面板結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種面板結(jié)構(gòu)及其制造方法。面板結(jié)構(gòu)包括軟性基板、顆粒復(fù)合碳膜離型層以及元件層。顆粒復(fù)合碳膜離型層位于軟性基板的第一表面上。顆粒復(fù)合碳膜離型層包括多個(gè)顆粒，且每一顆粒的表面具有碳膜。元件層位于軟性基板的第二表面上，其中第二表面相對于第一表面。由于本發(fā)明的顆粒復(fù)合碳膜離型層包括多個(gè)顆粒，因此不僅可借由濕式涂布方式形成，而且還更容易控制膜厚及其均勻性，故具有工藝簡單以及工藝時(shí)間較短等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】面板結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種面板結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有顆粒復(fù)合碳膜離型層的面板結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的突飛猛進(jìn)，顯示器已從早期的陰極射線管(cathode ray tube,CRT)顯示器逐漸地發(fā)展到目前的平面顯示器(flat panel display,FPD)。相較于硬質(zhì)基板(諸如玻璃基板)所構(gòu)成的平面顯示器，由于軟性基板(諸如塑料基板)具有可撓曲及耐沖擊等特性，因此，近年來已著手研究將主動(dòng)元件制作于軟性基板上的可撓式顯示器。
[0003]一般來說，可撓式顯示器的制作方式是先將軟性基板固定在玻璃載具上。之后再于軟性基板上進(jìn)行顯示元件的制造程序。待顯示元件制造完成以形成顯示器之后，再借由使軟性基板自玻璃載具上離型，以將此可撓式顯示器從玻璃載具上取下。目前已提出的離型方法包括在玻璃載具與軟性基板之間形成離型層，其中離型層的形成方法例如是表面改質(zhì)。然而，部分顯示元件的工藝需要更高溫度的工藝條件以具有更佳的電性，但是傳統(tǒng)的離型層(多為有機(jī)材料，例如碳氟化合物或碳?xì)浠衔?的高溫耐受度不佳而導(dǎo)致不適用于高溫工藝、增加制造所需的時(shí)間或成本等問題。舉例來說，含氟娃燒(fluoroaklylenesilane,FAS)材質(zhì)的離型層的成本較高，且玻璃表面改質(zhì)的覆蓋性及反應(yīng)時(shí)間無法確定。聚對二甲苯(parylene)材質(zhì)的離型層在沉積后仍需高溫回火以確認(rèn)表面結(jié)晶特性，且工藝復(fù)雜及工藝時(shí)間較長，另外在后續(xù)的高溫工藝(例如大于400°C)時(shí)離型層表面的有機(jī)材料易斷鍵而造成釋放氣體(outgasing)的問題。此外，傳統(tǒng)的軟性基板及玻璃載具都為電的不良導(dǎo)體，因此軟性基板在離型時(shí)容易因靜電累積在分離表面而造成軟性基板上的顯示元件損壞，進(jìn)而導(dǎo)致工藝良率降低。因此，如何開發(fā)出具有良好高溫耐受度的離型層的面板結(jié)構(gòu)并改善面板結(jié)構(gòu)的工藝良率實(shí)為研發(fā)者所欲達(dá)成的目標(biāo)之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種面板結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可適用于高溫工藝并可提高此面板結(jié)構(gòu)的工藝良率。
[0005]本發(fā)明提出一種面板結(jié)構(gòu)，包括軟性基板、顆粒復(fù)合碳膜離型層以及元件層。顆粒復(fù)合碳膜離型層位于軟性基板的第一表面上，其中顆粒復(fù)合碳膜離型層包括多個(gè)顆粒，且每一顆粒的表面具有碳膜。元件層位于軟性基板的第二表面上，其中第二表面系相對于第
一表面。
[0006]其中，更包括一支撐基板，該顆粒復(fù)合碳膜離型層位于該支撐基板與該軟性基板之間。
[0007]其中，該軟性基板覆蓋該顆粒復(fù)合碳膜離型層的一上表面以及一側(cè)表面且在該支撐基板的一邊緣區(qū)域與該支撐基板接觸。
[0008]其中，該顆粒復(fù)合碳膜離型層的厚度為50nm?500nm。[0009]其中，該些顆粒的材質(zhì)為無機(jī)材料。
[0010]其中，該些顆粒包括氧化鈦顆粒、氧化硅顆?；蜓趸X顆粒。
[0011]其中，該些顆粒的尺寸為大于O納米，且小于100納米。
[0012]其中，該顆粒復(fù)合碳膜離型層的碳原子的重量百分比為5%?30%。
[0013]其中，該些顆粒的材質(zhì)包括金屬、合金、半導(dǎo)體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氮化物、半導(dǎo)體氮氧化物或上述材質(zhì)至少兩種的組合。
[0014]其中，該些顆粒包括氧化鋅顆粒、氧化銦錫顆粒、金顆粒、銀顆粒、鉬顆粒或其它導(dǎo)電性顆粒。
[0015]其中，更包含一薄膜晶體管、一彩色濾光片、一黑色矩陣、一有機(jī)發(fā)光元件、一光電轉(zhuǎn)換元件或前述元件至少兩種的組合。
[0016]本發(fā)明另提出一種面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下步驟。在支撐基板上涂布材料層，材料層中包括多個(gè)顆粒以及碳?xì)溲趸衔?。進(jìn)行燒結(jié)程序，以使些顆粒表面的碳?xì)溲趸衔锂a(chǎn)生碳化，以形成顆粒復(fù)合碳膜離型層。在顆粒復(fù)合碳膜離型層上形成軟性基板。在軟性基板上形成元件層。進(jìn)行離型程序，以使得軟性基板與支撐基板分離。
[0017]其中，該材料層中包括一溶劑、分散于該溶劑內(nèi)的該些顆粒以及該碳?xì)溲趸衔铩?br> [0018]其中，該些顆粒占該材料層的重量百分比為0.1 %?10 %，且該碳?xì)溲趸衔镎荚摬牧蠈拥闹亓堪俜直葹?.1 %?15%。
[0019]其中，該燒結(jié)程序的溫度為300°C?500°C。
[0020]其中，該軟性基板覆蓋該顆粒復(fù)合碳膜離型層的一上表面以及一側(cè)表面且在該支撐基板的一邊緣區(qū)域與該支撐基板接觸，且該離型程序包括進(jìn)行一切割程序，以移除位于該邊緣區(qū)域的該軟性基板，進(jìn)而使得該軟性基板與該支撐基板分離。
[0021]其中，該顆粒復(fù)合碳膜離型層的厚度為50nm?500nm。
[0022]其中，該些顆粒的尺寸大于O納米，且小于100納米。
[0023]其中，該些顆粒的材質(zhì)包括無機(jī)材料、金屬、合金、半導(dǎo)體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氮化物、半導(dǎo)體氮氧化物或上述材質(zhì)至少兩種的組合。
[0024]其中，該些顆粒包括氧化鈦顆粒、氧化硅顆粒、氧化鋁顆粒、氧化鋅顆粒、氧化銦錫顆粒、金顆粒、銀顆粒、鉬顆?；蚱渌鼘?dǎo)電性顆粒。
[0025]其中，該碳?xì)溲趸衔锇垡蚁┐?polyvinyl alcohol)、聚乙二醇(polyethylene glycol)、聚丙烯乙二醇(polypropylene glycol)及其共聚物或其組合。
[0026]其中，更包含在該軟性基板上形成一薄膜晶體管、一彩色濾光片、一黑色矩陣、一有機(jī)發(fā)光元件、一光電轉(zhuǎn)換元件或前述元件至少兩種的組合。
[0027]基于上述，由于本發(fā)明的顆粒復(fù)合碳膜離型層包括多個(gè)顆粒，因此不僅可借由濕式涂布方式形成，而且還更容易控制膜厚及其均勻性，故具有工藝簡單以及工藝時(shí)間較短等優(yōu)點(diǎn)。再者，由于本發(fā)明的顆粒復(fù)合碳膜離型層的每一顆粒的表面具有碳膜，因此不僅可耐高溫工藝，而且還不需進(jìn)行表面改質(zhì)的步驟以降低成本。因此，具有致密結(jié)構(gòu)的顆粒復(fù)合碳膜離型層可避免軟性基板穿透至支撐基板，進(jìn)而可降低離型力(或附著力)。此外，當(dāng)使用導(dǎo)電性顆粒來形成顆粒復(fù)合碳膜離型層時(shí)，可避免軟性基板在離型時(shí)因靜電累積而損傷到其上的元件層，進(jìn)而可提高面板結(jié)構(gòu)的工藝良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1為依照本發(fā)明的一實(shí)施例的面板結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。
[0029]圖2A至圖2F為圖1的面板結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示意圖。
[0030]圖3A至圖3B分別為圖2A至圖2B的區(qū)域R的放大示意圖。
[0031]圖4A至圖4B為依照本發(fā)明的其它實(shí)施例的面板結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示意圖。
[0032]100、100’:面板結(jié)構(gòu)
[0033]110:支撐基板
[0034]IlOE:邊緣區(qū)域
[0035]120:材料層
[0036]122:顆粒
[0037]122a:表面
[0038]124:碳?xì)溲趸衔?br> [0039]126:溶劑
[0040]130:顆粒復(fù)合碳膜離型層
[0041]130’:部分
[0042]130a:上表面
[0043]130b:側(cè)表面
[0044]134:碳膜
[0045]140:軟性基板
[0046]140a:第一表面
[0047]140b:第二表面
[0048]150:元件層
[0049]160:切割線
[0050]D:直徑
[0051]R:區(qū)域
[0052]S102、S104、S106、S108、SllO:步驟
[0053]T、T’:厚度
【具體實(shí)施方式】
[0054]圖1為依照本發(fā)明的一實(shí)施例的面板結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖，圖2Α至圖2F為圖1的面板結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示意圖，而圖3Α至圖3Β分別為圖2Α至圖2Β的區(qū)域R的放大示意圖。
[0055]請同時(shí)參照圖1的步驟S102、圖2Α以及圖3Α，首先，在支撐基板110上涂布材料層120。更詳細(xì)來說，可借由濕式涂布的方式將材料層120形成于支撐基板110上，其中材料層120又可稱為涂布液。支撐基板110可以是具有高剛硬性、低膨脹系數(shù)以及高楊氏系數(shù)性質(zhì)的基板。在本實(shí)施例中，支撐基板110例如是無機(jī)基板，包括玻璃基板、石英基板或硅基板。再者，材料層120中包括溶劑126、多個(gè)顆粒122以及碳?xì)溲趸衔?24。[0056]溶劑126例如是包括水、丙酮、乙醇、異丙醇(isopropyl alcohol, IPA)、丙二醇單甲醚(propylene glycol monomethyl ether, PGME)、醇類、醚類、酯類、或其它合適的溶劑、或上述溶劑至少兩種的混合液。
[0057]顆粒122分散于溶劑126內(nèi)，且顆粒122占材料層120的重量百分比可為0.1%?10%。顆粒122的尺納米寸(諸如直徑D)例如是小于I微米(μ m),較佳是大于O納米(nm)且小于100納米(nm)。在本實(shí)施例中，顆粒122的材質(zhì)例如是無機(jī)材料。舉例來說，顆粒122包括氧化鈦顆粒、氧化硅顆?；蜓趸X顆粒。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，顆粒122的材質(zhì)例如是導(dǎo)電材料，包括金屬、合金、半導(dǎo)體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氮化物、半導(dǎo)體氮氧化物、或其它合適的材質(zhì)、或上述材質(zhì)至少兩種的組合。舉例來說，顆粒122包括氧化鋅顆粒、氧化銦錫顆粒、金顆粒、銀顆粒、鉬顆?；?qū)щ娦灶w粒。此外，顆粒122具有表面 122a。
[0058]碳?xì)溲趸衔?24溶于溶劑126中，且碳?xì)溲趸衔?24占材料層120的重量百分比可為0.1 %?15%。碳?xì)溲趸衔?24例如是包含聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA, (C2H4O)x)、聚乙二醇(polyethylene glycol,PEG,C2nH4n+20n+1)、聚氧乙烯(polyethyleneoxide, PEO, C2nH4n+20n+1)、聚丙烯乙二醇(polypropylene glycol, PPG, C3nH6n+20n+1)、或其它合適的化合物、或其組合、或上述化合物至少兩種的共聚物。其中，聚乙二醇(PEG)的分子量例如是2000?20000，而聚氧乙烯(PEO)的分子量例如是20000?200000。共聚物例如是PEG-PPG-PEG的共聚物，其分子量例如是約140000。
[0059]此外，材料層120 (即涂布液)可更包括其它添加劑。舉例來說，材料層120可更包括分散劑，以獲得較穩(wěn)定的涂布液。分散劑包括高分子、有機(jī)硅烷類或界面活性劑。界面活性劑的類型包括陰離子型、陽離子型、非離子型或雙離子型。
[0060]請同時(shí)參照圖1的步驟S104、圖2B以及圖3B，接著，進(jìn)行燒結(jié)程序，以使顆粒122的表面122a的碳?xì)溲趸衔?24產(chǎn)生碳化，而形成顆粒復(fù)合碳膜離型層130。
[0061]更詳細(xì)來說，在惰性氣體的環(huán)境下，進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)程序，以移除溶劑126并使碳?xì)溲趸衔?24因高溫裂解而產(chǎn)生碳化。燒結(jié)程序的溫度例如是300°C?500°C。如此一來，可在顆粒122的表面122a上形成碳膜134 (亦即，碳化的碳?xì)溲趸衔?24)，因此，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后所形成的顆粒復(fù)合碳膜離型層130包括顆粒122以及碳膜134。在本實(shí)施例中，碳膜134例如是完全覆蓋顆粒122的表面122a且顆粒122的層數(shù)例如是5層?500層，但本發(fā)明不限于此。在其它實(shí)施例中，碳膜134亦可以是部分覆蓋顆粒122的表面122a，且本發(fā)明不特別限定顆粒122的層數(shù)(一層或多層)，只要所形成的顆粒復(fù)合碳膜離型層130足夠致密以避免后續(xù)形成的膜層穿透即可。
[0062]顆粒復(fù)合碳膜離型層130的厚度T可為50nm?500nm，且顆粒復(fù)合碳膜離型層13的碳原子(主要來自于碳?xì)溲趸衔?24)的重量百分比可為1%?99%。舉例來說，當(dāng)顆粒122為直徑D為IOnm的氧化鈦顆粒時(shí)，則顆粒復(fù)合碳膜離型層130的碳原子的重量百分比較佳為5%?30%。再者，顆粒復(fù)合碳膜離型層130覆蓋部分支撐基板110，以暴露出支撐基板110的部分邊緣區(qū)域110E。此外，顆粒復(fù)合碳膜離型層130具有上表面130a以及側(cè)表面130b。
[0063]請同時(shí)參照圖1的步驟S106以及圖2C，然后，在顆粒復(fù)合碳膜離型層130上形成軟性基板140，其中軟性基板140包括相對設(shè)置的第一表面140a及第二表面140b。更詳細(xì)來說，軟性基板140覆蓋顆粒復(fù)合碳膜離型層130的上表面130a以及側(cè)表面130b，且在支撐基板110的邊緣區(qū)域IlOE與支撐基板110接觸。換句話說，顆粒復(fù)合碳膜離型層130位于支撐基板110與軟性基板140之間，且顆粒復(fù)合碳膜離型層130位于軟性基板140的第一表面140a上。在本實(shí)施例中，軟性基板140例如是有機(jī)基板，包括聚亞酰胺(polyimide)基板或塑料基板。軟性基板140的形成方法例如是涂布工藝。在本實(shí)施例中，在形成軟性基板140之后，可更包括進(jìn)行烘烤工藝以去除水氣、溶劑，其中烘烤工藝的溫度例如是300°C?500°C。另外，在本實(shí)施例中，具有多層結(jié)構(gòu)的顆粒復(fù)合碳膜離型層130可以是具有親水表面(例如表面130a)，其中親水表面可與軟性基板140接觸以利于軟性基板140的涂布，碳膜134可與支撐基板110接觸以降低離型力(或附著力)。
[0064]值得一提的是，顆粒復(fù)合碳膜離型層130 (包括表面122a具有碳膜134的無機(jī)顆?；?qū)щ娦灶w粒)表面的碳原子不會(huì)與軟性基板140或支撐基板110表面的官能基形成較強(qiáng)鍵結(jié)的氫鍵(或離子鍵)，而只是因分子間吸引力形成較弱的范德華力。再者，軟性基板140 (例如聚亞酰胺基板(有機(jī)材料))與支撐基板110 (例如玻璃基板(無機(jī)材料))之間會(huì)形成較強(qiáng)鍵結(jié)的氫鍵。在本實(shí)施例中，軟性基板140與支撐基板110之間的離型力大于顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110之間的離型力，且顆粒復(fù)合碳膜離型層130與軟性基板140之間的離型力大于顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110之間的離型力。顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110之間的離型力例如是IOOgf以下，較佳是50gf以下。在本實(shí)施例中，可借由使軟性基板140覆蓋顆粒復(fù)合碳膜離型層130且與支撐基板110接觸，以將軟性基板140暫時(shí)固定于支撐基板110上。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，亦可以是顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110之間的離型力大于顆粒復(fù)合碳膜離型層130與軟性基板140之間的離型力。
[0065]請同時(shí)參照圖1的步驟S108以及圖2D，之后，在軟性基板140上形成元件層150，且元件層150位于軟性基板140的第二表面140b上。舉例來說，元件層150可以是包含非晶硅薄膜晶體管、微晶硅薄膜晶體管、氧化物晶體管或低溫多晶硅晶體管等主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)元件。在本實(shí)施例中，元件層150的周邊區(qū)域(亦即，與支撐基板110的邊緣區(qū)域IlOE重迭的區(qū)域)例如是無效區(qū)。以制作具有氧化物晶體管的元件層150為例，此步驟S108例如是包括于軟性基板140上依序形成緩沖層(未繪示)、柵極層(未繪示)、柵絕緣層(未繪示)、通道層(未繪示)、蝕刻終止層(未繪示)、源極與漏極層(未繪示)、保護(hù)層(未繪示)、像素電極層(未繪示)以及保護(hù)層(未繪示)等步驟。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，元件層150亦可以是包括薄膜晶體管、彩色濾光片、黑色矩陣、有機(jī)發(fā)光元件、光電轉(zhuǎn)換元件、或其它合適的元件、或前述元件的組合。在本實(shí)施例中，在形成元件層150過程中，可更包括進(jìn)行烘烤工藝以獲得更佳的電性，其中烘烤工藝的溫度例如是300°C?500°C。
[0066]請同時(shí)參照圖1的步驟SllO以及圖2D至圖2F，接著，進(jìn)行離型程序，以使得軟性基板140與支撐基板110分離。更詳細(xì)來說，離型程序包括沿圖2D中的切割線160進(jìn)行切割程序，以同時(shí)移除位于邊緣區(qū)域IlOE的軟性基板140以及元件層150的周邊區(qū)域(未標(biāo)示)，進(jìn)而使得軟性基板140與支撐基板110分離。在本實(shí)施例中，切割線160例如是對應(yīng)于顆粒復(fù)合碳膜離型層130的內(nèi)部區(qū)域(未標(biāo)示)，但本發(fā)明不限于此。在另一實(shí)施例中，切割線160亦可以是對應(yīng)于顆粒復(fù)合碳膜離型層130的側(cè)表面130b。一般來說，雖然此切割程序會(huì)同時(shí)切割到元件層150的周邊區(qū)域，但由于這些周邊區(qū)域?yàn)闊o效區(qū)，因此并不會(huì)影響到元件層150所提供的功能。切割程序例如是雷射切割或其它合適的切割方式。再者，如圖2E所示，可透過顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110之間的界面，以鏟刀、風(fēng)刀、線或其它合適的方式使顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110分離。
[0067]如此一來，在軟性基板140及顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110分離之后，即完成面板結(jié)構(gòu)100的制作。如圖2F所示，面板結(jié)構(gòu)100包括軟性基板140、顆粒復(fù)合碳膜離型層130以及元件層150。顆粒復(fù)合碳膜離型層130位于軟性基板140的第一表面140a上，其中顆粒復(fù)合碳膜離型層130 (如圖3B所示)包括多個(gè)顆粒122，且每一顆粒122的表面122a具有碳膜134。元件層150位于軟性基板140的第二表面140b上，其中第二表面140b系相對于第一表面140a。
[0068]值得一提的是，當(dāng)以導(dǎo)電材料的顆粒122 (例如導(dǎo)電性顆粒)來形成顆粒復(fù)合碳膜離型層130時(shí)，不僅可提高顆粒復(fù)合碳膜離型層130的導(dǎo)電性(尤其當(dāng)碳膜134僅部分覆蓋顆粒122時(shí))，而且在離型時(shí)顆粒復(fù)合碳膜離型層130會(huì)附著在軟性基板140上作為導(dǎo)電層，以避免軟性基板140在離型時(shí)因靜電累積而損傷到其上的元件層150，進(jìn)而可提高面板結(jié)構(gòu)100的工藝良率。
[0069]上述圖2E至圖2F的實(shí)施例是以從顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110之間的界面分離(亦即，顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110完全分離)為例來說明，但本發(fā)明不限于此。在其它實(shí)施例中，亦可以是從顆粒復(fù)合碳膜離型層130中分離(亦即，顆粒復(fù)合碳膜離型層130的一部分與支撐基板110分離,而另一部分仍附著在支撐基板110上)，或者是從軟性基板140與顆粒復(fù)合碳膜離型層130之間的界面分離(亦即，軟性基板140與顆粒復(fù)合碳膜離型層130完全分離)，本發(fā)明不特別限定分離的界面。
[0070]舉例來說，請同 時(shí)參照圖4A至圖4B，可透過顆粒復(fù)合碳膜離型層130中由顆粒122所構(gòu)成的任兩層之間的界面，以鏟刀、風(fēng)刀、線或其它合適的方式使部分顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110分離。因此，在進(jìn)行離型程序時(shí)，一部分的顆粒復(fù)合碳膜離型層130會(huì)與支撐基板110分離(亦即，一部分的顆粒復(fù)合碳膜離型層130會(huì)附著在軟性基板140上)，而另一部分的顆粒復(fù)合碳膜離型層130仍會(huì)附著在支撐基板110上。其中，附著在軟性基板140上的顆粒復(fù)合碳膜離型層130的部分130’具有厚度T’，且厚度T’例如是小于厚度T。換句話說，本發(fā)明不特別限定附著在軟性基板140上的顆粒復(fù)合碳膜離型層130的部分130’的厚度T’，其中厚度O < T’ ^ T0如此一來，在軟性基板140及部分顆粒復(fù)合碳膜離型層130與支撐基板110分離之后，即完成面板結(jié)構(gòu)100’的制作。如圖4B所示，面板結(jié)構(gòu)100’包括軟性基板140、顆粒復(fù)合碳膜離型層130的部分130’以及元件層150。顆粒復(fù)合碳膜離型層130的部分130’位于軟性基板140的第一表面140a上，其中顆粒復(fù)合碳膜離型層130 (如圖3B所示)的部分130’包括多個(gè)顆粒122，且每一顆粒122的表面122a具有碳膜134。元件層150位于軟性基板140的第二表面140b上，其中第二表面140b系相對于第一表面140a。
[0071]為了證明本發(fā)明的顆粒復(fù)合碳膜離型層130的設(shè)計(jì)確實(shí)可以提高離型層的高溫耐受度，特以一實(shí)驗(yàn)來做驗(yàn)證。此實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)例I~3所使用的顆粒122的材質(zhì)分別為氧化鈦(TiO2)、氧化硅(SiO2)及氧化鋁(Al2O3)。再者，在此實(shí)驗(yàn)中，碳?xì)溲趸衔?24為PEG-PPG-PEG的共聚物(分子量約140000)，且碳?xì)溲趸衔?24與顆粒122的重量比(碳?xì)溲趸衔?24/顆粒122)為1.2/1。在碳?xì)溲趸衔?24與顆粒122的重量比固定為
1.2/1的條件下，隨著顆粒122的固含量)的增加，則所形成的顆粒復(fù)合碳膜離型層130的厚度T亦增加。此外，形成顆粒復(fù)合碳膜離型層130所使用的最高燒結(jié)溫度為350°C，形成軟性基板140所使用的最高烘烤溫度為450°C，而形成元件層150后所使用的最高烘烤溫度為430°C。
[0072]表1
[0073]
【權(quán)利要求】
1.一種面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一軟性基板； 一顆粒復(fù)合碳膜離型層，位于該軟性基板的第一表面上，該顆粒復(fù)合碳膜離型層包括多個(gè)顆粒，且每一顆粒的表面具有一碳膜；以及 一兀件層，位于該軟性基板的第二表面上，其中該第二表面相對于該第一表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一支撐基板，該顆粒復(fù)合碳膜離型層位于該支撐基板與該軟性基板之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該軟性基板覆蓋該顆粒復(fù)合碳膜離型層的一上表面以及一側(cè)表面且在該支撐基板的一邊緣區(qū)域與該支撐基板接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該顆粒復(fù)合碳膜離型層的厚度為50nm ~500nmo
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些顆粒的材質(zhì)為無機(jī)材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些顆粒包括氧化鈦顆粒、氧化硅顆?；蜓趸X顆粒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些顆粒的尺寸為大于O納米，且小于100納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該顆粒復(fù)合碳膜離型層的碳原子的重量百分比為5%~30%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些顆粒的材質(zhì)包括金屬、合金、半導(dǎo)體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氮化物、半導(dǎo)體氮氧化物或上述材質(zhì)至少兩種的組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些顆粒包括氧化鋅顆粒、氧化銦錫顆粒、金顆粒、銀顆粒、鉬顆?；蚱渌鼘?dǎo)電性顆粒。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含一薄膜晶體管、一彩色濾光片、一黑色矩陣、一有機(jī)發(fā)光元件、一光電轉(zhuǎn)換元件或前述元件至少兩種的組合。
12.—種面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 在一支撐基板上涂布一材料層，該材料層中包括多個(gè)顆粒以及碳?xì)溲趸衔铮? 進(jìn)行一燒結(jié)程序，以使些該些顆粒表面的碳?xì)溲趸衔锂a(chǎn)生碳化，而形成一顆粒復(fù)合碳膜離型層； 在該顆粒復(fù)合碳膜離型層上形成一軟性基板； 在該軟性基板上形成一元件層；以及 進(jìn)行一離型程序，以使得該軟性基板與該支撐基板分離。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該材料層中包括一溶劑、分散于該溶劑內(nèi)的該些顆粒以及該碳?xì)溲趸衔铩?br> 14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該些顆粒占該材料層的重量百分比為0.1%~10%，且該碳?xì)溲趸衔镎荚摬牧蠈拥闹亓堪俜直葹?.1%~15%。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該燒結(jié)程序的溫度為300。。~500。。。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該軟性基板覆蓋該顆粒復(fù)合碳膜離型層的一上表面以及一側(cè)表面且在該支撐基板的一邊緣區(qū)域與該支撐基板接觸，且該離型程序包括進(jìn)行一切割程序，以移除位于該邊緣區(qū)域的該軟性基板，進(jìn)而使得該軟性基板與該支撐基板分離。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該顆粒復(fù)合碳膜離型層的厚度為50nm~500nm。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該些顆粒的尺寸大于O納米,且小于100納米。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該些顆粒的材質(zhì)包括無機(jī)材料、金屬、合金、半導(dǎo)體、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、合金氧化物、合金氮化物、合金氮氧化物、半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氮化物、半導(dǎo)體氮氧化物或上述材質(zhì)至少兩種的組合。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該些顆粒包括氧化鈦顆粒、氧化硅顆粒、氧化鋁顆粒、氧化鋅顆粒、氧化銦錫顆粒、金顆粒、銀顆粒、鉬顆?；蚱渌鼘?dǎo)電性顆粒。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該碳?xì)溲趸衔锇垡蚁┐肌⒕垡叶?、聚丙烯乙二醇及其共聚物或其組合。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的面板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，更包含在該軟性基板上形成一薄膜晶體管、一彩色濾光片、一黑色矩陣、一有機(jī)發(fā)光元件、一光電轉(zhuǎn)換元件或前述元件至少兩種的組 。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104009065SQ201410211082
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年5月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月20日
【發(fā)明者】謝坤龍, 許慈軒, 柯聰盈 申請人:友達(dá)光電股份有限公司