技術(shù)編號(hào):7061703
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了,包括重?fù)诫s硅片、修飾層十八烷基三氯硅烷OTS、修飾層聚苯乙烯PS、源、漏電極層、P3HT有機(jī)半導(dǎo)體活性層,在絕緣層與電極層間設(shè)置修飾層,所述的修飾層包含十八烷基三氯硅烷OTS層和聚苯乙烯PS層。步驟一,選重?fù)诫s硅片為襯底,重?fù)诫s硅作為柵電極,熱氧化生成的二氧化硅作為絕緣層;步驟二,在絕緣層上用汽化的方式制備十八烷基三氯硅烷OTS修飾層;步驟三,在十八烷基三氯硅烷OTS修飾層上旋涂一層聚苯乙烯PS修飾層;步驟四,在聚苯乙烯PS修飾層上通過掩膜蒸...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。