高精度10瓦9dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高精度10瓦9dB衰減片，其包括一長5mm、寬2.5mm、厚度1mm的高熱導率陶瓷基板，所述高熱導率陶瓷基板為高熱導率氮化鋁陶瓷基板，所述高熱導率氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有對稱的銀漿電路，所述銀漿電路間根據(jù)衰減電路特性印刷有5個黑色膜狀電阻，所述銀漿電路和5個黑色膜狀電阻通過高溫燒結(jié)連通，所述高熱導率氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿，所述對稱的銀漿電路和背面印刷的銀漿通過銀漿接地導通。該衰減片在案設計上采用完全對稱電路設計，充分考慮了VSWR和衰減精度等性能指標,打破了原來國內(nèi)生產(chǎn)衰減片只能應用于低頻的局面,滿足了目前3G網(wǎng)絡的應用要求，其各項指標均達到國際領先水平。
【專利說明】 高精度10瓦9dB衰減片
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種衰減片，特別涉及一種高精度10瓦9dB衰減片。
【背景技術】
[0002]目前集成了多個膜狀電阻為一體，通過電阻及線路不同設計的衰減片廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域。使用負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時還能抽取需要的信號進行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對相關設備起到了保護作用。
[0003]在國外，特別是歐美國家，對衰減片和負載片研發(fā)生產(chǎn)都要比國內(nèi)起步早很多，無論在產(chǎn)品的豐富性還是產(chǎn)品微波特性上都處于比較優(yōu)勢地位。同時國內(nèi)市場上現(xiàn)有的衰減片系列少，衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]針對上述現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種阻值滿足64.4 Ω ±3%，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為9±0.5dB,駐波要求輸入、輸出端在1.15以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡的應用要求的高精度10瓦9dB衰減片，取代國外同類產(chǎn)品，并在特性上填補國內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案:
[0006]一種高精度10瓦9dB衰減片，其特征在于:包括一長5mm、寬2.5mm、厚度Imm的高熱導率陶瓷基板，所述高熱導率陶瓷基板為高熱導率氮化鋁陶瓷基板，所述高熱導率氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有對稱的銀漿電路，所述銀漿電路間根據(jù)衰減電路特性印刷有5個黑色膜狀電阻，所述銀漿電路和5個黑色膜狀電阻通過高溫燒結(jié)連通，所述高熱導率氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿，所述對稱的銀漿電路和背面印刷的銀漿通過銀漿接地導通。
[0007]優(yōu)選的，所述衰減電路上覆蓋有黑色保護膜，該黑色保護膜由耐酸堿樹脂材料印刷而成。
[0008]優(yōu)選的，所述銀漿電路和5個黑色膜狀電阻通過高溫燒結(jié)后連通產(chǎn)生RF性能。
[0009]上述技術方案具有如下有益效果:高精度10瓦9dB衰減片，采用了高導熱氮化鋁陶瓷作為基片材料，所以在設計上可以采用小體積大功率的設計，有效降低了生產(chǎn)的成本；同時因為體積的縮小，單位面積基板能夠產(chǎn)出的產(chǎn)品就更多，大大提高了生產(chǎn)效率；而對稱電路的設計，使得產(chǎn)品的頻率特性穩(wěn)定，突破了國產(chǎn)衰減片只能應用于低頻的尷尬局面，使得該型號衰減片能應用于3G的網(wǎng)絡。可廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細給出。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。
[0013]如圖1所示，該高精度10瓦9dB衰減片，包括一長5.0mm、寬2.5mm、厚度1.0mm的高導熱率氮化鋁陶瓷基板1，高導熱率氮化鋁陶瓷基板I的背面印刷有銀漿背導層，高導熱率氮化鋁陶瓷基板I的正面印刷有對稱的銀漿電路2及5個黑色膜狀電阻Rl、R2、R3，R4、R5，5個黑色膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5通過導線連接形成衰減電路，衰減電路通過低溫銀漿與背導層連接，從而使衰減電路接地導通。該衰減電路沿陶瓷基板的中心線對稱，5個膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有高溫燒結(jié)的glass保護膜3，對稱銀漿電路2及高溫燒結(jié)的glass保護膜3的上表面還印刷有一層黑色樹脂保護膜4，這樣可對稱銀漿電路2及5個黑色膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成雙重保護。
[0014]該高精度10瓦9dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為64.4 Ω ±3%，輸出端和接地端的阻值為64.4Ω ±3%。信號輸入端進入衰減片，經(jīng)過5個黑色膜狀電阻Rl、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。
[0015]高精度10瓦9dB衰減片，采用了高導熱氮化鋁陶瓷作為基片材料，所以在設計上可以采用小體積大功率的設計，有效降低了生產(chǎn)的成本；同時因為體積的縮小，單位面積基板能夠產(chǎn)出的產(chǎn)品就更多，大大提高了生產(chǎn)效率；而對稱電路的設計，使得產(chǎn)品的頻率特性穩(wěn)定，突破了國產(chǎn)衰減片只能應用于低頻的尷尬局面，使得該型號衰減片能應用于3G的網(wǎng)絡?？蓮V泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
[0016]以上對本發(fā)明實施例所提供的一種高精度10瓦9dB衰減片進行了詳細介紹，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高精度10瓦9dB衰減片,其特征在于:包括一長5mm、寬2.5mm、厚度Imm的高熱導率陶瓷基板，所述高熱導率陶瓷基板為高熱導率氮化鋁陶瓷基板，所述高熱導率氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有對稱的銀漿電路，所述銀漿電路間根據(jù)衰減電路特性印刷有5個黑色膜狀電阻，所述銀漿電路和5個黑色膜狀電阻通過高溫燒結(jié)連通，所述高熱導率氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿，所述對稱的銀漿電路和背面印刷的銀漿通過銀漿接地導通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度10瓦9dB衰減片，其特征在于:所述衰減電路上覆蓋有黑色保護膜，該黑色保護膜由耐酸堿樹脂材料印刷而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度10瓦9dB衰減片，其特征在于:所述銀漿電路和5個黑色膜狀電阻通過高溫燒結(jié)后連通產(chǎn)生RF性能。
【文檔編號】H01P1/22GK104241781SQ201410235305
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司