封裝模具及封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種封裝模具及封裝方法，所述封裝模具包括模具主體，所述模具主體包括沿所述模具主體的軸向依次設置的第一容納部及第二容納部，所述第一容納部用于容納一第一外部基板，所述第二容納部用于容納一第二外部基板，所述第一容納部的內(nèi)側側壁設置有第一限位面，以在水平方向限位所述第一外部基板，所述第二容納部的內(nèi)側側壁設置有第二限位面，以在水平方向限位所述第二外部基板，本發(fā)明的優(yōu)點是，將第一外部基板與第二外部基板裝入第一容納部及第二容納部后，第一外部基板及第二外部基板的相對位置按照封裝要求確定，不需要再使用其他裝置將第一外部基板與第二外部基板對準，免除了現(xiàn)有封裝設備對準功能，降低成本，提高封裝效率。
【專利說明】封裝模具及封裝方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及真空封裝【技術領域】，尤其涉及一種封裝模具及封裝方法。
【背景技術】
[0002]目前，在真空封裝方法中，晶圓對晶圓(Wafer-to-Wafer)的整片所有芯片(Die)同時完成封裝，封裝速率高。但整片晶圓本身的平整度以及晶圓不同區(qū)域焊環(huán)的均勻性對鍵合質量影響很大(晶圓尺寸越大，影響越明顯)。且整片封裝不具備選擇性(所有芯片不論好壞都同時封裝)，從而在很大程度上造成蓋板晶圓(Lid)的浪費。
[0003]芯片對晶圓(Chip-to-Wafer)鍵合質量只與單個芯片(Die)局部平整度和單個焊環(huán)均勻性有關(不受整片平整度和均勻性影響)，從而成品率大幅提升；而且可只選擇好的芯片進行封裝，從而大大減少蓋板晶圓的用量。但對設備要求高，需要可以步進局部加熱加壓的功能。
[0004]芯片對芯片(Chip-to-Chip)具備芯片對晶圓鍵合的優(yōu)勢。如果能在模具設計上，在對準、支撐等方面降低對設備的要求，將對真空封裝技術帶來有利的效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術問題是，提供一種封裝模具及封裝方法，它能夠免除現(xiàn)有的封裝設備的對準功能，降低成本，提高封裝效率。
[0006]為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種封裝模具，包括模具主體，所述模具主體包括沿所述模具主體的軸向依次設置的第一容納部及第二容納部，所述第一容納部用于容納一第一外部基板，所述第二容納部用于容納一第二外部基板，所述第一容納部的內(nèi)側側壁設置有第一限位面，以在水平方向限位所述第一外部基板，所述第二容納部的內(nèi)側側壁設置有第二限位面，以在水平方向限位所述第二外部基板。
[0007]進一步，所述封裝模具還包括插入所述第二容納部的一個或多個熱雙金屬彈片及設置于所述第二容納部邊緣的凹腔，所述熱雙金屬彈片用于隔離所述第一外部基板與所述第二外部基板，所述凹腔用于容納受熱后的熱雙金屬彈片。
[0008]進一步，通過調節(jié)熱雙金屬彈片的高度來調節(jié)所述第一外部基板與所述第二外部基板之間的距離。
[0009]進一步，所述封裝模具還包括一個或多個凹槽，所述凹槽與所述第二容納部連通，用于放置所述熱雙金屬彈片。
[0010]進一步，所述熱雙金屬彈片通過設置在所述模具主體外側側壁的螺栓固定。
[0011]進一步，所述第一外部基板的焊環(huán)的高度與所述第二外部基板的焊環(huán)的高度之和設定為第一高度之和，所述第一高度之和與所述第一外部基板的高度之和小于所述第一容納部的高度與所述熱雙金屬彈片的高度之和。
[0012]進一步，所述第一高度之和與所述第一外部基板的高度之和大于所述第一容納部的高度。[0013]進一步，所述第一限位面為設置在第一容納部的內(nèi)側側壁的凸起面，所述第二限位面為設置在第二容納部的內(nèi)側側壁的凸起面。
[0014]一種采用上述的封裝模具的封裝方法，包括如下步驟:將第一外部基板載入所述第一容納部，所述第一限位面在水平方向限位所述第一外部基板；將所述第二外部基板載入所述第二容納部，所述第二限位面在水平方向限位所述第二外部基板，所述第一外部基板的焊環(huán)與所述第二外部基板的焊環(huán)對準；將所述第一外部基板與所述第二外部基板鍵
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[0015]進一步，抽真空后，實施加熱，使所述熱雙金屬彈片變形彈出，以使所述第一外部基板的焊環(huán)與所述第二外部基板的焊環(huán)接觸。
[0016]本發(fā)明的一個優(yōu)點在于，采用第一限位面及第二限位面來確定第一外部基板及第二外部基板的相對位置，使得在將第一外部基板與第二外部基板裝入第一容納部及第二容納部后，第一外部基板及第二外部基板的相對位置就按照封裝的要求確定，不需要再使用其他裝置將第一外部基板與第二外部基板對準，免除了現(xiàn)有的封裝設備的對準功能，降低成本，提高封裝效率。
[0017]本發(fā)明的另一優(yōu)點在于，采用熱雙金屬彈片來實現(xiàn)第一外部基板與第二外部基板抽真空時的隔離，免除了現(xiàn)有的封裝設備的抽真空時的隔離功能，大大降低了成本，提高了封裝效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明封裝模具未裝配熱雙金屬彈片的結構示意圖；
圖2為本發(fā)明封裝模具裝配熱雙金屬彈片的結構示意圖；
圖3為第一外部封裝基板的結構示意圖；
圖4為第二外部封裝基板的結構示意圖；
圖5為本發(fā)明封裝模具的熱雙金屬彈片受熱變形的結構示意圖；
圖6為第一外部基板裝入本發(fā)明封裝模具的結構示意圖；
圖7為第一外部基板與第二外部基板均裝入本發(fā)明封裝模具的結構示意圖；
圖8為加熱前第一外部基板、第二外部基板和熱雙金屬彈片之間的位置關系示意圖； 圖9為加熱后第一外部基板、第二外部基板和熱雙金屬彈片之間的位置關系示意圖； 圖10為加熱后第一外部基板、第二外部基板及封裝模具之間的位置關系示意圖；
圖11為本發(fā)明封裝方法的步驟示意圖；
圖12A?圖12D為本發(fā)明封裝方法的工藝流程圖。
[0019]附圖標記分別為:
1、模具主體；2、第一容納部；3、第二容納部；4、第一限位面；5、第二限位面；6、熱雙金屬彈片；7、凹腔；8、凹槽；9、螺栓；30、第一外部基板；31、第一外部基板的襯底；32、第一外部基板的焊環(huán)；40、第二外部基板；41、第二外部基板的襯底；42、第二外部基板的焊環(huán)；43、吸氣劑；S11(TS114、步驟序號。
【具體實施方式】
[0020]下面結合附圖對本發(fā)明提供的封裝模具及封裝方法的【具體實施方式】做詳細說明。[0021]參見圖1及圖2，本發(fā)明封裝模具包括模具主體1，所述模具主體I包括沿所述模具主體I的軸向依次設置的第一容納部2及第二容納部3。所述第一容納部2用于容納一第一外部基板30 (標示在圖3中)，所述第二容納部3用于容納一第二外部基板40 (標示在圖4中)。在本【具體實施方式】中，所述第一外部基板30為MEMS器件基板，所述第二外部基板40為封蓋，本發(fā)明封裝模具用于將MEMS器件基板與封蓋封裝。
[0022]所述第一容納部2的內(nèi)側側壁設置有第一限位面4，以在水平方向限位所述第一外部基板30。即將所述第一外部基板30置于所述第一容納部2中，所述第一限位面4限制所述第一外部基板30在水平方向的移動，以使得在水平方向上所述第一外部基板30只能在公差允許的范圍內(nèi)小幅度移動，從而定位所述第一外部基板30。所述第二容納部3的內(nèi)側側壁設置有第二限位面5，以在水平方向限位所述第二外部基板40。即將所述第二外部基板40置于所述第二容納部3中，所述第二限位面5限制所述第二外部基板40在水平方向的移動，以使得在水平方向上所述第二外部基板40只能在公差允許的范圍內(nèi)小幅度移動，從而定位所述第二外部基板40。
[0023]進一步，所述第一限位面4為設置在第一容納部2的內(nèi)側側壁的凸起面。其優(yōu)點在于，第一限位面4并沒有占用所述第一容納部2的全部的內(nèi)側側壁，僅為設置在第一容納部2內(nèi)側側壁的部分凸起面，在相鄰的第一限位面4之間具有間隔的空隙，便于第一外部基板30的裝卸，且節(jié)約封裝模具制造成本。所述第一限位面4可以任意設置在第一容納部2的四角或者中間部位，對此，本發(fā)明并不加以限制。優(yōu)選地，為了平衡定位第一外部基板30，所述第一限位面4對稱設置。在本【具體實施方式】中，設置在第一容納部2的上部和下部的第一限位面4為凸起面，設置在第一容納部2的側面的第一限位面4占用所述第一容納部2的整個內(nèi)側側壁，且第一限位面4對稱設置。
[0024]進一步，所述第二限位面5為設置在第二容納部3的內(nèi)側側壁的凸起面。其優(yōu)點在于，第二限位面5并沒有占用所述第二容納部3的全部的內(nèi)側側壁，僅為設置在第二容納部3內(nèi)側側壁的部分凸起面，在相鄰的第二限位面5之間具有間隔的空隙，便于第二外部基板40的裝卸，且節(jié)約封裝模具制造成本。所述第二限位面5可以任意設置在第二容納部3的四角或者中間部位，對此，本發(fā)明并不加以限制。優(yōu)選地，為了平衡定位第二外部基板40，所述第二限位面5對稱設置。在本【具體實施方式】中，設置在第二容納部3的上部、下部及側面的第二限位面5均為凸起面，且所述第二限位面5對稱設置。
[0025]進一步，在本【具體實施方式】中，所述第一限位面4、第二限位面5和模具主體I為整體結構，對尺寸確定且單一的第一外部基板30和第二外部基板40,整體結構因減少了裝配誤差，對準精度更高。在本發(fā)明其他【具體實施方式】中，所述第一限位面4、第二限位面5和模具主體I為分體結構，所述第一限位面4及第二限位面5可拆卸地安裝在所述模具主體I上。優(yōu)選地，可根據(jù)第一外部基板30及第二外部基板40的尺寸來定制所述第一限位面4及第二限位面5的大小，以適應不同尺寸的第一外部基板30及第二外部基板40。
[0026]參見圖3，在本【具體實施方式】中，所述第一外部基板30為MEMS器件基板。所述第一外部基板30包括襯底31、器件(附圖中未標示)及焊環(huán)32。將所述第一外部基板30放置在所述第一容納部2中時，所述第一限位面4限制所述襯底31在水平方向的移動幅度。
[0027]參見圖4，在本【具體實施方式】中，所述第二外部基板40為封蓋。所述第二外部基板40包括襯底41、焊環(huán)42及吸氣劑43。將所述第二外部基板40放置在所述第二容納部3中時，所述第二限位面5限制所述襯底41在水平方向的移動幅度。對于吸氣劑43的容納位置，可以通過對第二外部基板40進行深刻蝕形成腔以容納所述吸氣劑43，還可以加高焊環(huán)32及焊環(huán)42中金屬結構的高度形成腔以容納吸氣劑43。在本【具體實施方式】中，加高焊環(huán)32及焊環(huán)42中金屬結構的高度形成腔以容納吸氣劑43。
[0028]本發(fā)明封裝模具采用第一限位面4及第二限位面5來確定第一外部基板30及第二外部基板40的相對位置，使得在將第一外部基板30與第二外部基板40裝入第一容納部及第二容納部后，第一外部基板30及第二外部基板40的相對位置就按照封裝的要求確定，不需要再使用其他裝置將第一外部基板30與第二外部基板40對準。本發(fā)明封裝模具免除了現(xiàn)有的封裝設備的對準功能，降低成本，提高封裝效率。
[0029]進一步，繼續(xù)參見圖1及圖2，所述封裝模具還包括插入所述第二容納部3的一個或多個熱雙金屬彈片6和設置于所述第二容納部3邊緣的凹腔7。所述熱雙金屬彈片6支撐所述第二外部基板40，以隔離所述第一外部基板30與所述第二外部基板40。所述凹腔7用于容納受熱后的熱雙金屬彈片6。
[0030]所述封裝模具還包括一個或多個凹槽8，所述凹槽8與所述第二容納部3連通，用于放置所述熱雙金屬彈片6。所述熱雙金屬彈片6通過設置在所述模具主體I外側側壁的螺栓9固定。所述熱雙金屬彈片6通過所述凹槽8插入所述第二容納部3中，所述熱雙金屬彈片6的一部分暴露在所述第二容納部3中。當所述熱雙金屬彈片6受熱，則所述熱雙金屬彈片6會發(fā)生彈性形變，所述熱雙金屬彈片6彈入所述凹腔7中，如圖5所示。
[0031]參見圖6，將所述第一外部基板30裝入所述封裝模具的示意圖。所述第一外部基板30的襯底31與所述第一限位面4接觸，所述第一限位面4限制所述襯底31在水平方向的移動。所述焊環(huán)32朝向所述第二容納部3。
[0032]參見圖7，將所述第二外部基板40裝入圖6所述的封裝模具的示意圖。所述第二外部基板40的襯底41與所述第二限位面5接觸，所述第二限位面5限制所述襯底41在水平方向的移動。所述焊環(huán)42朝向所述第一容納部2。
[0033]所述熱雙金屬彈片6支撐所述第二外部基板40。參見圖8所示，圖8中將第一容納部2及其周圍的模具主體I去除，以清楚說明熱雙金屬彈片6與第一外部基板30及第二外部基板40的相對位置關系。所述熱雙金屬彈片6的一側面與所述第二外部基板40接觸，另一側面與模具主體I接觸，用于支撐所述第二外部基板40，以隔離所述第一外部基板30與所述第二外部基板40，使所述第一外部基板的焊環(huán)32與所述第二外部基板的焊環(huán)42彼此不接觸。優(yōu)選地，可以通過調節(jié)熱雙金屬彈片6的高度來調節(jié)所述第一外部基板30與所述第二外部基板40之間的距離，以使所述第一外部基板30與所述第二外部基板40之間的距離滿足后續(xù)抽真空的需求。
[0034]在所述熱雙金屬彈片6受熱后，熱雙金屬彈片6發(fā)生彈性形變，從所述第二外部基板40與模具主體I之間脫離，如圖9及圖10所示，熱雙金屬彈片6從所述第二外部基板40與模具主體I之間脫離后，彈入所述凹腔7中，所述第一外部基板的焊環(huán)32與所述第二外部基板的焊環(huán)42彼此接觸。
[0035]進一步，所述第一外部基板的焊環(huán)32的高度與所述第二外部基板的焊環(huán)42的高度之和設定為第一高度之和，所述第一高度之和與所述第一外部基板30的高度之和小于所述第一容納部2的高度與所述熱雙金屬彈片6的高度之和，以保證在鍵合前所述焊環(huán)32與焊環(huán)42之間保留間隙，利于抽真空。又進一步，所述第一高度之和與所述第一外部基板30的高度之和大于所述第一容納部2的高度，以保證鍵合時焊環(huán)32與焊環(huán)42之間能充分接觸。
[0036]所述熱雙金屬彈片6可選用現(xiàn)有技術中的產(chǎn)品，例如，被動層材料采用Ni含量為34?50%的Fe-Ni合金,主動層則采用黃銅、鎳、Fe-N1-Cr> Fe-N1-Mn或Mn-N1-Cu合金等。
[0037]本發(fā)明采用熱雙金屬彈片6來實現(xiàn)第一外部基板30與第二外部基板40抽真空時的隔離，免除了現(xiàn)有的封裝設備的抽真空時的隔離功能，大大降低了成本，提高了封裝效率。
[0038]本發(fā)明還提供一種采用上述的封裝模具的封裝方法，參見圖11，所述封裝方法包括如下步驟:步驟S110，將第一外部基板載入所述第一容納部，所述第一限位面在水平方向限位所述第一外部基板；步驟S111，將所述第二外部基板載入所述第二容納部，所述第二限位面在水平方向限位所述第二外部基板，所述第一外部基板的焊環(huán)與所述第二外部基板的焊環(huán)對準；步驟S112，抽真空，使所述封裝模具處于真空環(huán)境中；步驟S113，加熱所述封裝模具，以使所述熱雙金屬彈片產(chǎn)生彈性形變；步驟S114，將所述第一外部基板與所述第二外部基板鍵合。
[0039]圖12A?圖12D為本發(fā)明封裝方法的工藝流程圖。
[0040]參見圖12A及步驟S110，將第一外部基板30載入所述第一容納部2，所述第一限位面4在水平方向限位所述第一外部基板30。在本【具體實施方式】中，所述第一外部基板30為MEMS器件基板。所述第一限位面4限制所述第一外部基板30在水平方向的移動，以使得在水平方向上所述第一外部基板30只能在公差允許的范圍內(nèi)小幅度移動，從而定位所述第一外部基板30。
[0041]參見圖12B及步驟S111，將所述第二外部基板40載入所述第二容納部3，所述第二限位面5在水平方向限位所述第二外部基板40。在本【具體實施方式】中，所述第二外部基板40為封蓋。
[0042]所述第二限位面5限制所述第二外部基板40在水平方向的移動，以使得在水平方向上所述第二外部基板40只能在公差允許的范圍內(nèi)小幅度移動，從而定位所述第二外部基板40。所述第一外部基板的焊環(huán)32與所述第二外部基板的焊環(huán)42對準。
[0043]所述熱雙金屬彈片6的一側面與所述第二外部基板40接觸，另一側面與模具主體I接觸，用于支撐所述第二外部基板40，以隔離所述第一外部基板30與所述第二外部基板40，使所述第一外部基板的焊環(huán)32與所述第二外部基板的焊環(huán)42彼此不接觸。
[0044]參見步驟S112，抽真空，使所述封裝模具處于真空環(huán)境中。
[0045]參見圖12C及步驟S113，加熱所述封裝模具，以使所述熱雙金屬彈片6產(chǎn)生彈性形變。所述熱雙金屬彈片6受熱后產(chǎn)生彈性形變，彈入所述凹腔7中。所述第一外部基板30及第二外部基板40之間失去了熱雙金屬彈片6的隔離。在外部施加的壓力及自身重力的作用下，所述第二外部基板40沿所述第二限位面5下降直至所述焊環(huán)42與所述焊環(huán)32接觸。
[0046]參見圖12D及步驟SI 14，將所述第一外部基板30與所述第二外部基板40鍵合。所述鍵合方法為本領域的常規(guī)技術，在此不贅述。
[0047]鍵合完成后，降溫，待完全冷卻后，卸下熱雙金屬彈片6，取出封裝好的樣品。[0048]下面提供本發(fā)明封裝方法的一個實施例。
[0049]I)將熱雙金屬彈片6通過螺栓9固定于模具主體I的凹槽8中，通過選擇熱雙金屬彈片6的高度來調整第一外部基板的焊環(huán)32與第二外部基板的焊環(huán)42之間所需的間隙。為起到平衡支撐的作用，熱雙金屬彈片6、螺栓9、凹槽8和凹腔7至少為相匹配的四組。
[0050]2)選取測試合格的完成所有工藝的第一外部基板30(包括器件的制作、焊環(huán)32的制作、劃片和釋放)和第二外部基板40 (包括焊環(huán)42的制作、吸氣劑43的制作和劃片)。
[0051]3)將封裝模具放在真空鍵合設備的勻熱板上，并將第一外部基板30水平載入第一容納部2，且第一限位面4限位所述第一外部基板30，使其在水平方向只能在公差允許的范圍內(nèi)極小幅移動；第一外部基板30底部則直接與勻熱板接觸，便于加熱。
[0052]4)將第二外部基板40水平載入第二容納部3，并置于熱雙金屬彈片6上；且第二限位面5限位所述第二外部基板40，使其在水平方向只能在公差允許的范圍內(nèi)極小幅移動。本實施例中，第一限位面4的左右未挖空，前后的中間區(qū)域已挖空，第二限位面5的前后左右的中間區(qū)域皆已挖空。此時，由于熱雙金屬彈片6的存在，焊環(huán)32和焊環(huán)42之間保留著抽真空所需的間隙。
[0053]5)依據(jù)計算所需鍵合壓力，將相應的質量塊壓在第二外部基板40表面。若鍵合設備具備加壓功能，亦可利用鍵合設備的該功能來加壓。
[0054]6)抽真空。
[0055]7)加熱使熱雙金屬彈片6變形而彈出，進入凹腔7。在質量塊或鍵合設備產(chǎn)生的壓力下，第二外部基板40沿著第二限位面5下降，直至焊環(huán)32和焊環(huán)42接觸。
[0056]8)依據(jù)鍵合工藝要求，設定升溫保溫曲線，并在壓塊的恒定壓力或鍵合設備設定的壓力下完成焊環(huán)32和焊環(huán)42之間的鍵合，實現(xiàn)真空封裝，之后再降溫。
[0057]9)待完全冷卻后，卸下熱雙金屬彈片6，并取出封裝好的樣片。
[0058]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種封裝模具，包括模具主體，所述模具主體包括沿所述模具主體的軸向依次設置的第一容納部及第二容納部，所述第一容納部用于容納一第一外部基板，所述第二容納部用于容納一第二外部基板，其特征在于，所述第一容納部的內(nèi)側側壁設置有第一限位面，以在水平方向限位所述第一外部基板，所述第二容納部的內(nèi)側側壁設置有第二限位面，以在水平方向限位所述第二外部基板。
2.根據(jù)權利要求1所述的封裝模具，其特征在于，所述封裝模具還包括插入所述第二容納部的一個或多個熱雙金屬彈片及設置于所述第二容納部邊緣的凹腔，所述熱雙金屬彈片用于將所述第一外部基板與所述第二外部基板隔離，所述凹腔用于容納受熱后的熱雙金屬彈片。
3.根據(jù)權利要求2所述的封裝模具，其特征在于，通過調節(jié)熱雙金屬彈片的高度來調節(jié)所述第一外部基板與所述第二外部基板之間的距離。
4.根據(jù)權利要求2所述的封裝模具，其特征在于，所述封裝模具還包括一個或多個凹槽，每一所述凹槽與所述第二容納部連通，用于放置所述熱雙金屬彈片。
5.根據(jù)權利要求2所述的封裝模具，其特征在于，所述熱雙金屬彈片通過設置在所述模具主體外側側壁的螺栓固定。
6.根據(jù)權利要求2所述的封裝模具，其特征在于，所述第一外部基板的焊環(huán)的高度與所述第二外部基板的焊環(huán)的高度之和設定為第一高度之和，所述第一高度之和與所述第一外部基板的高度之和小于所述第一容納部的高度與所述熱雙金屬彈片的高度之和。
7.根據(jù)權利要求1所述的封裝模具，其特征在于，所述第一外部基板的焊環(huán)的高度與所述第二外部基板的焊環(huán)的高度之和設定為第一高度之和，所述第一高度之和與所述第一外部基板的高度之和大于所述第一容納部的高度。
8.根據(jù)權利要求1所述的封裝模具，其特征在于，所述第一限位面為設置在第一容納部的內(nèi)側側壁的凸起面，所述第二限位面為設置在第二容納部的內(nèi)側側壁的凸起面。
9.一種采用權利要求1所述的封裝模具的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟:將第一外部基板載入所述第一容納部，所述第一限位面在水平方向限位所述第一外部基板；將所述第二外部基板載入所述第二容納部，所述第二限位面在水平方向限位所述第二外部基板，所述第一外部基板的焊環(huán)與所述第二外部基板的焊環(huán)對準；將所述第一外部基板與所述第二外部基板鍵合。
10.根據(jù)權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝模具還包括插入所述第二容納部的一個或多個熱雙金屬彈片及設置于所述第二容納部邊緣的凹腔，所述熱雙金屬彈片支撐所述第二外部基板，以隔離所述第一外部基板與所述第二外部基板，所述凹腔用于容納受熱后的熱雙金屬彈片；所述鍵合步驟進一步包括如下步驟:抽真空后，實施加熱，使所述熱雙金屬彈片變形彈出，以使所述第一外部基板的焊環(huán)與所述第二外部基板的焊環(huán)接觸。
【文檔編號】H01L21/60GK103985650SQ201410242837
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年6月3日 優(yōu)先權日:2014年6月3日
【發(fā)明者】王景道, 姜利軍 申請人:杭州大立微電子有限公司