柔性顯示基板及其制造方法和柔性顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種柔性顯示基板及其制造方法和柔性顯示裝置。該柔性顯示基板包括：柔性基底，所述柔性基底的上方形成有薄膜晶體管和發(fā)光器件，所述柔性基底與所述薄膜晶體管之間形成有擋光層，所述擋光層用于阻擋從所述柔性基底一側(cè)照射的激光。本發(fā)明提供的柔性顯示基板及其制造方法和柔性顯示裝置的技術(shù)方案中，柔性基底與薄膜晶體管之間形成有擋光層，該擋光層可阻擋從柔性基底一側(cè)照射的激光，避免了激光對(duì)薄膜晶體管造成損傷，從而避免了薄膜晶體管的閾值電壓漂移以及薄膜晶體管特性失效，進(jìn)而避免了柔性顯示基板在激光剝離后產(chǎn)生顯示效果下降甚至不能正常顯示的問題。
【專利說明】柔性顯示基板及其制造方法和柔性顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種柔性顯示基板及其制造方法和柔性顯示 裝直。

【背景技術(shù)】
[0002] 柔性顯示裝置具有攜帶方便以及可彎折卷曲等優(yōu)點(diǎn)，因此成為目前顯示技術(shù)中研 究和開發(fā)的熱點(diǎn)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中，柔性顯示基板的制造方式通?？砂ǎ涸诔休d基板上涂布柔性基 底，在柔性基底上制備薄膜晶體管（Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱：TFT)和有機(jī)發(fā)光二極管 (Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱：0LED)以形成柔性顯示基板，在制備完成之后再將 制作好的柔性顯示基板從承載基板上剝離下來。激光剝離是一種常用的柔性顯示基板剝離 技術(shù)，采用激光從承載基板一側(cè)照射，將激光聚焦于承載基板和柔性基底的粘結(jié)層，從而在 激光的作用下實(shí)現(xiàn)承載基板和柔性基底的分離。
[0004] 但是，在激光剝離過程中，激光會(huì)穿過柔性基底照射到薄膜晶體管，對(duì)薄膜晶體管 造成損傷，這將導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓漂移以及薄膜晶體管特性失效，從而導(dǎo)致柔性 顯示基板在激光剝離后產(chǎn)生顯示效果下降甚至不能正常顯示的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提供一種柔性顯示基板及其制造方法和柔性顯示裝置，用于避免薄膜晶體 管的閾值電壓漂移以及薄膜晶體管特性失效，從而避免柔性顯示基板在激光剝離后產(chǎn)生顯 示效果下降甚至不能正常顯示的問題。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種柔性顯示基板，包括：柔性基底，所述柔性基 底的上方形成有薄膜晶體管和發(fā)光器件，所述柔性基底與所述薄膜晶體管之間形成有擋光 層，所述擋光層用于阻擋從所述柔性基底一側(cè)照射的激光。
[0007] 可選地，所述擋光層為反光層，所述反光層用于反射從所述柔性基底一側(cè)照射的 激光。
[0008] 可選地，所述反光層的材料包括鋁或銀。
[0009] 可選地，所述擋光層的厚度包括：10nm至100nm。
[0010] 可選地，還包括：位于所述擋光層與所述薄膜晶體管之間的隔熱層，所述隔熱層用 于隔絕所述激光產(chǎn)生的熱量。
[0011] 可選地，所述隔熱層的材料包括氧化鋯。
[0012] 可選地，所述隔熱層的厚度包括：10nm至500nm。
[0013] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種柔性顯示裝置，包括：上述柔性顯示基板。
[0014] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種柔性顯示基板的制造方法，包括：
[0015] 在承載基板上形成柔性基底；
[0016] 在所述柔性基底的上方形成擋光層，所述擋光層用于阻擋從所述柔性基底一側(cè)照 射的激光；
[0017] 在所述擋光層的上方形成薄膜晶體管和發(fā)光器件；
[0018] 通過激光剝離工藝將柔性基底和承載基板分離。
[0019] 可選地，所述在所述擋光層的上方形成薄膜晶體管和發(fā)光器件之前還包括：
[0020] 在所述柔性基底的上方形成隔熱層，所述隔熱層位于所述擋光層與所述薄膜晶體 管之間且所述隔熱層用于隔絕所述激光產(chǎn)生的熱量。
[0021] 本發(fā)明具有以下有益效果：
[0022] 本發(fā)明提供的柔性顯示基板及其制造方法和柔性顯示裝置的技術(shù)方案中，柔性基 底與薄膜晶體管之間形成有擋光層，該擋光層可阻擋從柔性基底一側(cè)照射的激光，避免了 激光對(duì)薄膜晶體管造成損傷，從而避免了薄膜晶體管的閾值電壓漂移以及薄膜晶體管特性 失效，進(jìn)而避免了柔性顯示基板在激光剝離后產(chǎn)生顯示效果下降甚至不能正常顯示的問 題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種柔性顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種柔性顯示基板的制造方法的流程圖；
[0025] 圖3a為實(shí)施例三中形成柔性基底的示意圖；
[0026] 圖3b為實(shí)施例三中形成擋光層的示意圖；
[0027] 圖3c為實(shí)施例三中形成隔熱層的示意圖；
[0028] 圖3d為實(shí)施例三中形成緩沖層的示意圖；
[0029] 圖3e為實(shí)施例三中形成薄膜晶體管的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提 供的柔性顯示基板及其制造方法和柔性顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0031] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種柔性顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該柔 性顯示基板包括：柔性基底11，柔性基底11的上方形成有薄膜晶體管12和發(fā)光器件，柔性 基底11與薄膜晶體管12之間形成有擋光層13,擋光層13用于阻擋從柔性基底11 一側(cè)照 射的激光。
[0032] 優(yōu)選地，柔性基底的材料可包括：聚酰亞胺（PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)或者 聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)等。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，擋光層13為反光層。該反光層用 于反射從柔性基底一側(cè)照射的激光，以實(shí)現(xiàn)阻擋從柔性基底11 一側(cè)照射的激光，從而避免 了激光對(duì)薄膜晶體管12的照射。
[0033] 其中，反光層的材料可以為具有良好反射效果的金屬，例如：反光層的材料可以包 括鋁或者銀，其中，優(yōu)選地，反光層的材料為鋁，因?yàn)殇X在很寬的光譜范圍內(nèi)都具有很高的 反射率，可以對(duì)剝離時(shí)使用的激光具有很好的反射效果，而且鋁材料使用廣泛且價(jià)格合理。 或者，在實(shí)際應(yīng)用中，反光層的材料還可以為有機(jī)反光材料。
[0034] 優(yōu)選地，擋光層的厚度為：10nm至100nm，既能夠保證該擋光層具有良好的遮擋激 光的作用，又能夠使得厚度不是太厚，該厚度范圍對(duì)于本實(shí)施例來說是優(yōu)選的厚度范圍。
[0035] 可選地，該柔性顯示基板還包括：位于擋光層13與薄膜晶體管12之間的隔熱層 14,隔熱層14用于隔絕激光產(chǎn)生的熱量，從而避免了激光產(chǎn)生的熱量對(duì)薄膜晶體管12造成 損傷。
[0036] 優(yōu)選地，隔熱層14的材料為氧化鋯，氧化鋯具有很好的隔熱效果。在實(shí)際應(yīng)用中， 隔熱層14還可以采用其它具備隔熱效果的材料，此處不再一一列舉。該隔熱層14可與擋 光層13 -起對(duì)薄膜晶體管和發(fā)光器件起到保護(hù)作用。
[0037] 優(yōu)選地，隔熱層14的厚度包括：10nm至500nm，既能夠保證該隔熱層具有良好的隔 熱作用，又能夠使得厚度不是太厚，該厚度范圍對(duì)于本實(shí)施例來說是優(yōu)選的厚度范圍。
[0038] 本實(shí)施例中，薄膜晶體管12包括：柵極121、有源層122、源極123和漏極124,有 源層122位于柵極121的上方，源極123和漏極124位于有源層122之上。其中，柵極121 之上形成有柵絕緣層15,有源層122位于柵絕緣層15之上。優(yōu)選地，柵絕緣層15的材料為 復(fù)合結(jié)構(gòu)的氮化硅（SiNx)和氧化硅（SiOx)。優(yōu)選地，有源層122的材料為銦鎵鋅氧化物 (IGZ0)。優(yōu)選地，有源層122上還形成有刻蝕阻擋層16,源極123和漏極124部分位于刻蝕 阻擋層16之上。優(yōu)選地，刻蝕阻擋層16的材料為SiOx。進(jìn)一步地，源極123和漏極124之 上還形成有鈍化層17,優(yōu)選地，鈍化層17的材料為SiOx。進(jìn)一步地，該柔性顯示基板還包 括：像素電極18,該像素電極18位于鈍化層17之上，且通過設(shè)置于鈍化層17上的過孔19 與漏極124連接。優(yōu)選地，像素電極18的材料為銦錫氧化物（ΙΤ0)。
[0039] 本實(shí)施例中，可選地，該柔性顯示基板還包括：緩沖層20。該緩沖層20形成于擋 光層13之上。則柵極121形成于緩沖層20之上。優(yōu)選地，緩沖層20的材料可以為SiNx。 該緩沖層20用于阻擋水氧。
[0040] 本實(shí)施例中，像素電極18為發(fā)光器件的一個(gè)電極，例如：陽極。且該像素電極18 與薄膜晶體管12連接。具體地，該發(fā)光器件可以為0LED。
[0041] 本實(shí)施例提供的柔性顯示基板的技術(shù)方案中，柔性基底與薄膜晶體管之間形成有 擋光層，該擋光層可阻擋從柔性基底一側(cè)照射的激光，避免了激光對(duì)薄膜晶體管造成損傷， 從而避免了薄膜晶體管的閾值電壓漂移以及薄膜晶體管特性失效，進(jìn)而避免了柔性顯示基 板在激光剝離后產(chǎn)生顯示效果下降甚至不能正常顯示的問題。擋光層與薄膜晶體管之間還 可以設(shè)置有隔熱層，該隔熱層可隔絕激光產(chǎn)生的熱量，從而有效避免了激光產(chǎn)生的熱量對(duì) 薄膜晶體管和發(fā)光器件造成的損傷，進(jìn)一步避免了柔性顯示基板在激光剝離后產(chǎn)生顯示效 果下降甚至不能正常顯示的問題。當(dāng)擋光層為反光層時(shí)，反光層可反射從柔性基底一側(cè)照 射的激光，一方面避免了激光對(duì)薄膜晶體管造成損傷，另一方面還可以將激光產(chǎn)生的熱量 傳導(dǎo)至其他部位，從而有效防止局部高溫的產(chǎn)生，進(jìn)一步避免了激光產(chǎn)生的熱量對(duì)薄膜晶 體管或者發(fā)光器件造成的損傷。
[0042] 本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種柔性顯示裝置，該柔性顯示裝置包括：柔性顯示基板。 該柔性顯示基板可采用上述實(shí)施例一提供的柔性顯示基板，此處不再具體描述。
[0043] 本實(shí)施例提供的柔性顯示裝置的技術(shù)方案中，柔性基底與薄膜晶體管之間形成有 擋光層，該擋光層可阻擋從柔性基底一側(cè)照射的激光，避免了激光對(duì)薄膜晶體管造成損傷， 從而避免了薄膜晶體管的閾值電壓漂移以及薄膜晶體管特性失效，進(jìn)而避免了柔性顯示基 板在激光剝離后產(chǎn)生顯示效果下降甚至不能正常顯示的問題。擋光層與薄膜晶體管之間還 可以設(shè)置有隔熱層，該隔熱層可隔絕激光產(chǎn)生的熱量，從而有效避免了激光產(chǎn)生的熱量對(duì) 薄膜晶體管和發(fā)光器件造成的損傷，進(jìn)一步避免了柔性顯示基板在激光剝離后產(chǎn)生顯示效 果下降甚至不能正常顯示的問題。當(dāng)擋光層為反光層時(shí)，反光層可反射從柔性基底一側(cè)照 射的激光，一方面避免了激光對(duì)薄膜晶體管造成損傷，另一方面還可以將激光產(chǎn)生的熱量 傳導(dǎo)至其他部位，從而有效防止局部高溫的產(chǎn)生，進(jìn)一步避免了激光產(chǎn)生的熱量對(duì)薄膜晶 體管或者發(fā)光器件造成的損傷。
[0044] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種柔性顯示基板的制造方法的流程圖，如圖2所 示，該方法包括：
[0045] 步驟101、在承載基板上形成柔性基底。
[0046] 其中，承載基板可以采用透明的玻璃或藍(lán)寶石基板，以下以承載基板采用玻璃基 板為例來進(jìn)行說明。圖3a為實(shí)施例三中形成柔性基底的示意圖，如圖3a所示，在玻璃基板 10上形成柔性基底11。具體地，可通過涂布或者黏貼工藝在玻璃基板10上形成柔性基底 11。
[0047] 步驟102、在柔性基底的上方形成擋光層，擋光層用于阻擋從柔性基底一側(cè)照射的 激光。
[0048] 圖3b為實(shí)施例三中形成擋光層的示意圖，如圖3b所示，在柔性基底11上形成擋 光層13。具體地，可通過濺射鍍膜（Sputter)工藝在柔性基底11上形成擋光層13。優(yōu)選 地，擋光層13為反光層。對(duì)擋光層13的具體描述可參見上述實(shí)施例一中的描述。
[0049] 可選地，步驟102之后還包括：在柔性基底的上方形成隔熱層，隔熱層位于擋光層 與薄膜晶體管之間且隔熱層用于隔絕激光產(chǎn)生的熱量。
[0050] 圖3c為實(shí)施例三中形成隔熱層的示意圖，如圖3c所示，在擋光層13之上形成隔 熱層14。具體地，可通過電子束加熱蒸鍍工藝、濺射鍍膜工藝或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉 積法（PECVD)工藝在擋光層13上沉積隔熱層14。
[0051] 可選地，步驟102之后還包括：在隔熱層之上形成緩沖層。
[0052] 圖3d為實(shí)施例三中形成緩沖層的示意圖，如圖3d所示，在隔熱層14之上形成緩 沖層20。具體地，可通過PECVD工藝在隔熱層14上沉積緩沖層20。
[0053] 本實(shí)施例中，隔熱層14還可以起到隔絕水氧的作用，從而在通過PECVD工藝沉積 緩沖層20時(shí)可采用較低的工藝溫度，進(jìn)而有效避免了沉積緩沖層20時(shí)工藝溫度過高而導(dǎo) 致的柔性基底變形的問題。
[0054] 步驟103、在擋光層的上方形成薄膜晶體管和發(fā)光器件。
[0055] 圖3e為實(shí)施例三中形成薄膜晶體管的示意圖，如圖3e所示，具體地，步驟103可 包括：
[0056] 步驟1031、在緩沖層20上形成柵極121以及柵線。
[0057] 具體地，可通過濺射鍍膜工藝在緩沖層20上沉積柵金屬層，對(duì)柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖 工藝形成柵極121以及柵線。其中，柵線在圖中未具體畫出。
[0058] 步驟1032、在柵極121以及柵線上形成柵絕緣層15。
[0059] 具體地，可通過PECVD工藝在柵極121以及柵線上沉積柵絕緣層15。
[0060] 步驟1033、在柵絕緣層15上形成有源層122。
[0061] 具體地，可通過濺射鍍膜工藝在柵絕緣層15上沉積有源層材料，對(duì)有源層材料進(jìn) 行構(gòu)圖工藝形成有源層122。
[0062] 步驟1034、在有源層122上形成刻蝕阻擋層16。
[0063] 具體地，可通過PECVD工藝在有源層122上沉積刻蝕阻擋層材料，對(duì)刻蝕阻擋層材 料進(jìn)行干刻工藝形成刻蝕阻擋層16。
[0064] 步驟1035、在刻蝕阻擋層16上形成源極123、漏極124以及數(shù)據(jù)線。
[0065] 具體地，可通過濺射鍍膜工藝在刻蝕阻擋層16上沉積源漏金屬層，對(duì)源漏金屬層 進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成源極123、漏極124以及數(shù)據(jù)線。其中，數(shù)據(jù)線在圖中未具體畫出。
[0066] 步驟1036、在源極123、漏極124以及數(shù)據(jù)線上形成鈍化層17。
[0067] 具體地，可通過PECVD工藝在源極123、漏極124以及數(shù)據(jù)線上沉積鈍化層17。
[0068] 步驟1037、在鈍化層17上形成過孔19。
[0069] 具體地，可通過干刻工藝在鈍化層17上形成過孔19。
[0070] 步驟1038、在鈍化層17上形成發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括像素電極18,像素電極 18通過過孔19與漏極124連接。
[0071] 具體地，可通過濺射鍍膜工藝在鈍化層17上形成像素電極材料，對(duì)像素電極材料 進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成像素電極18。其中，發(fā)光器件可以為0LED，發(fā)光器件中的其它結(jié)構(gòu)不再 具體畫出。
[0072] 步驟104、通過激光剝離工藝將柔性基底和玻璃基板分離。
[0073] 通過激光剝離工藝將柔性基底11和玻璃基板10分離，從而形成如圖1所示的柔 性顯示基板。
[0074] 本實(shí)施例中，構(gòu)圖工藝可包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等工 藝。
[0075] 本實(shí)施例提供的柔性顯示基板的制造方法可用于制造上述實(shí)施例一提供的柔性 顯示基板，對(duì)柔性顯示基板各結(jié)構(gòu)的具體描述可參見實(shí)施例一，此處不再贅述。
[0076] 本實(shí)施例提供的柔性顯示基板的制造方法制造出的柔性顯示基板的技術(shù)方案中， 柔性基底與薄膜晶體管之間形成有擋光層，該擋光層可阻擋從柔性基底一側(cè)照射的激光， 避免了激光對(duì)薄膜晶體管造成損傷，從而避免了薄膜晶體管的閾值電壓漂移以及薄膜晶體 管特性失效，進(jìn)而避免了柔性顯示基板在激光剝離后產(chǎn)生顯示效果下降甚至不能正常顯示 的問題。擋光層與薄膜晶體管之間還可以設(shè)置有隔熱層，該隔熱層可隔絕激光產(chǎn)生的熱量， 從而有效避免了激光產(chǎn)生的熱量對(duì)薄膜晶體管和發(fā)光器件造成的損傷，進(jìn)一步避免了柔性 顯示基板在激光剝離后產(chǎn)生顯示效果下降甚至不能正常顯示的問題。當(dāng)擋光層為反光層 時(shí)，反光層可反射從柔性基底一側(cè)照射的激光，一方面避免了激光對(duì)薄膜晶體管造成損傷， 另一方面還可以將激光產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至其他部位，從而有效防止局部高溫的產(chǎn)生，進(jìn)一 步避免了激光產(chǎn)生的熱量對(duì)薄膜晶體管或者發(fā)光器件造成的損傷。
[0077] 可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施 方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種柔性顯示基板，包括：柔性基底，所述柔性基底的上方形成有薄膜晶體管和發(fā) 光器件，其特征在于，所述柔性基底與所述薄膜晶體管之間形成有擋光層，所述擋光層用于 阻擋從所述柔性基底一側(cè)照射的激光。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述擋光層為反光層，所述反光 層用于反射從所述柔性基底一側(cè)照射的激光。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述反光層的材料包括鋁或銀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述擋光層的厚度為： 10nm 至 lOOnm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的柔性顯示基板，其特征在于，還包括：位于所述擋光 層與所述薄膜晶體管之間的隔熱層，所述隔熱層用于隔絕所述激光產(chǎn)生的熱量。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述隔熱層的材料包括氧化鋯。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述隔熱層的厚度包括：10nm至 500nm。
8. -種柔性顯示裝置，其特征在于，包括：上述權(quán)利要求1至7任一所述的柔性顯示基 板。
9. 一種柔性顯示基板的制造方法，其特征在于，包括： 在承載基板上形成柔性基底； 在所述柔性基底的上方形成擋光層，所述擋光層用于阻擋從所述柔性基底一側(cè)照射的 激光； 在所述擋光層的上方形成薄膜晶體管和發(fā)光器件； 通過激光剝離工藝將柔性基底和承載基板分離。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的柔性顯示基板的制造方法，其特征在于，所述在所述擋光層 的上方形成薄膜晶體管和發(fā)光器件之前還包括： 在所述柔性基底的上方形成隔熱層，所述隔熱層位于所述擋光層與所述薄膜晶體管之 間且所述隔熱層用于隔絕所述激光產(chǎn)生的熱量。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104064685SQ201410211589
【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月19日
【發(fā)明者】李旭遠(yuǎn), 姜春生 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司