一種晶片剝離裝置及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型實施例公開了一種晶片剝離裝置及系統(tǒng),實現(xiàn)了半導(dǎo)體晶片在拋光后剝離技術(shù)的整體設(shè)計,解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于人工的誤操作,而導(dǎo)致晶片質(zhì)量受損和高生產(chǎn)成本的技術(shù)問題,從而進一步提高了半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)效率。本實用新型實施例提供的晶片剝離裝置包括:控制單元,晶片接送單元,加熱單元和剝離單元,控制單元通過連接線與晶片接送單元,加熱單元和剝離單元進行連接,控制單元用于發(fā)送控制指令給晶片接送單元,加熱單元和剝離單元執(zhí)行與控制指令相對應(yīng)的操作;其中,通過控制單元控制加熱單元對晶片進行加熱,當(dāng)晶片加熱完成后,控制單元控制剝離單元將加熱單元上的晶片撥送至晶片接送單元。
【專利說明】一種晶片剝離裝置及系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及機械設(shè)備領(lǐng)域,尤其涉及一種晶片剝離裝置及系統(tǒng)及控制晶片剝離的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的高速發(fā)展,半導(dǎo)體材料被普遍用在高科技技術(shù)中,例如芯片制備等,因此,半導(dǎo)體材料的制備技術(shù)也備受關(guān)注,尤其對于半導(dǎo)體晶片制備是需要高精度的切割、研磨、拋光等加工技術(shù)進行處理。
[0003]現(xiàn)有的針對拋光過的晶片做剝離處理的技術(shù)中,在半導(dǎo)體晶片的生產(chǎn)行業(yè)里,目前本領(lǐng)域技術(shù)人員的處理方法通常是借助簡單的加熱設(shè)備,再通過人工鏟片技術(shù)的剝離方式來處理半導(dǎo)體晶片,例如將貼有已經(jīng)經(jīng)過拋光處理的晶片的陶瓷盤放于電加熱爐上,力口熱陶瓷盤后,陶瓷上的蠟全部熔化時,通過人工拿鏟子將陶瓷上的晶片鏟起來,然后,再將晶片置放于晶片盒內(nèi)。
[0004]然而,現(xiàn)有的人工剝離拋光過的晶片的技術(shù),不僅處理效率較低,而且由于人工的誤操作,容易導(dǎo)致晶片質(zhì)量受損,從而增加了生產(chǎn)成本,為了解決人工剝離拋光過的晶片的技術(shù),本實用新型提供了一種晶片剝離裝置及系統(tǒng)。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型實施例提供了一種晶片剝離裝置及系統(tǒng),實現(xiàn)了半導(dǎo)體晶片在拋光后剝離技術(shù)的整體設(shè)計,解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于人工的誤操作,而導(dǎo)致晶片質(zhì)量受損和高生產(chǎn)成本的技術(shù)問題,從而進一步提高了半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)效率。
[0006]本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置,包括:
[0007]控制單元,晶片接送單元,加熱單元和剝離單元,所述控制單元通過連接線與所述晶片接送單元,所述加熱單元和所述剝離單元進行連接,所述控制單元用于發(fā)送控制指令,所述晶片接送單元、所述加熱單元和所述剝離單元執(zhí)行與所述控制指令相對應(yīng)的操作;
[0008]其中,通過所述控制單元控制所述加熱單元對晶片進行加熱,當(dāng)所述晶片加熱完成后,所述控制單元控制所述剝離單元將所述加熱單元上的所述晶片撥送至所述晶片接送單元。
[0009]優(yōu)選地,
[0010]所述晶片接送單元固定安裝在所述加熱單元的側(cè)方,所述剝離單元垂直安裝在所述加熱單元上方。
[0011]優(yōu)選地,
[0012]所述晶片接送單元包括:
[0013]第一電機、卡槽和滑氣槽;
[0014]所述第一電機安裝在所述卡槽下方,用于通過內(nèi)部旋轉(zhuǎn)升/降所述卡槽;
[0015]所述滑氣槽安裝在所述卡槽與所述加熱單元之間,用于通過氣懸浮技術(shù)對所述晶片進行傳送操作。
[0016]優(yōu)選地,
[0017]所述卡槽至少有兩個,每個所述卡槽包含有多個卡塞,所述卡塞用于置放所述晶片。
[0018]優(yōu)選地,
[0019]所述加熱單元包括:
[0020]陶瓷盤和加熱部件;
[0021 ] 所述陶瓷盤底部安裝有所述加熱部件;
[0022]所述加熱部件為內(nèi)部安裝有電熱線的導(dǎo)熱殼。
[0023]優(yōu)選地,
[0024]所述加熱單元還包括:
[0025]第二電機和轉(zhuǎn)動部件;
[0026]所述第二電機與所述轉(zhuǎn)動部件連接,用于通過電能使所述轉(zhuǎn)動部件進行水平方向的360。旋轉(zhuǎn);
[0027]所述轉(zhuǎn)動部件還包含有真空吸盤部件,用于通過真空操作將所述陶瓷盤吸住。
[0028]優(yōu)選地,
[0029]所述剝離單元包括:
[0030]移動子單元和刀片;
[0031]所述移動子單元包括水平操作臂和垂直操作臂,所述水平操作臂與所述垂直操作臂呈十字形交叉連接;
[0032]所述刀片的邊緣為齒狀結(jié)構(gòu),安裝在所述垂直操作臂底部。
[0033]優(yōu)選地,
[0034]所述控制單元為PLC可編程邏輯控制器。
[0035]本實用新型實施例提供的一種晶片剝離系統(tǒng),包括:
[0036]觸摸屏,以及本實用新型實施例中提及的任意一種所述的晶片剝離裝置;
[0037]所述觸摸屏通過連接線與所述晶片剝離裝置的控制單元連接;
[0038]所述觸摸屏用于通過觸摸操作觸發(fā)所述控制單元發(fā)送與所述觸摸操作相對應(yīng)的控制指令。
[0039]實用新型實用新型
[0040]從以上技術(shù)方案可以看出,本實用新型實施例具有以下優(yōu)點:
[0041]本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置、系統(tǒng)及控制晶片剝離的裝置,其中,晶片剝離裝置包括:控制單元,晶片接送單元,加熱單元和剝離單元,控制單元通過連接線與晶片接送單元,加熱單元和剝離單元進行連接,控制單元用于發(fā)送控制指令,晶片接送單元、加熱單元和剝離單元執(zhí)行與控制指令相對應(yīng)的操作;其中,通過控制單元控制加熱單元對晶片進行加熱,當(dāng)晶片加熱完成后,控制單元控制剝離單元將加熱單元上的晶片撥送至晶片接送單元。本實施例中,通過加熱單元對晶片進行加熱,當(dāng)晶片加熱完成后,剝離單元將加熱單元上的晶片撥送至晶片接送單元,便實現(xiàn)了半導(dǎo)體晶片在拋光后進行剝離技術(shù)的整體設(shè)計,解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于人工的誤操作,而導(dǎo)致晶片質(zhì)量受損和高生產(chǎn)成本的技術(shù)問題,從而進一步提聞了半導(dǎo)體材料的生廣效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0042]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0043]圖1為本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0044]圖2為本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置的晶片接送單元的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0045]圖3為本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置的加熱單元的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0046]圖4為本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置的剝離單元的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0047]圖5為本實用新型實施例提供的一種晶片剝離系統(tǒng)的連接示意圖;
[0048]圖示說明:1、晶片剝離裝置;11、控制單元;12、晶片接送單元;13、加熱單元;14、剝離單元;121、第一電機;122、卡槽;123、滑氣槽;131、陶瓷盤;132、加熱部件;133、第二電機;134、轉(zhuǎn)動部件;1341、真空吸盤部件;141、移動子單元;142、刀片;1411、水平操作臂;1412、垂直操作臂;2、觸摸屏。
【具體實施方式】
[0049]本實用新型實施例提供了一種晶片剝離裝置及系統(tǒng),實現(xiàn)了半導(dǎo)體晶片在拋光后剝離技術(shù)的整體設(shè)計,解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于人工的誤操作,而導(dǎo)致晶片質(zhì)量受損和高生產(chǎn)成本的技術(shù)問題,從而進一步提高了半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)效率。
[0050]為使得本實用新型的實用新型目的、特征、優(yōu)點能夠更加的明顯和易懂,下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,下面所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而非全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
[0051]請參閱圖1,本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置的第一實施例包括:
[0052]控制單元11,晶片接送單元12,加熱單元13和剝離單元14,控制單元11通過連接線與晶片接送單元12,加熱單元13和剝離單元14進行連接,控制單元11用于發(fā)送控制指令,晶片接送單元12,加熱單元13和剝離單元14執(zhí)行與控制指令相對應(yīng)的操作;
[0053]可以理解的是,本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置I的晶片剝離過程可以是通過控制單元11控制加熱單元13對晶片進行加熱,當(dāng)晶片加熱完成后,控制單元11控制剝離單元14將加熱單元13上的晶片撥送至晶片接送單元12。
[0054]必須說明的是,前述的晶片剝離過程還可以進一步包括:
[0055]通過控制單元11控制加熱單元13對置放在其表面的多個晶片進行加熱,當(dāng)多個晶片加熱完成后,控制單元11控制剝離單元14按照預(yù)置剝離模式依次將加熱單元13上的多個晶片撥送至晶片接送單元12,前述的預(yù)置剝離模式將在后續(xù)實施例中進行詳細(xì)的描述,此處不再贅述。
[0056]如圖1所示,前述的晶片接送單元12固定安裝在加熱單元13側(cè),剝離單元1414垂直安裝在加熱單元13上方。
[0057]需要說明的是,上述的加熱單元13對置放在其表面的多個晶片進行加熱的過程將在后續(xù)實施例中進行描述,此處便不再詳細(xì)贅述,前述的剝離單元14按照預(yù)置剝離模式將加熱單元13上的晶片撥送至晶片接送單元12的過程將在后續(xù)實施例中進行描述,此處便不再詳細(xì)贅述。
[0058]必須說明的是,本實施例中晶片接送單元12,加熱單元13和剝離單元14及其各部件可以是通過控制單元11進行控制操作,前述的控制單元11為PLC可編程邏輯控制器。
[0059]本實施例中,通過控制單元11控制加熱單元13對晶片進行加熱,當(dāng)晶片加熱完成后,控制單元11控制剝離單元14將加熱單元13上的晶片撥送至晶片接送單元12,便實現(xiàn)了半導(dǎo)體晶片在拋光后進行剝離技術(shù)的整體設(shè)計,解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于人工的誤操作,而導(dǎo)致晶片質(zhì)量受損和高生產(chǎn)成本的技術(shù)問題,從而進一步提高了半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)效率。
[0060]請參閱圖1和圖2,本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置的第二實施例包括:
[0061]晶片接送單元12具體包括第一電機121、卡槽122和滑氣槽123 ;
[0062]第一電機121安裝在卡槽122下方,用于通過內(nèi)部旋轉(zhuǎn)升/降卡槽122,需要說明的是,前述的卡槽122至少有兩個,且每個卡槽122包含有多個卡塞,例如卡塞可以是25個卡塞,卡塞用于置放晶片,可以理解的是,每一個卡塞可以是置放一個晶片,需要說明的是,卡槽122通過第一電機121的作用下進行升/降動作,當(dāng)卡槽122的數(shù)量至少為兩個時,卡槽122還可以是通過第一電機121的作用進行左右移動,使得多個卡槽122得到切換;
[0063]前述的滑氣槽123安裝在卡槽122與加熱單元13之間,用于通過氣懸浮技術(shù)對晶片進行傳送操作,該滑氣槽123可以是滑槽板結(jié)構(gòu),可以理解的是,例如當(dāng)晶片完成加熱后,通過剝離單元14剝離到滑氣槽123上,晶片在氣懸浮技術(shù)下通過氣流與滑氣槽123氣流隔絕,并使晶片表面的蠟得以快速冷卻,多個晶片依次通過滑氣槽123,滑入通過第一電機121的作用下進行下降的動作的卡槽122的各個卡塞中。
[0064]必須說明的是,本實施例中晶片接送單元12及其各部件可以是通過控制單元11進行控制操作。
[0065]請參閱圖1和圖3,本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置的第三實施例包括:
[0066]前述的,加熱單元13包括陶瓷盤131,加熱部件132,第二電機133和轉(zhuǎn)動部件134,陶瓷盤131底部安裝有加熱部件132,需要說明的是陶瓷盤131中間開有槽,使得加熱部件132加熱過程中從陶瓷盤131中部向外緣進行加熱,加熱部件132為內(nèi)部安裝有電熱線的導(dǎo)熱殼,該導(dǎo)熱殼為半封閉陶鋁合金殼體,前述的導(dǎo)熱線便設(shè)置在該半封閉陶鋁合金殼體中,第二電機133與轉(zhuǎn)動部件134連接,用于通過電能使轉(zhuǎn)動部件134進行水平方向的360°旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)動部件134還包含有真空吸盤部件1341,用于通過真空操作將陶瓷盤131吸住,該真空吸盤部件1341為不少于2個,可以理解的是,前述的陶瓷盤131可以是圓形,還可以是方形,此處具體不做限定,在加熱過程中多個晶片依次相鄰置放于陶瓷盤131的外圈處,例如當(dāng)晶片加熱完成后,陶瓷盤131外圈上的多個晶片,在轉(zhuǎn)動部件134的真空吸盤部件1341的真空吸附作用下按照預(yù)置的轉(zhuǎn)動速度或者轉(zhuǎn)動角度等進行360°旋轉(zhuǎn),使得剝離單元14將多個晶片依次撥送至滑氣槽123送入卡槽122中。
[0067]必須說明的是,本實施例中加熱單元13及其各部件可以是通過控制單元1111進行控制操作。
[0068]下面將對剝離單元14的具體結(jié)構(gòu)和剝離單元14按照預(yù)置剝離模式進行晶片剝離的過程進行詳細(xì)的描述,請參閱圖1和圖4,本實用新型實施例提供的一種晶片剝離裝置的第四實施例包括:
[0069]前述的剝離單元14包括:移動子單元141和刀片142,移動子單元141包括水平操作臂1411和垂直操作臂1412,水平操作臂1411與垂直操作臂1412呈十字形交叉連接,刀片142的邊緣為齒狀結(jié)構(gòu),安裝在垂直操作臂1412底部,前述的刀片142的材質(zhì)可以是樹脂材質(zhì),必須說明的是,刀片142與垂直操作臂1412呈一定夾角相連接,該夾角可以是大于90°,例如當(dāng)多個晶片在陶瓷盤131上加熱完成后,水平操作臂1411將安裝有刀片142的垂直操作臂1412移動到晶片置放在陶瓷盤131的內(nèi)圈上,此時垂直操作臂1412進行下降的動作,使得刀片142與晶片內(nèi)圈接觸,然后,水平操作臂1411將安移動垂直操作臂1412,使得安裝在垂直操作臂1412底部的刀片142由內(nèi)圈至陶瓷盤131外圈推動晶片至滑動槽,當(dāng)完成一個晶片剝離之后,陶瓷盤131在轉(zhuǎn)動部件134的作用下轉(zhuǎn)動至下一個需要剝離的晶片的角度,繼續(xù)前述的剝離操作。
[0070]必須說明的是,本實施例中剝離單元14及其各部件可以是通過控制單元11進行控制操作。
[0071]請參閱圖5,本實用新型實施例提供的一種晶片剝離系統(tǒng)的一個實施例包括:
[0072]觸摸屏2,以及本實用新型實施例中提及的任意一種晶片剝離裝置I ;
[0073]前述的觸摸屏2通過連接線與晶片剝離裝置I的控制單元11連接,觸摸屏2用于通過觸摸操作觸發(fā)控制單元11發(fā)送與觸摸操作相對應(yīng)的控制指令給如圖1至圖4所示的晶片接送單元12,加熱單元13和剝離單元14的各個部件執(zhí)行與控制指令相對應(yīng)的操作。
[0074]需要說明的是,觸摸屏2上的功能區(qū)可以分別有“晶片升降”區(qū),“刀片”區(qū),“陶瓷加熱器”區(qū),“寸動”區(qū),用于開啟/關(guān)閉滑氣槽123的氣流懸浮功能的“滑氣開/關(guān)”鍵,用于切換自動或手動模式的“主模式”鍵和用于設(shè)定刀片142位置的“位置設(shè)定”鍵。
[0075]如圖1至圖5所示,“晶片升降”區(qū)包含有用于使卡槽122回到最原始安裝時所處的位置的“上升原點”鍵,用于使卡槽122下降到等待接收完成加熱后的晶片位置的“插槽位置下降”鍵,用于卡槽122的卡塞自動上升一格卡塞的位置的“批次上升”鍵,用于卡槽122的卡塞接收了一片晶片后自動下調(diào)一格卡塞的位置的“批次下降”鍵,用于切換多個卡槽122的“左”鍵和“右”鍵;
[0076]“刀片”區(qū)包含有用于控制刀片142的上升和下降的“上升”鍵和“下降”鍵,用于根據(jù)晶片在陶瓷盤131上的內(nèi)外圈的位置來調(diào)整刀片142的位置的“外側(cè)”鍵和“內(nèi)偵彳”鍵,用于刀片142回到陶瓷盤131的中心原點位置的“原點”鍵,用于刀片142從剝離晶片內(nèi)圈的位置前進到陶瓷盤131外圈的位置的“2nd前進位置”鍵,用于刀片142從準(zhǔn)備剝離晶片的位置前進到刀片142所需剝離晶片的內(nèi)圈的位置的“1st前進位置”鍵,用于刀片142在上升狀態(tài)時從陶瓷盤131中心原點回到準(zhǔn)備剝離晶片時的位置的“PRE前進位置”鍵,用于刀片142剝離完一片例如2寸(230mm)晶片后所處的位置的“2寸等待位置”鍵;
[0077]“陶瓷加熱器”區(qū)包含有用于加熱或關(guān)閉加熱功能的“開啟”鍵和“OFF”鍵;
[0078]“寸動”區(qū)包含有用于控制陶瓷盤131的上升和下降的“上升”鍵和“下降”鍵,用于當(dāng)?shù)镀?42下完一片晶片后,開啟真空,吸住陶瓷盤131的“真空開啟”鍵。
[0079]本實施例中,通過在觸摸屏2上的各個功能區(qū)的各個觸摸鍵上操作觸發(fā)與之連接的控制單元11發(fā)送與觸摸操作相對應(yīng)的控制指令給如圖1至圖4所示的晶片接送單元12,加熱單元13和剝離單元14的各個部件執(zhí)行與控制指令相對應(yīng)的操作,不僅實現(xiàn)了半導(dǎo)體晶片在拋光后進行剝離技術(shù)的整體自動化設(shè)計,且通過直觀的可視性進行操作進一步體現(xiàn)了智能性,同時,觸摸屏2的切換自動或手動模式的“主模式”鍵,還實現(xiàn)了根據(jù)需要進行自動或手動的操作功能。
[0080]以上對本實用新型所提供的一種晶片剝離裝置及系統(tǒng)進行了詳細(xì)介紹,對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本實用新型實施例的思想,在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實用新型的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片剝離裝置,其特征在于,包括: 控制單元,晶片接送單元,加熱單元和剝離單元,所述控制單元通過連接線與所述晶片接送單元,所述加熱單元和所述剝離單元進行連接,所述控制單元用于發(fā)送控制指令,所述晶片接送單元、所述加熱單元和所述剝離單元執(zhí)行與所述控制指令相對應(yīng)的操作; 其中,通過所述控制單元控制所述加熱單元對晶片進行加熱,當(dāng)所述晶片加熱完成后,所述控制單元控制所述剝離單元將所述加熱單元上的所述晶片撥送至所述晶片接送單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片剝離裝置,其特征在于, 所述晶片接送單元固定安裝在所述加熱單元的側(cè)方,所述剝離單元垂直安裝在所述加熱單元上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片剝離裝置,其特征在于,所述晶片接送單元包括: 第一電機、卡槽和滑氣槽; 所述第一電機安裝在所述卡槽下方,用于通過內(nèi)部旋轉(zhuǎn)升/降所述卡槽; 所述滑氣槽安裝在所述卡槽與所述加熱單元之間,用于通過氣懸浮技術(shù)對所述晶片進行傳送操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片剝離裝置,其特征在于,所述卡槽至少有兩個,每個所述卡槽包含有多個卡塞,所述卡塞用于置放所述晶片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的晶片剝離裝置,其特征在于,所述加熱單元包括: 陶瓷盤和加熱部件; 所述陶瓷盤底部安裝有所述加熱部件; 所述加熱部件為內(nèi)部安裝有電熱線的導(dǎo)熱殼。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片剝離裝置,其特征在于,所述加熱單元還包括: 第二電機和轉(zhuǎn)動部件; 所述第二電機與所述轉(zhuǎn)動部件連接,用于通過電能使所述轉(zhuǎn)動部件進行水平方向的360。旋轉(zhuǎn); 所述轉(zhuǎn)動部件還包含有真空吸盤部件,用于通過真空操作將所述陶瓷盤吸住。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶片剝離裝置,其特征在于,所述剝離單元包括: 移動子單元和刀片; 所述移動子單元包括水平操作臂和垂直操作臂,所述水平操作臂與所述垂直操作臂呈十字形交叉連接; 所述刀片的邊緣為齒狀結(jié)構(gòu),安裝在所述垂直操作臂底部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片剝離裝置,其特征在于,所述控制單元為PLC可編程邏輯控制器。
9.一種晶片剝離系統(tǒng),其特征在于,包括: 觸摸屏,以及如權(quán)利要求1至8所述的晶片剝離裝置; 所述觸摸屏通過連接線與所述晶片剝離裝置的控制單元連接; 所述觸摸屏用于通過觸摸操作觸發(fā)所述控制單元發(fā)送與所述觸摸操作相對應(yīng)的控制指令。
【文檔編號】H01L21/67GK203950788SQ201420351684
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月27日
【發(fā)明者】朱劉, 劉留 申請人:廣東先導(dǎo)半導(dǎo)體材料有限公司