基板前處理方法及裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種基板前處理方法及裝置，所述方法包括如下步驟：步驟1、提供待前處理的基板、UV室及裝載室；步驟2、在UV室與裝載室之間設(shè)置一傳遞室連接該UV室與裝載室，在UV室與傳遞室之間連接處設(shè)置第一封閉門(mén)，在傳遞室與裝載室之間連接處設(shè)置第二封閉門(mén)；所述傳遞室在關(guān)閉第一與第二封閉門(mén)后形成密閉室。步驟3、將待前處理的基板送入U(xiǎn)V室；步驟4、關(guān)閉UV室，在UV室內(nèi)通入干燥的氧氣后進(jìn)行UV處理；步驟5、UV處理結(jié)束后，打開(kāi)第一封閉門(mén)，將基板送入傳遞室；步驟6、在基板完全進(jìn)入傳遞室后，關(guān)閉第一封閉門(mén)，打開(kāi)第二封閉門(mén)，將基板送入裝載室；步驟7、在基板完全進(jìn)入裝載室后，關(guān)閉第二封閉門(mén)，對(duì)裝載室抽真空。
【專(zhuān)利說(shuō)明】基板前處理方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件制作領(lǐng)域，尤其涉及一種基板前處理方法及裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件是一種自發(fā)光器件，具有電壓低，視角寬、響應(yīng)速度快、溫度適應(yīng)性好等優(yōu)勢(shì)，是新一代的顯示技術(shù)，從使用的有機(jī)電致發(fā)光材料的分子量來(lái)看，有機(jī)電致發(fā)光器件分為小分子有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)和高分子電致發(fā)光器件(PLED)，由于分子量的不同，有機(jī)電致發(fā)光器件的制程也有很大的區(qū)別，OLED主要通過(guò)熱蒸鍍方式制備，PLED通過(guò)旋涂或者噴墨打印方式制備。
[0003]OLED通常包括:基板、置于基板上的ITO透明陽(yáng)極、置于ITO透明陽(yáng)極上的空穴注入層(HIL)、置于空穴注入層上的空穴傳輸層(HTL)、置于空穴傳輸層上的發(fā)光層(EML)、置于發(fā)光層上的電子傳輸層(ETL)、置于電子傳輸層上的電子注入層(EIL)以及置于電子注入層上的陰極。為了提高效率，發(fā)光層通常采用主/客體摻雜系統(tǒng)。
[0004]OLED器件對(duì)水分和氧氣非常敏感，故基板的干燥程度非常關(guān)鍵，即使基板上殘留極微量的水分，在OLED器件制備完成后，水分會(huì)破壞器件，特別是在通電流的情況下，水分會(huì)與有機(jī)材料進(jìn)行電化學(xué)反應(yīng)，破壞材料的結(jié)構(gòu)，影響有機(jī)材料的光電性能，從而使OLED器件劣化，壽命降低。
[0005]現(xiàn)行的OLED基板前處理制程中，基板(玻璃或者塑料基板)在進(jìn)入鍍膜機(jī)前需要進(jìn)行清洗、烘烤、UV處理。其中UV處理可以提高ITO(氧化銦錫)的表面功函數(shù)，以增加空穴的注入能力；亦可以去除ITO表面的有機(jī)殘留物。但由于現(xiàn)有的前處理階段的各個(gè)設(shè)備均使用同一個(gè)robot (自動(dòng)執(zhí)行工作的機(jī)器裝置)，基板通過(guò)UV處理后，經(jīng)robot傳遞到有機(jī)鍍膜機(jī)的裝載室。由于這個(gè)robot腔室無(wú)法做成密閉狀態(tài)，只是一個(gè)潔凈度非常高的空氣氣氛，內(nèi)部的濕度與外界無(wú)塵室的濕度一樣，一般是55%。故這一過(guò)程會(huì)使基板表面重新粘附水分，即使現(xiàn)行的裝載室具有加熱功能，但是卻無(wú)法完全烘干水分，且烘干水分需要較長(zhǎng)的時(shí)間，延長(zhǎng)了 tact time(流片時(shí)間，即生產(chǎn)線(xiàn)上從第一張基板放入(或流出)流水線(xiàn)至第二張基板放入(或流出)流水線(xiàn)中間間隔的時(shí)間)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種基板前處理方法，使基板在UV處理后無(wú)需經(jīng)過(guò)空氣氣氛，避免了粘附水分，節(jié)省裝載室烘烤時(shí)間，縮短tact time，并且提高OLED器件的性能和壽命。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種基板前處理裝置，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于操作，有利于基板前處理制程優(yōu)化。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明供一種基板前處理方法，包括如下步驟:
[0009]步驟1、提供待前處理的基板、UV室及裝載室；
[0010]步驟2、在UV室與裝載室之間設(shè)置一傳遞室連接該UV室與裝載室，在UV室與傳遞室之間連接處設(shè)置第一封閉門(mén)，在傳遞室與裝載室之間連接處設(shè)置第二封閉門(mén)；
[0011]步驟3、將待前處理的基板送入U(xiǎn)V室；
[0012]步驟4、關(guān)閉UV室，在UV室內(nèi)通入干燥的氧氣后進(jìn)行UV處理；
[0013]步驟5、UV處理結(jié)束后，打開(kāi)第一封閉門(mén)，將基板送入傳遞室；
[0014]步驟6、在基板完全進(jìn)入傳遞室后，關(guān)閉第一封閉門(mén)，打開(kāi)第二封閉門(mén)，將基板送入裝載室；
[0015]步驟7、在基板完全進(jìn)入裝載室后，關(guān)閉第二封閉門(mén)，對(duì)裝載室抽真空。
[0016]所述步驟7對(duì)裝載室抽真空直至真空度達(dá)到E_4pa以下。
[0017]所述傳遞室在關(guān)閉第一與第二封閉門(mén)后形成密閉室。
[0018]所述傳遞室內(nèi)設(shè)有傳動(dòng)裝置以用于傳送基板。
[0019]所述傳動(dòng)裝置為傳動(dòng)滾筒。
[0020]所述UV室遠(yuǎn)離傳遞室的一側(cè)設(shè)有入口門(mén)，所述裝載室遠(yuǎn)離傳遞室的一側(cè)設(shè)有出口門(mén)以用于連接鍍膜機(jī)。
[0021]所述基板為OLED基板，所述前處理為鍍膜前處理。
[0022]本發(fā)明還提供一種基板前處理裝置，包括UV室、傳遞室及裝載室，所述傳遞室設(shè)于UV室與裝載室之間，且在UV室與傳遞室之間連接處設(shè)置第一封閉門(mén)，在傳遞室與裝載室之間連接處設(shè)置第二封閉門(mén)，所述傳遞室在關(guān)閉第一與第二封閉門(mén)后形成密閉室。
[0023]所述傳遞室內(nèi)設(shè)有傳動(dòng)裝置以用于傳送基板，所述傳動(dòng)裝置為傳動(dòng)滾筒。
[0024]所述UV室遠(yuǎn)離傳遞室的一側(cè)設(shè)有入口門(mén)，所述裝載室遠(yuǎn)離傳遞室的一側(cè)設(shè)有出口門(mén)以用于連接鍍膜機(jī)，所述基板為OLED基板，所述前處理為鍍膜前處理。
[0025]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種基板前處理方法及基板前處理裝置，利用一個(gè)密閉的傳遞室連接UV室和裝載室，使基板在經(jīng)UV處理后無(wú)需經(jīng)過(guò)空氣氣氛，通過(guò)該密閉的傳遞室直接進(jìn)入裝載室，從而基板在經(jīng)UV處理后，不再吸附水分，從而節(jié)省裝載室的烘烤時(shí)間，縮短tact time，并且提高OLED器件的性能和壽命。所述基板前處理裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于操作，有利于基板前處理制程優(yōu)化。
[0026]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0028]圖1為本發(fā)明基板前處理方法的流程圖；
[0029]圖2為本發(fā)明基板前處理裝置的立體圖；
[0030]圖3為本發(fā)明基板前處理裝置的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0032]請(qǐng)參閱圖1-3，本發(fā)明提供一種基板前處理方法，包括如下步驟:
[0033]步驟1、提供待前處理的基板10、UV室20及裝載室60 ；[0034]所述基板10為OLED基板，所述前處理為鍍膜前處理。
[0035]步驟2、在UV室20與裝載室60之間設(shè)置一傳遞室40以連接該UV室20與裝載室60，在UV室20與傳遞室40之間連接處設(shè)置第一封閉門(mén)24，在傳遞室40與裝載室60之間連接處設(shè)置第二封閉門(mén)62 ;所述傳遞室40在關(guān)閉第一封閉門(mén)24與第二封閉門(mén)62后形成S閉室；
[0036]所述傳遞室40內(nèi)設(shè)有傳動(dòng)裝置42以用于傳送基板10 ;所述傳動(dòng)裝置42為傳動(dòng)滾筒。
[0037]步驟3、將待前處理的基板10送入U(xiǎn)V室20 ;
[0038]步驟4、關(guān)閉UV室20，在UV室20內(nèi)通入干燥的氧氣后進(jìn)行UV處理；
[0039]步驟5、UV處理結(jié)束后，打開(kāi)第一封閉門(mén)24，將基板10送入傳遞室40 ；
[0040]步驟6、在基板10完全進(jìn)入傳遞室40后，關(guān)閉第一封閉門(mén)24，打開(kāi)第二封閉門(mén)62，將基板10送入裝載室60 ；
[0041]步驟7、在基板10完全進(jìn)入裝載室60后，關(guān)閉第二封閉門(mén)62，對(duì)裝載室60抽真空；當(dāng)裝載室60的真空度達(dá)到E-4pa以下時(shí)，基板10被送入鍍膜機(jī)(未圖示)。
[0042]所述UV室20遠(yuǎn)離傳遞室40的一側(cè)設(shè)有入口門(mén)22，所述裝載室60遠(yuǎn)離傳遞室40的一側(cè)設(shè)有出口門(mén)64以用于連接鍍膜機(jī)(未圖示)。請(qǐng)參閱圖2-3，本發(fā)明還提供一種基板前處理裝置，用于對(duì)基板10進(jìn)行鍍膜前處理，包括UV室20、傳遞室40及裝載室60，所述傳遞室40設(shè)于UV室20與裝載室60之間，且在UV室20與傳遞室40之間連接處設(shè)置第一封閉門(mén)24，在傳遞室40與裝載室60之間連接處設(shè)置第二封閉門(mén)62，所述傳遞室40在關(guān)閉第一封閉門(mén)24與第二封閉門(mén)62后形成密閉室。
[0043]所述基板10為OLED基板。
[0044]所述傳遞室40內(nèi)設(shè)有傳動(dòng)裝置42以用于傳送基板10，所述傳動(dòng)裝置42為傳動(dòng)滾筒。
[0045]所述UV室20遠(yuǎn)離傳遞室40的一側(cè)設(shè)有入口門(mén)22，所述裝載室60遠(yuǎn)離傳遞室40的一側(cè)設(shè)有出口門(mén)64以用于連接鍍膜機(jī)(未圖示)。
[0046]工作時(shí)，將待前處理的基板10送入U(xiǎn)V室20 ;關(guān)閉UV室20，在UV室20內(nèi)通入干燥的氧氣后進(jìn)行UV處理；UV處理結(jié)束后，打開(kāi)第一封閉門(mén)24，所述傳動(dòng)裝置42將基板10送入傳遞室40 ;在基板10完全進(jìn)入傳遞室40后，關(guān)閉第一封閉門(mén)24，打開(kāi)第二封閉門(mén)62，將基板10送入裝載室60 ;在基板10完全進(jìn)入裝載室60后，關(guān)閉第二封閉門(mén)62，對(duì)裝載室60抽真空；當(dāng)裝載室60的真空度達(dá)到E-4pa以下時(shí)，基板10被送入鍍膜機(jī)(未圖示)。
[0047]綜上所述，本發(fā)明提供的一種基板前處理方法及基板前處理裝置，利用一個(gè)密閉的傳遞室連接UV室和裝載室，使基板在經(jīng)UV處理后無(wú)需經(jīng)過(guò)空氣氣氛，通過(guò)該密閉的傳遞室直接進(jìn)入裝載室，從而基板在經(jīng)UV處理后，不再吸附水分，從而節(jié)省裝載室的烘烤時(shí)間，縮短tact time,并且提高OLED器件的性能和壽命。所述基板前處理裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于操作，有利于基板前處理制程優(yōu)化。
[0048]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種基板前處理方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供待前處理的基板、UV室及裝載室； 步驟2、在UV室與裝載室之間設(shè)置一傳遞室連接該UV室與裝載室，在UV室與傳遞室之間連接處設(shè)置第一封閉門(mén)，在傳遞室與裝載室之間連接處設(shè)置第二封閉門(mén)； 步驟3、將待前處理的基板送入U(xiǎn)V室； 步驟4、關(guān)閉UV室，在UV室內(nèi)通入干燥的氧氣后進(jìn)行UV處理； 步驟5、UV處理結(jié)束后，打開(kāi)第一封閉門(mén)，將基板送入傳遞室； 步驟6、在基板完全進(jìn)入傳遞室后，關(guān)閉第一封閉門(mén)，打開(kāi)第二封閉門(mén)，將基板送入裝載室; 步驟7、在基板完全進(jìn)入裝載室后，關(guān)閉第二封閉門(mén)，對(duì)裝載室抽真空。
2.如權(quán)利要求1所述的基板前處理方法，其特征在于，所述步驟7對(duì)裝載室抽真空直至真空度達(dá)到E-4pa以下。
3.如權(quán)利要求1所述的基板前處理方法，其特征在于，所述傳遞室在關(guān)閉第一與第二封閉門(mén)后形成密閉室。
4.如權(quán)利要求1所述的基板前處理方法，其特征在于，所述傳遞室內(nèi)設(shè)有傳動(dòng)裝置以用于傳送基板。
5.如權(quán)利要求4所述的基板前處理方法，其特征在于，所述傳動(dòng)裝置為傳動(dòng)滾筒。
6.如權(quán)利要求1所述的基板前處理方法，其特征在于，所述UV室遠(yuǎn)離傳遞室的一側(cè)設(shè)有入口門(mén)，所述裝載室遠(yuǎn)離傳遞室的一側(cè)設(shè)有出口門(mén)以用于連接鍍膜機(jī)。
7.如權(quán)利要求1所述的基板前處理方法，其特征在于，所述基板為OLED基板，所述前處理為鍍膜前處理。
8.一種基板前處理裝置，其特征在于，包括UV室、傳遞室及裝載室，所述傳遞室設(shè)于UV室與裝載室之間，且在UV室與傳遞室之間連接處設(shè)置第一封閉門(mén)，在傳遞室與裝載室之間連接處設(shè)置第二封閉門(mén)，所述傳遞室在關(guān)閉第一與第二封閉門(mén)后形成密閉室。
9.如權(quán)利要求8所述的基板前處理裝置，其特征在于，所述傳遞室內(nèi)設(shè)有傳動(dòng)裝置以用于傳送基板，所述傳動(dòng)裝置為傳動(dòng)滾筒。
10.如權(quán)利要求8所述的基板前處理裝置，其特征在于，所述UV室遠(yuǎn)離傳遞室的一側(cè)設(shè)有入口門(mén)，所述裝載室遠(yuǎn)離傳遞室的一側(cè)設(shè)有出口門(mén)以用于連接鍍膜機(jī)，所述基板為OLED基板，所述前處理為鍍膜前處理。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK103996801SQ201410261124
【公開(kāi)日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月12日
【發(fā)明者】鄒清華, 吳聰原 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司