有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示器及其制造方法
【專利摘要】公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。在一個(gè)方面，該OLED顯示器包括：包括非發(fā)光區(qū)域和發(fā)光區(qū)域的基板；形成在該基板的每個(gè)發(fā)光區(qū)域上的第一電極；形成在所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；形成在所述有機(jī)發(fā)光層和所述基板上的第二電極；以及形成在所述第二電極上的鈍化層。所述鈍化層包括與所述有機(jī)發(fā)光層基本重疊的第一鈍化層和與所述有機(jī)發(fā)光層不重疊的第二鈍化層，其中所述第一鈍化層的折射率大于所述第二鈍化層的折射率。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年7月3日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)N0.10-2013-0077830的優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用整體合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]所描述的技術(shù)總體上涉及顯示裝置及其制造方法，并且更具體地，涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0004]信息和通信技術(shù)的發(fā)展以及信息的多樣性創(chuàng)造了對(duì)顯示裝置不斷增加的需求。顯示裝置包括陰極射線管(CRT)和液晶顯示器(LCD)。尤其是，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器由于其獨(dú)特的特性而是獨(dú)一無二的。
[0005]與IXD不同的是，由于OLED是自發(fā)光的，因此OLED顯示器不需要光源。因此，OLED顯示器一般具有減少的厚度和重量。此外，OLED顯示器具有寬視角、低功耗、高亮度以及高響應(yīng)速度。由于這些優(yōu)點(diǎn)，OLED顯示器作為下一代顯示器正被積極研發(fā)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]一個(gè)創(chuàng)造性方面是一種包括具有提高的發(fā)光效率的填充物結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器(在下文中可與“0LED顯示裝置”互換使用)。
[0007]另一方面是一種制造包括具有提高的發(fā)光效率的填充物結(jié)構(gòu)的OLED顯示器的方法。
[0008]另一方面是一種OLED顯示器，該顯示器包括:包括非發(fā)光區(qū)域和發(fā)光區(qū)域的基板；形成在該基板的每個(gè)發(fā)光區(qū)域上的第一電極；形成在所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；形成在所述有機(jī)發(fā)光層和所述基板上的第二電極；以及形成在所述第二電極上的鈍化層，其中所述鈍化層包括與所述有機(jī)發(fā)光層基本重疊的第一鈍化層和與所述有機(jī)發(fā)光層不重疊的第二鈍化層，其中所述第一鈍化層的折射率大于所述第二鈍化層的折射率。
[0009]另一方面是一種制造OLED顯示器的方法，該方法包括:制備包括有機(jī)發(fā)光層的第一基板和用于密封所述第一基板的第二基板；在所述第一基板與所述第二基板之間放置填充物；將所述第一基板和所述第二基板粘合在一起；以及形成與所述有機(jī)發(fā)光層重疊的第一鈍化層和與所述有機(jī)發(fā)光層不重疊的第二鈍化層，其中所述第一鈍化層的折射率大于所述第二鈍化層的折射率。
[0010]另一方面是一種制造OLED顯示器的方法，該方法包括:制備包括有機(jī)發(fā)光層的第一基板和用于密封所述第一基板的第二基板；在所述第一基板上形成與所述有機(jī)發(fā)光層不重疊的第二鈍化層；在所述第二鈍化層與另一第二鈍化層之間分布填充物，并且將所述第一基板和所述第二基板粘合在一起；以及通過固化所述填充物形成第一鈍化層，其中所述第一鈍化層的折射率大于所述第二鈍化層的折射率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]通過參照附圖詳細(xì)描述所描述技術(shù)的示例性實(shí)施例，所描述技術(shù)的上述和其它方面以及特征將變得更加明顯。
[0012]圖1是根據(jù)一實(shí)施例的OLED顯示器的框圖。
[0013]圖2是沿圖1的線11-11’截取的面板的截面圖。
[0014]圖3是根據(jù)一實(shí)施例的第一鈍化層和第二鈍化層的截面圖。
[0015]圖4是圖2所示的第一鈍化層和第二鈍化層的平面圖。
[0016]圖5和圖6是根據(jù)另一實(shí)施例的第一鈍化層和第二鈍化層的截面圖。
[0017]圖7是根據(jù)另一實(shí)施例的第一鈍化層和第二鈍化層的截面圖。
[0018]圖8是根據(jù)另一實(shí)施例的OLED顯示器的面板的截面圖。
[0019]圖9是根據(jù)另一實(shí)施例的OLED顯示器的面板的截面圖。
[0020]圖10是圖示根據(jù)一實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法的流程圖。
[0021]圖11是圖示在圖10的制造方法中將第一基板和第二基板粘合的操作的截面圖。
[0022]圖12和圖13是圖示在圖10的制造方法中形成第一鈍化層和第二鈍化層的操作的截面圖。
[0023]圖14是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法的流程圖。
[0024]圖15是圖示在圖14的制造方法中形成第二鈍化層的操作的截面圖。
[0025]圖16是圖示在圖14的制造方法中形成第一鈍化層的操作的截面圖。
[0026]圖17是圖示在根據(jù)另一實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法中形成第二鈍化層的操作的截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]OLED顯示器針對(duì)形成在基板上的多個(gè)像素中的每個(gè)像素一般包括薄膜晶體管和0LED,并且例如利用諸如玻璃料之類的密封件被密封。密封件可以防止?jié)駳夂碗s質(zhì)滲入每個(gè)OLED和薄膜晶體管中。此外，填充物通常介于密封件與基板之間。填充物可以通過吸收外部沖擊來保護(hù)OLED，并且可以通過吸收從OLED發(fā)出的熱來冷卻OLED。然而，填充物可以吸收由OLED發(fā)出的光的部分，從而降低了 OLED顯示器的發(fā)光效率。
[0028]通過參照優(yōu)選實(shí)施例的下列詳細(xì)描述以及附圖，所描述技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和特征以及完成所描述技術(shù)的方法可更易于理解。然而，所描述技術(shù)可以采用多種不同的形式來具體實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于這里所闡述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例，使得本公開將透徹和全面，且將所描述技術(shù)的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，并且所描述技術(shù)僅由所附權(quán)利要求來限定。因此，在一些實(shí)施例中，眾所周知的結(jié)構(gòu)和裝置未示出，從而不會(huì)以不必要的細(xì)節(jié)使所描述技術(shù)的描述模糊。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。在圖中，為清楚起見，層的厚度和區(qū)域可以被放大。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)一元件或?qū)颖惶峒霸诹硪辉驅(qū)印吧稀被蛘摺斑B接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谠摿硪辉驅(qū)由匣蛘咧苯舆B接至該另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)一元件被提及“直接”在另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺爸苯舆B接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，無中間元件或?qū)哟嬖?。本文中使用的術(shù)語“和/或”包括所列相關(guān)項(xiàng)目中一個(gè)以上項(xiàng)目的任意和所有組合。在整篇說明書中，術(shù)語“連接”包括“電連接”。
[0030]為易于描述，在本文中可使用諸如“在…下方”、“在…下面”，“下”、“在…上方”、“上”等的空間關(guān)系術(shù)語，來描述一個(gè)元件或特征與另一個(gè)元件或特征(另一些元件或特征)的關(guān)系，如圖中所示。應(yīng)當(dāng)理解，空間關(guān)系術(shù)語旨在包括使用中或操作中的裝置除圖中所示的方位之外的不同方位。
[0031]在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述所描述技術(shù)的實(shí)施例。
[0032]圖1是根據(jù)所描述技術(shù)的一實(shí)施例的OLED顯示器10的框圖。
[0033]參照?qǐng)D1，OLED顯示器10可以包括驅(qū)動(dòng)單元12和面板11。驅(qū)動(dòng)單元12可以包括時(shí)序控制器Tc、掃描驅(qū)動(dòng)器Sd和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器Dd。時(shí)序控制器Tc、掃描驅(qū)動(dòng)器Sd和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器Dd可以形成為一個(gè)集成電路(1C)，或者可以分別形成為單獨(dú)的1C?？商娲?，時(shí)序控制器Tc、掃描驅(qū)動(dòng)器Sd和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器Dd中的僅僅一些可以合并成一個(gè)1C。
[0034]時(shí)序控制器Tc可以接收?qǐng)D像數(shù)據(jù)R、G、B，并且生成與所接收的圖像數(shù)據(jù)R、G、B相對(duì)應(yīng)的掃描驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)SCS和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)DCS。
[0035]掃描驅(qū)動(dòng)器Sd可以接收掃描驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)SCS，并且生成與所接收的掃描驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)SCS相對(duì)應(yīng)的第一個(gè)掃描信號(hào)SI至第η個(gè)掃描信號(hào)Sn。第一個(gè)掃描信號(hào)SI至第η個(gè)掃描信號(hào)Sn中的每一個(gè)可以具有掃描開啟電壓(scan-on voltage)或掃描關(guān)閉電壓(scan-off voltage)的電勢(shì)。第一個(gè)掃描信號(hào)SI至第η個(gè)掃描信號(hào)Sn可以依次具有掃描開啟電壓的電勢(shì)。當(dāng)?shù)谝粋€(gè)掃描信號(hào)SI至第η個(gè)掃描信號(hào)Sn具有掃描開啟電壓的電勢(shì)時(shí)，第一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)Dl至第m個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)Dm可以被傳輸至多個(gè)像素PX。
[0036]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器Dd可以接收數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)DCS，并且生成與所接收的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)DCS相對(duì)應(yīng)的第一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)Dl至第m個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)Dm。第一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)Dl至第m個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)Dm可以被生成為與第一個(gè)掃描信號(hào)SI至第η個(gè)掃描信號(hào)Sn同步。第一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)Dl至第m個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)Dm可以包括與顯示在面板11上的圖像的灰度有關(guān)的信肩、O
[0037]面板11可以包括像素PX。像素PX可以以基本矩陣圖案排列。然而，像素PX的排列并不限于矩陣圖案。像素PX可以以不同方式被控制，并且可以以不同方式發(fā)光，以在面板11的整個(gè)表面上顯示圖像。像素PX中的每個(gè)可以包括有機(jī)發(fā)光層EL和薄膜晶體管TR。有機(jī)發(fā)光層EL可以通過自身發(fā)光。薄膜晶體管TR可以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光層EL，并且控制有機(jī)發(fā)光層EL的亮度。薄膜晶體管TR可以響應(yīng)于掃描信號(hào)的掃描開啟電壓而控制像素PX接收或不接收數(shù)據(jù)信號(hào)，從而控制有機(jī)發(fā)光層EL的亮度。
[0038]現(xiàn)在將參照?qǐng)D2更為詳細(xì)地描述OLED顯示器10的面板11的結(jié)構(gòu)。圖2是沿圖1的線11-11’截取的OLED顯示器10的面板11的截面圖。
[0039]參照?qǐng)D2，面板11包括基板S、第一電極121、有機(jī)發(fā)光層EL、第二電極122以及鈍化層f。
[0040]基板S的形狀可以像基本平坦的板?；錝可以由絕緣材料形成。在一個(gè)示例中，基板S可以由玻璃、石英、陶瓷或塑料形成。根據(jù)一些實(shí)施例，基板S可以由借助外力可容易彎曲的材料形成。
[0041]在一些實(shí)施例中，基板S可以進(jìn)一步包括形成在基板S上的緩沖層，用于基本防止雜質(zhì)離子的擴(kuò)散、基本防止?jié)駳夂屯獠靠諝獾臐B入并且使基板S的表面平坦化。
[0042]基板S可以包括像素PX。像素PX中的每個(gè)可以包括非發(fā)光區(qū)域NF和發(fā)光區(qū)域EF0亦即，基板S可以包括多個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF和多個(gè)發(fā)光區(qū)域EF，并且發(fā)光區(qū)域EF和非發(fā)光區(qū)域NF可以交替排列。在這里，發(fā)光區(qū)域EF中的每一個(gè)可以是形成有機(jī)發(fā)光層EL并且從有機(jī)發(fā)光層EL發(fā)出光的區(qū)域。非發(fā)光區(qū)域NF中的每一個(gè)可以是形成用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光層EL的薄膜晶體管TR的區(qū)域。
[0043]薄膜晶體管TR可以包括半導(dǎo)體層111、柵電極112、源電極113以及漏電極114。
[0044]半導(dǎo)體層111可以被布置在非發(fā)光區(qū)域NF中的每個(gè)上。半導(dǎo)體層111可以由非晶硅或多晶硅形成。半導(dǎo)體層111可以包括溝道區(qū)111C、源區(qū)IllS和漏區(qū)111D。溝道區(qū)IllC可以被布置在源區(qū)IllS與漏區(qū)IllD之間。溝道區(qū)IllC可以與柵電極112重疊。根據(jù)施加至柵電極112的電壓，溝道區(qū)IllC可以變?yōu)閷?dǎo)電或非導(dǎo)電，從而將源區(qū)IllS與漏區(qū)IllD電連接或電絕緣。第一絕緣層131可以形成在半導(dǎo)體層111上。第一絕緣層131可以由諸如SiNx或S1x的無機(jī)材料形成，但并不限于此。根據(jù)一些實(shí)施例，第一絕緣層131也可以由有機(jī)材料形成。
[0045]柵電極112可以被布置在第一絕緣層131上，以與半導(dǎo)體層111絕緣并且與溝道區(qū)IllC重疊。柵電極112可以由導(dǎo)電材料形成。用于形成柵電極112的導(dǎo)電材料的示例可以包括但不限于透明導(dǎo)電材料(例如銦錫氧化物(ITO))、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)以及這些材料的合金。施加至第一柵電極112的電壓可以控制溝道區(qū)IllC的活化，并且薄膜晶體管TR可以根據(jù)溝道區(qū)IllC的活化或非活化導(dǎo)通或截止。
[0046]第二絕緣層132可以形成在柵電極112上。第二絕緣層132可以由與第一絕緣層131相同的無機(jī)材料或有機(jī)材料形成。
[0047]源電極113和漏電極114可以被布置在第二絕緣層132上。源電極113和漏電極114可以通過第一接觸孔Cl分別接觸源區(qū)IllS和漏區(qū)111D。響應(yīng)于溝道區(qū)IllC的活化，電流可以從源電極113流向漏電極114。然后，漏電極114可以通過第二接觸孔C2允許該電流流向第一電極121。第三絕緣層133可以形成在源電極113和漏電極114上，以使源電極113和漏電極114絕緣，并保護(hù)源電極113和漏電極114。第三絕緣層133可以由與第一絕緣層131相同的無機(jī)材料或有機(jī)材料形成。
[0048]第一電極121可以形成在基板S的每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF上，并且有機(jī)發(fā)光層EL可以形成在第一電極121上。因此，第一電極121和有機(jī)發(fā)光層EL各自的截面積可以基本等于每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF的截面積。第二電極122可以形成在有機(jī)發(fā)光層EL和基板S上。第一電極121、有機(jī)發(fā)光層EL和第二電極122可以形成OLED EML。OLED EML可以是向上發(fā)光的頂部發(fā)射裝置。亦即，從有機(jī)發(fā)光層EL發(fā)出的光可以沿面板11的向上方向Dl行進(jìn)。不過，所描述技術(shù)并不限于此。根據(jù)一些實(shí)施例，OLED EML可以是底部發(fā)射裝置，并且光可以沿與面板11的向上方向Dl相反的方向行進(jìn)。
[0049]第一電極121可以形成在第三絕緣層133上。第一電極121可以通過第二接觸孔C2連接至薄膜晶體管TR的漏電極114。第一電極121可以是OLED EML的陽極。第一電極121可以由反射導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電材料或半透明導(dǎo)電材料形成。反射導(dǎo)電材料的示例包括鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰 / 鈣(LiF/Ca)、氟化鋰 / 鋁(LiF/Al)、Al、Ag、鎂(Mg)和金(Au)。透明導(dǎo)電材料的示例包括ΙΤ0、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物(ZnO)以及銦氧化物(In2O3)。半透明導(dǎo)電材料可以是包含Mg和Ag中的一種或多種的共沉積材料，或者可以是Mg、Ag、Ca、Li和Al中的一種或多種。
[0050]有機(jī)發(fā)光層EL可以被布置在第一電極121上。有機(jī)發(fā)光層EL可以以與流過其的電流相對(duì)應(yīng)的亮度水平發(fā)射光。具體地，提供至有機(jī)發(fā)光層EL的空穴和電子可以結(jié)合在一起來形成激子。當(dāng)激子的能級(jí)從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)時(shí)，有機(jī)發(fā)光層EL可以發(fā)出與能級(jí)改變相對(duì)應(yīng)的光。每個(gè)像素PX中的有機(jī)發(fā)光層EL可以發(fā)出一種顏色的光。根據(jù)形成有機(jī)發(fā)光層EL的有機(jī)材料,有機(jī)發(fā)光層EL可以發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光。
[0051]第二電極122可以被布置在有機(jī)發(fā)光層EL上。第二電極122可以被布置在面板11的整個(gè)表面上，如圖2所示。不過，所描述的技術(shù)并不限于此。第二電極122可以是有機(jī)發(fā)光層EL的陰極。第二電極122可以利用Mg、Ag、Ca、Li和Al中的一種或多種較薄地形成。因此，第二電極122可以允許從有機(jī)發(fā)光層EL生成的光從有機(jī)發(fā)光層EL向上行進(jìn)。
[0052]鈍化層f可以形成在第二電極122上。鈍化層f可以是介于密封件(未示出)與基板S之間的透明填充物。鈍化層f可以吸收外部沖擊，因此基本防止了外部沖擊傳遞至基板S上的薄膜晶體管TR和有機(jī)發(fā)光層EL。此外，鈍化層f可以通過吸收并冷卻從有機(jī)發(fā)光層EL產(chǎn)生的熱來抑制內(nèi)熱。鈍化層f可以包括與有機(jī)發(fā)光層EL重疊的第一鈍化層Π和與有機(jī)發(fā)光層EL不重疊的第二鈍化層f2?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D3和圖4詳細(xì)描述第一鈍化層fl和第二鈍化層f2的結(jié)構(gòu)和特性。
[0053]圖3是根據(jù)所描述技術(shù)的一實(shí)施例的第一鈍化層fl和第二鈍化層f2的截面圖。圖4是圖2所示的第一鈍化層fl和第二鈍化層f2的平面圖。亦即，圖3是圖示第一鈍化層fl與第二鈍化層f2之間關(guān)系的區(qū)域A的放大圖，并且圖4是從上觀察圖2的面板11的平面圖。
[0054]參照?qǐng)D3和圖4，由于第一鈍化層f I與有機(jī)發(fā)光層EL基本重疊，因此第一鈍化層fI的截面積可以基本等于每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF的截面積。如果OLED EML是頂部發(fā)射型，則第一鈍化層fl可以是光從有機(jī)發(fā)光層EL發(fā)出時(shí)經(jīng)過的路徑。亦即，該光可以在面板11中向上行進(jìn)，并且穿過第一鈍化層Π，以被發(fā)射至面板11的外部。
[0055]由于第二鈍化層f2與有機(jī)發(fā)光層EL不重疊，因此第一鈍化層fl和第二鈍化層f2當(dāng)在平面圖中被觀察時(shí)，可以是交替排列的。此外，當(dāng)從上方觀察面板11時(shí)，第一鈍化層fl可以基本上以矩陣圖案排列在第二鈍化層f2中。由于第二鈍化層f2與有機(jī)發(fā)光層EL不重疊，因此其不是光要經(jīng)過的直接路徑。然而，發(fā)出的光的部分可擴(kuò)散至第二鈍化層f2。亦即，從有機(jī)發(fā)光層EL發(fā)出的光的部分L1、L2和L3在面板11中可能不直接向上行進(jìn)，而可能在經(jīng)過第一鈍化層Π之后向第二鈍化層f2行進(jìn)。
[0056]在這里，第一鈍化層Π的折射率可以高于第二鈍化層f2的折射率。第一鈍化層fl可以包括具有大約1.6或更高的高折射率的材料。高折射材料可以分布在第一鈍化層fl的整個(gè)表面上，以便提高第一鈍化層fl的總折射率，或者可以提供在與第二鈍化層f2的邊界面處，以便提高第一鈍化層fl在邊界面處的折射率。第二鈍化層f2可以包括具有小于大約1.6的折射率的材料。具有小于大約1.6的折射率的材料可以分布在第二鈍化層f2的整個(gè)表面上，以便降低第二鈍化層f2的總折射率，或者可以提供在與第一鈍化層fl的邊界面處，以便降低第二鈍化層f2在邊界面處的折射率。
[0057]具有大約1.6或更高的高折射率的材料可以是諸如聚二芳基硅氧烷、甲基三甲氧基娃燒或四甲氧基娃燒的聞?wù)凵淇晒袒嗑蕖＞哂行∮诖蠹s1.6的折射率的材料可以是諸如丙烯酸乙基己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯的低折射紫外線可固化丙烯酸聚合物。
[0058]當(dāng)光L1、L2或L3從高折射介質(zhì)移至低折射介質(zhì)時(shí),根據(jù)高折射介質(zhì)與低折射介質(zhì)之間的折射率差，該光可以折射至低折射介質(zhì)或者可以反射至高折射介質(zhì)。因此，從具有高折射率的第一鈍化層Π行進(jìn)至具有低折射率的第二鈍化層f2的光L1、L2或L3可以折射至第二鈍化層f2或者可以反射至第一鈍化層fl。光L1、L2或L3的路徑可以由光L1、L2或L3入射到第一鈍化層fl與第二鈍化層f2之間的邊界面I上的入射角Θ 1、Θ 2或Θ 3確定。在一示例中，當(dāng)入射角Θ I小于臨界角Θ c時(shí)，光LI的一部分可以在邊界面I處反射，但光LI的另一部分可以行進(jìn)至第二鈍化層f2。在這里，臨界角0C可以由第一鈍化層fl的折射率與第二鈍化層f2的折射率確定。當(dāng)入射角Θ 2等于臨界角0C時(shí)，光L2可以不反射也不折射，而可以沿邊界面I行進(jìn)。當(dāng)入射角Θ 3大于臨界角0C時(shí)，光L3可以不折射至第二鈍化層f2，而可以在邊界面I處全反射，以返回至第一鈍化層fl中。在這里，隨著全反射的光的數(shù)量增加，更多的光可以聚集于第一鈍化層f I。
[0059]鈍化層f的上述結(jié)構(gòu)或光學(xué)特性使鈍化層f能夠?qū)⒐饩奂谂c每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF相對(duì)應(yīng)的第一鈍化層fl中。因此，鈍化層f可以提供提高的發(fā)光效果。此外，鈍化層f通過使光至第二鈍化層f2的擴(kuò)散最小化，可以基本防止像素PX之間的顏色混合。
[0060]圖5和圖6是根據(jù)另一實(shí)施例的第一鈍化層fl和第二鈍化層f2的截面圖。
[0061]參照?qǐng)D5和圖6,第一鈍化層fl上表面的截面積UW可大于第一鈍化層fl下表面的截面積BW。在這里，下表面可以是第一鈍化層fl的接觸第二電極122的表面，并且上表面可以是第一鈍化層Π的被暴露至OLED顯示器10外部的表面。第一鈍化層Π的截面積可以從第一鈍化層fl的下表面向其上表面遞增。亦即，參照?qǐng)D5，第一鈍化層fl與第二鈍化層f2之間的邊界面I’可以是具有預(yù)定斜率的傾斜表面。可替代地，參照?qǐng)D6，邊界面I’可以是彎曲傾斜表面，其斜率從第一鈍化層fl的下表面向其上表面遞增。亦即，第一鈍化層fl的截面可以具有懸垂(overhang)結(jié)構(gòu)，該懸垂結(jié)構(gòu)具有反向傾斜表面，并且第一鈍化層fl的截面形狀可以像反向梯形。
[0062]相比于圖4的邊界面I，邊界面I’可以使更多的光線具有大于臨界角的入射角。亦即，由于邊界面I’是傾斜的，因此具有較大入射角Θ3或Θ4的光L3或L4可以進(jìn)入邊界面I ’。因此，光L3或L4可以全反射，以聚集在與每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF相對(duì)應(yīng)的第一鈍化層fl中。亦即，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的鈍化層f可以通過使在第一鈍化層fl中發(fā)生全反射的光的數(shù)量最大化并且使發(fā)射至第二鈍化層f2的光的數(shù)量最小化，來提供提高的發(fā)光效率。此夕卜，鈍化層f可以基本上防止像素之間的顏色混合。
[0063]圖7是根據(jù)另一實(shí)施例的第一鈍化層fl和第二鈍化層f2的截面圖。
[0064]參照?qǐng)D7，OLED顯示器10可以進(jìn)一步包括像素限定層TOL。像素限定層PDL可以被布置在有機(jī)發(fā)光層EL之間。像素限定層PDL可以由與第一絕緣層131相同的無機(jī)材料或有機(jī)材料形成。像素限定層PDL可以形成在第三絕緣層133的與每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，從而限定了每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF。
[0065]像素限定層PDL可以以與有機(jī)發(fā)光層EL成一角度形成，并且可以堆疊至大于有機(jī)發(fā)光層EL被堆疊至的高度hi的高度h2。亦即，像素限定層PDL可以以與有機(jī)發(fā)光層EL成預(yù)定角度θρ傾斜。從有機(jī)發(fā)光層EL發(fā)出的光的一部分可以沿像素限定層TOL的斜面行進(jìn)至邊界面I。在這里，這部分光在邊界面I處的入射角可以等于角θρ。角Θ P可以大于由第一鈍化層π的折射率與第二鈍化層f2的折射率確定的臨界角Θ Co因此，這部分光在邊界面I處的入射角Θ P可以大于臨界角Θ c，并且這部分光可以全反射至第一鈍化層fl。亦即，像素限定層PDL可以通過弓I導(dǎo)發(fā)出的光具有大于臨界角Θ c的入射角，而使更多光聚集至第一鈍化層H。這可以進(jìn)一步提高有機(jī)發(fā)光層EL的發(fā)光效率。
[0066]圖8是根據(jù)另一實(shí)施例的OLED顯示器的面板31的截面圖。
[0067]參照?qǐng)D8，該OLED顯示器的面板31可以進(jìn)一步包括形成在鈍化層f上的濾色器CF。濾色器CF可以包括形成在第一鈍化層Π上的濾光層C和形成在第二鈍化層f2上的黑矩陣BM。濾光層C可以對(duì)應(yīng)于每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF，并且黑矩陣BM可以對(duì)應(yīng)于每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF。
[0068]濾光層C可以將穿過濾光層C的光的顏色轉(zhuǎn)變?yōu)闉V光層C的顏色。光可以是白光W。濾光層C可以具有作為光的三原色的紅色、綠色和藍(lán)色中的任意一種。不過，所描述的技術(shù)并不限于此。在一些實(shí)施例中，濾光層C可以具有作為紅色、綠色和藍(lán)色的補(bǔ)色的青色、品紅和黃色中的任意一種。在一些實(shí)施例中，濾色器CF可以進(jìn)一步包括透明濾光層C，該透明濾光層C允許白色w從其穿過而不發(fā)生改變，從而提高了其呈現(xiàn)明亮顏色的能力。
[0069]黑矩陣BM可以阻止入射至第二鈍化層f2的光發(fā)射至面板31的外部。亦即，黑矩陣BM可以基本防止像素PX之間的顏色混合，并且限定濾光層C。
[0070]有機(jī)發(fā)光層EL可以向上發(fā)出白光W，并且白光w在穿過濾光層C時(shí)可以被轉(zhuǎn)變?yōu)闉V光層C的顏色。如上所述，發(fā)射光的一部分可以在第一鈍化層fl與第二鈍化層f2之間的邊界面處全反射至第一鈍化層H。因此，可以基本上防止這部分光的擴(kuò)散，并且可以使這部分光聚集至第一鈍化層Π，從而提高了發(fā)光效率。此外，發(fā)射光的另一部分可以在第一鈍化層fl與第二鈍化層f2之間的邊界面處折射至形成在第二鈍化層f2上的黑矩陣BM。因此，該OLED顯示器可以基本上更有效地防止像素PX之間的顏色混合。
[0071]該OLED顯示器中與上面參照?qǐng)D1至圖7所描述的OLED顯示器10的元件基本相同的其它元件由相同名稱標(biāo)識(shí)，并且將不再進(jìn)行描述。
[0072]圖9是根據(jù)另一實(shí)施例的OLED顯示器的面板41的截面圖。
[0073]參照?qǐng)D9，該OLED顯示器的面板41可以進(jìn)一步包括形成在第一鈍化層fl上的濾光層C。濾光層C與圖8的OLED顯示器的濾光層C基本相同，因此將省略其描述。
[0074]有機(jī)發(fā)光層EL可以向上發(fā)出白光W，并且白光w在穿過濾光層C時(shí)可以被轉(zhuǎn)變?yōu)闉V光層C的顏色。
[0075]第一鈍化層fl的截面積可以從第一鈍化層fl的下表面向其上表面遞增，并且第一鈍化層Π與第二鈍化層f2的邊界面可以是傾斜的。在這里，第一鈍化層Π的下表面的截面積可以基本等于每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF的截面積和有機(jī)發(fā)光層EL的截面積。
[0076]傾斜的邊界面可以提供使最多的光全反射至第一鈍化層fl的入射角，并且可以使發(fā)射至第二鈍化層f2的光的數(shù)量最小化。因此，由于光可以聚集至第一鈍化層Π，因此可以提高發(fā)光效率。此外，由于發(fā)射至第二鈍化層f2的大部分光可以被阻止，因此可以基本防止像素PX之間的顏色混合。亦即，即使沒有黑矩陣BM，堆疊至基本等于濾光層C上表面的高度的第二鈍化層f2也可以限定濾光層C。
[0077]根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的OLED顯示器可以通過使發(fā)射光聚集至第一鈍化層f I而提高發(fā)光效率，并且可以通過不包括黑矩陣BM而提高開口率。
[0078]該OLED顯示器中與上面參照?qǐng)D1至圖7所描述的OLED顯示器10的元件基本相同的其它元件由相同名稱標(biāo)識(shí)，并且將不再進(jìn)行描述。
[0079]在下文中，將詳細(xì)描述制造上述OLED顯示器的方法。
[0080]圖10是圖示根據(jù)一實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法的流程圖。
[0081]參照?qǐng)D10，制造OLED顯示器的方法包括:制備第一基板和第二基板(操作S110)，將第一基板和第二基板粘合在一起(操作S210)，以及形成第一鈍化層和第二鈍化層(操作S130)。
[0082]首先，制備第一基板SI和第二基板S2(操作SI 10)。
[0083]第一基板SI可以由絕緣材料形成。在一示例中，第一基板SI可以由玻璃、石英、陶瓷或塑料形成。第一基板Si可以支撐放置在其上的其它元件。第一基板SI可以包括非發(fā)光區(qū)域NF和發(fā)光區(qū)域EF。此外，第一基板SI可以包括形成在每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF上的薄膜晶體管TR和形成在每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF上的OLED EML。
[0084]在制備第一基板SI的過程中，可以在每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF上形成薄膜晶體管TR，并且可以在每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF上形成有機(jī)發(fā)光層EL。薄膜晶體管TR可以包括半導(dǎo)體層111、柵電極112、源電極113以及漏電極114，并且OLED EML可以包括第一電極121、有機(jī)發(fā)光層EL以及第二電極122。在這里，有機(jī)發(fā)光層EL可以對(duì)應(yīng)于每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF。亦即，有機(jī)發(fā)光層EL的截面積可以基本等于每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF的截面積。
[0085]上述元件可以利用光掩膜通過光刻工藝來形成。光刻工藝可以包括包含利用曝光裝置(未示出)的曝光、顯影、刻蝕以及剝離或灰化的一系列工藝。
[0086]在一些實(shí)施例中，第一基板SI的制備可以進(jìn)一步包括在第一基板SI上形成緩沖層，以基本防止雜質(zhì)離子的擴(kuò)散、基本防止?jié)駳夂屯獠靠諝獾臐B入、以及使基板SI的表面平坦化。
[0087]第二基板S2可以是用于密封第一基板SI的封裝基板。亦即，第二基板S2可以基本防止外部雜質(zhì)和濕氣滲入第一基板SI中。第二基板S2可以是玻璃基板或由諸如丙烯酸樹脂的各種塑料材料形成的塑料基板。在頂部發(fā)射OLED顯示器中，第二基板S2可以是電絕緣材料，其中該電絕緣材料對(duì)于從有機(jī)發(fā)光層EL產(chǎn)生的光具有高透射率。在一示例中，第二基板S2可以包括透明玻璃(例如堿性玻璃或無堿玻璃)、透明陶瓷(例如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚氟乙烯(PVF)、聚丙烯酸脂或氧化鋯)或石英。
[0088]接下來，將第一基板SI和第二基板S2粘合在一起(操作S120)。這將參照?qǐng)D11進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0089]圖11是圖示在圖10的制造方法中將第一基板和第二基板粘合(操作S120)的截面圖。
[0090]參照?qǐng)D11，填充物f可以被放置在第一基板SI與第二基板S2之間，然后第一基板SI和第二基板S2可以被粘合在一起。第一基板SI和第二基板S2可以通過密封劑(未示出)被粘合在一起。密封劑(未示出)可以被放置在第一基板SI與第二基板S2之間。密封劑(未示出)可以是通過向粉末態(tài)玻璃添加有機(jī)物質(zhì)而獲得的凝膠態(tài)玻璃的玻璃料。密封劑可以利用激光照射被固化以使密封劑凝固，從而將第一基板SI和第二基板S2粘合在一起。
[0091]填充物f可以被放置在由第一基板S1、第二基板S2以及密封劑形成的空間中。由于填充物f隨著被固化而填充該空間，因此其可以保護(hù)形成在第一基板Si上的器件免受外部沖擊。填充物f可以包括高折射材料H和低折射材料L。亦即，填充物f包含可移動(dòng)的高折射材料H和低折射材料L的混合物。高折射材料H可以包括諸如聚二芳基硅氧烷、甲基三甲氧基硅烷或四甲氧基硅烷之類的高折射可固化單體。低折射材料L可以包括諸如丙烯酸乙基己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯之類的紫外線可固化單體。高折射材料H可以被固化為形成第一鈍化層Π，并且低折射材料L可以被固化為形成第二鈍化層f2。下面將描述第一鈍化層fl和第二鈍化層f2的形成。
[0092]最后，形成第一鈍化層fl和第二鈍化層f2(操作S130)。這將參照?qǐng)D12和圖13進(jìn)行描述。
[0093]圖12和圖13是圖示在圖10的制造方法中形成第一鈍化層fl和第二鈍化層f2 (操作S130)的截面圖。第一鈍化層f I和第二鈍化層f2的形成可以通過選擇性的紫外線照射來實(shí)現(xiàn)。參照?qǐng)D12，掩膜M可以包括100%透過光的透光部分Mb和100%阻擋光(即具有0%的透光率)的遮光部分Ma。每個(gè)透光部分Mb的截面積可以基本等于第一基板SI的每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF的截面積，每個(gè)遮光部分Ma的截面積可以基本等于第一基板SI的每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF的截面積。因此，每個(gè)遮光部分Ma的截面積可以基本等于有機(jī)發(fā)光層EL的截面積。掩膜M可以被放置在OLED顯示器上方，使得具有基本相等截面積的區(qū)域彼此對(duì)準(zhǔn)。
[0094]紫外光UV可以從掩膜M上方朝著OLED顯示器照射。紫外光UV可以透過透光部分Mb和透明的第二基板S2，以到達(dá)填充物f。從而，紫外光UV可以僅照射至填充物f的紫外線照射區(qū)域Ul。填充物f的紫外線照射區(qū)域Ul可以不僅對(duì)應(yīng)于透光部分Mb，而且對(duì)應(yīng)于非發(fā)光區(qū)域NF。紫外線照射區(qū)域Ul的低折射紫外線可固化單體可以聚合，以形成低折射紫外線可固化聚合物。該聚合可以連續(xù)發(fā)生，并且隨著上述低折射聚合物占據(jù)大部分紫外線照射區(qū)域U1，高折射材料H可以移至紫外線非照射區(qū)域U2。此外，紫外線非照射區(qū)域U2的低折射紫外線可固化單體可以移至紫外線照射區(qū)域U1，以便參與聚合。每個(gè)紫外線照射區(qū)域Ul可以變?yōu)橛傻驼凵洳牧螸的聚合物形成的第二鈍化層f2。在形成第二鈍化層f2之后，每個(gè)紫外線非照射區(qū)域U2可以通過高折射材料H之間的聚合而變?yōu)橛筛哒凵洳牧闲纬傻牡谝烩g化層fl。第一鈍化層fl可以形成在每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF上，并且與有機(jī)發(fā)光層EL基本重疊。
[0095]亦即，選擇性的紫外線照射可以導(dǎo)致形成與有機(jī)發(fā)光層EL基本重疊的第一鈍化層fl和與有機(jī)發(fā)光層EL不重疊的第二鈍化層f2，如圖13所示。在根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的制造方法中，在形成第一鈍化層Π之前形成第二鈍化層f2。不過，所描述的技術(shù)并不限于此。在一些實(shí)施例中，可以通過選擇性的紫外線照射來形成第一鈍化層Π，然后可以在第一鈍化層fl之間形成第二鈍化層f2。在這種情況下，可以首先固化高折射材料H。
[0096]第一鈍化層fl可以包括具有大約1.6或更高折射率的材料，并且第二鈍化層f2可以包括具有小于大約1.6的折射率的材料。亦即，第一鈍化層fI的折射率可以高于第二鈍化層f2的折射率。因此，由于從有機(jī)發(fā)光層EL發(fā)出的光如上所述可以聚集至發(fā)光區(qū)域EF，因此可以提高發(fā)光效率，并且基本防止像素PX之間的顏色混合。
[0097]在一些實(shí)施例中，制備第二基板S2(操作SI 10)可以進(jìn)一步包括在第二基板S2上形成濾色器CF。在這里，濾色器CF可以包括與第一基板SI的每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF相對(duì)應(yīng)的濾光層C以及與每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF相對(duì)應(yīng)的用于限定濾光層C的黑矩陣BM。在形成第一鈍化層fl和第二鈍化層f2(操作S130)的過程中，可以利用濾色器CF而不利用掩膜執(zhí)行選擇性的紫外線照射。亦即，可以利用黑矩陣BM作為每個(gè)遮光部分Ma并且利用濾光層C作為每個(gè)透光部分Mb，來執(zhí)行選擇性的紫外線照射。在這種情況下，可以首先固化高折射材料H，以形成第一鈍化層Π，并且低折射材料L可以形成位于第一鈍化層fl之間的第二鈍化層f2。由于濾光層C的截面積基本等于每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF的截面積和有機(jī)發(fā)光層EL的截面積，因此第一鈍化層f I可以與有機(jī)發(fā)光層EL基本重疊。
[0098]在一些實(shí)施例中，制備第二基板S2(操作SI 10)可以進(jìn)一步包括在第二基板S2上形成濾光層C，以對(duì)應(yīng)于第一基板SI的每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF。此外，形成第二鈍化層f2(操作S130)可以進(jìn)一步包括將第二鈍化層f2的高度形成為等于濾光層C的上表面，使得濾光層C可以由第二鈍化層f2限定。
[0099]圖14是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法的流程圖。
[0100]參照?qǐng)D14，制造OLED顯示器的方法包括:制備第一基板和第二基板(操作S210)，形成第二鈍化層(操作S220)，將第一基板和第二基板粘合在一起(操作S230)，以及形成第一鈍化層(操作S240)。
[0101]首先，制備第一基板和第二基板(操作S210)。制備第一基板和第二基板(操作S210)與根據(jù)前面實(shí)施例的制造方法中制備第一基板和第二基板(操作S110)基本相同，因此將省略其詳細(xì)描述。
[0102]接下來，形成第二鈍化層(操作S220)。這將參照?qǐng)D15進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0103]圖15是圖示在圖14的制造方法中形成第二鈍化層(操作S220)的截面圖。
[0104]第二鈍化層f2可以僅僅形成在第一基板SI的每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF上。第二鈍化層f2可以通過使用光刻膠的光刻工藝或使用激光束照射的激光燒蝕工藝形成在每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF上。亦即，第二鈍化層f2可以分布在第一基板SI的整個(gè)表面上，然后被固化。在這種狀態(tài)下，第二鈍化層f2的與非發(fā)光區(qū)域NF相對(duì)應(yīng)的區(qū)域可以不被去除，而第二鈍化層f2的其它區(qū)域可以通過各向異性刻蝕被去除。在這里，由于第二鈍化層f2形成在每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF上，因此其可以與形成在每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF上的有機(jī)發(fā)光層EL不重疊。
[0105]第二鈍化層f2可以包括具有小于大約1.6的折射率的材料。具有小于大約1.6的折射率的材料可以是諸如丙烯酸乙基己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯之類的低折射紫外線可固化聚合物。
[0106]在當(dāng)前實(shí)施例中，第二鈍化層f2在第一鈍化層fl之前形成在第一基板SI上。不過，所描述的技術(shù)并不限于此。在一些實(shí)施例中，第一鈍化層fl可以在第二鈍化層f2之前形成在第一基板SI上，或者第一鈍化層Π和第二鈍化層f2可以形成在第二基板S2上。
[0107]接下來，將第一基板SI和第二基板S2粘合在一起(操作S230)。
[0108]填充物可以分布在第一基板SI的每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF上。亦即，填充物可以分布在第二鈍化層f2之間。填充物可以包括具有高折射材料的單體。
[0109]第一基板SI和第二基板S2可以利用密封劑(未不出)粘合在一起。密封劑(未示出)可以被放置在第一基板SI與第二基板S2之間。密封劑(未示出)可以是通過向粉末態(tài)玻璃添加有機(jī)物質(zhì)而獲得的凝膠態(tài)玻璃的玻璃料。密封劑可以利用激光照射被固化，以使密封劑凝固，從而將第一基板SI和第二基板S2粘合在一起。
[0110]最后，形成第一鈍化層Π (操作S240)。這將參照?qǐng)D16進(jìn)行描述。
[0111]圖16是圖示在圖14的制造方法中形成第一鈍化層(操作S240)的截面圖。
[0112]參照?qǐng)D16，分布在第一基板SI的每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF上的填充物可以被固化以形成第一鈍化層fl。亦即，包含在填充物中的具有高折射材料的單體可以被固化成聚合物，并且包括高折射聚合物的第一鈍化層π可以被形成。高折射聚合物可以是具有大約1.6或更聞?wù)凵渎实牟牧稀＞哂写蠹s1.6或更聞的聞?wù)凵渎实牟牧峡梢允侵T如聚_■芳基娃氧燒、甲基三甲氧基硅烷或四甲氧基硅烷之類的高折射率可固化多晶硅。
[0113]第一鈍化層fl可以形成在每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF上，并且第二鈍化層f2可以形成在每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF上。第一鈍化層f I的折射率可以高于第二鈍化層f2的折射率。因此，由于從有機(jī)發(fā)光層EL發(fā)出的光如上所述可以聚集在發(fā)光區(qū)域EF中，因此可以提高發(fā)光效率并且基本防止像素之間的顏色混合。
[0114]在一些實(shí)施例中，制備第二基板S (操作S210)可以進(jìn)一步包括在第二基板S2上形成濾色器CF。在這里，濾色器CF可以包括與第一基板SI的每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF相對(duì)應(yīng)的濾光層C以及與每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF相對(duì)應(yīng)的用于限定濾光層C的黑矩陣BM。
[0115]在一些實(shí)施例中，制備第二基板S2(操作S210)可以進(jìn)一步包括在第二基板S2上形成濾光層C，以對(duì)應(yīng)于第一基板SI的每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF。此外，形成第二鈍化層f2(操作S220)可以進(jìn)一步包括將第二鈍化層f2形成為基本等于濾光層C上表面的高度，使得濾光層C可以由第二鈍化層f2限定。
[0116]圖17是圖示在根據(jù)另一實(shí)施例的制造OLED顯示器的方法中形成第二鈍化層的截面圖。
[0117]在根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的制造方法中，形成第二鈍化層可以進(jìn)一步包括在形成與每個(gè)非發(fā)光區(qū)域NF相對(duì)應(yīng)的第二鈍化層f2之后去除第二鈍化層f2的一區(qū)域，以在第一鈍化層fl與第二鈍化層f2之間形成傾斜邊界面。第二鈍化層f2的該區(qū)域可以通過例如各向同性刻蝕被去除。
[0118]第二鈍化層f2下表面的截面積BW可以大于第二鈍化層f2上表面的截面積UW。在這里，下表面可以是第二鈍化層f2的接觸第一基板SI的表面。因此，第二鈍化層f2的截面積可以從第二鈍化層f2的下表面向其上表面遞減。與垂直邊界面相比，傾斜的邊界面可以使更多光具有大于臨界角的入射角。亦即，具有大于臨界角Ge的入射角的光可以進(jìn)入該邊界面，然后全反射至與每個(gè)發(fā)光區(qū)域EF相對(duì)應(yīng)的第一鈍化層H。因此，發(fā)射至第二鈍化層f2的光的量可以被最小化，并且更多光可以聚集至發(fā)光區(qū)域EF。這可以進(jìn)一步提高發(fā)光效率。
[0119]根據(jù)一些實(shí)施例，可以提供以下優(yōu)點(diǎn)中的至少之一。
[0120]OLED顯示器的發(fā)光效率可以被提高。
[0121 ] 此外，可以基本防止像素之間的顏色混合。
[0122]然而，所描述技術(shù)的效果不局限于本文中所列舉的這些。通過參照所附權(quán)利要求，所描述技術(shù)的上述和其它效果對(duì)于所描述技術(shù)所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說將變得更加明顯。
[0123]盡管參照所描述技術(shù)的示例性實(shí)施例具體示出并描述了所描述技術(shù)，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在不背離所附權(quán)利要求所限定的所描述技術(shù)的精神和范圍的情況下，在這里進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。因此，期望所描述的實(shí)施例在各方面被考慮為例示性的而非限制性的，引用所附權(quán)利要求而非上述描述來指示本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括: 基板，包括多個(gè)非發(fā)光區(qū)域和多個(gè)發(fā)光區(qū)域； 第一電極，形成在所述多個(gè)發(fā)光區(qū)域中的每一個(gè)上方； 有機(jī)發(fā)光層，形成在所述第一電極上方； 第二電極，形成在所述有機(jī)發(fā)光層和所述基板上方；以及 第一鈍化層和第二鈍化層，形成在所述第二電極上方，并且分別具有第一折射率和第二折射率，其中所述第一折射率大于所述第二折射率， 其中所述第一鈍化層與所述有機(jī)發(fā)光層重疊，并且所述第二鈍化層與所述有機(jī)發(fā)光層不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一折射率大于1.6，并且其中所述第二折射率小于1.6。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一鈍化層至少由高折射可固化多晶硅形成，并且其中所述第二鈍化層至少由低折射紫外線可固化聚合物形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括形成在所述有機(jī)發(fā)光層與相鄰的有機(jī)發(fā)光層之間的像素限定層，其中所述像素限定層關(guān)于所述有機(jī)發(fā)光層形成一角度，并且被配置為沿所述像素限定層的斜面引導(dǎo)從所述有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一鈍化層的上表面的截面積大于所述第一鈍化層的下表面的截面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一鈍化層的截面積從所述下表面向所述上表面遞增。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)發(fā)光層被配置為發(fā)出白光，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器進(jìn)一步包括形成在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層上方的濾色器，并且其中所述濾色器包括形成在所述第一鈍化層上方的濾光層和形成在所述第二鈍化層上方的用于限定所述濾光層的黑矩陣。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述有機(jī)發(fā)光層被配置為發(fā)出白光，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器進(jìn)一步包括形成在所述第一鈍化層上方的濾光層，其中所述第一鈍化層的截面積從所述第一鈍化層的下表面向所述第一鈍化層的上表面遞增，并且其中所述第二鈍化層被堆疊至等于所述濾光層的上表面的高度，以限定所述濾光層。
9.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，該方法包括: 提供包括有機(jī)發(fā)光層的第一基板； 提供用于密封所述第一基板的第二基板； 在所述第一基板與所述第二基板之間放置填充物； 將所述第一基板和所述第二基板粘合；以及 形成i)與所述有機(jī)發(fā)光層重疊的第一鈍化層和ii)第二鈍化層，其中所述第二鈍化層與所述有機(jī)發(fā)光層不重疊， 其中所述第一鈍化層和所述第二鈍化層分別具有第一折射率和第二折射率，并且其中所述第一折射率大于所述第二折射率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述填充物包括高折射材料和低折射材料，并且所述形成包括:i)利用紫外線輻射固化所述低折射材料，以形成所述第二鈍化層；以及ii)固化位于所述第二鈍化層與相鄰的第二鈍化層之間的所述高折射材料，以形成所述第一鈍化層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一折射率大于1.6，并且其中所述第二折射率小于1.6。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中提供第二基板包括在所述第二基板上方形成濾色器，其中所述濾色器包括與所述第一鈍化層相對(duì)應(yīng)的濾光層和與所述第二鈍化層相對(duì)應(yīng)的用于限定所述濾光層的黑矩陣。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中提供第二基板包括在所述第二基板上方形成與所述第一鈍化層相對(duì)應(yīng)的濾光層，并且其中所述濾光層由所述第二鈍化層限定。
14.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，該方法包括: 提供包括有機(jī)發(fā)光層的第一基板； 提供用于密封所述第一基板的第二基板；在所述第一基板上方形成第二鈍化層，其中所述第二鈍化層與所述有機(jī)發(fā)光層不重置; 在所述第二鈍化層與相鄰的第二鈍化層之間放置填充物，并且將所述第一基板和所述第二基板粘合；以及 固化所述填充物，以形成第一鈍化層，其中所述第一鈍化層和所述第二鈍化層分別具有第一折射率和第二折射率，并且其中所述第一折射率大于所述第二折射率。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一折射率大于1.6，并且其中所述第二折射率小于1.6。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一鈍化層至少由高折射可固化多晶硅形成，并且其中所述第二鈍化層至少由低折射紫外線可固化聚合物形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第二鈍化層的下表面的截面積大于所述第二鈍化層的上表面的截面積。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第二鈍化層的截面積從所述下表面向所述上表面遞減。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中提供第二基板包括在所述第二基板上方形成濾色器，并且其中所述濾色器包括與所述第一鈍化層相對(duì)應(yīng)的濾光層和與所述第二鈍化層相對(duì)應(yīng)的用于限定所述濾光層的黑矩陣。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中提供第二基板包括在所述第二基板上方形成與所述第一鈍化層相對(duì)應(yīng)的濾光層，并且其中所述濾光層由所述第二鈍化層限定。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104282715SQ201410211043
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年5月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月3日
【發(fā)明者】崔萬燮, 金敏佑 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司