陣列基板、陣列基板制造方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、陣列基板制造方法和顯示裝 置。
【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜晶體管液晶顯不器（ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，簡稱 TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地 位。
[0003] 金屬氧化物TFT是最近幾年新興的技術(shù)，開態(tài)電流大、迀移率高，均一性好，透明， 制造工藝簡單，可以更好地滿足大尺寸液晶顯示器和有源有機電致發(fā)光的需求，備受人們 的關(guān)注。金屬氧化物TFT的開態(tài)電流是非晶硅TFT的50倍以上，關(guān)態(tài)電流一般在l(TnA(安） 到1(T12A之間。而在靜態(tài)畫面時采用低刷新頻率，可以大幅減少功耗。
[0004] 發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)現(xiàn)上述方式至少存在如下缺陷：以目前的關(guān)態(tài) 電流在低刷新頻率下（如1HZ)，無法保持加載在液晶顯示像素的電壓。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決相關(guān)技術(shù)中以目前的關(guān)態(tài)電流在低刷新頻率下，無法保持加載在液晶顯 示像素的電壓的問題，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、陣列基板制造方法和顯示裝置。 所述技術(shù)方案如下：
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：
[0007] 基板；
[0008] 所述基板上依次形成有包括柵極的圖案以及柵絕緣層；
[0009] 在形成有所述柵絕緣層的基板上形成有包括半導(dǎo)體層的圖案；
[0010] 在形成有所述半導(dǎo)體層的圖案的基板上形成有包括源極與漏極的圖案，所述半導(dǎo) 體層的圖案分別與所述源極、所述漏極連接，所述半導(dǎo)體層的圖案與所述源極設(shè)置有第一 連接處，所述第一連接處的任意一點為第一連接點，所述半導(dǎo)體層的圖案與所述漏極設(shè)置 有第二連接處，所述第二連接處上的任意一點為第二連接點，所述第一連接點至所述第二 連接點在所述半導(dǎo)體層的圖案上的距離大于所述柵極的任一邊長。
[0011] 可選的，所述柵極呈矩形，所述第一連接點至所述第二連接點之間的半導(dǎo)體層的 圖案呈條狀圖案，且所述條狀圖案的長度方向與所述矩形的任一對角線平行。
[0012] 可選的，所述第一連接點至所述第二連接點之間的半導(dǎo)體層的圖案呈U形圖案。
[0013] 可選的，所述第一連接點至所述第二連接點之間的半導(dǎo)體層的圖案兩端窄中間 寬。
[0014] 可選的，所述半導(dǎo)體層的圖案為金屬氧化物半導(dǎo)體層的圖案。
[0015] 可選的，在形成有所述半導(dǎo)體層的基板上形成有刻蝕阻擋層；
[0016] 在所述刻蝕阻擋層上，所述第一連接處、所述第二連接處對應(yīng)位置分別形成有接 觸過孔，所述半導(dǎo)體層的圖案通過所述第一連接處的接觸過孔與所述源極連接，所述半導(dǎo) 體層的圖案通過所述第二連接處的接觸過孔與所述漏極連接。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種陣列基板制造方法，所述方法包括：
[0018] 在基板上依次形成包括柵極的圖案以及柵絕緣層；
[0019] 在形成有所述柵絕緣層的基板上形成包括半導(dǎo)體層的圖案；
[0020] 在形成有所述半導(dǎo)體層的圖案的基板上形成包括源極與漏極的圖案，所述半導(dǎo)體 層的圖案分別與所述源極、所述漏極連接，所述半導(dǎo)體層的圖案與所述源極設(shè)置有第一連 接處，所述第一連接處的任意一點為第一連接點，所述半導(dǎo)體層的圖案與所述漏極設(shè)置有 第二連接處，所述第二連接處上的任意一點為第二連接點，所述第一連接點至所述第二連 接點在所述半導(dǎo)體層的圖案上的距離大于所述柵極的任一邊長。
[0021] 可選的，所述柵極呈矩形，所述第一連接點至所述第二連接點之間的半導(dǎo)體層的 圖案呈條狀圖案，且所述條狀圖案的長度方向與所述矩形的任一對角線平行。
[0022] 可選的，所述第一連接點至所述第二連接點之間的半導(dǎo)體層的圖案呈U形圖案。
[0023] 可選的，所述第一連接點至所述第二連接點之間的半導(dǎo)體層的圖案兩端窄中間 寬。
[0024] 可選的，所述在形成有所述柵絕緣層的基板上形成半導(dǎo)體層的圖案，包括：
[0025] 在形成有所述柵絕緣層的基板上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層的圖案。
[0026] 可選的，所述在形成有所述半導(dǎo)體層的圖案的基板上形成包括源極與漏極的圖案 之前，所述方法還包括：
[0027] 在形成有所述半導(dǎo)體層的基板上形成刻蝕阻擋層；
[0028] 在所述刻蝕阻擋層上，通過構(gòu)圖工藝在所述第一連接處、所述第二連接處對應(yīng)位 置分別形成接觸過孔，使所述半導(dǎo)體層的圖案能夠通過所述第一連接處的接觸過孔與所述 源極連接，所述半導(dǎo)體層的圖案能夠通過所述第二連接處的接觸過孔與所述漏極連接。
[0029] 根據(jù)本發(fā)明提供的第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一方面提 供的陣列基板。
[0030] 本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：
[0031] 通過增加源漏極間的距離來增大源漏極間的電阻，繼而減小關(guān)態(tài)電流，解決了相 關(guān)技術(shù)中以目前的關(guān)態(tài)電流在低刷新頻率下，無法保持加載在液晶顯示像素的電壓的問 題；達到了在低刷新頻率下，也能保持加載在液晶顯示像素的電壓的效果，同時可以有效的 縮小薄膜晶體管的尺寸，提升開口率。
[0032] 應(yīng)當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不 能限制本發(fā)明。
【附圖說明】
[0033] 此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實施 例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0034] 圖1是根據(jù)一示例性實施例示出的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖3是根據(jù)一不例性實施例不出的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0037] 圖4是關(guān)態(tài)電流、刷新頻率和閃爍度的變化走勢圖；
[0038] 圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程圖；
[0039] 圖6、圖7和圖8是圖5所示實施例中的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040] 圖9是本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板制造方法的流程圖；
[0041] 圖10和圖11是圖9所示實施例中的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042] 通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實施例，后文中將有更詳細的描述。這些附圖 和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過參考特定實施例為 本領(lǐng)域技術(shù)人員說明本發(fā)明的概念。
【具體實施方式】
[0043] 這里將詳細地對示例性實施例進行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及 附圖時，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例 中所描述的實施方式并不代表與本發(fā)明相一致的所有實施方式。相反，它們僅是與如所附 權(quán)利要求書中所詳述的、本發(fā)明的一些方面相一致的裝置和方法的例子。
[0044] 圖1是根據(jù)一示例性實施例示出的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。該陣列基板可以 包括：
[0045] 基板 110。
[0046] 基板110上依次形成有包括柵極120的圖案以及柵絕緣層（圖1中未示出）。在 形成有柵絕緣層的基板110上形成有包括半導(dǎo)體層140的圖案。
[0047] 在形成有半導(dǎo)體層140的圖案的基板110上形成有包括源極150與漏極160的圖 案，半導(dǎo)體層140的圖案分別與源極150、漏極160連接，半導(dǎo)體層140的圖案與源極150設(shè) 置有第一連接處A(半導(dǎo)體層140與源極150的接觸區(qū)域），第一連接處A的任意一點為第 一連接點dl，半導(dǎo)體層的圖案與漏極設(shè)置有第二連接處B(半導(dǎo)體層140與漏極160的接 觸區(qū)域），第二連接處B上的任意一點為第二連接點d2,第一連接點dl至第二連接點d2在 半導(dǎo)體層140的圖案上的距離L大于柵極120的任一邊長。示