]相對于實施例一中所述金屬互連線I中僅包括若干縱向長條形通槽2的情形，本實施例中金屬互連線在相鄰兩條縱向長條形通槽2之間進(jìn)一步形成有一組橫向長條形通槽3。所述橫向長條形通槽3可以使得金屬互連線中的應(yīng)力分布更加均勻，電阻性能更好。
[0050]請參閱圖3，顯示為金屬互連線的晶粒分布圖。對于較寬的金屬互連線，其寬度大于晶粒的平均粒徑，由于金屬互連線中，晶格擴散主要包括以下三種過程:(a)晶界擴散，(b)體擴散及(C)表面擴散，本實用新型在所述金屬互連線中設(shè)置橫向長條形通槽3還可以有效阻止晶粒之間的相互擴散，進(jìn)一步改善電遷移。請參閱圖4，顯示為橫向長條形通槽阻止晶粒相互擴散的示意圖。。
[0051]本實用新型的集成電路互連線結(jié)構(gòu)中，通過在金屬互連線中同時設(shè)置縱向長條形通槽及橫向長條形通槽，不僅可以將金屬互連線等效為由若干段長度小于布萊什長度的短導(dǎo)線連接而成，使得金屬互連線長度遠(yuǎn)大于布萊什長度并位于同一層，減少器件中金屬互連層的層數(shù)。所述橫向長條形通槽的存在還可以進(jìn)一步使得金屬互連線中的應(yīng)力分布更加均勻，并且對于需要應(yīng)用到較寬金屬互連線(微米或亞微米級別)的情況，如汽車電子領(lǐng)域等要用到大電流的情況，橫向長條形通槽還可以進(jìn)一步降低較寬金屬互連線的晶界擴散，改善電遷移。
[0052]實施例三
[0053]本實施例與實施例二采用基本相同的技術(shù)方案，不同之處在于圖形設(shè)計有微小差巳
[0054]請參閱圖5,顯示為本實施例中金屬互連線的示意圖。如圖所示,所述縱向長條形通槽I在所述金屬互連線I長度方向上一一排列，相鄰縱向長條形通槽之間形成有一組橫向長條形通槽，每組橫向長條形通槽至少包括一條橫向長條形通槽3 (圖5中顯示的為一條的情形)，進(jìn)一步的，所述縱向長條形通槽2上下兩側(cè)分別形成有一條橫向長條形通槽3。
[0055]具體的，所述縱向長條形通槽2的長度至少為所述金屬互連線I寬度的四分之一，相鄰兩條縱向長條形通槽2之間的距離L1小于布萊什長度。
[0056]具體的，所述金屬互連線I的長度至少為布萊什長度的兩倍，作為示例，可為10?500倍。由于金屬互連線的長度可以做得很長，無需通過多層互連將多段短導(dǎo)線連接成長導(dǎo)線，可以有效減少互連金屬層的層數(shù)，降低電路復(fù)雜性。所述金屬互連線的寬度可為先進(jìn)工藝的14nm、28nm等，也可以根據(jù)器件需求做得更寬。
[0057]本實用新型的集成電路互連線結(jié)構(gòu)中，通過在金屬互連線中同時設(shè)置縱向長條形通槽及橫向長條形通槽，不僅可以將金屬互連線等效為由若干段長度小于布萊什長度的短導(dǎo)線連接而成，使得金屬互連線長度遠(yuǎn)大于布萊什長度并位于同一層，減少器件中金屬互連層的層數(shù)。所述橫向長條形通槽的存在還可以進(jìn)一步使得金屬互連線中的應(yīng)力分布更加均勻，并且對于需要應(yīng)用到較寬金屬互連線(微米或亞微米級別)的情況，如汽車電子領(lǐng)域等要用到大電流的情況，橫向長條形通槽還可以進(jìn)一步降低較寬金屬互連線的晶界擴散，改善電遷移。
[0058]實施例四
[0059]本實用新型提供一種集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底及形成于所述半導(dǎo)體襯底上的至少一層金屬層，相鄰金屬層之間形成有層間介質(zhì)層；所述金屬層包括至少一條金屬互連線，所述金屬互連線中形成有若干傾斜長條形通槽，所述金屬互連線的長度大于布萊什長度。
[0060]請參閱圖6，顯示為所述金屬互連線I中僅形成有若干傾斜長條形通槽4的示意圖，相鄰兩條傾斜長條形通槽之間的距離L2小于布萊什長度。
[0061]具體的，所述傾斜長條形通槽4的傾斜角度Θ范圍優(yōu)選為30?150°。
[0062]當(dāng)然，在其它實施例中，所述金屬互連線I中也可以同時形成有若干傾斜長條形通槽4及其它類型通槽，如縱向長條形通槽、橫向長條形通槽；另外，圖6顯示的是若干傾斜長條形通槽排列成兩行的情形，在其他實施例中，所述傾斜長條形通槽也可僅排列成一行，此處不應(yīng)過分限制本實用新型的保護(hù)范圍。
[0063]本實用新型的集成電路互連線結(jié)構(gòu)中，通過在金屬互連線中設(shè)置傾斜長條形通槽，相鄰兩條傾斜長條形通槽之間的距離小于布萊什長度。由于傾斜長條形通槽兼顧了橫向長條形通槽及縱向長條形通槽的特點，不僅可以達(dá)到實施例一的技術(shù)效果，即使得金屬互連線類似于由若干段短導(dǎo)線連接而成，每一段短導(dǎo)線的長度均小于布萊什長度，從而有效抑制金屬互連線的電遷移，而總的金屬互連線長度又可以遠(yuǎn)大于布萊什長度，從而大幅減少互連金屬層的層數(shù)，降低集成電路復(fù)雜性，提高器件可靠性的技術(shù)效果。本實用新型還可以達(dá)到實施例二或?qū)嵤├懈纳茟?yīng)力分布，降低晶界擴散，進(jìn)一步改善電遷移的技術(shù)效果。
[0064]綜上所述，本實用新型的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:1)本實用新型通過在金屬互連線中設(shè)置縱向長條形通槽或傾斜長條形通槽，相鄰兩條縱向長條形通槽或傾斜長條形通槽之間的距離小于布萊什長度，使得金屬互連線類似于由若干段短導(dǎo)線連接而成，每一段短導(dǎo)線的長度均小于布萊什長度，從而有效抑制金屬互連線的電遷移，而總的金屬互連線長度又可以遠(yuǎn)大于布萊什長度，從而大幅減少互連金屬層的層數(shù)，降低集成電路復(fù)雜性，提高器件可靠性；2)本實用新型還可以在縱向長條形通槽的基礎(chǔ)上進(jìn)一步在金屬互連線中設(shè)置橫向長條形通槽，橫向長條形通槽可以使得金屬互連線中的應(yīng)力分布更加均勻，并且對于需要應(yīng)用到較寬金屬互連線(微米或亞微米級別)的情況，如汽車電子領(lǐng)域等要用到大電流的情況，橫向長條形通槽可以進(jìn)一步降低較寬金屬互連線的晶界擴散，改善電遷移。所以，本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0065]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底及形成于所述半導(dǎo)體襯底上的至少一層金屬層，相鄰金屬層之間形成有層間介質(zhì)層；所述金屬層包括至少一條金屬互連線，其特征在于:所述金屬互連線中形成有若干縱向長條形通槽或傾斜長條形通槽，所述金屬互連線的長度大于布萊什長度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬互連線中形成有若干橫向長條形通槽及若干縱向長條形通槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述縱向長條形通槽在所述金屬互連線長度方向上 排列，相鄰縱向長條形通槽之間形成有一組橫向長條形通槽，每組橫向長條形通槽至少包括一條橫向長條形通槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述縱向長條形通槽的長度至少為所述金屬互連線寬度的二分之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述縱向長條形通槽上下兩側(cè)分別形成有一條橫向長條形通槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述縱向長條形通槽的長度至少為所述金屬互連線寬度的四分之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求2?6任意一項所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:相鄰兩條縱向長條形通槽之間的距離小于布萊什長度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬互連線中僅形成有若干縱向長條形通槽，相鄰兩條縱向長條形通槽之間的距離小于布萊什長度，所述縱向長條形通槽的長度至少為所述金屬互連線寬度的二分之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬互連線中僅形成有若干傾斜長條形通槽，相鄰兩條傾斜長條形通槽之間的距離小于布萊什長度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述傾斜長條形通槽的傾斜角度范圍是30?150°。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬互連線的長度至少為布萊什長度的兩倍。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路金屬互連線結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬互連線的長度為布萊什長度的10?500倍。
【文檔編號】H01L23/528GK203983266SQ201420413106
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月24日
【發(fā)明者】甘正浩 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司