晶片置放架的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種晶片置放架,其包含一基座,該基座的頂面設(shè)有一容置凸部,該容置凸部的端面設(shè)有多個(gè)晶片槽,該基座的底面設(shè)有一容置凹部,該容置凹部的內(nèi)頂面設(shè)有多個(gè)定位單元,所述定位單元分別對(duì)應(yīng)容置凸部的晶片槽,所述定位單元包含有至少一凸出容置凹部的內(nèi)頂面的定位凸部,切割后的晶片放置在晶片置放架的晶片槽,且晶片置放架可利用容置凹部與容置凸部的配合而重疊放置,以及上方的晶片置放架的定位單元分別伸入下方的晶片置放架中對(duì)應(yīng)的晶片槽,使晶片受到定位凸部的阻擋而限位在晶片槽中,不會(huì)滑脫出所在的晶片槽,進(jìn)而方便后續(xù)制作過(guò)程的晶片的取用。
【專利說(shuō)明】晶片置放架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種晶片置放架,尤其涉及一種提供晶片容置并可多層堆疊以穩(wěn)定傳送的晶片置放架。
【背景技術(shù)】
[0002]晶片切割后會(huì)放置在晶片置放架中,通過(guò)晶片置放架傳送晶片,以利后續(xù)制作過(guò)程的轉(zhuǎn)運(yùn)移動(dòng),其中,現(xiàn)有晶片置放架包含一基座,該基座的頂面設(shè)有一容置凸部,并在該容置凸部的端面設(shè)有多個(gè)晶片槽,所述晶片槽進(jìn)一步呈矩陣排列,該基座的頂面形成一環(huán)繞該容置凸部的標(biāo)示面,該基座的底面形成一容置凹部,以及該基座的一轉(zhuǎn)角處形成一定位角,其中,該容置凹部的內(nèi)頂面可以為一平面,或者在內(nèi)頂面設(shè)有多交錯(cuò)的隔板,以及隔板之間形成空間,且隔板的底緣不凸伸出該容置凹部的的內(nèi)頂面。
[0003]切割后的晶片可放置在晶片置放架的晶片槽中,待放置后,可將晶片置放架堆疊,位在上方的晶片置放架的容置凹部套置在位在下方的晶片置放架的容置凸部,通過(guò)容置凸部與容置凹部的配合而順利堆疊晶片置放架,其中,晶片置放架的重疊放置可對(duì)準(zhǔn)定位角并加以堆疊放置,另外,晶片置放架的標(biāo)示面可標(biāo)示晶片的型號(hào)。
[0004]然上述中,堆疊的晶片置放架中,鄰接的容置凸部的端面與容置凹部的內(nèi)頂面會(huì)產(chǎn)生間隙,又容置凸部的晶片槽內(nèi)的晶片無(wú)定位,造成晶片容易通過(guò)間隙而脫離所在的晶片槽,不利后續(xù)制作過(guò)程的取用晶片的操作進(jìn)行。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的目的在于:提供一種晶片置放架,改善堆疊的晶片置放架無(wú)法有效定位晶片的問(wèn)題。
[0006]本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是:提供一種晶片置放架,其包含一基座,該基座的頂面設(shè)有一容置凸部,且該容置凸部的端面設(shè)有多個(gè)晶片槽,該基座的底面設(shè)有一具有內(nèi)頂面的容置凹部,所述定位單元凸設(shè)在該容置凹部的內(nèi)頂面,且分別對(duì)應(yīng)容置凸部的晶片槽,所述定位單元包含至少一凸出容置凹部的內(nèi)頂面的定位凸部。
[0007]如上所述的晶片置放架,所述定位凸部為半球體狀構(gòu)件、長(zhǎng)條狀構(gòu)件、圓柱狀構(gòu)件或錐狀構(gòu)件。
[0008]如上所述的晶片置放架,該基座的頂面形成一環(huán)繞該容置凸部的標(biāo)示面,該基座在一轉(zhuǎn)角處形成一定位角。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果在于:該晶片置放架可提供切割后的晶片放置,且晶片置放架可重疊放置以利轉(zhuǎn)移運(yùn)送,在晶片置放架重疊放置時(shí),位在上方的晶片置放架的容置凹部套置在位在下方的晶片置放架的容置凸部,以及上方的晶片置放架的定位單元分別伸入下方的晶片置放架中對(duì)應(yīng)的晶片槽,且定位單元的定位凸部未與伸入的晶片槽的晶片接觸,晶片受到定位凸部阻擋而限位在晶片槽中,故晶片不會(huì)滑脫出所在的晶片槽,以利后續(xù)制作過(guò)程的取用晶片的操作進(jìn)行?!緦@綀D】
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型晶片置放架的第一具體實(shí)施例的未重疊放置的立體分解示意圖。
[0011]圖2為本實(shí)用新型晶片置放架的第一具體實(shí)施例的重疊放置的立體組合示意圖。
[0012]圖3為本實(shí)用新型晶片置放架的第一具體實(shí)施例的俯視平面示意圖。
[0013]圖4為圖3的4-4割面線的剖面示意圖。
[0014]圖5為本實(shí)用新型晶片置放架的第一具體實(shí)施例的重疊放置的剖面示意圖。
[0015]圖6為本實(shí)用新型晶片置放架的第二具體實(shí)施例的重疊放置的剖面示意圖。
[0016]圖7為本實(shí)用新型晶片置放架的第三具體實(shí)施例的重疊放置的剖面示意圖。
[0017]圖8為本實(shí)用新型晶片置放 架的第四具體實(shí)施例的重疊放置的剖面示意圖。
[0018]圖9為本實(shí)用新型晶片置放架的第五具體實(shí)施例的重疊放置的剖面示意圖。
[0019]圖10為本實(shí)用新型晶片置放架的第六具體實(shí)施例的重疊放置的剖面示意圖。
[0020]附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明:
[0021]10 基座11 定位角
[0022]12 標(biāo)示面20 容置凸部
[0023]21 晶片槽30 容置凹部
[0024]31 內(nèi)頂面40 定位單元
[0025]41 定位凸部50 晶片。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下配合附圖及本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定實(shí)用新型目的所采取的技術(shù)手段。
[0027]請(qǐng)參閱圖1至圖4,為本實(shí)用新型晶片置放架的一較佳實(shí)施例,其包含一基座10、一容置凸部20、一容置凹部30及多個(gè)定位單元40。
[0028]該基座10為一矩形的塊體且具有四個(gè)轉(zhuǎn)角處,該基座10在其中一轉(zhuǎn)角處形成一定位角11,該基座10包含相對(duì)的一頂面及一底面,以及該基座10在頂面上形成一環(huán)狀且鄰近基座10外緣的標(biāo)示面12,其中,標(biāo)示面12可標(biāo)示晶片型號(hào)。
[0029]該容置凸部20設(shè)在該基座10的頂面,且為該基座10的標(biāo)示面12所環(huán)繞,該容置凸部20的端面設(shè)有多個(gè)晶片槽21,這些晶片槽21間隔設(shè)置且呈矩陣排列。
[0030]該容置凹部30設(shè)在該基座10的底面,且該容置凹部30具有一對(duì)應(yīng)該容置凸部20的內(nèi)頂面31。
[0031 ] 這些定位單元40是凸設(shè)在該容置凹部30的內(nèi)頂面31,且這些定位單元40分別對(duì)應(yīng)容置凸部20的晶片槽21,即一定位單元40對(duì)應(yīng)一晶片槽21,所述定位單元40包含至少一定位凸部41,所述定位凸部41是凸出在該容置凹部30的內(nèi)頂面31,請(qǐng)參閱圖5至圖10,所述定位凸部41可以為半球體狀、長(zhǎng)條狀、圓柱狀或錐狀構(gòu)件,另外,所述定位單元40可包含一個(gè)、二個(gè)或三個(gè)以上的定位凸部41。
[0032]如圖5至圖10所示,切割后的晶片50可放置在晶片置放架的晶片槽21,且晶片置放架可重疊放置以利晶片50的轉(zhuǎn)移運(yùn)送,在晶片置放架可對(duì)準(zhǔn)定位角11并加以堆疊放置,位在上方的晶片置放架的容置凹部30套置在位在下方的晶片置放架的容置凸部20,上方的晶片置放架的定位單元40分別對(duì)應(yīng)且伸入下方的晶片置放架的晶片槽21,定位單元40的定位凸部41伸入晶片槽21且不接觸晶片槽21的晶片50,欲移動(dòng)出晶片槽21的晶片50在位移過(guò)程中受到定位凸部41的阻擋,無(wú)法移動(dòng)至脫離晶片槽21。
[0033]綜上所述,該晶片置放架的容置凹部30設(shè)置定位單元40,且定位單元40對(duì)應(yīng)容置凸部20的晶片槽21,在重疊放置時(shí),定位單元40可伸入晶片槽21以阻擋晶片槽21的晶片50,使晶片50不會(huì)滑脫出晶片槽21,有效定位晶片50在晶片槽21中,進(jìn)而方便后續(xù)制作過(guò)程中晶片50的取用。
[0034]以上所述僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本實(shí)用新型做任何形式上的限制,雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本實(shí)用新型,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片置放架,其特征在于,該晶片置放架包含: 一基座; 一容置凸部,其是設(shè)在該基座的頂面,以及該容置凸部的端面設(shè)有多個(gè)晶片槽; 一容置凹部,其是設(shè)在該基座的底面且具有一內(nèi)頂面;以及 多個(gè)定位單元,其是凸設(shè)在該容置凹部的內(nèi)頂面且分別對(duì)應(yīng)所述容置凸部的晶片槽,所述定位單元包含有至少一凸出容置凹部的內(nèi)頂面的定位凸部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片置放架,其特征在于:所述定位凸部為半球體狀構(gòu)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片置放架,其特征在于:所述定位凸部為長(zhǎng)條狀構(gòu)件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片置放架,其特征在于:所述定位凸部為圓柱狀構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片置放架,其特征在于:所述定位凸部為錐狀構(gòu)件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的晶片置放架,其特征在于:該基座的頂面形成一環(huán)繞該容置凸部的標(biāo)示面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的晶片置放架,其特征在于:該基座在一轉(zhuǎn)角處形成一定位角。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片置放架,其特征在于:該基座在一轉(zhuǎn)角處形成一定位角。
【文檔編號(hào)】H01L21/673GK203774271SQ201420175735
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月11日
【發(fā)明者】錢(qián)國(guó)鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:勤輝科技股份有限公司