影像集成電路結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及一種影像集成電路結(jié)構(gòu)，尤指一種可不需搭配電路板即可進(jìn)行使用、而達(dá)到體積小、良率尚以及易于生廣功效的影像集成電路結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有影像集成電路于制作時(shí)，是在相關(guān)晶圓上先進(jìn)行R、G、B Cell的感測(cè)結(jié)構(gòu)制作，藉以于晶圓上定義出多數(shù)個(gè)晶粒，并對(duì)晶圓進(jìn)行切割而構(gòu)成一晶粒，且于該晶粒的一面上疊設(shè)有第一光學(xué)單元，之后再以COB(chip On board，板上芯片封裝)或WLCSP(WaferLevel Chip Scale Packaging，即晶圓級(jí)芯片封裝)方式將該晶粒電性連接結(jié)合于一基板上(如:電路板或硅基板)，最后再于第一光學(xué)單元的一面上疊設(shè)有第二光學(xué)單元；如此，即可完成影像集成電路的制作，藉以用作后續(xù)影像處理。
[0003]雖然，上述方式可制作出影像集成電路結(jié)構(gòu)，但是由于在制作時(shí)，該晶粒必須配合基板使用，因此，不但使得該影像集成電路結(jié)構(gòu)于制作時(shí)的手續(xù)較為復(fù)雜，且制作后之體積亦較大，且更會(huì)影響制程的合格率提高；故，一般現(xiàn)有影像集成電路結(jié)構(gòu)并無法適合實(shí)際使用所需。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本申請(qǐng)主要目的在于，提供一種影像集成電路結(jié)構(gòu)，其可不需搭配電路板就進(jìn)行使用、且體積小、生產(chǎn)良率高以及易于生產(chǎn)。
[0005]為達(dá)上述目的，本申請(qǐng)所采用的技術(shù)方案是:一種影像集成電路結(jié)構(gòu)，其包括一影像處理晶粒；該影像處理晶粒的一面上設(shè)置一導(dǎo)電層；該影像處理晶粒的另一面上設(shè)置多數(shù)第一光學(xué)單元；該多數(shù)個(gè)第一光學(xué)單元的一面上疊設(shè)一第二光學(xué)單元。
[0006]該影像處理晶粒為COMOS傳感器。
[0007]該影像處理晶粒也可為CXD傳感器。
[0008]該導(dǎo)電層經(jīng)由硅穿孔技術(shù)于影像處理晶粒的一面上進(jìn)行導(dǎo)電線路的布局。
[0009]該第一及第二光學(xué)單元為凸透鏡、凹透鏡或菲涅爾透鏡。
【附圖說明】
[0010]圖1系本申請(qǐng)剖面狀態(tài)示意圖。
[0011]圖2系本申請(qǐng)影像處理晶粒形成導(dǎo)電層的剖面狀態(tài)示意圖。
[0012]圖3系本申請(qǐng)第一光學(xué)單元的設(shè)置狀態(tài)示意圖。
[0013]圖4系本申請(qǐng)第二光學(xué)單元的設(shè)置狀態(tài)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]請(qǐng)參閱圖1所示，為本申請(qǐng)剖面狀態(tài)示意圖。如圖所示:本申請(qǐng)是一種影像集成電路結(jié)構(gòu)，其至少由一影像處理晶粒1、一導(dǎo)電層2、多數(shù)個(gè)第一光學(xué)單元3以及一第二光學(xué)單元4所構(gòu)成。
[0015]上述所提的影像處理晶粒I可為COMOS傳感器、或可為CXD傳感器。
[0016]該導(dǎo)電層2設(shè)于影像處理晶粒I的一面上。
[0017]各第一光學(xué)單元3設(shè)于影像處理晶粒I的另一面上，其中各第一光學(xué)單元3可為凸透鏡、凹透鏡、或?yàn)榉颇鶢柾哥R。
[0018]該第二光學(xué)單元4疊設(shè)于各第一光學(xué)單元3的一面上，其中該第二光學(xué)單元4可為凸透鏡、凹透鏡、或?yàn)榉颇鶢柾哥R。如是，藉由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成一全新的影像集成電路結(jié)構(gòu)。
[0019]請(qǐng)參閱圖2、圖3及圖4所示，分別為本申請(qǐng)影像處理晶粒形成導(dǎo)電層的剖面狀態(tài)示意圖、本申請(qǐng)第一光學(xué)單元的設(shè)置狀態(tài)示意圖及本申請(qǐng)第二光學(xué)單元的設(shè)置狀態(tài)示意圖。如圖所示:當(dāng)本申請(qǐng)于制作時(shí)，系于相關(guān)晶圓上先進(jìn)行感測(cè)結(jié)構(gòu)制作(如:R、G、B Cell的制作，圖中未示)，藉以于晶圓上定義出多數(shù)影像處理晶粒1，并進(jìn)行切割而構(gòu)成一影像處理晶粒1，且于該影像處理晶粒I的一面上經(jīng)由硅穿孔技術(shù)形成一導(dǎo)電層2，藉以進(jìn)行所需的導(dǎo)電線路布局，而此導(dǎo)電層2僅作為線路導(dǎo)通使用，并非作為影像處理晶粒I的電路布局，之后再于該影像處理晶粒I的另一面上設(shè)置多數(shù)第一光學(xué)單元3，最后再于各第一光學(xué)單元3的一面上疊設(shè)一第二光學(xué)單元4 (如圖1所示)；如此，可于該影像處理晶粒I進(jìn)行制作時(shí)，不需搭配電路板即可進(jìn)行使用，進(jìn)而達(dá)到體積小、良率高以及易于生產(chǎn)的功效。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種影像集成電路結(jié)構(gòu)，其包括一影像處理晶粒；其特征在于，該影像處理晶粒的一面上設(shè)置一導(dǎo)電層；該影像處理晶粒的另一面上設(shè)置多數(shù)第一光學(xué)單元；該多數(shù)個(gè)第一光學(xué)單元的一面上疊設(shè)一第二光學(xué)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該影像處理晶粒為COMOS傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該影像處理晶粒為CCD傳感器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電層經(jīng)由硅穿孔技術(shù)于影像處理晶粒的一面上進(jìn)行導(dǎo)電線路的布局。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一及第二光學(xué)單元為凸透鏡。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一及第二光學(xué)單元為凹透鏡。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一及第二光學(xué)單元為菲涅爾透鏡。
【專利摘要】一種影像集成電路結(jié)構(gòu)，其包含一影像處理晶粒；一設(shè)于影像處理晶粒一面上的導(dǎo)電層；多數(shù)設(shè)于影像處理晶粒另一面上的第一光學(xué)單元；以及一疊設(shè)于各第一光學(xué)單元一面上的第二光學(xué)單元。藉此，本申請(qǐng)可不需搭配電路板即可進(jìn)行使用，且體積小、生產(chǎn)良率高、易于生產(chǎn)。
【IPC分類】H01L27-146, H01L27-148
【公開號(hào)】CN104867953
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510292738
【發(fā)明人】周玲
【申請(qǐng)人】周玲
【公開日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年5月26日