高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片，其包括一尺寸長為5mm、寬為2.5mm、厚度為1mm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的正面通過厚膜印刷有銀導(dǎo)線，所述銀導(dǎo)線間通過厚膜印刷有5個黑色電阻，所述銀導(dǎo)線和5個黑色電阻通過高溫共燒技術(shù)產(chǎn)生性能，所述氮化鋁基板的背面通過厚膜印刷有銀漿，所述銀導(dǎo)線和背面的銀漿通過低溫銀漿側(cè)面導(dǎo)通。該衰減片在方案設(shè)計時，在滿足功率要求的前提下，盡量縮小了產(chǎn)品的尺寸，使得產(chǎn)品的生產(chǎn)效率提高，材料成本降低，同時電路設(shè)計上，充分考慮了導(dǎo)線的走向?qū)ζ潆娦阅艿挠绊?，滿足了目前市場的VSWR和衰減精度等性能指標(biāo)的要求,填補(bǔ)了國內(nèi)低衰減值衰減片的空白，滿足了目前主流的3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求，其各項指標(biāo)均達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
【專利說明】局頻氣化f呂陶瓷10瓦3dB哀減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]衰減片在航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播、通訊等領(lǐng)域有著不可或確的作用，之前大部分設(shè)備采用負(fù)載片作為吸收功率的作用，而負(fù)載片只能單純地消耗和吸收多余的功率，是一個純功率消耗器件。而使用衰減片在吸收反向輸入的功率的同時還能對設(shè)備工作的信號進(jìn)行抽樣分析，既能保護(hù)設(shè)備，又能檢測設(shè)備。
[0003]隨著科技的不斷進(jìn)步，對通訊設(shè)備的要也越來越高，目前很多通訊設(shè)備，例如我們手機(jī)接受和發(fā)射信號的基站在越來越多地采用衰減片。在國外，特別是歐美國家，對衰減片和負(fù)載片研發(fā)生產(chǎn)都要比國內(nèi)起步早很多，無論在產(chǎn)品的豐富性還是產(chǎn)品微波特性上都處于比較優(yōu)勢地位。同時國內(nèi)市場上現(xiàn)有的衰減片系列少，衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時，輸出端得到的信號不符合實(shí)際使用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿足150.5 Ω ±3%，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為3±0.5dB,駐波要求輸入、輸出端在1.2以內(nèi)，能夠滿足目前主流的3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片，取代國外同類產(chǎn)品，并在特性上填補(bǔ)國內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片，其特征在于:包括一尺寸長為5mm、寬為
2.5mm、厚度為Imm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的正面通過厚膜印刷有銀導(dǎo)線，所述銀導(dǎo)線間通過厚膜印刷有5個黑色電阻，所述導(dǎo)線和5個黑色電阻通過高溫共燒技術(shù)產(chǎn)生性能，所述氮化鋁基板的背面通過厚膜印刷有銀漿，所述銀導(dǎo)線和背面的銀漿通過低溫銀漿側(cè)面導(dǎo)通。
[0007]優(yōu)選的，所述基板采用高導(dǎo)熱高絕緣性氮化鋁陶瓷基板。
[0008]優(yōu)選的，所述衰減電路采用TT性衰減電路設(shè)計，有效增加了電阻面積。
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片，生產(chǎn)效率高，有效降低了材料成本，從而從根本上降低了產(chǎn)品本身成本，且功率滿足使用要求。電路設(shè)計上基于MWO電路設(shè)計理念，在導(dǎo)線走位和電阻排布上做了合理的布局，并采用導(dǎo)體本身介質(zhì)特性，對產(chǎn)品電性能進(jìn)行改善，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得該型號衰減片能應(yīng)用于3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域以及隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0013]如圖1所示，該高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片包括一尺寸長為5mm、寬為2.5mm、厚度為Imm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板I的背面通過厚膜印刷有銀漿背導(dǎo)層，氮化鋁基板I的正面印刷有銀導(dǎo)線2及5個黑色電阻Rl、R2、R3，R4、R5，5個黑色電阻Rl、R2、R3、R4、R5通過銀導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路中的銀導(dǎo)線和背面的銀漿通過低溫銀漿側(cè)面導(dǎo)通。該衰減電路沿陶瓷基板的中心線對稱，5個黑色電阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有透明玻璃相保護(hù)膜3，導(dǎo)線2及玻璃相保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，這樣可對導(dǎo)線2及5個黑色電阻町、1?2、1?3、1?4、1?5形成保護(hù)。
[0014]該高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為150.5 Ω ±3%，輸出端和接地端的阻值為150.5 Ω ±3%。信號輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過膜狀電阻Rl、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號。
[0015]該高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片，生產(chǎn)效率高，有效降低了材料成本，從而從根本上降低了產(chǎn)品本身成本，且功率滿足使用要求。電路設(shè)計上基于MWO電路設(shè)計理念，在導(dǎo)線走位和電阻排布上做了合理的布局，并采用導(dǎo)體本身介質(zhì)特性，對產(chǎn)品電性能進(jìn)行改善，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得該型號衰減片能應(yīng)用于3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域以及隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)，拓展了國內(nèi)衰減片的應(yīng)用頻段。
[0016]以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片，其特征在于:包括一尺寸長為5mm、寬為2.5mm、厚度為Imm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的正面通過厚膜印刷有銀導(dǎo)線，所述銀導(dǎo)線間通過厚膜印刷有5個黑色電阻，所述導(dǎo)線和5個黑色電阻通過高溫共燒技術(shù)產(chǎn)生性能，所述氮化鋁基板的背面通過厚膜印刷有銀漿，所述銀導(dǎo)線和背面的銀漿通過低溫銀漿側(cè)面導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片，其特征在于:所述基板采用高導(dǎo)熱高絕緣性氮化鋁陶瓷基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻氮化鋁陶瓷10瓦3dB衰減片，其特征在于:所述衰減電路采用TT性衰減電路設(shè)計，有效增加了電阻面積。
【文檔編號】H01P1/22GK104241777SQ201410235295
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司