有機發(fā)光顯示設備及其制造方法
【專利摘要】提供了一種有機發(fā)光顯示設備和一種制造該有機發(fā)光顯示設備的方法，所述有機發(fā)光顯示設備包括：薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、設置在有源層和柵電極之間的第一絕緣層以及設置在柵電極與源電極和漏電極之間的第二絕緣層；焊盤電極，包括設置在與源電極和漏電極相同的層上的第一焊盤層以及設置在第一焊盤層上的第二焊盤層；第三絕緣層，覆蓋源電極和漏電極以及焊盤電極的端部；像素電極，包括半透射式金屬層并且設置在形成在第三絕緣層中的開口中；第四絕緣層，具有形成在與形成在第三絕緣層中的開口對應的位置中的開口并且覆蓋像素電極的端部。
【專利說明】有機發(fā)光顯示設備及其制造方法
[0001] 本申請參照于2013年5月30日在韓國知識產(chǎn)權局在先提交的并且適時地被指定 序號為10-2013-0062115的申請，將該申請包含于此，并要求該申請的所有權益。

【技術領域】
[0002] 本發(fā)明的實施例涉及一種有機發(fā)光顯示設備和一種制造該有機發(fā)光顯示設備的 方法。

【背景技術】
[0003] 有機發(fā)光二極管（0LED)顯示設備通常包括空穴注入電極、電子注入電極和形成 在空穴注入電極和電子注入電極之間的有機發(fā)光層。0LED顯示設備是在從空穴注入電極注 入的空穴與從電子注入電極注入的電子在有機發(fā)光層中復合以處于其后逐漸消失的激發(fā) 態(tài)時發(fā)射光的自發(fā)光顯示設備。
[0004] 因其高質(zhì)量特性例如低功率消耗、高亮度和快響應速度，0LED顯示設備作為下一 代顯示設備受到關注。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提供了一種具有優(yōu)異的顯示質(zhì)量的有機發(fā)光顯示設備和一種制造該有機 發(fā)光顯示設備的方法。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備包 括：薄膜晶體管，具有有源層、柵電極、源電極、漏電極、設置在有源層和柵電極之間的第一 絕緣層以及設置在柵電極與源電極和漏電極之間的第二絕緣層；焊盤電極，包括設置在與 源電極和漏電極相同的層上的第一焊盤層以及設置在第一焊盤層上的第二焊盤層；第三絕 緣層，覆蓋源電極和漏電極以及焊盤電極的端部；像素電極，包括半透射式金屬層并且設置 在形成在第三絕緣層中的開口中；第四絕緣層，具有形成在與形成在第三絕緣層中的開口 對應的位置中的開口并且覆蓋像素電極的端部；有機發(fā)射層，設置在像素電極上；以及相 對電極，設置在有機發(fā)射層上。
[0007] 源電極和漏電極具有電子遷移率不同的多種異質(zhì)金屬層的堆疊結(jié)構。
[0008] 源電極和漏電極包括包含鑰的層和包含鋁的層。
[0009] 電容器包括設置在與有源層相同的層上的第一電極和設置在與柵電極相同的層 上的第二電極。
[0010] 電容器的第一電極包括摻雜有離子雜質(zhì)的半導體材料。
[0011] 電容器的第二電極包括透明導電氧化物。
[0012] 電容器還包括設置在與源電極和漏電極相同的層上的第三電極。
[0013] 第一焊盤層包括與源電極和漏電極的材料相同的材料。
[0014] 第一焊盤層包括包含鑰的層和包含鋁的層。
[0015] 第二焊盤層包括透明導電氧化物。
[0016] 半透射式金屬層包括銀（Ag)或銀合金。
[0017] 保護層進一步堆疊在半透射式金屬層上。
[0018] 保護層包括透明導電氧化物。
[0019] 第三絕緣層是有機絕緣膜。
[0020] 第四絕緣層是有機絕緣膜。
[0021] 形成在第二絕緣層中的開口、形成在第三絕緣層中的開口以及形成在第四絕緣層 中的開口彼此疊置。
[0022] 形成在第三絕緣層中的開口比形成在第四絕緣層中的開口大并且比形成在第二 絕緣層中的開口小。
[0023] 像素電極的端部設置在形成在第三絕緣層中的開口的頂端上。
[0024] 有機發(fā)光顯示設備還包括陰極接觸單元，陰極接觸單元具有：第一接觸層，設置在 第二絕緣層上并且包括與第一焊盤層相同的材料；第二接觸層，通過形成在第三絕緣層中 的接觸孔連接到第一接觸層，通過形成在第四絕緣層中的接觸孔連接到相對電極，并且包 括與像素電極相同的材料。
[0025] 有機發(fā)光顯示設備還包括：通過形成在第三絕緣層中的接觸孔將像素電極電連接 到源電極和漏電極中的一個的像素電極接觸單元。像素電極接觸單元包括包含與源電極和 漏電極的材料相同的材料的第一接觸層和包含與第二焊盤層的材料相同的材料的第二接 觸層。
[0026] 像素電極接觸單元還包括設置在第一絕緣層上并且包含與第二電極的材料相同 的材料的第三接觸層，第一接觸層通過形成在第二絕緣層中的接觸孔電連接到第三接觸 層。
[0027] 第三接觸層的端部從形成在第二絕緣層中的開口的蝕刻表面突出并且直接接觸 像素電極。
[0028] 第三接觸層的端部從形成在第三絕緣層中的開口的蝕刻表面突出并且直接接觸 像素電極。
[0029] 像素電極接觸單元還包括設置在第一絕緣層和第三絕緣層之間并且包括與柵電 極的材料相同的材料的第四接觸層。
[0030] 相對電極包括反射金屬層。
[0031] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機發(fā)光顯示設備的方法，所述方法包 括下述步驟：在基板上形成半導體層，使半導體層圖案化，并形成薄膜晶體管的有源層和電 容器的第一電極；形成第一絕緣層，在第一絕緣層上形成透明導電氧化物層，將透明導電氧 化物層圖案化，并形成電容器的第二電極；形成第一金屬層，使第一金屬層圖案化，并且在 與第二電極相同的層上形成薄膜晶體管的柵電極；形成第二絕緣層并且形成在第二絕緣層 中暴露有源層的一部分的接觸孔以及與有源層的側(cè)表面分隔開的區(qū)域中的第一開口；形成 第二金屬層，將第二金屬層圖案化并且形成源電極、漏電極以及焊盤電極的第一焊盤層；形 成透明導電氧化物層，將透明導電氧化物層圖案化并在第一焊盤層上形成第二焊盤層；形 成作為有機絕緣膜的第三絕緣層，并在與第一開口疊置的區(qū)域中形成第二開口以及在第三 絕緣層中形成暴露第二焊盤層的頂表面的開口，第二開口小于第一開口；形成半透射式金 屬層，將半透射式金屬層圖案化并在第二開口中形成像素電極；形成作為有機絕緣膜的第 四絕緣層并在第四絕緣層中形成暴露像素電極的頂表面的第三開口；在像素電極上形成有 機發(fā)射層；以及在有機發(fā)射層上形成相對電極。
[0032] 在形成柵電極之后，所述方法包括通過利用一次摻雜工藝利用離子雜質(zhì)對有源層 的源區(qū)和漏區(qū)以及電容器的第一電極同時摻雜的步驟。
[0033] 第二金屬層具有電子遷移率不同的多種異質(zhì)金屬層的堆疊結(jié)構。
[0034] 保護層包括位于半透射式金屬層的頂表面上的透明導電氧化物。所述方法包括將 半透射式金屬層和保護層圖案化的步驟。
[0035] 濕法蝕刻第一金屬層、第二金屬層、透明導電氧化物層和半透射式金屬層。
[0036] 在將第二金屬層圖案化時，形成像素電極接觸單元的第一接觸層，在第一接觸層 上形成包括形成第二焊盤層的透明導電氧化物的第二接觸層，當將第三絕緣層圖案化時形 成接觸孔。
[0037] 由形成電容器的第二電極的透明導電氧化物形成第三接觸層，第四接觸層形成為 第一金屬層，在第二絕緣層中形成接觸孔以連接第四接觸層和第一接觸層。
[0038] 通過比第一開口和第二開口的蝕刻表面進一步突出來形成第三接觸層的端部。
[0039] 像素電極形成為連接到第二接觸層和第三接觸層兩者。
[0040] 當將第二金屬層圖案化時形成陰極接觸單元的第一接觸層，在第三絕緣層中形成 接觸孔，在將像素電極圖案化時在接觸孔中形成第二接觸層，在第四絕緣層中形成覆蓋第 二接觸層的端部的接觸孔。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041] 當結(jié)合附圖考慮時，通過參照下面的詳細描述，本發(fā)明的更全面的解釋及其許多 附加優(yōu)點將更加清楚，同時也變得更易于理解，在附圖中同樣的附圖標記表示相同或相似 的組件，其中：
[0042] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示設備的示意性平面圖；
[0043] 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示設備的像素和焊盤的一部分的示 意性剖視圖；
[0044] 圖3A至圖31是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于解釋制造圖1的有機發(fā)光顯示設備的方 法的示意性剖視圖；
[0045] 圖4是示出根據(jù)第一比較示例的有機發(fā)光顯示設備的示意性平面圖；
[0046] 圖5是示出根據(jù)第二比較示例的有機發(fā)光顯示設備的示意性平面圖；
[0047] 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光顯示設備的示意性平面圖；
[0048] 圖7A至圖71是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于解釋制造圖6的有機發(fā)光顯示設備的方 法的示意性剖視圖；
[0049] 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光顯示設備的示意性平面圖；以及
[0050] 圖9是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光顯示設備的示意性平面圖。

【具體實施方式】
[0051] 現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，從而本領域普通技術人員能夠完成本發(fā)明 而沒有任何困難。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實施并且不應被解釋為限制于這 里闡述的實施例；相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底的和完整的，并且將向本領 域普通技術人員充分傳達本發(fā)明的構思。
[0052] 另外，省略附圖中與【具體實施方式】無關的部件以確保本發(fā)明的清楚。附圖中同樣 的附圖標記表示同樣的元件。
[0053] 在各個實施例中，在第一實施例中示例性地解釋了具有由相同的附圖標記表示的 相同結(jié)構的元件，將在其他實施例中解釋除第一實施例中的結(jié)構以外的結(jié)構。
[0054] 另外，為了便于解釋，任意性地示出了附圖中元件的尺寸和厚度，因此其不限于所 示出的元件的尺寸和厚度。
[0055] 在附圖中為清晰起見放大了各個層和區(qū)域。在附圖中為了便于解釋夸大了一些層 和區(qū)域的厚度。還將理解的是，當層、膜、區(qū)域或板被稱為"在"另一層、膜、區(qū)域或板"上" 時，其可以直接在另一層、膜、區(qū)域或板上，或者也可以在其之間存在中間層、膜、區(qū)域或板。
[0056] 除非上下文另外指出，否則詞語"包括"被理解為意思是"包括，但不限于"，從而也 可以包括沒有明確提及的其他元件。另外，將理解的是，術語"在"……"上"包含"在"…… "之上"和"在"……"下方"兩種方位，而不被限制于在重力方向上的"在"……"之上"。 如這里所使用的，術語"和/或"包括一個或更多個相關列出項的任意和所有組合。當諸如 "至少一個（種）"的表述位于一系列元件（要素）后面時，修飾整個系列的元件（要素） 而不是修飾所述系列中的單個元件（要素）。
[0057] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示設備1的示意性平面圖。圖2是示 出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示設備1的多個像素 P和多個焊盤PAD的一部分的示意 性剖視圖。
[0058] 參照圖1，包括多個像素 P并顯示圖像的顯示區(qū)域DA設置在根據(jù)本發(fā)明實施例的 有機發(fā)光顯示設備1的基板10上。顯示區(qū)域DA形成在密封線SL內(nèi)并且包括沿著密封線 SL密封顯示區(qū)域DA的密封構件（未示出）。用于向公共地形成在顯示區(qū)域DA中的陰極供 電的陰極接觸單元CECNT形成在顯示區(qū)域DA和焊盤PAD之間。
[0059] 參照圖2,包括至少一個有機發(fā)射層121的像素區(qū)域PXL1、包括至少一個薄膜晶體 管的晶體管區(qū)域TR1、包括至少一個電容器的電容器區(qū)域CAP1以及焊盤區(qū)域PAD1設置在基 板10上。
[0060] 設置在基板10和緩沖層11上的薄膜晶體管的有源層212被包括在晶體管區(qū)域 TR1 中。
[0061] 基板10可以是透明基板，例如，包括聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙 二醇酯（PEN)和聚酰亞胺的塑料基板以及玻璃基板。
[0062] 形成平坦表面并且防止雜質(zhì)元素滲透到基板10中的緩沖層11可以進一步設置在 基板10上。緩沖層11可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的單層結(jié)構或多層結(jié)構。
[0063] 緩沖層11上的有源層212被包括在晶體管區(qū)域TR1中。有源層212可以由包括 非晶硅或晶體硅的半導體形成。有源層212可以包括溝道區(qū)212c、設置在溝道區(qū)212c的外 側(cè)并摻雜有離子雜質(zhì)的源區(qū)212a以及漏區(qū)212b。有源層212不限于非晶硅或晶體硅，而是 可以包括氧化物半導體。
[0064] 柵電極215在與有源層212的溝道區(qū)212c對應的位置中設置在有源層212上， 作為絕緣膜的第一絕緣層13設置在柵電極215和有源層212之間。柵電極215可以具有 單層結(jié)構或多層結(jié)構，所述單層結(jié)構或所述多層結(jié)構包括從由鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、 銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰（Mo)、鈦 (Ti)、鎢（W)和銅（Cu)組成的組中選擇一種或更多種金屬材料。
[0065] 分別連接到有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b的源電極217a和漏電極217b設 置在柵電極215上，作為層間絕緣膜的第二絕緣層16位于源電極217a和漏電極217b與柵 電極215之間。源電極217a和漏電極217b中的每個可以具有電子遷移率不同的兩種或兩 種以上的異質(zhì)金屬層（heterogeneous metal layers)。例如，源電極217a和漏電極217b中 的每個可以具有包括從由 Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu 以及 這些金屬材料的合金組成的組中選擇的金屬材料的兩層或兩層以上的結(jié)構。
[0066] 第三絕緣層19設置在第二絕緣層16上以覆蓋源電極217a和漏電極217b。
[0067] 第一絕緣層13和第二絕緣層16可以包括單層無機絕緣膜或多層無機絕緣膜。形 成第一絕緣層13和第二絕緣層16的無機絕緣膜可以包括Si0 2、SiNx、SiON、A1203、Ti02、 Ta205、Hf02、Zr02、BST 和 PZT 等。
[0068] 第三絕緣層19可以包括有機絕緣膜。第三絕緣層19可以包括通用聚合物（PMMA， PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亞胺類聚合物、芳基醚類聚合物、酰胺類 聚合物、氟化聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物、這些材料的混合物等。
[0069] 第四絕緣層20設置在第三絕緣層19上。第四絕緣層20可以包括有機絕緣膜。第 四絕緣層20可以包括通用聚合物（PMMA，PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰 亞胺類聚合物、芳基醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟化聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類 聚合物、這些材料的混合物等。
[0070] 設置在緩沖層11和第一絕緣層13上的像素電極120被包括在像素區(qū)域PXL1中。
[0071] 像素電極120設置在形成在第三絕緣層19中的開口 C5中。
[0072] 形成在第三絕緣層19中的開口 C5比形成在第四絕緣層20中的開口 C8大，比形 成在第二絕緣層16中的開口 C1小。形成在第二絕緣層16中的開口 C1、形成在第三絕緣層 19中的開口 C5和形成在第四絕緣層20中的開口 C8彼此疊置。
[0073] 像素電極120的端部設置在形成在第三絕緣層19中的開口 C5的頂端上并且被第 四絕緣層20覆蓋。同時，像素電極120的設置在形成在第三絕緣層19中的開口 C5中的頂 表面被暴露于形成在第四絕緣層20中的開口 C8。
[0074] 像素電極120通過形成在第三絕緣層19中的接觸孔C6連接到像素電極接觸單元 PECNT1。像素電極接觸單元PECNT1電連接到驅(qū)動晶體管的源電極和漏電極中的一個并且 驅(qū)動像素電極120。
[0075] 像素電極接觸單元PECNT1可以包括：第一接觸層117,包括與源電極217a和漏電 極217b的上述材料相同的材料；第二接觸層118,包括透明導電氧化物。盡管圖2中未詳 細示出，但是第一接觸層117連接到可以電連接到驅(qū)動晶體管的源電極和漏電極中的一個 的數(shù)據(jù)線（未示出）。如果圖2中的晶體管為驅(qū)動晶體管，則第一接觸層117可以直接連接 到源電極217a或漏電極217b。
[0076] 像素電極120包括透反射式金屬層120b。像素電極120還可以包括分別形成在透 反射式金屬層120b的下部和上部中并且包括保護透反射式金屬層120b的透明導電氧化物 的層120a和120c。
[0077] 透反射式金屬層120b可以由銀（Ag)或銀合金形成。透反射式金屬層120b與相 對電極122 -起形成微腔結(jié)構，從而增加有機發(fā)光顯示設備1的光效率，其中，相對電極122 為反射電極并且將在后面進行描述。
[0078] 包括透明導電氧化物的層120a和120c可以包括從由氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅 (ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦（Ιη 203)、氧化銦鎵（IG0)以及氧化鋁鋅（ΑΖ0)組成的組中選擇 的至少一種。形成在透反射式金屬層120b的下部中并且包括透明導電氧化物的層120a可 以加強第一絕緣層與像素電極120之間的粘附，其中，第一絕緣層是無機絕緣膜。形成在透 反射式金屬層120b的上部中并且包括透明導電氧化物的層120c可以用作保護透反射式金 屬層120b的阻擋層。
[0079] 同時，如果在使像素電極120圖案化的蝕刻工藝期間提供電子，則以離子狀態(tài)存 在于蝕刻劑中的銀（Ag)離子會有問題地再次析出為銀（Ag)。在形成像素電極120的后續(xù) 工藝過程中，這樣析出的銀（Ag)可能是導致暗點的與顆粒有關的缺陷因素。
[0080] 當在蝕刻包括銀（Ag)的像素電極120的工藝期間源電極217a或漏電極217b、像 素電極接觸單元PECNT1的第一接觸層117、焊盤電極的第一焊盤層417或者由與這些元件 的材料相同的材料形成的數(shù)據(jù)布線（未示出）被暴露至蝕刻劑時，銀（Ag)離子可以通過接 收來自這些金屬材料的電子而被再次析出為銀（Ag)。例如，當這些金屬材料包括鑰或鋁時， 可以通過再次向銀（Ag)離子提供從鑰或鋁接收的電子來再次析出銀（Ag)。析出的銀（Ag) 顆?？赡苁呛罄m(xù)工藝期間導致暗點的與顆粒有關的缺陷因素。
[0081] 然而，根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設備1的源電極217a或漏電極217b被作為 有機膜的第三絕緣層19覆蓋，因此在蝕刻包括銀（Ag)的像素電極120的工藝期間源電極 217a或漏電極217b不被暴露至包含銀（Ag)離子的蝕刻劑，從而防止因銀（Ag)的析出而導 致的與顆粒有關的缺陷。
[0082] 同時，包括有機發(fā)射層121的中間層（未示出）設置在具有被形成在第四絕緣層 20中的開口 C8暴露的頂表面的像素電極120上。有機發(fā)射層121可以由低分子量的有機 材料或高分子量的有機材料形成。當有機發(fā)射層121由低分子量的有機材料形成時，可以 相對于有機發(fā)射層121堆疊空穴傳輸層（HTL)、空穴注入層（HIL)、電子傳輸層（ETL)和電 子注入層（EIL)。如果必要的話，可以堆疊各種其他層。在這種情況下，可以使用包括銅酞 菁（CuPc)、N'_二苯基-聯(lián)苯胺（NPB)和三（8-羥基喹啉）鋁（Alq 3)的各種低分子量的有 機材料。當有機發(fā)射層121由高分子量的有機材料形成時，除了有機發(fā)射層121以外可以 使用HTL。HTL可以由聚-(3,4)-乙烯-二氧噻吩（PED0T)或聚苯胺（PANI)形成。在這種 情況下，高分子量的有機材料可以包括聚苯撐乙烯撐（PPV)類高分子量的有機材料和聚芴 類高分子量的有機材料。還可以在像素電極120和相對電極122之間設置無機材料。
[0083] 盡管在圖2中有機發(fā)射層121設置在開口 C8的底面（floor)上，但是這是為了便 于描述并且本發(fā)明不限于此。有機發(fā)射層121可以沿著形成在第三絕緣層19中的開口 C5 的蝕刻表面形成在第四絕緣層20的頂表面上以及開口 C8的底面上。
[0084] 相對電極122作為共電極設置在有機發(fā)射層121上。根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯 示設備1將像素電極120用作陽極，將相對電極122用作陰極。電極的極性可以轉(zhuǎn)變。
[0085] 相對電極122可以被構造為包括反射材料的反射電極。在這點上，相對電極122 可以包括從由Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和LiF/Al組成的組中選擇的一種或更多種材料。相 對電極122被構造為反射電極，從而從有機發(fā)射層121發(fā)射的光從相對電極122反射，透射 過由半透射式金屬形成的像素電極120,并被發(fā)射到基板10。
[0086] 包括第一電極312、第二電極314和第三電極317的電容器設置在電容器區(qū)域 CAP1中并且設置在基板10和緩沖層11上，其中，第一電極312設置在與有源層212相同的 層上，第二電極314設置在與柵電極215相同的層上，第三電極317設置在與源電極217a 和漏電極217b相同的層上。
[0087] 與有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b相似，電容器的第一電極312可以形成為 摻雜有離子雜質(zhì)的半導體。
[0088] 電容器的第二電極314以與柵電極215相同的方式設置在第一絕緣層13上，然而 第二電極314與柵電極215的材料彼此不同。第二電極314的材料可以包括透明導電氧化 物。通過第二電極314在第一電極312上形成摻雜有離子雜質(zhì)的半導體，從而形成具有金 屬 -絕緣體-金屬（MIM)結(jié)構的電容器。
[0089] 電容器的第三電極317可以由與源電極217a和漏電極217b的材料相同的材料形 成。如上所述，第三電極317被作為有機膜的第三絕緣層19覆蓋，因此在蝕刻包括銀（Ag) 的像素電極120的工藝期間第三電極317不被暴露至包括銀（Ag)離子的蝕刻劑，從而防 止因銀（Ag)的析出而導致的與顆粒有關的缺陷。電容器構成包括第一電極312、第二電極 314和第三電極317的并聯(lián)電路，從而增大有機發(fā)光顯示設備1的電容，而不增加電容器的 面積。因此，可以通過增大電容來減小電容器的面積，從而增大開口率。
[0090] 焊盤區(qū)域PAD1設置在顯示區(qū)域DA外部，其中，焊盤區(qū)域PAD1為其中設置有作為 外部驅(qū)動器的連接端子的焊盤電極417和418的區(qū)域。
[0091] 與上面描述的源電極217a和漏電極217b相似，第一焊盤層417可以具有電子遷 移率不同的多個金屬層的結(jié)構。例如，第一焊盤層417可以具有包括從由鋁（A1)、鉬（Pt)、 鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰 (Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)和銅（Cu)組成的組中選擇的一種或更多種金屬材料的多層結(jié)構。
[0092] 第二焊盤層418可以由包括從由氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、 氧化銦（In 2〇3)、氧化銦鎵（IG0)以及氧化鋁鋅（ΑΖ0)組成的組中選擇的至少一種的透明導 電氧化物形成?？梢苑乐沟谝缓副P層417被暴露至濕氣和氧，從而防止焊盤電極的可靠性 劣化。
[0093] 如上所述，盡管第一焊盤層417設置在暴露至形成在第三絕緣層19中的接觸孔C7 的區(qū)域中，但是由于作為保護層的第二焊盤層418形成在第一焊盤層417的上部上，因此在 蝕刻像素電極120的工藝期間第一焊盤層417不被暴露至蝕刻劑。
[0094] 此外，第一焊盤層417的對諸如濕氣或氧的外部環(huán)境敏感的端部被第三絕緣層19 覆蓋，因此在蝕刻像素電極120的工藝期間第一焊盤層417的端部也不被暴露至蝕刻劑。
[0095] 因此，可以防止因銀（Ag)的析出而導致的與顆粒有關的缺陷，也可以防止焊盤電 極的可靠性劣化。
[0096] 同時，盡管圖2中未示出，但是根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設備1還可以包括密 封包括像素區(qū)域PXL1、電容器區(qū)域CAP1和晶體管區(qū)域TR1的顯示區(qū)域DA的密封構件（未 示出）。密封構件可以形成為通過使包括玻璃構件的基板、金屬膜或有機絕緣膜和無機絕緣 膜交替布置而設置的密封薄膜。
[0097] 下面現(xiàn)在將參照圖3A至圖31來描述制造根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設備1的 方法。
[0098] 圖3A至圖31是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于解釋制造有機發(fā)光顯示設備1的方法的 示意性剖視圖。
[0099] 圖3A是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備1的第一掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0100] 參照圖3A，在基板10上形成緩沖層11，在緩沖層11上形成半導體層（未示出） 并且將半導體層圖案化，從而形成薄膜晶體管的有源層212和電容器的第一電極312。 [0101] 盡管圖3A中未示出，但是在半導體層（未示出）上涂覆光致抗蝕劑（未示出），通 過利用第一光掩模（未示出）的光刻法使半導體層（未示出）圖案化，并形成有源層212 和第一電極312。利用光刻法的第一掩模工藝包括在第一光掩模（未不出）上利用曝光裝 置（未示出）來執(zhí)行曝光，并執(zhí)行諸如顯影、蝕刻、剝離和灰化（ashing)的一系列工藝。
[0102] 半導體層（未示出）可以包括非晶硅或晶體硅。在這點上，可以通過使非晶硅結(jié) 晶來形成晶體硅。可以通過利用諸如快速熱退火（RTA)、固相結(jié)晶（SPC)、準分子激光退火 (ELA)、金屬誘導結(jié)晶（MIC)、金屬誘導橫向結(jié)晶（MILC)和順序橫向凝固（SLS)等的各種方 法來使非晶硅結(jié)晶。同時，半導體層（未示出）不限于非晶硅或晶體硅并且可以包括氧化 物半導體。
[0103] 圖3B是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備1的第二掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0104] 在圖3A的第一掩模工藝的所得結(jié)構上形成第一絕緣層13,在第一絕緣層13上形 成透明導電氧化物層（未示出）然后使透明導電氧化物層圖案化。
[0105] 圖案化的結(jié)果為，在第一絕緣層13上形成電容器的第二電極314。
[0106] 圖3C是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備1的第三掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0107] 在圖3B的第二掩模工藝的所得結(jié)構上形成第一金屬層（未不出），然后將第一金 屬層圖案化。在這點上，如上所述，第一金屬層（未示出）可以是由從由鋁（A1)、鉬（Pt)、 鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰 (Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)和銅（Cu)組成的組中選擇的一種或更多種金屬材料形成的單層或多 層。
[0108] 作為圖案化的結(jié)果，在第一絕緣層13上形成柵電極215。
[0109] 利用離子雜質(zhì)對上述結(jié)構進行摻雜。利用濃度為IX 1015原子/cm2或更大的離子 雜質(zhì)B或P對薄膜晶體管的有源層212和電容器的第一電極312進行摻雜。
[0110] 通過將柵電極215用作自對準掩模（self-align mask)來利用離子雜質(zhì)對有源層 212進行摻雜，因此有源層212包括摻雜有離子雜質(zhì)的源區(qū)212a和漏區(qū)212b以及設置在源 區(qū)212a和漏區(qū)212b之間的溝道區(qū)212c。在這點上，電容器的第一電極312是摻雜有離子 雜質(zhì)并且形成MM CAP的電極。
[0111] 因此，利用一次摻雜工藝對電容器的第一電極312以及有源層212同時摻雜，從而 因摻雜工藝的減少而降低制造成本。
[0112] 圖3D是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備1的第四掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0113] 參照圖3D，在圖3C的第三掩模工藝的所得結(jié)構上形成第二絕緣層16,然后將第二 絕緣層16圖案化，從而在第二絕緣層16中形成暴露有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b 的開口 C3和C4并且在與有源層212的側(cè)面分隔開的區(qū)域中形成開口 Cl，與有源層212的 側(cè)面分隔開的區(qū)域為隨后將描述的將在其中設置像素電極120的區(qū)域。
[0114] 圖3E是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備1的第五掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0115] 參照圖3E，在圖3D的第四掩模工藝的所得結(jié)構上形成第二金屬層（未示出）， 然后將第二金屬層圖案化，從而同時形成源電極217a和漏電極217b、像素電極接觸單元 PECNT1的第一接觸層117、第三電極317和焊盤電極的第一焊盤層417。
[0116] 第二金屬層（未示出）可以具有電子遷移率不同的兩種或兩種以上的異質(zhì)金屬層 的結(jié)構。例如，第二金屬層（未示出）可以具有兩層或兩層以上的結(jié)構，所述兩層或兩層以 上的結(jié)構包括從由鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥 (Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)、銅（Cu)以及這些金屬材料的合金 組成的組中選擇的金屬材料。
[0117] 為了舉例說明第二金屬層（未示出）的構造，詳細地示出了第一焊盤層417的構 造。例如，本實施例的第二金屬層（未示出）可以包括包含鑰（Mo)的第一層417a、包含鋁 (A1)的第二層417b和包含鑰（Mo)的第三層417c。
[0118] 包含鋁（A1)的第二層417b是具有小電阻和優(yōu)異電特性的金屬層。設置在第二層 417b的下部中并且包含鑰（Mo)的第一層417a加強了第二絕緣層16和第二層417b之間的 粘附。設置在第二層417b的上部中并且包含鑰（Mo)的第三層417c可以用作防止氧化、擴 散以及包含在第二層417b中的鋁的凸起（hillock)的阻擋層。
[0119] 同時，盡管圖3E中未示出，但是還可以在第五掩模工藝期間通過使第二金屬層 (未示出）圖案化來形成數(shù)據(jù)布線。
[0120] 圖3F是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備1的第六掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0121] 參照圖3F，在圖3E的第五掩模工藝的所得結(jié)構上形成透明導電氧化物層（未示 出），然后將透明導電氧化物層圖案化，因此同時形成像素電極接觸單元PECNT1的第二接 觸層118和焊盤電極的第二焊盤層418。
[0122] 透明導電氧化層包括從由氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦 (Ιη 203)、氧化銦鎵（IG0)以及氧化鋁鋅（ΑΖ0)組成的組中選擇的至少一種。
[0123] 圖3G是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備1的第七掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0124] 參照圖3G，在圖3F的第六掩模工藝的所得結(jié)構上形成第三絕緣層19,然后將第三 絕緣層19圖案化，從而形成暴露第二接觸層118的上部的接觸孔C6、暴露第二焊盤層418 的上部的接觸孔C7以及位于像素區(qū)域PXL1中的開口 C5,其中，像素區(qū)域PXL1中將設置像 素電極120,這將在后面進行描述。
[0125] 將第三絕緣層19形成為完全包圍源電極217a和漏電極217b，從而防止在蝕刻后 面將描述的包括銀（Ag)的像素電極120的工藝期間具有不同電勢的異質(zhì)布線接觸其中溶 解有銀（Ag)離子的蝕刻劑。
[0126] 第三絕緣層19可以包括有機絕緣膜以用作平坦化膜。有機絕緣膜可以使用通用 聚合物（PMMA，PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亞胺類聚合物、芳基醚類聚 合物、酰胺類聚合物、氟化聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物、這些材料的混合物 等。
[0127] 形成在第三絕緣層19中的開口 C5和形成在第二絕緣層16中的開口 C1彼此疊置， 同時形成在第三絕緣層19中的開口 C5比形成在第二絕緣層16中的開口 C1小。
[0128] 圖3H是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備1的第八掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0129] 參照圖3H，在圖3G的第七掩模工藝的所得結(jié)構上形成半透射式金屬層（未示 出），然后將半透射式金屬層圖案化，從而形成像素電極120。
[0130] 像素電極120通過像素電極接觸單元PECNT1連接到驅(qū)動晶體管并被設置在形成 在第三絕緣層19中的開口 C5中。
[0131] 像素電極120包括透反射式金屬層120b。像素電極120可以包括分別形成在透反 射式金屬層120b的下部和上部中并且包括保護透反射式金屬層120b的透明導電氧化物的 層 120a 和 120c。
[0132] 透反射式金屬層120b可以由銀（Ag)或銀合金形成。包括透明導電氧化物的層 120a和120c可以包括從由氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦（Ιη 203)、 氧化銦鎵（IG0)以及氧化鋁鋅（ΑΖ0)組成的組中選擇的至少一種。透反射式金屬層120b 與相對電極122 -起形成微腔結(jié)構，從而增加有機發(fā)光顯不設備1的光效率，其中，相對電 極122為反射電極并且將在后面進行描述。
[0133] 同時，如果在將像素電極120圖案化的蝕刻工藝期間提供電子，則以離子狀態(tài)存 在于蝕刻劑中的銀（Ag)離子會有問題地再次析出為銀（Ag)。如果在蝕刻包括銀（Ag)的像 素電極120的工藝期間源電極217a或漏電極217b、像素電極接觸單元PECNT1的第一接觸 層117、焊盤電極的第一焊盤層417或者由與這些元件的材料相同的材料形成的數(shù)據(jù)布線 (未示出）被暴露至蝕刻劑時，銀（Ag)離子可以通過接收來自這些金屬材料的電子而被再 次析出為銀（Ag)。
[0134] 然而，在將像素電極120圖案化的第八掩模工藝之前，根據(jù)本實施例的源電極 217a或漏電極217b被圖案化并且被作為有機膜的第三絕緣層19覆蓋，因此在蝕刻包括銀 (Ag)的像素電極120的工藝期間源電極217a或漏電極217b不被暴露至包括銀（Ag)離子 的蝕刻劑，從而防止因銀（Ag)的析出而導致的與顆粒有關的缺陷。
[0135] 盡管根據(jù)本實施例的第一接觸層117和第一焊盤層417被分別設置在被形成在第 三絕緣層19中的接觸孔C6和C7暴露的區(qū)域中，但是由于作為保護層的第二接觸層118和 第二焊盤層418分別形成在第一接觸層117和第一焊盤層417上，因此在蝕刻像素電極120 的工藝期間第一接觸層117和第一焊盤層417不被暴露至蝕刻劑，從而防止因銀（Ag)的析 出而導致與顆粒有關的缺陷。
[0136] 圖31是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備1的第九掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0137] 參照圖31，在圖3H的第八掩模工藝的所得結(jié)構上形成第四絕緣層20,然后執(zhí)行形 成暴露像素電極120的上部的開口 C8的第九掩模工藝。
[0138] 第四絕緣層20用作像素限定層并且可以包括包含通用聚合物（PMMA，PS)、具有酚 基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亞胺類聚合物、芳基醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟化 聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物、這些材料的混合物等的有機絕緣膜。
[0139] 在圖3H的第八掩模工藝的所得結(jié)構上形成包括圖2的有機發(fā)射層121的中間層 (未示出），形成圖2的相對電極122。
[0140] 根據(jù)上面描述的有機發(fā)光顯示設備1和制造有機發(fā)光顯示設備1的方法，像素電 極120包括透反射式金屬層120b，從而通過微腔增大有機發(fā)光顯示設備1的光效率。
[0141] 源電極217a或漏電極217b被作為有機膜的第三絕緣層19覆蓋，因此源電極217a 或漏電極217b不被暴露至包括銀（Ag)離子的蝕刻劑，從而防止因銀（Ag)的析出而導致與 顆粒有關的缺陷。
[0142] 作為保護層的第二接觸層118和第二焊盤層418分別形成在第一接觸層117和第 一焊盤層417上，因此在蝕刻像素電極120的工藝期間第一接觸層117和第一焊盤層417 不被暴露至蝕刻劑，從而防止因銀（Ag)的析出而導致與顆粒有關的缺陷。在本發(fā)明中濕法 蝕刻第一金屬層、第二金屬層、透明導電氧化物層以及半透射式金屬層。
[0143] 現(xiàn)在在下面將參照圖4來描述根據(jù)第一比較示例的有機發(fā)光顯示設備2。
[0144] 在下面相同的附圖標記表示相同的元件?，F(xiàn)在將描述根據(jù)先前實施例的有機發(fā)光 顯示設備1與根據(jù)第一比較示例的有機發(fā)光顯示設備2之間的不同。
[0145] 參照圖4,包括至少一個有機發(fā)射層121的像素區(qū)域PXL2、包括至少一個薄膜晶體 管的晶體管區(qū)域TR2、包括至少一個電容器的電容器區(qū)域CAP2以及焊盤區(qū)域PAD2設置在基 板10上。
[0146] 薄膜晶體管的有源層212設置在基板10和緩沖層11上。柵電極215在與有源層 212的溝道區(qū)212c對應的位置中設置在有源層212上，作為絕緣膜的第一絕緣層13設置 在柵電極215和有源層212之間。分別連接到有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b的源電 極217a和漏電極217b設置在柵電極215上，作為層間絕緣膜的第二絕緣層16位于源電極 217a和漏電極217b與柵電極215之間。
[0147] 源電極217a和漏電極217b中的每個可以具有電子遷移率不同的兩種或兩種以上 的異質(zhì)金屬層的結(jié)構。例如，源電極217a和漏電極217b中的每個可以具有包括從由A1、 Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu以及這些金屬材料的合金組成的組 中選擇的金屬材料的兩層或兩層以上的結(jié)構。
[0148] 第四絕緣層20設置在第二絕緣層16上以覆蓋源電極217a和漏電極217b。與本 發(fā)明的上述實施例不同，根據(jù)本比較示例的有機發(fā)光顯示設備2不包括圖2的第三絕緣層 19。第四絕緣層20在本比較示例中用作像素限定層。
[0149] 像素電極120設置在形成在第二絕緣層16中的開口 C1中。像素電極120的端部 設置在形成在第二絕緣層16中的開口 C1的頂端上并且被第四絕緣層20覆蓋。像素電極 接觸單元PECNT2可以包括包含與源電極217a和漏電極217b的材料相同的材料的第一接 觸層117。在根據(jù)本比較示例的有機發(fā)光顯示設備2的第一接觸層117上沒有形成類似本 發(fā)明先前實施例的圖2的第二接觸層118的保護層。
[0150] 當如在本發(fā)明的先前實施例中所描述的像素電極120包括具有強還原性的金屬 (例如銀（Ag))作為透反射式金屬層120b時，根據(jù)本比較示例的源電極217a或漏電極217b 沒有被本發(fā)明先前實施例的圖2的作為有機膜的第三絕緣層19覆蓋，因此在蝕刻像素電極 120的工藝期間源電極217a或漏電極217b被完全暴露至蝕刻劑。因此，由于再次析出具有 強還原性的銀（Ag)，而不能防止與顆粒有關的缺陷。
[0151] 焊盤區(qū)域PAD2可以包括由與源電極217a和漏電極217b的材料相同的材料形成 的第一焊盤層417。第一焊盤層417不被本發(fā)明先前實施例的圖2的作為有機膜的第三絕 緣層19覆蓋，因此在蝕刻像素電極120的工藝期間第一焊盤層417完全被暴露至蝕刻劑。 因此，由于再次析出具有強還原性的銀（Ag)，而不能防止與顆粒有關的缺陷并且不能確保 焊盤的可靠性。
[0152] 現(xiàn)在在下面將參照圖5來描述根據(jù)第二比較示例的有機發(fā)光顯示設備3。
[0153] 在下面相同的附圖標記表示相同的元件。現(xiàn)在將描述根據(jù)先前實施例的有機發(fā)光 顯示設備1與根據(jù)第二比較示例的有機發(fā)光顯示設備3之間的不同。
[0154] 參照圖5,包括至少一個有機發(fā)射層121的像素區(qū)域PXL3、包括至少一個薄膜晶體 管的晶體管區(qū)域TR3、包括至少一個電容器的電容器區(qū)域CAP3以及焊盤區(qū)域PAD3設置在基 板10上。
[0155] 薄膜晶體管的有源層212設置在基板10和緩沖層11上。柵電極215在與有源層 212的溝道區(qū)212c對應的位置中設置在有源層212上，作為絕緣膜的第一絕緣層13設置 在柵電極215和有源層212之間。分別連接到有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b的源電 極217a和漏電極217b設置在柵電極215上，作為層間絕緣膜的第二絕緣層16位于源電極 217a和漏電極217b與柵電極215之間。
[0156] 源電極217a和漏電極217b中的每個可以具有電子遷移率不同的兩種或兩種以上 的異質(zhì)金屬層的結(jié)構。例如，源電極217a和漏電極217b中的每個可以具有包括從由A1、 Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu以及這些金屬材料的合金組成的組 中選擇的金屬材料的兩層或兩層以上的結(jié)構。
[0157] 第三絕緣層19設置在第二絕緣層16上以覆蓋源電極217a和漏電極217b。根據(jù) 本比較示例的有機發(fā)光顯示設備3包括用作像素限定層的第四絕緣層20。
[0158] 如本發(fā)明先前實施例中所描述的，像素電極120設置在形成在第三絕緣層19中的 開口 C5中。像素電極120的端部設置在形成在第三絕緣層19中的開口 C5的頂端上并且 被第四絕緣層20覆蓋。
[0159] 像素電極接觸單元PECNT3使像素電極120與驅(qū)動晶體管的源電極和漏電極中的 一個電連接。像素電極接觸單元PECNT3包括包含與源電極217a和漏電極217b的材料相 同的材料的第一接觸層117,但是不包括保護層。
[0160] 當如在本發(fā)明的先前實施例中所描述的像素電極120包括具有強還原性的金屬 (例如銀（Ag))作為透反射式金屬層120b時，根據(jù)本比較示例的源電極217a或漏電極217b 被本發(fā)明先前實施例的圖2的作為有機膜的第三絕緣層19覆蓋，因此在蝕刻像素電極120 的工藝期間源電極217a或漏電極217b沒有被暴露至蝕刻劑。因此，銀（Ag)離子沒有因由 源電極217a或漏電極217b提供的電子而被析出。
[0161] 然而，由于與本發(fā)明的先前實施例不同，像素電極接觸單元PECNT3的第一接觸層 117不包括包含透明導電氧化物的保護層，因此第一接觸層117通過形成在第三絕緣層19 中的開口 C6被暴露至蝕刻劑，這使得難以防止與顆粒有關的缺陷。
[0162] 同時，焊盤區(qū)域PAD3可以包括由與源電極217a和漏電極217b的材料相同的材料 形成的第一焊盤層417以及由與像素電極120的材料相同的材料形成的第二焊盤層420。
[0163] 第二焊盤層420形成在形成在第三絕緣層19中的接觸孔C7中。在蝕刻像素電極 120的工藝期間第二焊盤層420覆蓋第一焊盤層417的上部，從而保護第一焊盤層417。然 而，在完全蝕刻像素電極120之后，包括半透射金屬層的第二焊盤層420的端部被暴露至外 部，并且在后續(xù)的工藝期間，因半透射金屬層的脆弱的耐化學性質(zhì)而被腐蝕，這會導致焊盤 的可靠性劣化。
[0164] 現(xiàn)在在下面將參照圖6和圖7A至圖71來描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光 顯示設備4和制造有機發(fā)光顯示設備4的方法。
[0165] 在下面相同的附圖標記表示相同的元件?，F(xiàn)在將描述根據(jù)先前實施例的有機發(fā)光 顯示設備1與根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設備4之間的不同。
[0166] 參照圖6,包括至少一個有機發(fā)射層121的像素區(qū)域PXL4、包括至少一個薄膜晶體 管的晶體管區(qū)域TR4、包括至少一個電容器的電容器區(qū)域CAP4以及焊盤區(qū)域PAD4設置在基 板10上。
[0167] 由于如先前實施例中所描述的第三絕緣層19覆蓋源電極217a和漏電極217b以 及第二焊盤層418的端部，因此根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設備4可以在包括銀（Ag)的 像素電極120被圖案化時防止由于蝕刻劑而析出銀（Ag)。
[0168] 根據(jù)本實施例的包括像素電極接觸單元PECNT4的有機發(fā)光顯示設備4與先前實 施例不同。
[0169] 本實施例的像素電極接觸單元PECNT4包括包含與源電極217a和漏電極217b的 材料相同的材料的第一接觸層117、包含透明導電氧化物的第二接觸層118、包含透明導電 氧化物的第三接觸層114以及包括與柵電極215的材料相同的材料的第四接觸層115a。
[0170] 通過從形成在第二絕緣層16中的開口 Cl和形成在第三絕緣層19中的開口 C5的 蝕刻表面突出來形成第三接觸層114。因此，像素電極120直接接觸突出的第三接觸層114， 第三接觸層114接觸第四接觸層115a。第四接觸層115a和第一接觸層117通過形成在第 二絕緣層16中的接觸孔C2彼此接觸。
[0171] 即，根據(jù)本實施例，當像素電極120和驅(qū)動裝置通過利用形成在第三絕緣層19中 的接觸孔C6 (即，第一接觸層117和第二接觸層118)彼此電連接時，由于用作半透射金屬 層的像素電極120的厚度小，因此階梯覆蓋是有缺陷的，因此會難于通過第三絕緣層19的 蝕刻表面或接觸孔C6穩(wěn)定連接。然而，根據(jù)本實施例，即使通過形成在第三絕緣層19中 的接觸孔C6的連接失效，由于像素電極120在開口 C5的底面部分上直接接觸第三接觸層 114,因此可以有利地正常接收來自驅(qū)動裝置的信號。
[0172] 現(xiàn)在在下面將參照圖7A至圖71來描述制造有機發(fā)光顯示設備4的方法。
[0173] 圖7A是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備4的第一掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0174] 參照圖7A，在基板10上形成緩沖層11，在緩沖層11上形成半導體層（未示出） 并且將半導體層圖案化，從而形成薄膜晶體管的有源層212和電容器的第一電極312。
[0175] 圖7B是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備4的第二掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0176] 在圖7A的第一掩模工藝的所得結(jié)構上形成第一絕緣層13,在第一絕緣層13上形 成透明導電氧化物層（未示出）然后使透明導電氧化物層圖案化。
[0177] 圖案化的結(jié)果為，在第一絕緣層13上形成電容器的第二電極314以及第三接觸層 114。
[0178] 圖7C是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備4的第三掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0179] 在圖7B的第二掩模工藝的所得結(jié)構上形成第一金屬層（未不出），然后將第一金 屬層圖案化。在這點上，如上所述，第一金屬層（未示出）可以是由從由鋁（A1)、鉬（Pt)、 鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰 (Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)和銅（Cu)組成的組中選擇的一種或更多種金屬材料形成的單層或多 層。
[0180] 作為圖案化的結(jié)果，在第一絕緣層13上形成柵電極215和覆蓋第三接觸層114的 柵極金屬層115。
[0181] 利用離子雜質(zhì)對上述結(jié)構進行摻雜。利用濃度為IX 1〇15原子/cm2或更大的離子 雜質(zhì)B或P對薄膜晶體管的有源層212和電容器的第一電極312進行摻雜。
[0182] 因此，利用一次摻雜工藝對電容器的第一電極312以及有源層212同時摻雜，從而 因摻雜工藝的減少而降低制造成本。
[0183] 圖7D是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備4的第四掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0184] 參照圖7D，在圖7C的第三掩模工藝的所得結(jié)構上形成第二絕緣層16,然后將第二 絕緣層16圖案化，從而在第二絕緣層16中形成暴露有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b 的開口 C3和C4,并且在與有源層212的側(cè)面分隔開的區(qū)域中形成暴露像素電極接觸單元 PECNT4的接觸孔C2以及開口 C1，形成有開口 C1的區(qū)域為隨后將描述的將設置有像素電極 120的區(qū)域。
[0185] 圖7E是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備4的第五掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0186] 參照圖7E，在圖7D的第四掩模工藝的所得結(jié)構上形成第二金屬層（未示出）， 然后將第二金屬層圖案化，從而同時形成源電極217a和漏電極217b、像素電極接觸單元 PECNT4的第一接觸層117、第三電極317和焊盤電極的第一焊盤層417。在這點上，去除設 置在開口 C1中的柵極金屬層115,從而第三接觸層114的端部A突出。在這點上，通過比形 成在第二絕緣層16中的開口 C1的蝕刻表面進一步突出來形成第三接觸層114的端部A。
[0187] 圖7F是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備4的第六掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0188] 參照圖7F，在圖7E的第五掩模工藝的所得結(jié)構上形成透明導電氧化物層（未示 出），然后將透明導電氧化物層圖案化，因此同時形成像素電極接觸單元PECNT4的第二接 觸層118和焊盤電極的第二焊盤層418。
[0189] 圖7G是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備4的第七掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0190] 參照圖7G，在圖7F的第六掩模工藝的所得結(jié)構上形成第三絕緣層19,然后將第三 絕緣層19圖案化，從而形成暴露第二接觸層118的上部的接觸孔C6、暴露第二焊盤層418 的上部的接觸孔C7以及位于像素區(qū)域PXL4中的開口 C5,其中，像素區(qū)域PXL4中將設置像 素電極120,這將在后面進行描述。
[0191] 將第三絕緣層19形成為完全包圍源電極217a和漏電極217b，從而防止在蝕刻后 面將描述的包括銀（Ag)的像素電極120的工藝期間具有不同電勢的異質(zhì)布線接觸其中溶 解有銀（Ag)離子的蝕刻劑。
[0192] 圖7H是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備4的第八掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0193] 參照圖7H，在圖7G的第七掩模工藝的所得結(jié)構上形成半透射式金屬層（未示 出），然后將半透射式金屬層圖案化，從而形成像素電極120。
[0194] 像素電極120包括透反射式金屬層120b。像素電極120可以包括分別形成在透反 射式金屬層120b的下部和上部中并且包括保護透反射式金屬層120b的透明導電氧化物的 層 120a 和 120c。
[0195] 像素電極120通過像素電極接觸單元PECNT4連接到驅(qū)動晶體管，并且像素電極 120設置在形成在第三絕緣層19中的開口 C5中。
[0196] 本實施例的像素電極接觸單元PECNT4包括包含與源電極217a和漏電極217b的 材料相同的材料的第一接觸層117、包含透明導電氧化物的第二接觸層118、包含透明導電 氧化物的第三接觸層114以及包含與柵電極215的材料相同的材料的第四接觸層115a。
[0197] 第三接觸層114通過從形成在第二絕緣層16中的開口 Cl和形成在第三絕緣層19 中的開口 C5的蝕刻表面突出來形成。因此，像素電極120直接接觸突出的第三接觸層114， 第三接觸層114接觸第四接觸層115a。第四接觸層115a和第一接觸層117通過形成在第 二絕緣層16中的接觸孔C2彼此接觸。
[0198] S卩，根據(jù)本實施例，當像素電極120和驅(qū)動裝置通過利用形成在第三絕緣層19中 的接觸孔C6 (即，第一接觸層117和第二接觸層118)彼此電連接時，由于用作半透射金屬 層的像素電極120的厚度小，因此階梯覆蓋是有缺陷的，因此會難于通過第三絕緣層19的 蝕刻表面或接觸孔C6穩(wěn)定連接。然而，根據(jù)本實施例，即使通過形成在第三絕緣層19中 的接觸孔C6的連接失效，由于像素電極120在開口 C5的底面部分上直接接觸第三接觸層 114,因此可以有利地正常接收來自驅(qū)動裝置的信號。
[0199] 圖71是根據(jù)本發(fā)明本實施例的用于解釋有機發(fā)光顯示設備4的第九掩模工藝的 示意性剖視圖。
[0200] 參照圖71，在圖7H的第八掩模工藝的所得結(jié)構上形成第四絕緣層20,然后執(zhí)行形 成暴露像素電極120的上部的開口 C8的第九掩模工藝。
[0201] 在圖7H的第八掩模工藝的所得結(jié)構上形成包括圖2的有機發(fā)射層121的中間層 (未示出），形成圖2的相對電極122。
[0202] 根據(jù)上面描述的有機發(fā)光顯示設備4和制造有機發(fā)光顯示設備4的方法，像素電 極120包括透反射式金屬層120b，從而通過微腔來增大有機發(fā)光顯示設備4的光效率。
[0203] 源電極217a或漏電極217b被作為有機膜的第三絕緣層19覆蓋，因此源電極217a 或漏電極217b不被暴露至包括銀（Ag)離子的蝕刻劑，從而防止因銀（Ag)的析出而導致與 顆粒有關的缺陷。
[0204] 作為保護層的第二接觸層118和第二焊盤層418分別形成在第一接觸層117和第 一焊盤層417上，因此在蝕刻像素電極120的工藝期間第一接觸層117和第一焊盤層417 不被暴露至蝕刻劑，從而防止因銀（Ag)的析出而導致與顆粒有關的缺陷。
[0205] 此外，像素電極接觸單元PECNT4的結(jié)構具有雙重性，從而防止在像素電極和驅(qū)動 裝置之間信號短路。
[0206] 現(xiàn)在在下面將參照圖8來描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光顯示設備5和制 造有機發(fā)光顯示設備5的方法。
[0207] 在下面相同的附圖標記表示相同的元件。現(xiàn)在將描述根據(jù)先前實施例的有機發(fā)光 顯示設備1與根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設備5之間的不同。
[0208] 與有機發(fā)光顯示設備1相比，根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設備5還包括陰極接 觸單元CECNT。
[0209] 應用本發(fā)明的有機發(fā)光顯示設備是底部發(fā)射型發(fā)光顯示設備，在該底部發(fā)射型發(fā) 光顯示設備中，光從有機發(fā)射層121發(fā)射到基板10以形成圖像。因此，相對電極122被構 造為反射電極。
[0210] 沒有針對每個像素單獨形成相對電極122,而是將相對電極122構造成覆蓋圖1的 整個顯示區(qū)域DA的共電極，在顯示區(qū)域DA外部形成陰極接觸單元CECNT，并且向共電極發(fā) 送信號。
[0211] 盡管陰極接觸單元CECNT在圖8中設置在顯示區(qū)域DA和焊盤PA之間，但是本發(fā)明 不限于此。陰極接觸單元CECNT可以設置在顯示區(qū)域DA和密封線SL之間的任意位置中。
[0212] 陰極接觸單元CECNT包括第一接觸層517和第二接觸層520。
[0213] 第一接觸層517可以設置在第二絕緣層16上，并且可以由與源電極217a、漏電極 217b以及第一焊盤層417的材料相同的材料形成。即，第一接觸層517可以具有電子遷移 率不同的兩種或兩種以上的異質(zhì)金屬層的結(jié)構。例如，第一接觸層517可以具有包括從由 鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰 (Li)、鈣（Ca)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)、銅（Cu)和這些金屬材料的合金組成的組中選擇的 金屬材料的兩層或兩層以上的結(jié)構。
[0214] 第二接觸層520可以設置在形成在第三絕緣層19中的接觸孔C9中，并且可以由 與像素電極120的材料相同的材料形成。即，第二接觸層520可以包括由銀（Ag)或銀（Ag) 合金形成的半透射式金屬層。
[0215] 相對電極122通過形成在第四絕緣層20中的接觸孔C10連接到陰極接觸單元 CECNT的第二接觸層520。相對電極122廣泛地形成在整個顯示區(qū)域DA上，因此因電阻導 致的電壓降很重要。然而，根據(jù)本實施例，陰極接觸單元CECNT利用包括由具有低電阻的銀 (Ag)形成的半透射式金屬層的第二接觸層520,因此防止因電阻導致的電壓降?？梢耘c像 素電極120同時形成第二接觸層520,因此不需額外的工藝。
[0216] 現(xiàn)在在下面將參照圖9來描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光顯示設備6和制 造有機發(fā)光顯示設備6的方法。
[0217] 在下面相同的附圖標記表示相同的元件?，F(xiàn)在將描述根據(jù)先前實施例的有機發(fā)光 顯示設備4與根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設備6之間的不同。
[0218] 與有機發(fā)光顯示設備4相比，根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示設備6還包括陰極接 觸單元CECNT。
[0219] 應用本發(fā)明的有機發(fā)光顯示設備是底部發(fā)射型發(fā)光顯示設備，在該底部發(fā)射型發(fā) 光顯示設備中，光從有機發(fā)射層121發(fā)射到基板10以形成圖像。因此，相對電極122被構 造為反射電極。
[0220] 沒有針對每個像素單獨形成相對電極122,而是將相對電極122構造成覆蓋圖1的 整個顯示區(qū)域DA的共電極，在顯示區(qū)域DA外部形成陰極接觸單元CECNT，并且向共電極發(fā) 送信號。
[0221] 盡管陰極接觸單元CECNT在圖9中設置在顯示區(qū)域DA和焊盤PA之間，但是本發(fā)明 不限于此。陰極接觸單元CECNT可以設置在顯示區(qū)域DA和密封線SL之間的任意位置中。
[0222] 陰極接觸單元CECNT包括第一接觸層517和第二接觸層520。
[0223] 第一接觸層517可以設置在第二絕緣層16上，并且可以由與源電極217a、漏電極 217b以及第一焊盤層417的材料相同的材料形成。即，第一接觸層517可以具有電子遷移 率不同的兩種或兩種以上的異質(zhì)金屬層的結(jié)構。例如，第一接觸層517可以具有包括從由 鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰 (Li)、鈣（Ca)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)、銅（Cu)和這些金屬材料的合金組成的組中選擇的 金屬材料的兩層或兩層以上的結(jié)構。
[0224] 第二接觸層520可以設置在形成在第三絕緣層19中的接觸孔C9中，并且可以由 與像素電極120的材料相同的材料形成。即，第二接觸層520可以包括由銀（Ag)或銀（Ag) 合金形成的半透射式金屬層。
[0225] 相對電極122通過形成在第四絕緣層20中的接觸孔C10連接到陰極接觸單元 CECNT的第二接觸層520。相對電極122廣泛地形成在整個顯示區(qū)域DA上，因此因電阻導 致的電壓降很重要。然而，根據(jù)本實施例，陰極接觸單元CECNT利用包括由具有低電阻的銀 (Ag)形成的半透射式金屬層的第二接觸層520,因此防止因電阻導致的電壓降。可以與像 素電極120同時形成第二接觸層520,因此不需額外的工藝。
[0226] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示設備和制造該有機發(fā)光顯示設備的方法提 供了如下效果：
[0227] 第一，像素電極形成為半透射式金屬層，從而通過微腔來增大顯示設備的光效率。
[0228] 第二，作為有機膜的第三絕緣層覆蓋源電極和漏電極（包括數(shù)據(jù)布線），從而防止 在將像素電極圖案化時因源電極和漏電極而再次析出銀（Ag)。
[0229] 第三，在像素電極接觸單元的第一接觸層和焊盤電極的第一焊盤層的頂部上形成 保護層，從而防止在將像素圖案化時因第一接觸層和第一焊盤層而再次析出銀（Ag)。
[0230] 第四，像素電極接觸單元的結(jié)構具有雙重性，從而防止在像素電極和驅(qū)動裝置之 間信號短路。
[0231] 第五，陰極接觸單元利用與像素電極相同并且具有小電阻的半透射式金屬層，從 而防止作為共電極的相對電極的電壓降。
[0232] 盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領域普通 技術人員將理解的是，在不脫離如權利所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此 做出形式和細節(jié)上的各種改變。
【權利要求】
1. 一種有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備包括： 薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、設置在有源層和柵電極之間的第一 絕緣層以及設置在柵電極與源電極和漏電極之間的第二絕緣層； 焊盤電極，包括設置在與源電極和漏電極相同的層上的第一焊盤層以及設置在第一焊 盤層上的第二焊盤層； 第三絕緣層，覆蓋源電極和漏電極以及焊盤電極的端部； 像素電極，包括半透射式金屬層并且設置在形成在第三絕緣層中的開口中； 第四絕緣層，具有形成在與形成在第三絕緣層中的開口對應的位置中的開口并且覆蓋 像素電極的端部； 有機發(fā)射層，設置在像素電極上；以及 相對電極，設置在有機發(fā)射層上。
2. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，源電極和漏電極具有電子遷移率不 同的多種異質(zhì)金屬層的堆疊結(jié)構。
3. 如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，源電極和漏電極包括包含鑰的層和 包含鋁的層。
4. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備還包括：電容器，包 括設置在與有源層相同的層上的第一電極和設置在與柵電極相同的層上的第二電極。
5. 如權利要求4所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，電容器的第一電極包括摻雜有離子 雜質(zhì)的半導體材料。
6. 如權利要求4所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，電容器的第二電極包括透明導電氧 化物。
7. 如權利要求4所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，電容器還包括設置在與源電極和漏 電極相同的層上的第三電極。
8. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，第一焊盤層包括與源電極和漏電極 的材料相同的材料。
9. 如權利要求8所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，第一焊盤層包括包含鑰的層和包含 鋁的層。
10. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，第二焊盤層包括透明導電氧化物。
11. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，半透射式金屬層包括銀或銀合金。
12. 如權利要求11所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，保護層進一步堆疊在半透射式金 屬層上。
13. 如權利要求12所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，保護層包括透明導電氧化物。
14. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，第三絕緣層是有機絕緣膜。
15. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，第四絕緣層是有機絕緣膜。
16. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，形成在第二絕緣層中的開口、形成 在第三絕緣層中的開口以及形成在第四絕緣層中的開口彼此疊置，以及 其中，形成在第三絕緣層中的開口比形成在第四絕緣層中的開口大并且比形成在第二 絕緣層中的開口小。
17. 如權利要求16所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，像素電極的端部設置在形成在第 三絕緣層中的開口的頂端上。
18. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備還包括陰極接觸 單元，陰極接觸單元包括：第一接觸層，設置在第二絕緣層上并且包括與第一焊盤層相同的 材料；第二接觸層，通過形成在第三絕緣層中的接觸孔連接到第一接觸層，通過形成在第四 絕緣層中的接觸孔連接到相對電極，并且包括與像素電極相同的材料。
19. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備還包括：通過形成 在第三絕緣層中的接觸孔將像素電極電連接到源電極和漏電極中的一個的像素電極接觸 單元， 其中，像素電極接觸單元包括包含與源電極和漏電極的材料相同的材料的第一接觸層 和包含與第二焊盤層的材料相同的材料的第二接觸層。
20. 如權利要求19所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，像素電極接觸單元還包括設置在 第一絕緣層上并且包含與第二電極的材料相同的材料的第三接觸層， 其中，第一接觸層通過形成在第二絕緣層中的接觸孔電連接到第三接觸層。
21. 如權利要求20所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，第三接觸層的端部從形成在第二 絕緣層中的開口的蝕刻表面突出并且直接接觸像素電極。
22. 如權利要求20所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，第三接觸層的端部從形成在第三 絕緣層中的開口的蝕刻表面突出并且直接接觸像素電極。
23. 如權利要求20所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，像素電極接觸單元還包括設置在 第一絕緣層和第三絕緣層之間并且包括與柵電極的材料相同的材料的第四接觸層。
24. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，相對電極包括反射金屬層。
25. -種制造有機發(fā)光顯示設備的方法，所述方法包括下述步驟： 在基板上形成半導體層，使半導體層圖案化，并形成薄膜晶體管的有源層和電容器的 第一電極； 形成第一絕緣層，在第一絕緣層上形成透明導電氧化物層，將透明導電氧化物層圖案 化，并形成電容器的第二電極； 形成第一金屬層，使第一金屬層圖案化，并且在與第二電極相同的層上形成薄膜晶體 管的柵電極； 形成第二絕緣層并且形成在第二絕緣層中暴露有源層的一部分的接觸孔以及與有源 層的側(cè)表面分隔開的區(qū)域中的第一開口； 形成第二金屬層，將第二金屬層圖案化并且形成源電極、漏電極以及焊盤電極的第一 焊盤層； 形成透明導電氧化物層，將透明導電氧化物層圖案化并在第一焊盤層上形成第二焊盤 層； 形成作為有機絕緣膜的第三絕緣層，并在與第一開口疊置的區(qū)域中形成第二開口以及 在第三絕緣層中形成暴露第二焊盤層的頂表面的開口，第二開口小于第一開口； 形成半透射式金屬層，將半透射式金屬層圖案化并在第二開口中形成像素電極； 形成作為有機絕緣膜的第四絕緣層并在第四絕緣層中形成暴露像素電極的頂表面的 第三開口； 在像素電極上形成有機發(fā)射層；以及 在有機發(fā)射層上形成相對電極。
26. 如權利要求25所述的方法，所述方法還包括：在形成柵電極之后，通過利用一次摻 雜工藝利用離子雜質(zhì)對有源層的源區(qū)和漏區(qū)以及電容器的第一電極同時摻雜。
27. 如權利要求25所述的方法，其中，第二金屬層具有電子遷移率不同的多種異質(zhì)金 屬層的堆疊結(jié)構。
28. 如權利要求25所述的方法，所述方法還包括：在半透射式金屬層的頂表面上形成 包括透明導電氧化物的保護層，并且使半透射式金屬層和保護層圖案化。
29. 如權利要求25所述的方法，其中，濕法蝕刻第一金屬層、第二金屬層、透明導電氧 化物層和半透射式金屬層。
30. 如權利要求25所述的方法，其中，在將第二金屬層圖案化時，形成像素電極接觸單 元的第一接觸層，在第一接觸層上形成包括形成第二焊盤層的透明導電氧化物的第二接觸 層，當將第三絕緣層圖案化時形成接觸孔。
31. 如權利要求25所述的方法，其中，由形成電容器的第二電極的透明導電氧化物形 成第三接觸層，第四接觸層形成為第一金屬層，在第二絕緣層中形成接觸孔以連接第四接 觸層和第一接觸層。
32. 如權利要求31所述的方法，其中，通過比第一開口和第二開口的蝕刻表面進一步 突出來形成第三接觸層的端部。
33. 如權利要求32所述的方法，其中，像素電極形成為連接到第二接觸層和第三接觸 層兩者。
34. 如權利要求25所述的方法，其中，當將第二金屬層圖案化時形成陰極接觸單元的 第一接觸層，在第三絕緣層中形成接觸孔，在將像素電極圖案化時在接觸孔中形成第二接 觸層，在第四絕緣層中形成覆蓋第二接觸層的端部的接觸孔。
【文檔編號】H01L27/32GK104218061SQ201410211040
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月19日 優(yōu)先權日:2013年5月30日
【發(fā)明者】樸鐘賢, 樸鮮, 柳春基 申請人:三星顯示有限公司