一種基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供明一種基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示器制造領域，該基板包括：襯底基板，多條平行設置的柵線,覆蓋柵線的第一絕緣層，位于第一絕緣層上與柵線垂直交叉的多條數(shù)據(jù)線，覆蓋數(shù)據(jù)線的第二絕緣層，以及數(shù)據(jù)線和柵線圍設形成的子像素區(qū)域的像素電極；覆蓋像素電極的偏光膜；以及，設置在第二絕緣層上與柵線平行的第一輔助柵線，每一條第一輔助柵線上至少兩個位置與柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接，第一輔助柵線與偏光膜為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。本發(fā)明實施例可以減小顯示裝置中的信號延遲，用于顯示器的制造。
【專利說明】一種基板及其制造方法、顯示裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器制造領域，尤其涉及一種基板及其制造方法、顯示裝置。

【背景技術】
[0002]液晶顯示器(英文:Liquid Crystal Display,簡稱:LCD)具有重量輕、厚度薄、低功耗等優(yōu)點，廣泛應用于電視、手機、顯示器等電子產(chǎn)品中。液晶顯示器是由水平和垂直兩個方向的像素矩陣構成的，液晶顯示器進行顯示時，驅動電路輸出驅動信號，逐行對各像素單元進行掃描。液晶顯示器的驅動電路主要包括柵極驅動電路和數(shù)據(jù)驅動電路，源驅動電路將輸入的顯示數(shù)據(jù)及時鐘信號定時順序鎖存，轉換成源極驅動信號輸入到液晶面板的數(shù)據(jù)線；柵極驅動電路將輸入的時鐘信號經(jīng)過移位寄存器轉換成柵極驅動信號，逐行施加到液晶面板的柵線中，像素矩陣中的各像素單元則在柵極驅動電路和源極驅動電路的控制下顯示灰階。
[0003]目前顯示設備正在向著尺寸更大和厚度更薄的方向發(fā)展，但是顯示裝置尺寸越大或者分辨率越高就要求數(shù)據(jù)線和柵線越長，進而導致顯示裝置的柵線和數(shù)據(jù)線的電阻越大，而柵極驅動電路需將柵極驅動信號通過柵線輸入像素單元，源極驅動電路也需將轉換后的源極驅動信號通過數(shù)據(jù)線輸入像素單元，因此柵線或數(shù)據(jù)線中的電阻越來越大將導致柵極驅動信號或源極驅動信號的延遲越來越大，進而導致顯示灰階不正常。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實施例提供一種基板及其制造方法、顯示裝置，用于減小柵線或數(shù)據(jù)線的電阻，進而減小顯示裝置中柵線電阻或數(shù)據(jù)線電阻帶來的信號延遲，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0005]第一方面，提供一種基板，包括:襯底基板，位于所述襯底基板上多條平行設置的柵線，覆蓋所述柵線的第一絕緣層，位于所述第一絕緣層上與所述柵線垂直交叉的多條數(shù)據(jù)線，覆蓋所述數(shù)據(jù)線的第二絕緣層，以及位于所述數(shù)據(jù)線和所述柵線圍設形成的子像素區(qū)域的像素電極；
[0006]所述基板還包括:
[0007]覆蓋所述像素電極的偏光膜，所述偏光膜的投影與所述子像素區(qū)域的像素電極相對；
[0008]以及，設置在所述第二絕緣層上與所述柵線平行的第一輔助柵線，所述第一輔助柵線的投影與所述柵線相對，每一條所述第一輔助柵線上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接，其中，所述第一輔助柵線與所述偏光膜為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成；
[0009]或者，
[0010]設置在所述第二絕緣層上與所述數(shù)據(jù)線平行的第一輔助數(shù)據(jù)線，所述第一輔助數(shù)據(jù)線的投影與所述數(shù)據(jù)線相對，每一條所述第一輔助數(shù)據(jù)線上至少兩個位置與所述數(shù)據(jù)線上相對的至少兩個位置通過貫穿第二絕緣層的過孔電連接，其中，所述第一輔助數(shù)據(jù)線與所述偏光膜為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
[0011]可選的，所述基板包括:所述偏光膜和所述第一輔助柵線時；
[0012]在每相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間，每一條所述柵線和對應的第一輔助柵線之間設置有一個貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔。
[0013]可選的，所述基板包括:所述偏光膜和所述第一輔助數(shù)據(jù)線時；
[0014]在每相鄰的兩條柵線之間，每一條所述數(shù)據(jù)線和對應的第一輔助數(shù)據(jù)線之間設置有一個貫穿所述第二絕緣層的過孔。
[0015]可選的，所述基板包括:所述第一輔助柵線和所述偏光膜時，所述基板還包括--第二輔助數(shù)據(jù)線；
[0016]所述第二輔助數(shù)據(jù)線設置在所述第二絕緣層上，所述第二輔助數(shù)據(jù)線與所述數(shù)據(jù)線平行，所述第二輔助數(shù)據(jù)線的投影與所述數(shù)據(jù)線相對，所述第二輔助數(shù)據(jù)線被所述第一輔助柵線隔斷成多個輔助數(shù)據(jù)線段，每個所述輔助數(shù)據(jù)線段上至少兩個位置與所述數(shù)據(jù)線上相對的至少兩個位置通過貫穿第二絕緣層的過孔電連接；其中，所述第一輔助柵線和所述偏光膜與所述第二輔助數(shù)據(jù)線為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
[0017]可選的，所述基板包括:所述第一輔助數(shù)據(jù)線和所述偏光膜時，所述基板還包括:第二輔助柵線；
[0018]所述第二輔助柵線設置在所述第二絕緣層上，所述第二輔助柵線與所述柵線平行，所述第二輔助柵線的投影與所述柵線相對，所述第二輔助柵線被所述第一輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助柵線段，每個所述輔助柵線段上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接；其中，所述第一輔助數(shù)據(jù)線和所述偏光膜與所述第二輔助柵線為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
[0019]可選的，所述透明導電材料為線柵起偏材料。
[0020]第二方面，提供一種顯示裝置，包括上述任一項所述的基板。
[0021]第三方面，提供一種基板制造方法，包括:
[0022]在襯底基板制作多條平行設置的柵線；
[0023]制作覆蓋所述柵線的第一絕緣層；
[0024]制作位于所述第一絕緣層上與所述柵線垂直交叉的多條數(shù)據(jù)線；
[0025]制作覆蓋所述數(shù)據(jù)線的第二絕緣層；
[0026]通過第一構圖工藝在每一條所述柵線對應的位置形成至少兩個貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔；或者，通過第一構圖工藝在每一條所述數(shù)據(jù)線對應的位置形成至少兩個貫穿所述第二絕緣層的過孔；
[0027]在所述柵線與所述數(shù)據(jù)線圍設形成的子像素區(qū)域形成像素電極；
[0028]形成覆蓋所述像素電極和所述第二絕緣層的透明導電材料層；
[0029]對所述透明導電材料層進行第二構圖工藝形成偏光膜和第一輔助柵線，每一條所述柵線與對應的第一輔助柵線通過貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔電連接;
[0030]或者，對所述透明導電材料層進行第二構圖工藝形成偏光膜和第一輔助數(shù)據(jù)線，每一條所述數(shù)據(jù)線與對應的第一輔助數(shù)據(jù)線通過所述第一絕緣層上的至少兩個過孔電連接。
[0031]可選的，所述方法還包括:在每相鄰的兩條柵線之間，通過所述第一構圖工藝在每一條所述數(shù)據(jù)線對應的位置上形成至少兩個貫穿所述第二絕緣層的過孔；
[0032]對所述透明導電材料層進行所述第二構圖工藝形成第二輔數(shù)據(jù)線，所述第二輔助柵線被所述第一輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助柵線段，每個所述輔助柵線段上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接。
[0033]可選的，所述方法還包括:在每相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間，通過所述第一構圖工藝在每一條所述柵線對應的位置上形成至少兩個貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔；
[0034]對所述透明導電材料層進行所述第二構圖工藝形成第二輔助柵線，所述第二輔助柵線被所述第一輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助柵線段，每個所述輔助柵線段上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接。
[0035]可選的，所述透明導電材料為線柵起偏材料。
[0036]本發(fā)明實施例提供的基板及其制造方法、顯示裝置，在第二絕緣層上設置第一輔助柵線，并將第一輔助柵線與柵線通過至少兩個貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的過孔并聯(lián)，從而減小了柵線的電阻，或者在第二絕緣層上設置第一輔助數(shù)據(jù)線，并將第一輔助數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)線通過至少兩個貫穿第二絕緣層的過孔并聯(lián)，從而減小了數(shù)據(jù)線的電阻，進而減小了顯示裝置中柵線電阻或數(shù)據(jù)線電阻帶來的信號延遲。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0038]圖1為本發(fā)明的實施例提供的一種基板示意性結構圖；
[0039]圖2為本發(fā)明的實施例提供的圖1所示基板A-A’截面的剖面圖；
[0040]圖3為本發(fā)明的實施例提供的另一種基板示意性結構圖；
[0041]圖4為本發(fā)明的實施例提供的圖3所示基板B-B’截面的剖面圖；
[0042]圖5為本發(fā)明的實施例提供的圖3所示基板C-C’截面的剖面圖；
[0043]圖6為本發(fā)明的實施例提供的又一種基板示意性結構圖；
[0044]圖7為本發(fā)明的實施例提供的再一種基板示意性結構圖；
[0045]圖8為本發(fā)明的實施例提供的一種基板的制造方法步驟流程圖；
[0046]圖9為本發(fā)明的實施例提供的另一種基板的制造方法步驟流程圖。
[0047]附圖標記:
[0048]襯底基板-101 ;第一絕緣層一102 ;柵線一103 ;數(shù)據(jù)線一104 ;第二絕緣層一105 ；像素電極一106 ;偏光膜一107 ;第一輔助柵線一108 ;貫穿第一絕緣層及第二絕緣層的過孔一109 ;第一輔助數(shù)據(jù)線一110 ;貫穿第二絕緣層的過孔一111 ;第二輔助數(shù)據(jù)線一112 ；輔助數(shù)據(jù)線段一112-1 ;第二輔助柵線一113 ;輔助柵線段一113-1。

【具體實施方式】
[0049]下面結合附圖對本發(fā)明實施例提供的基板及其制造方法、顯示裝置進行詳細描述，其中用相同的附圖標記指示本文中的相同元件。在下面的描述中，為便于解釋，給出了大量具體細節(jié)，以便提供對一個或多個實施例的全面理解。然而，很明顯，也可以不用這些具體細節(jié)來實現(xiàn)所述實施例。在其它例子中，以方框圖形式示出公知結構和設備，以便于描述一個或多個實施例。
[0050]本發(fā)明實施例中的“上”、“下”以制造陣列基板時的先后順序為準，例如，在上的圖案是指相對在后形成的圖案，在下的圖案是指相對在先形成的圖案。
[0051]本發(fā)明一實施例提供一種基板，參照圖1、2所示，其中圖1為該基板的俯視圖，圖2為沿圖1所示俯視圖的A-A’截面的剖面圖；具體的該基板包括:襯底基板101，位于所述襯底基板101上多條平行設置的柵線103，覆蓋所述柵線103的第一絕緣層102，位于所述第一絕緣層102上與所述柵線103垂直交叉的多條數(shù)據(jù)線104，覆蓋所述數(shù)據(jù)線的第二絕緣層105 ;以及位于所述數(shù)據(jù)線104和所述柵線103圍設形成的子像素區(qū)域的像素電極106 ；所述基板還包括:
[0052]覆蓋所述像素電極的偏光膜107，所述偏光膜107的投影與所述子像素區(qū)域的像素電極106相對；
[0053]以及，設置在所述第二絕緣層105上與所述柵線103平行的第一輔助柵線108，所述第一輔助柵線108的投影與所述柵線103相對，每一條所述第一輔助柵線108上至少兩個位置與所述柵線103上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔109電連接，其中，所述第一輔助柵線108與所述偏光膜107為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
[0054]本發(fā)明實施例提供的基板，在第二絕緣層上設置第一輔助柵線，并將第一輔助柵線與柵線通過貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的過孔并聯(lián)，從而減小了柵線的電阻，進而減小了顯示裝置中柵線電阻帶來的信號的延遲。
[0055]可選的，所述透明導電材料為線柵起偏材料，例如:可以為WGP(英文:Wire GridPolarizer,中文:線柵起偏器)。當采用WGP時，本發(fā)明實施例中的偏光膜由直接沉積在像素電極上的WGP形成，其中偏光膜的厚度可以通過沉積工藝控制，而傳統(tǒng)顯示裝置的偏光片由多層高分子材料復合而成，再通過粘著劑將偏光片固定于基板上，相比于現(xiàn)有技術，由于偏光膜的厚度可以通過沉積工藝控制，所以本發(fā)明實施例更容易控制顯示裝置的模組厚度，進而更容易實現(xiàn)顯示裝置的模組厚度的降低；而且上述的第一輔助柵線與偏光膜為對同一層材料通過同一次構圖工藝形成，相比于現(xiàn)有技術中偏光片的制造工藝，本發(fā)明實施例不用增加額外的工藝流程。
[0056]本發(fā)明一實施例提供一種基板，參照圖3、4、5所示，其中圖3為該基板的俯視圖，圖4為沿圖3所示俯視圖的B-B’截面的剖面圖，圖5為沿圖3所示俯視圖的C-C’截面的剖面圖；具體的該基板包括:襯底基板101，位于所述襯底基板101上多條平行設置的柵線103，覆蓋所述柵線103的第一絕緣層102，位于所述第一絕緣層102上與所述柵線103垂直交叉的多條數(shù)據(jù)線104，覆蓋所述數(shù)據(jù)線的第二絕緣層105 ;以及位于所述數(shù)據(jù)線104和所述柵線103圍設形成的子像素區(qū)域的像素電極106 ;所述基板還包括:
[0057]覆蓋所述像素電極的偏光膜107，所述偏光膜107的投影與所述子像素區(qū)域的像素電極106相對；
[0058]以及設置在所述第二絕緣層105上與所述數(shù)據(jù)線104平行的第一輔助數(shù)據(jù)線110，所述第一輔助數(shù)據(jù)線110的投影與所述數(shù)據(jù)線104相對，每一條所述第一輔助數(shù)據(jù)線110上至少兩個位置與所述數(shù)據(jù)線104上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第二絕緣層的過孔111電連接，其中，所述第一輔助數(shù)據(jù)線與所述偏光膜為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
[0059]本發(fā)明實施例提供的基板，在第二絕緣層上設置第一輔助數(shù)據(jù)線，并將第一輔助數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)線通過貫穿第二絕緣層的過孔并聯(lián)，所以可以從而減小了數(shù)據(jù)線的電阻，進而減小了顯示裝置中數(shù)據(jù)線電阻帶來的信號的延遲。
[0060]可選的，所述透明導電材料為線柵起偏材料，例如:可以為WGP。當采用WGP時，本發(fā)明實施例中的偏光膜由直接沉積在像素電極上的WGP形成，其中偏光膜的厚度可以通過沉積工藝控制，而傳統(tǒng)顯示裝置的偏光片由多層高分子材料復合而成，再通過粘著劑將偏光片固定于基板上，相比于現(xiàn)有技術，由于偏光膜的厚度可以通過沉積工藝控制，所以本發(fā)明實施例更容易控制顯示裝置的模組厚度，進而更容易實現(xiàn)顯示裝置的模組厚度的降低；而且上述的第一輔助數(shù)據(jù)線與偏光膜為對同一層材料通過同一次構圖工藝形成，相比于現(xiàn)有技術中偏光片的制造工藝，本發(fā)明實施例不用增加額外的工藝流程。
[0061]可選的，參照圖1所示，所述基板包括:所述偏光膜107和所述第一輔助柵線108時；
[0062]在每相鄰的兩條數(shù)據(jù)線104之間，每一條所述柵線103和對應的第一輔助柵線108之間設置有一個貫穿所述第一絕緣層102和第二絕緣層105的過孔109。
[0063]上述實施例中在每相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間，每一條所述柵線和對應的第一輔助柵線之間設置有一個貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的過孔，使得在每相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間的位置，每一條柵線和對應的第一輔助柵線通過貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的過孔并聯(lián)，由于柵極驅動電路通過柵線向每一級像素單元中開關晶體管的柵極提供柵極驅動信號，因此上述連接方式可以使柵極驅動電路的信號源到每一級開關晶體管的柵極之間的柵線和第一輔助柵線并聯(lián)，所以上述實施例可以進一步減小每一個像素單元中開關晶體管的柵極到柵極驅動信號的信號源之間的電阻，進而減小顯示裝置中柵線電阻帶來的信號延遲。
[0064]可選的，參照圖3所示，所述基板包括:所述偏光膜107和所述第一輔助數(shù)據(jù)線110 時；
[0065]在每相鄰的兩條柵線103之間，每一條所述數(shù)據(jù)線104和對應的第一輔助數(shù)據(jù)線110之間設置有一個貫穿第二絕緣層105的過孔111。
[0066]上述實施例中在每相鄰的兩條柵線之間，每一條所述數(shù)據(jù)線和對應的第一輔助數(shù)據(jù)線之間上設置有一個貫穿所述第二絕緣層的過孔，使得在每相鄰的兩條柵線之間的位置，每一條數(shù)據(jù)線和對應的第一輔助數(shù)據(jù)線通過貫穿第二絕緣層的過孔并聯(lián)，由于源極驅動電路通過數(shù)據(jù)線向每一級像素單元中開關晶體管的源極提供源極驅動信號，因此上述連接方式可以使得源極驅動電路的信號源到每一級開關晶體管的源極之間的數(shù)據(jù)線和第一輔助數(shù)據(jù)線并聯(lián)，所以上述實施例可以進一步減小每一個像素單元中開關晶體管的源極到源極驅動信號的信號源之間的電阻，進而減小顯示裝置中數(shù)據(jù)線電阻帶來的信號延遲。
[0067]進一步的，參照圖6所示，所述基板包括:所述第一輔助柵線108和所述偏光膜107時，所述基板還包括:第二輔助數(shù)據(jù)線112 ；
[0068]所述第二輔助數(shù)據(jù)線112設置在所述第二絕緣層105上，所述第二輔助數(shù)據(jù)線112與所述數(shù)據(jù)線104平行，所述第二輔助數(shù)據(jù)線112的投影與所述數(shù)據(jù)線104相對，所述第二輔助數(shù)據(jù)線112被所述第一輔助柵線108隔斷成多個輔助數(shù)據(jù)線段112-1，每個所述輔助數(shù)據(jù)線段112-1上至少兩個位置與所述數(shù)據(jù)線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第二絕緣層的過孔109電連接；其中，所述第一輔助柵線112和所述偏光膜107與所述第二輔助數(shù)據(jù)線112為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
[0069]上述實施例中，第一輔助柵線和第二輔助數(shù)據(jù)線為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成，第一輔助柵線將第二輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助數(shù)據(jù)線段，而每一個輔助數(shù)據(jù)線段上至少兩個位置與所述數(shù)據(jù)線上相對的至少兩個位置通過貫穿第二絕緣層的過孔電連接，使得每一個輔助數(shù)據(jù)線段都和對應的數(shù)據(jù)線并聯(lián)，從而減小了數(shù)據(jù)線的電阻，進而減小了顯示裝置中數(shù)據(jù)線電阻帶來的信號延遲；進一步的，上述輔助數(shù)據(jù)線段只有在兩個過孔之間的部分才可以和對應的數(shù)據(jù)線并聯(lián)，所以一種優(yōu)選的方式是，輔助數(shù)據(jù)線段的兩端各有一個過孔，輔助數(shù)據(jù)線段通過兩端的過孔與對應的數(shù)據(jù)線并聯(lián)則可以最大程度的減小數(shù)據(jù)線的電阻，進而最大程度的減小顯示裝置中數(shù)據(jù)線電阻帶來的信號延遲。此外第一輔助柵線將第二輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助數(shù)據(jù)線段，避免了第一輔助柵線和第二輔助數(shù)據(jù)線電連接而引起的柵線和數(shù)據(jù)線的電連接，從而保證了包含上述基板的顯示器能夠正常工作。
[0070]進一步的，參照圖7所示，所述基板包括:所述第一輔助數(shù)據(jù)線110和所述偏光膜107時，所述基板還包括:第二輔助柵線113 ；
[0071]所述第二輔助柵線113設置在所述第二絕緣層105上，所述第二輔助柵線113與所述柵線103平行，所述第二輔助柵線113的投影與所述柵線103相對，所述第二輔助柵線113被所述第一輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助柵線段113-1，每個所述輔助柵線段113-1上至少兩個位置與所述柵線103上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔109電連接；其中，所述第一輔助數(shù)據(jù)線110和所述偏光膜107與所述第二輔助柵線113為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
[0072]上述實施例中，第一輔助數(shù)據(jù)線和第二輔助柵線為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成，第一輔助數(shù)據(jù)線將第二輔助柵線隔斷成多個輔助柵線段，而每個輔柵線段上至少兩個位置與柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接，使得每一個輔助柵線段都和對應的柵線并聯(lián)，從而減小了柵線的電阻，進而減小了顯示裝置中柵線電阻帶來的信號延遲；進一步的，上述輔助柵線段只有在兩個過孔之間的部分才可以和對應的柵線并聯(lián)，所以一種優(yōu)選的方式是，輔助柵線段的兩端各有一個過孔，輔助柵線段通過兩端的過孔與對應的柵線并聯(lián)則可以最大程度的減小柵線的電阻，進而最大程度的減小顯示裝置中柵線電阻帶來的信號延遲。此外第一輔助數(shù)據(jù)線將第二輔助柵線隔斷成多個輔助柵線段，避免了第一輔助數(shù)據(jù)線和第二輔助柵線電連接而引起的柵線和數(shù)據(jù)線的電連接，從而保證了包含上述基板的顯示器能夠正常工作。
[0073]本發(fā)明的實施例提供一種基板制造方法，用于制造圖1、2所示的基板，參照圖8所示，該基板制造方法包括如下步驟:
[0074]S801、在襯底基板制作多條平行設置的柵線。
[0075]S802、制作覆蓋所述柵線的第一絕緣層。
[0076]S803、制作位于所述第一絕緣層上與所述柵線垂直交叉的多條數(shù)據(jù)線。
[0077]S804、制作覆蓋所述數(shù)據(jù)線的第二絕緣層。
[0078]上述步驟S801中制作柵線、步驟S802中制作第一絕緣層、步驟S803中制作數(shù)據(jù)線及S804中制作第二絕緣層的方式與現(xiàn)有技術中制作柵線、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線及第二絕緣層的方式相同，在此本文不做限定。其中，上述的第一絕緣層和第二絕緣層均為單獨的層?！皩印钡暮x可以是指利用某一種材料在基板上利用沉積等工藝制作出的一層薄膜；例如上述的第一絕緣層可以是在襯底基板上沉積SiNx(氮化硅)所制得的。具體的，上述的絕緣層可以根據(jù)實際需要，先在襯底基板上沉積SiNx制作絕緣薄膜，再通過構圖工藝在絕緣薄膜上去除部分，制得絕緣層。
[0079]S805、通過第一構圖工藝在每一條所述柵線對應的位置形成至少兩個貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔。
[0080]上述步驟S805中，除了通過第一構圖工藝形成貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔外，還應通過第一構圖工藝在第二絕緣層上形成像素電極與像素單元中晶體管的漏極連接的過孔。
[0081]S806、在所述柵線與所述數(shù)據(jù)線圍設形成的子像素區(qū)域形成像素電極。
[0082]S807、形成覆蓋所述像素電極和所述第二絕緣層的透明導電材料層。
[0083]S808、對所述透明導電材料層進行第二構圖工藝形成偏光膜和第一輔助柵線，每一條所述柵線與對應的第一輔助柵線通過貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔電連接。
[0084]需要說明的是，上述步驟中，對各個層的具體形貌及電路連接參照圖1、2對應的裝置實施例。此外，該基板的制造方法中用到的構圖工藝通常包括清洗、成膜、光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序；對于金屬層通常采用物理氣相沉積方式(例如:磁控濺射法)成膜，通過濕法刻蝕形成圖形，而對于非金屬層通常采用化學氣相沉積方式成膜，通過干法刻蝕形成圖形。當然步驟S808中，除了可采用上述構圖工藝形成偏光膜、第一輔助柵線外還可以通過納米壓印、光衍射干刻、電子束直寫等構圖工藝形成，本文在此不作限定。
[0085]本發(fā)明實施例提供的基板的制造方法，通過在第二絕緣層上設置第一輔助柵線，并將第一輔助柵線與柵線通過至少兩個貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的過孔并聯(lián)，從而減小了柵線的電阻，進而減小顯示裝置中柵線電阻到來的信號延遲。
[0086]可選的，上述透明導電材料為線柵起偏材料，例如:可以為WGP。當采用WGP時，本發(fā)明實施例中的偏光膜由直接沉積在像素電極上的WGP形成，其中偏光膜的厚度可以通過沉積工藝控制，而傳統(tǒng)顯示裝置的偏光片由多層高分子材料復合而成，再通過粘著劑將偏光片固定于基板上，相比于現(xiàn)有技術，由于偏光膜的厚度可以通過沉積工藝控制，所以本發(fā)明實施例更容易控制顯示裝置的模組厚度，進而更容易實現(xiàn)顯示裝置的模組厚度的降低；而且上述的第一輔助數(shù)據(jù)線與偏光膜為對同一層材料通過同一次構圖工藝形成，相比于現(xiàn)有技術中偏光片的制造工藝，本發(fā)明實施例不用增加額外的工藝流程。
[0087]可選的，圖8對應實施例中基板制造方法還包括:
[0088]在步驟S805中，還包括:在每相鄰的兩條柵線之間，通過所述第一構圖工藝在每一條所述數(shù)據(jù)線對應的位置上形成至少兩個貫穿所述第二絕緣層的過孔。
[0089]在步驟S808中，還包括:對所述透明導電材料層進行所述第二構圖工藝形成第二輔數(shù)據(jù)線，所述第二輔助柵線被所述第一輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助柵線段，每個所述輔助柵線段上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接。
[0090]上述實施例中步驟S808形成的第二輔助數(shù)據(jù)線通過步驟S805形成的貫穿第二絕緣層的過孔與數(shù)據(jù)線電連接，使得每一個第二輔助數(shù)據(jù)線段都和對應的數(shù)據(jù)線并聯(lián)，從而減小了數(shù)據(jù)線的電阻，進而減小顯示裝置中數(shù)據(jù)線電阻帶來的信號延遲。
[0091]本發(fā)明一實施例提供一種基板制造方法，用于制造圖3、4、5所示的基板，參照圖9所示，該基板制造方法包括如下步驟:
[0092]S901、在襯底基板制作多條平行設置的柵線。
[0093]S902、制作覆蓋所述柵線的第一絕緣層。
[0094]S903、制作位于所述第一絕緣層上與所述柵線垂直交叉的多條數(shù)據(jù)線。
[0095]S904、制作覆蓋所述數(shù)據(jù)線的第二絕緣層。
[0096]上述步驟S901中制作柵線、步驟S902中制作第一絕緣層、步驟S903中制作數(shù)據(jù)線及S904中制作第二絕緣層的方式與現(xiàn)有技術中制作柵線、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線及第二絕緣層的方式相同，在此本文不做限定；其中，上述的第一絕緣層和第二絕緣層均為單獨的層?！皩印钡暮x可以是指利用某一種材料在基板上利用沉積等工藝制作出的一層薄膜；例如上述的第一絕緣層可以是在襯底基板上沉積SiNx(氮化硅)所制得的。具體的，又如，上述的絕緣層可以根據(jù)實際需要，先在襯底基板上沉積SiNx制作絕緣薄膜，再通過構圖工藝在絕緣薄膜上去除部分，制得絕緣層。
[0097]S905、通過第一構圖工藝在每一條所述數(shù)據(jù)線對應的位置對應的第二絕緣層上形成至少兩個過孔；
[0098]上述步驟S905中，除了通過第一構圖工藝在每一條所述數(shù)據(jù)線對應的位置對應的第二絕緣層上形成至少兩個過孔外，還應通過第一構圖工藝在第二絕緣層上形成像素電極與像素單元中晶體管的漏極連接的過孔。
[0099]S906、在所述柵線與所述數(shù)據(jù)線圍設形成的子像素區(qū)域形成像素電極。
[0100]S907、形成覆蓋所述像素電極和所述第二絕緣層的透明導電材料層。
[0101]S908、對所述透明導電材料層進行第二構圖工藝形成偏光膜和第一輔助數(shù)據(jù)線，每一條所述數(shù)據(jù)線與對應的第一輔助數(shù)據(jù)線通過所述第一絕緣層上的至少兩個過孔電連接。
[0102]需要說明的是，上述步驟中，對各個層的具體形貌及電路連接參照圖3、4、5對應的裝置實施例。此外，該基板的制造方法中用到的構圖工藝通常包括清洗、成膜、光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序；對于金屬層通常采用物理氣相沉積方式(例如:磁控濺射法)成膜，通過濕法刻蝕形成圖形，而對于非金屬層通常采用化學氣相沉積方式成膜，通過干法刻蝕形成圖形。當然在步驟S908中，除了可采用上述構圖工藝形成偏光膜、第一輔助數(shù)據(jù)線外還可以通過納米壓印、光衍射干刻、電子束直寫等構圖工藝形成，本文在此不作限定。
[0103]本發(fā)明實施例提供的基板的制造方法，通過在第二絕緣層上設置第一輔助數(shù)據(jù)線，并將第一輔助數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)線通過至少兩個貫穿第二絕緣層的過孔并聯(lián)，從而減小了數(shù)據(jù)線的電阻，進而減小顯示裝置中數(shù)據(jù)線電阻到來的信號延遲。
[0104]可選的，上述透明導電材料為線柵起偏材料，例如:可以為WGP。當透明導電材料為WGP時，本發(fā)明實施例中的偏光膜由直接沉積在像素電極上的WGP形成，其中偏光膜的厚度可以通過沉積工藝控制，而傳統(tǒng)顯示裝置的偏光片由多層高分子材料復合而成，再通過粘著劑將偏光片固定于基板上，相比于現(xiàn)有技術，由于偏光膜的厚度可以通過沉積工藝控制，所以本發(fā)明實施例更容易控制顯示裝置的模組厚度，進而更容易實現(xiàn)顯示裝置的模組厚度的降低；而且上述的第一輔助數(shù)據(jù)線與偏光膜為對同一層材料通過同一次構圖工藝形成，相比于現(xiàn)有技術中偏光片的制造工藝，本發(fā)明實施例不用增加額外的工藝流程。
[0105]可選的，圖9對應實施例中基板制造方法還包括:
[0106]在步驟905中，還包括:在每相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間，通過所述第一構圖工藝在每一條所述柵線對應的位置上形成至少兩個貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔。
[0107]在步驟S908中，還包括:對所述透明導電材料層進行所述第二構圖工藝形成第二輔助柵線，所述第二輔助柵線被所述第一輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助柵線段，每個所述輔助柵線段上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接。
[0108]上述實施例中步驟S908形成的第二輔助柵線通過步驟S905形成的貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的過孔與柵線電連接，從而減小了柵線的電阻，進而減小顯示裝置中柵線電阻帶來的信號延遲。
[0109]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括:本發(fā)明實施例提供的任一種基板，所述基板可以由本發(fā)明實施例提供的制作方法獲得。所述顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相機、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0110]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種基板，包括:襯底基板，位于所述襯底基板上多條平行設置的柵線，覆蓋所述柵線的第一絕緣層，位于所述第一絕緣層上與所述柵線垂直交叉的多條數(shù)據(jù)線，覆蓋所述數(shù)據(jù)線的第二絕緣層，以及位于所述數(shù)據(jù)線和所述柵線圍設形成的子像素區(qū)域的像素電極； 其特征在于，所述基板還包括: 覆蓋所述像素電極的偏光膜，所述偏光膜的投影與所述子像素區(qū)域的像素電極相對； 以及，設置在所述第二絕緣層上與所述柵線平行的第一輔助柵線，所述第一輔助柵線的投影與所述柵線相對，每一條所述第一輔助柵線上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔電連接，其中，所述第一輔助柵線與所述偏光膜為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成； 或者， 設置在所述第二絕緣層上與所述數(shù)據(jù)線平行的第一輔助數(shù)據(jù)線，所述第一輔助數(shù)據(jù)線的投影與所述數(shù)據(jù)線相對，每一條所述第一輔助數(shù)據(jù)線上至少兩個位置與所述數(shù)據(jù)線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第二絕緣層的過孔電連接，其中，所述第一輔助數(shù)據(jù)線與所述偏光膜為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
2.根據(jù)權利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括:所述偏光膜和所述第一輔助柵線時； 在每相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間，每一條所述柵線和對應的第一輔助柵線之間設置有一個貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔。
3.根據(jù)權利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括:所述偏光膜和所述第一輔助數(shù)據(jù)線時； 在每相鄰的兩條柵線之間，每一條所述數(shù)據(jù)線和對應的第一輔助數(shù)據(jù)線之間設置有一個貫穿所述第二絕緣層的過孔。
4.根據(jù)權利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括:所述第一輔助柵線和所述偏光膜時，所述基板還包括:第二輔助數(shù)據(jù)線； 所述第二輔助數(shù)據(jù)線設置在所述第二絕緣層上，所述第二輔助數(shù)據(jù)線與所述數(shù)據(jù)線平行，所述第二輔助數(shù)據(jù)線的投影與所述數(shù)據(jù)線相對，所述第二輔助數(shù)據(jù)線被所述第一輔助柵線隔斷成多個輔助數(shù)據(jù)線段，每個所述輔助數(shù)據(jù)線段上至少兩個位置與所述數(shù)據(jù)線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第二絕緣層的過孔電連接；其中，所述第一輔助柵線和所述偏光膜與所述第二輔助數(shù)據(jù)線為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
5.根據(jù)權利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括:所述第一輔助數(shù)據(jù)線和所述偏光膜時，所述基板還包括:第二輔助柵線； 所述第二輔助柵線設置在所述第二絕緣層上，所述第二輔助柵線與所述柵線平行，所述第二輔助柵線的投影與所述柵線相對，所述第二輔助柵線被所述第一輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助柵線段，每個所述輔助柵線段上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔電連接；其中，所述第一輔助數(shù)據(jù)線和所述偏光膜與所述第二輔助柵線為通過對同一層透明導電材料的同一次構圖工藝形成。
6.根據(jù)權利要求1-5任一所述的基板，其特征在于，所述透明導電材料為線柵起偏材料。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的基板。
8.一種基板制造方法，其特征在于，包括: 在襯底基板制作多條平行設置的柵線； 制作覆蓋所述柵線的第一絕緣層； 制作位于所述第一絕緣層上與所述柵線垂直交叉的多條數(shù)據(jù)線； 制作覆蓋所述數(shù)據(jù)線的第二絕緣層； 通過第一構圖工藝在每一條所述柵線對應的位置形成至少兩個貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔；或者，通過第一構圖工藝在每一條所述數(shù)據(jù)線對應的位置形成至少兩個貫穿所述第二絕緣層的過孔； 在所述柵線與所述數(shù)據(jù)線圍設形成的子像素區(qū)域形成像素電極； 形成覆蓋所述像素電極和所述第二絕緣層的透明導電材料層； 對所述透明導電材料層進行第二構圖工藝形成偏光膜和第一輔助柵線，每一條所述柵線與對應的第一輔助柵線通過貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔電連接； 或者，對所述透明導電材料層進行第二構圖工藝形成偏光膜和第一輔助數(shù)據(jù)線，每一條所述數(shù)據(jù)線與對應的第一輔助數(shù)據(jù)線通過所述第一絕緣層上的至少兩個過孔電連接。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在每相鄰的兩條柵線之間，通過所述第一構圖工藝在每一條所述數(shù)據(jù)線對應的位置上形成至少兩個貫穿所述第二絕緣層的過孔； 對所述透明導電材料層進行所述第二構圖工藝形成第二輔數(shù)據(jù)線，所述第二輔助柵線被所述第一輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助柵線段，每個所述輔助柵線段上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接。
10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在每相鄰的兩條數(shù)據(jù)線之間，通過所述第一構圖工藝在每一條所述柵線對應的位置上形成至少兩個貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔； 對所述透明導電材料層進行所述第二構圖工藝形成第二輔助柵線，所述第二輔助柵線被所述第一輔助數(shù)據(jù)線隔斷成多個輔助柵線段，每個所述輔助柵線段上至少兩個位置與所述柵線上相對的至少兩個位置通過貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接。
11.根據(jù)權利要求8-10任一項所述的方法，其特征在于，所述透明導電材料為線柵起偏材料。
【文檔編號】H01L23/50GK104409455SQ201410655138
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月17日 優(yōu)先權日:2014年11月17日
【發(fā)明者】張翔燕, 武延兵, 李文波, 李盼, 賈倩 申請人:京東方科技集團股份有限公司