一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法，包括重?fù)诫s硅片、修飾層十八烷基三氯硅烷OTS、修飾層聚苯乙烯PS、源、漏電極層、P3HT有機(jī)半導(dǎo)體活性層，在絕緣層與電極層間設(shè)置修飾層,所述的修飾層包含十八烷基三氯硅烷OTS層和聚苯乙烯PS層。步驟一，選重?fù)诫s硅片為襯底，重?fù)诫s硅作為柵電極，熱氧化生成的二氧化硅作為絕緣層；步驟二，在絕緣層上用汽化的方式制備十八烷基三氯硅烷OTS修飾層；步驟三，在十八烷基三氯硅烷OTS修飾層上旋涂一層聚苯乙烯PS修飾層；步驟四，在聚苯乙烯PS修飾層上通過(guò)掩膜蒸鍍方式制備源、漏電極；步驟五，在電極上用噴墨打印的方法制備有機(jī)半導(dǎo)體活性層。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶體管，尤其涉及一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法，屬于晶體管制備領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002]場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，即可以通過(guò)改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源電子器件。這種器件具有一系列的優(yōu)點(diǎn):體積小、重量輕、噪聲低、熱穩(wěn)定性比較好、抗輻射能力比較強(qiáng)、制造工藝較為成熟等，因此普遍應(yīng)用于各種電路中。由此可說(shuō)，構(gòu)成現(xiàn)代集成電路的核心基礎(chǔ)器件是場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[0003]目前，傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要是硅、鍺等無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料，但是其尺寸快接近小型化的自然極限，無(wú)法滿足特征尺寸和集成度的進(jìn)一步提高，同時(shí)一般采用光刻工藝和半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)制備，制作的工藝復(fù)雜，成本昂貴，對(duì)環(huán)境要求很高，不利于大面積生產(chǎn)。近年來(lái)，隨著人們深入研究和發(fā)展高分子聚合物材料，逐漸開(kāi)始嘗試使用有機(jī)材料制造新型的有機(jī)薄膜晶體管，取代了傳統(tǒng)的半導(dǎo)體、絕緣層、導(dǎo)電層等無(wú)機(jī)材料。有機(jī)薄膜晶體管現(xiàn)在已經(jīng)成為一個(gè)熱點(diǎn)的研究領(lǐng)域。
[0004]噴墨印刷技術(shù)在許多基于溶液加工的技術(shù)中脫穎而出。因?yàn)閲娔∷⒓夹g(shù)具有自身的特點(diǎn)，不需要壓力，不需要接觸，不需要印版，只需將存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)里的信息輸入噴墨印刷機(jī)，即將數(shù)字圖形直接通過(guò)相應(yīng)設(shè)備傳遞到圖形化介質(zhì)上，不需要原始的模板，適用大面積的器件制造技術(shù)，大大降低了制造成本，有良好的圖案化成膜優(yōu)勢(shì)，工藝簡(jiǎn)單，適用性較強(qiáng)，同時(shí)使用噴墨印刷的設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，因?yàn)椴恍枰邷丶庸?，不?huì)將有機(jī)材料的性能破壞，同時(shí)也不會(huì)污染環(huán)境等。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供了一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法，只需將存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)里的信息輸入噴墨印刷機(jī)即可，大大降低了制造成本，有良好的圖案化成膜優(yōu)勢(shì)，工藝簡(jiǎn)單，適用性較強(qiáng)。
[0006]本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題采用以下技術(shù)方案
一種有機(jī)薄膜晶體管，包括重?fù)诫s硅片、修飾層十八烷基三氯硅烷0TS、修飾層聚苯乙烯PS、源、漏電極層、P3HT有機(jī)半導(dǎo)體活性層，在絕緣層與電極層間設(shè)置修飾層，所述的修飾層包含十八烷基三氯硅烷OTS層和聚苯乙烯PS層。
[0007]—種有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，具體包括以下步驟:
步驟一，選重?fù)诫s娃片為襯底，重?fù)诫s娃作為柵電極，熱氧化生成的二氧化娃作為絕緣層；
步驟二，在絕緣層上用汽化的方式制備十八烷基三氯硅烷OTS修飾層；
步驟三，在十八烷基三氯硅烷OTS修飾層上旋涂一層聚苯乙烯PS修飾層；
步驟四，在聚苯乙烯PS修飾層上通過(guò)掩膜蒸鍍方式制備源、漏電極； 步驟五，在電極上用噴墨打印的方法制備有機(jī)半導(dǎo)體活性層。
[0008]作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述十八烷基三氯硅烷OTS修飾層溶解于甲苯中，所述甲苯濃度為3 mg/ml?4mg/ml。
[0009]作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述聚苯乙烯PS修飾層溶解于氯苯中，所述氯苯濃度為 16 mg/ml ?20mg/ml。
[0010]作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述二氧化硅絕緣層經(jīng)過(guò)清洗、烘干，進(jìn)行紫外臭氧處理。
[0011]作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述汽化方式為:將處理過(guò)的硅片架在培養(yǎng)皿中，放在抽真空干燥箱中，加溫至140°c?160°C，形成lnnT2nm厚的OTS修飾層。
[0012]作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述旋涂條件是在轉(zhuǎn)速為3000 RPM?4000RPM，在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)猸h(huán)境中經(jīng)過(guò)120°C ?160°C的加溫退火,形成40nnT60nm厚的聚苯乙烯PS修飾層。
[0013]作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選方案，步驟四具體如下:通過(guò)掩膜蒸鍍方法將金電極蒸鍍?cè)诰郾揭蚁㏄S修飾層上,在氮?dú)庵欣鋮s，形成30nnT50nm厚的電極層。
[0014]作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選方案，步驟五具體如下:通過(guò)壓電噴墨打印技術(shù)制備在電極層上，打印一層P3HT，按照豎排進(jìn)行，覆蓋源、漏電極層之間的溝道上，作為有機(jī)半導(dǎo)體活性層，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)庵薪?jīng)過(guò)60°C?70°C的加溫退火。
[0015]作為本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述的半導(dǎo)體活性材料為P3HT。
[0016]本發(fā)明采用以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下技術(shù)效果:
本發(fā)明是在所述絕緣層上制備絕緣層修飾，并用噴墨打印的方法打印P3HT作為有機(jī)半導(dǎo)體活性層。十八烷基三氯硅烷OTS和聚苯乙烯PS修飾了二氧化硅后，有機(jī)半導(dǎo)體排列更加整齊有序，表面更加平整，提高OFET性能。壓電噴墨打印方式及條件，可以制備出表面均勻的P3HT薄膜，經(jīng)過(guò)退火的處理后，可以很好的覆蓋源、漏電極之間的溝道，來(lái)優(yōu)化器件的性能。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是為有機(jī)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖2是為有機(jī)薄膜晶體管的三維結(jié)構(gòu)示意圖圖3是源、漏電極的示意圖。
[0019]圖4未經(jīng)修飾層OTS和PS進(jìn)行絕緣層修飾的器件與和經(jīng)過(guò)修飾層OTS和PS進(jìn)行絕緣層修飾的器件的轉(zhuǎn)移特性曲線對(duì)比圖。
[0020]圖中標(biāo)號(hào)具體如下:1-重?fù)诫s硅片，2-修飾層0TS，3-修飾層PS，4-源、漏電極，5-有機(jī)半導(dǎo)體活性層P3HT。

【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，但是所述實(shí)施例的說(shuō)明，僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，其中大部分并不僅限于此。
[0022]如圖1、2所示，一種有機(jī)薄膜晶體管，包括重?fù)诫s硅片1、修飾層OTS 2、修飾層PS3、源、漏電極層4、P3HT有機(jī)半導(dǎo)體活性層5，在絕緣層與電極層間設(shè)置修飾層，所述的修飾層包含十八烷基三氯硅烷OTS層和聚苯乙烯PS層。
[0023]一種有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，具體包括以下步驟:
步驟一，選重?fù)诫s娃片為襯底，重?fù)诫s娃作為柵電極，熱氧化生成的二氧化娃作為絕緣層；
步驟二，在絕緣層上用汽化的方式制備十八烷基三氯硅烷OTS修飾層；
步驟三，在十八烷基三氯硅烷OTS修飾層上旋涂一層聚苯乙烯PS修飾層；
步驟四，在聚苯乙烯PS修飾層上通過(guò)掩膜蒸鍍方式制備源、漏電極；
步驟五，在電極上用噴墨打印的方法制備有機(jī)半導(dǎo)體活性層。
[0024]選重?fù)诫s硅片為襯底，重?fù)诫s硅作為柵電極，熱氧化生成的二氧化硅作為絕緣層；
在所述絕緣層上用汽化的方式進(jìn)行絕緣層修飾，所用修飾材料為十八烷基三氯硅烷OTS ;使其有機(jī)半導(dǎo)體排列更加整齊有序，表面更加平整，提高OFET性能；
在所述十八烷基三氯硅烷OTS修飾層上用旋涂的方式進(jìn)行絕緣層修飾，所用修飾材料為聚苯乙烯PS ;修飾過(guò)后得到平滑的絕緣層表面，有利于提高OFET的性能；
在所述修飾層上通過(guò)掩膜蒸鍍制備源漏電極，選用金作為電極材料，電極形狀為雙手交握型；金具有較高功函數(shù)，有合適的能級(jí)匹配，有利于電極材料與半導(dǎo)體材料有良好的接觸，有利于載流子的有效注入；
在所述電極上用噴墨打印的方法制備有機(jī)半導(dǎo)體活性層，半導(dǎo)體材料為P3HT ;壓電噴墨打印方式及條件，可以制備出表面均勻的薄膜，經(jīng)過(guò)退火的處理后，可以很好的覆蓋源、漏電極之間的溝道。
[0025]圖3中，通過(guò)掩膜板蒸鍍的方式在修飾層上蒸鍍特定形狀的金電極，電極由晶體管的源電極和漏電極構(gòu)成。
[0026]實(shí)施例1
選用表面熱生長(zhǎng)有300 nm S12的重?fù)诫s娃片作為襯底I,重?fù)诫s娃作為柵極層,熱氧化S12作為絕緣層，分別在丙酮、乙醇、去離子水中超聲5分鐘，接著用去離子水沖洗，再用氮?dú)鉀_干，放置于60°C烘箱中，烘10分鐘，經(jīng)過(guò)紫外臭氧處理10分鐘；
用毛細(xì)管吸取一點(diǎn)十八烷基三氯硅烷OTS滴在培養(yǎng)皿中，十八烷基三氯硅烷OTS溶解于甲苯中，濃度為3 mg/ml，將處理過(guò)的硅片架在培養(yǎng)皿中，放在抽真空干燥箱中，加溫至140°C，放置I小時(shí)，形成Inm厚的十八烷基三氯硅烷OTS修飾層2 ；
旋涂聚苯乙烯PS，聚苯乙烯PS溶解于氯苯中，濃度為16mg/ml，轉(zhuǎn)速為3000RPM，時(shí)間為30S，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)猸h(huán)境中經(jīng)過(guò)120°C的加溫退火0.5小時(shí)，形成40nm厚的聚苯乙烯PS修飾層3 ；
通過(guò)掩膜蒸鍍方法將金電極蒸鍍?cè)谛揎棇?上,在氮?dú)庵欣鋮s0.5小時(shí),形成30nm厚的電極層4，溝道比值為W:L=50000um:80um ；
將P3HT有機(jī)半導(dǎo)體活性材料通過(guò)壓電噴墨打印技術(shù)制備在電極層4上，選擇一個(gè)噴嘴，電壓為30V、點(diǎn)間距為40 μ m,打印一層P3HT,按照豎排1.6mm*1.6mm大小進(jìn)行，打印的P3HT層覆蓋源、漏電極層4之間的溝道上，形成60nm的有機(jī)半導(dǎo)體活性層5，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)庵薪?jīng)過(guò)60°C的加溫退火0.5小時(shí)；
測(cè)試時(shí)，使用Keithley2636B對(duì)源電極和和漏電極施加電壓并檢測(cè)電流的變化。如圖4轉(zhuǎn)移特性曲線所示，經(jīng)過(guò)十八烷基三氯硅烷OTS和聚苯乙烯PS修飾過(guò)的器件上升趨勢(shì)明顯高于未經(jīng)過(guò)修飾的器件，由此可見(jiàn)，器件的性能得到了提高。
[0027]實(shí)施例2
選用表面熱生長(zhǎng)有300 nm S12的重?fù)诫s娃片作為襯底I,重?fù)诫s娃作為柵極層,熱氧化S12作為絕緣層，分別在丙酮、乙醇、去離子水中超聲5分鐘，接著用去離子水沖洗，再用氮?dú)鉀_干，放置于60°C烘箱中，烘10分鐘，經(jīng)過(guò)紫外臭氧處理10分鐘；
用毛細(xì)管吸取一點(diǎn)十八烷基三氯硅烷OTS滴在培養(yǎng)皿中，十八烷基三氯硅烷OTS溶解于甲苯中，濃度為3 mg/ml，將處理過(guò)的硅片架在培養(yǎng)皿中，放在抽真空干燥箱中，加溫至1400C，放置I小時(shí)，形成Inm厚的十八烷基三氯硅烷OTS修飾層2 ；
旋涂聚苯乙烯PS，聚苯乙烯PS溶解于氯苯中，濃度為17mg/ml，轉(zhuǎn)速為3000RPM，時(shí)間為35S，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)猸h(huán)境中經(jīng)過(guò)140°C的加溫退火0.5小時(shí)，形成45nm厚的聚苯乙烯PS修飾層3 ;
通過(guò)掩膜蒸鍍方法將金電極蒸鍍?cè)谛揎棇?上,在氮?dú)庵欣鋮s0.5小時(shí),形成35nm厚的電極層4，溝道比值為W:L=50000um:80um ；
將P3HT有機(jī)半導(dǎo)體活性材料通過(guò)壓電噴墨打印技術(shù)制備在電極層4上，選擇一個(gè)噴嘴，電壓為32V、點(diǎn)間距為40 μ m,打印一層P3HT,按照豎排1.6mm*1.6mm大小進(jìn)行，打印的P3HT層覆蓋源、漏電極層4之間的溝道上，形成60nm的有機(jī)半導(dǎo)體活性層5，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)庵薪?jīng)過(guò)60°C的加溫退火0.5小時(shí)；
測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)十八烷基三氯硅烷OTS和聚苯乙烯PS修飾過(guò)的器件上升趨勢(shì)明顯高于未經(jīng)過(guò)修飾的器件，器件的性能得到了提高。
[0028]實(shí)施例3
選用表面熱生長(zhǎng)有300 nm S12的重?fù)诫s娃片作為襯底I,重?fù)诫s娃作為柵極層,熱氧化S12作為絕緣層，分別在丙酮、乙醇、去離子水中超聲5分鐘，接著用去離子水沖洗，再用氮?dú)鉀_干，放置于60°C烘箱中，烘10分鐘，經(jīng)過(guò)紫外臭氧處理10分鐘；
用毛細(xì)管吸取一點(diǎn)十八烷基三氯硅烷OTS滴在培養(yǎng)皿中，十八烷基三氯硅烷OTS溶解于甲苯中，濃度為4 mg/ml，將處理過(guò)的硅片架在培養(yǎng)皿中，放在抽真空干燥箱中，加溫至1500C，放置2小時(shí)，形成2nm厚的十八烷基三氯硅烷OTS修飾層2 ；
旋涂聚苯乙烯PS，聚苯乙烯PS溶解于氯苯中，濃度為18mg/ml，轉(zhuǎn)速為4000RPM，時(shí)間為40S，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)猸h(huán)境中經(jīng)過(guò)150°C的加溫退火I小時(shí)，形成50nm厚的聚苯乙烯PS修飾層3 ；
通過(guò)掩膜蒸鍍方法將金電極蒸鍍?cè)谛揎棇?上,在氮?dú)庵欣鋮sI小時(shí)，形成45nm厚的電極層4，溝道比值為W:L=50000um:80um ；
將P3HT有機(jī)半導(dǎo)體活性材料通過(guò)壓電噴墨打印技術(shù)制備在電極層4上，選擇一個(gè)噴嘴，電壓為33V、點(diǎn)間距為40 μ m,打印一層P3HT,按照豎排1.6mm*1.6mm大小進(jìn)行，打印的P3HT層覆蓋源、漏電極層4之間的溝道上，形成60nm的有機(jī)半導(dǎo)體活性層5，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)庵薪?jīng)過(guò)70°C的加溫退火I小時(shí)；
測(cè)試發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)十八烷基三氯硅烷OTS和聚苯乙烯PS修飾過(guò)的器件上升趨勢(shì)明顯高于未經(jīng)過(guò)修飾的器件，器件的性能得到了提高。
[0029]實(shí)施例4 選用表面熱生長(zhǎng)有300 nm S12的重?fù)诫s娃片作為襯底I,重?fù)诫s娃作為柵極層,熱氧化S12作為絕緣層，分別在丙酮、乙醇、去離子水中超聲5分鐘，接著用去離子水沖洗，再用氮?dú)鉀_干，放置于60°C烘箱中，烘10分鐘，經(jīng)過(guò)紫外臭氧處理10分鐘；
用毛細(xì)管吸取一點(diǎn)十八烷基三氯硅烷OTS滴在培養(yǎng)皿中，十八烷基三氯硅烷OTS溶解于甲苯中，濃度為4 mg/ml，將處理過(guò)的硅片架在培養(yǎng)皿中，放在抽真空干燥箱中，加溫至1600C，放置2小時(shí)，形成2nm厚的十八烷基三氯硅烷OTS修飾層2 ；
旋涂聚苯乙烯PS，聚苯乙烯PS溶解于氯苯中，濃度為20mg/ml，轉(zhuǎn)速為4000RPM，時(shí)間為45S，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)猸h(huán)境中經(jīng)過(guò)160°C的加溫退火I小時(shí)，形成60nm厚的聚苯乙烯PS修飾層3 ；
通過(guò)掩膜蒸鍍方法將金電極蒸鍍?cè)谛揎棇?上,在氮?dú)庵欣鋮sI小時(shí)，形成50nm厚的電極層4，溝道比值為W:L=50000um:80um ；
將P3HT有機(jī)半導(dǎo)體活性材料通過(guò)壓電噴墨打印技術(shù)制備在電極層4上，選擇一個(gè)噴嘴，電壓為34V、點(diǎn)間距為40 μ m,打印一層P3HT,按照豎排1.6mm*1.6mm大小進(jìn)行，打印的P3HT層覆蓋源、漏電極層4之間的溝道上，形成60nm的有機(jī)半導(dǎo)體活性層5，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)庵薪?jīng)過(guò)70°C的加溫退火I小時(shí)；
測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)十八烷基三氯硅烷OTS和聚苯乙烯PS修飾過(guò)的器件上升趨勢(shì)明顯高于未經(jīng)過(guò)修飾的器件，器件的性能得到了提高。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)薄膜晶體管，包括重?fù)诫s硅片、修飾層十八烷基三氯硅烷OTS、修飾層聚苯乙烯PS、源、漏電極層、P3HT有機(jī)半導(dǎo)體活性層，其特征在于:在絕緣層與電極層間設(shè)置修飾層，所述的修飾層包含十八烷基三氯硅烷OTS層和聚苯乙烯PS層。
2.一種基于根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于:具體包括以下步驟: 步驟一，選重?fù)诫s娃片為襯底，重?fù)诫s娃作為柵電極，熱氧化生成的二氧化娃作為絕緣層； 步驟二，在絕緣層上用汽化的方式制備十八烷基三氯硅烷OTS修飾層； 步驟三，在十八烷基三氯硅烷OTS修飾層上旋涂一層聚苯乙烯PS修飾層； 步驟四，在聚苯乙烯PS修飾層上通過(guò)掩膜蒸鍍方式制備源、漏電極； 步驟五，在電極上用噴墨打印的方法制備有機(jī)半導(dǎo)體活性層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)膜晶體管的制備方法，其特征在于:所述十八烷基三氯硅烷OTS 修飾層溶解于甲苯中，所述甲苯濃度為3 mg/ml?4mg/ml。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)膜晶體管的制備方法，其特征在于:所述聚苯乙烯PS修飾層溶解于氯苯中，所述氯苯濃度為16 mg/ml?20mg/ml。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)膜晶體管的制備方法，其特征在于:所述二氧化硅絕緣層經(jīng)過(guò)清洗、烘干，進(jìn)行紫外臭氧處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)膜晶體管的制備方法，其特征在于:所述汽化方式為:將處理過(guò)的娃片架在培養(yǎng)皿中，放在抽真空干燥箱中，加溫至140°C?160°C,形成lnnT2nm厚的OTS修飾層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)膜晶體管的制備方法，其特征在于:所述旋涂條件是在轉(zhuǎn)速為3000 RPM?4000RPM，在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)猸h(huán)境中經(jīng)過(guò)120°C ?160°C的加溫退火,形成40nnT60nm厚的聚苯乙烯PS修飾層。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)膜晶體管的制備方法，其特征在于:步驟四具體如下:通過(guò)掩膜蒸鍍方法將金電極蒸鍍?cè)诰郾揭蚁㏄S修飾層上，在氮?dú)庵欣鋮s，形成30nnT50nm厚的電極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)膜晶體管的制備方法，其特征在于:步驟五具體如下:通過(guò)壓電噴墨打印技術(shù)制備在電極層上，打印一層P3HT，按照豎排進(jìn)行，覆蓋源、漏電極層之間的溝道上，作為有機(jī)半導(dǎo)體活性層，再在手套箱中的熱臺(tái)上，氮?dú)庵薪?jīng)過(guò)60°C "70°C的加溫退火。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管的制備方法，其特征在于:所述的半導(dǎo)體活性材料為P3HT。
【文檔編號(hào)】H01L51/30GK104409633SQ201410607350
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】葛·瑞金, 宋怡靜, 楊昕, 黃維, 侯曉純 申請(qǐng)人:南京郵電大學(xué)