電子元件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電子元件，包括：灌注有熱傳導(dǎo)介質(zhì)的導(dǎo)熱體（30）；所述導(dǎo)熱體（30）上形成有堆積層，所述堆積層包括交替層疊的至少一個(gè)絕緣層（60）和至少一個(gè)導(dǎo)電層（50），所述堆積層中與所述導(dǎo)熱體（30）直接接觸的為絕緣層（60），所述堆積層中位于最外側(cè)的為導(dǎo)電層（50），并且各所述導(dǎo)電層（50）被圖案化為導(dǎo)電線路；所述堆積層的最外側(cè)導(dǎo)電層（50）上覆晶安裝有至少一個(gè)LED芯片（70）。本實(shí)用新型的電子元件利用導(dǎo)熱體對(duì)覆晶LED芯片進(jìn)行快速散熱，有利于提高覆晶LED芯片的散熱性能，延長(zhǎng)使用壽命。
【專利說(shuō)明】電子元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種電子元件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)照明技術(shù)的日益發(fā)展，LED在人們?nèi)粘Ｉ钪械膽?yīng)用也越來(lái)越廣泛。
[0003]采用覆晶(Flip Chip)方式進(jìn)行封裝的LED (以下稱覆晶式LED)較一般的立體型LED封裝的固晶方式簡(jiǎn)略許多，擁有更高的信賴度，可避掉雜亂工藝，使得量產(chǎn)可行性大幅晉升，且兼具縮短高溫烘烤的制程時(shí)間、高良率、導(dǎo)熱效果佳、高出光量等優(yōu)勢(shì)，遂于市場(chǎng)脫穎而出，是業(yè)界竭力開(kāi)展的技術(shù)。通過(guò)在覆晶式LED芯片的正負(fù)電極所電性連接的基板的結(jié)構(gòu)上進(jìn)行金球、錫球或共晶焊接，可以實(shí)現(xiàn)覆晶式LED芯片的封裝。
[0004]現(xiàn)有覆晶式LED芯片散熱一般采用氮化鋁或三氧化二鋁陶瓷基板散熱，屬于傳統(tǒng)材料散熱，而傳統(tǒng)材料的熱導(dǎo)率有限，最高在250w/mk，散熱效果差。當(dāng)覆晶式LED芯片受大電流刺激時(shí)，覆晶式LED芯片的發(fā)熱量高于傳統(tǒng)材料的熱導(dǎo)率，當(dāng)發(fā)熱、導(dǎo)熱、散熱三種關(guān)系不能協(xié)調(diào)時(shí)，容易在覆晶式LED芯片下方形成熱庫(kù)導(dǎo)致覆晶式LED芯片光衰，影響覆晶式LED芯片的使用壽命。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是，現(xiàn)有覆晶式LED芯片采用傳統(tǒng)材料的基板散熱，由于熱導(dǎo)率低而影響芯片的使用壽命。
[0006]為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種電子元件，包括:
[0007]灌注有熱傳導(dǎo)介質(zhì)的導(dǎo)熱體30 ;
[0008]所述導(dǎo)熱體30上形成有堆積層，所述堆積層包括交替層疊的至少一個(gè)絕緣層60和至少一個(gè)導(dǎo)電層50，所述堆積層中與所述導(dǎo)熱體30直接接觸的為絕緣層60，所述堆積層中位于最外側(cè)的為導(dǎo)電層50，并且各所述導(dǎo)電層50被圖案化為導(dǎo)電線路；
[0009]所述堆積層的最外側(cè)導(dǎo)電層50上覆晶安裝有至少一個(gè)LED芯片70。
[0010]對(duì)于上述電子元件，在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述LED芯片70包括沿水平方向依次排列的正電極71、負(fù)電極72以及隔離區(qū)73，其中所述水平方向?yàn)榕c所述最外側(cè)導(dǎo)電層50平行的方向，
[0011]所述隔離區(qū)73在所述最外側(cè)導(dǎo)電層50上的垂直投影位于所述正電極71和負(fù)電極72在所述最外側(cè)導(dǎo)電層50上的垂直投影之間，
[0012]所述隔離區(qū)73在所述水平方向上的中心線與所述LED芯片70在所述水平方向上的中軸線重疊，并且
[0013]所述隔離區(qū)73在所述水平方向的寬度L2不超過(guò)所述LED芯片在所述水平方向的寬度LO的三分之一。
[0014]對(duì)于上述電子元件，在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述LED芯片70的正電極71和負(fù)電極72均經(jīng)由錫膏、銀膠和共晶焊接方式中的任意一種與所述最外側(cè)導(dǎo)電層50電性接觸。
[0015]對(duì)于上述電子元件，在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述堆積層包括一個(gè)絕緣層60和一個(gè)導(dǎo)電層50。
[0016]對(duì)于上述電子元件，在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述堆積層包括交替層疊的多個(gè)絕緣層60和多個(gè)導(dǎo)電層50，相隔一個(gè)絕緣層60的每?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電層50的圖案化導(dǎo)電線路通過(guò)穿過(guò)該絕緣層60的連接部分而電性接觸。
[0017]對(duì)于上述電子兀件，在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述導(dǎo)熱體30包括第一導(dǎo)熱板10和第二導(dǎo)熱板20，所述第一導(dǎo)熱板10與所述第二導(dǎo)熱板20結(jié)合形成的空腔中內(nèi)置有網(wǎng)狀材料。
[0018]本實(shí)用新型將LED芯片覆晶安裝在形成有包括絕緣層和導(dǎo)電層的堆積層的導(dǎo)熱體上，利用導(dǎo)熱體對(duì)覆晶LED芯片進(jìn)行快速散熱，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有利于提高覆晶LED芯片的散熱性能，延長(zhǎng)使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]包含在說(shuō)明書(shū)中并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的說(shuō)明書(shū)附圖與說(shuō)明書(shū)一起示出了本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例、特征和方面，并且用于解釋本實(shí)用新型的原理。
[0020]圖1a為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖1b為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件的制造方法的流程圖；
[0022]圖1c為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件形成第一絕緣層的示意圖；
[0023]圖1d為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件形成第一導(dǎo)電層的示意圖；
[0024]圖1e為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件形成導(dǎo)熱體的示意圖；
[0025]圖2a為本實(shí)用新型實(shí)施例二的電子元件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2b為本實(shí)用新型實(shí)施例二電子元件的制造方法的流程圖；
[0027]圖3為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的電子元件的LED芯片的示意圖。
[0028]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0029]10:第一導(dǎo)熱板；11:第一絕緣層；12:第一導(dǎo)電層；20:第二導(dǎo)熱板；30:導(dǎo)熱體；31:第二絕緣層；32:第二導(dǎo)電層；33:圖案化導(dǎo)電線路的預(yù)定部分；40:灌注口 ；50:導(dǎo)電層；60:絕緣層；70:LED芯片；71:正電極；72:負(fù)電極；73:隔離區(qū)；L0:LED芯片70在水平方向的寬度山1:正電極71和負(fù)電極72在水平方向的寬度；L2:隔離區(qū)73在水平方向的寬度。
【具體實(shí)施方式】
[0030]本實(shí)用新型電子元件的制造方法結(jié)合附圖及實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0031]實(shí)施例一
[0032]圖1a為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1a所示，該電子元件包括:
[0033]灌注有熱傳導(dǎo)介質(zhì)的導(dǎo)熱體30 ;
[0034]所述導(dǎo)熱體30上形成有堆積層，所述堆積層包括交替層疊的至少一個(gè)絕緣層60和至少一個(gè)導(dǎo)電層50，所述堆積層中與所述導(dǎo)熱體30直接接觸的為絕緣層60，所述堆積層中位于最外側(cè)的為導(dǎo)電層50，并且各所述導(dǎo)電層50被圖案化為導(dǎo)電線路；
[0035]所述堆積層的最外側(cè)的導(dǎo)電層50上覆晶安裝有至少一個(gè)LED芯片70。
[0036]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述LED芯片70包括沿水平方向依次排列的正電極71、負(fù)電極72以及隔離區(qū)73，其中所述水平方向?yàn)榕c所述最外側(cè)導(dǎo)電層(50)平行的方向，
[0037]所述隔離區(qū)73在所述最外側(cè)導(dǎo)電層50上的垂直投影位于所述正電極71和負(fù)電極72在所述最外側(cè)導(dǎo)電層50上的垂直投影之間，
[0038]所述隔離區(qū)73在所述水平方向上的中心線與所述LED芯片70在所述水平方向上的中軸線重疊，并且
[0039]所述隔離區(qū)73在所述水平方向的寬度L2不超過(guò)所述LED芯片70在所述水平方向的寬度LO的三分之一。
[0040]具體地，如圖3所示，LED芯片70的隔離區(qū)73位于LED芯片70的中間，相當(dāng)于正電極71和負(fù)電極72對(duì)稱分布在LED芯片70的中軸線兩側(cè)，且正電極71和負(fù)電極72在水平方向的寬度LI大致相同。例如:如果LED芯片70在水平方向的寬度LO為1mm、正電極71和負(fù)電極72在水平方向的寬度LI均為0.3mm、隔離區(qū)73在水平方向的寬度L2為0.3mm,則在最外側(cè)導(dǎo)電層50上覆晶封裝LED芯片70時(shí)，由于正電極71和負(fù)電極72對(duì)稱分布在LED芯片70的中軸線兩側(cè)，因此能夠?qū)?dǎo)電金屬如錫膏或銀膠，能夠恰好涂覆在正電極71和負(fù)電極72的表面的中心區(qū)域，并且涂覆量適中。在覆晶封裝LED芯片的固晶工序中，當(dāng)加熱至高溫以使導(dǎo)電金屬熔化時(shí)，不會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電金屬?gòu)恼姌O71、負(fù)電極72以及最外側(cè)導(dǎo)電層50中的任一者的表面溢出，從而避免了正電極71和負(fù)電極72之間短路，有效提高了覆晶封裝LED芯片的良品率。
[0041]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述LED芯片70的正電極71和負(fù)電極72可以經(jīng)由錫膏、銀膠或共晶焊接方式的任意一種與所述最外側(cè)導(dǎo)電層50電性接觸。
[0042]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述堆積層包括一個(gè)絕緣層60和一個(gè)導(dǎo)電層50。
[0043]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述導(dǎo)熱體30可以包括第一導(dǎo)熱板10和第二導(dǎo)熱板20，所述第一導(dǎo)熱板10與所述第二導(dǎo)熱板20結(jié)合形成的空腔中內(nèi)置有網(wǎng)狀材料，所述網(wǎng)狀材料位于所述熱傳導(dǎo)介質(zhì)中。
[0044]此外，在所述堆積層包括一個(gè)絕緣層如第一絕緣層11和一個(gè)導(dǎo)電層如第一導(dǎo)電層12。圖1b為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件的制造方法的流程圖，如圖1b所示，該電子元件的制造方法可以包括以下步驟:
[0045]步驟101、在第一導(dǎo)熱板10上形成堆積層，其中，所述堆積層包括交替層疊的至少一個(gè)絕緣層60和至少一個(gè)導(dǎo)電層50，所述堆積層中與所述第一導(dǎo)熱板10直接接觸的為絕緣層60，并且所述堆積層中位于最外側(cè)的為導(dǎo)電層50 ；
[0046]其中，步驟101具體可以包括:
[0047]步驟1011、在所述第一導(dǎo)熱板10上高溫?zé)Y(jié)絕緣介質(zhì)漿料，形成第一絕緣層11 ；
[0048]如圖1c所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件形成第一絕緣層11的示意圖，其中，該高溫?zé)Y(jié)的溫度范圍可以為350?1000°C，優(yōu)選為500?900°C。例如:可以先預(yù)置一個(gè)所需尺寸之銅板作為第一導(dǎo)熱板10，第一導(dǎo)熱板10的材料不限于銅板，也可以為其它散熱性能好的金屬或者非金屬板，然后在銅板以350?1000°C高溫?zé)Y(jié)絕緣介質(zhì)漿料。其中，形成第一絕緣層11的絕緣介質(zhì)漿料可以包括石英、硼砂、三氧化二鋁、碳化硅、氮化鋁或微晶陶瓷類粉末中的一種或者多種，采用這樣的絕緣介質(zhì)漿料高溫?zé)Y(jié)形成的第一絕緣層11的絕電系數(shù)比傳統(tǒng)EL (electroluminescence,冷光片)或磁控派射的絕緣系數(shù)高，范圍可在AC1000V以上，并且第一絕緣層11的附著力高，垂直拉力可達(dá)5公斤以上。其中圖1c中第一絕緣層11屬于圖1a中絕緣層60的一種示例。
[0049]步驟1012、在所述第一絕緣層11上高溫?zé)Y(jié)導(dǎo)電漿料，形成第一導(dǎo)電層12 ；
[0050]步驟1013、對(duì)所述第一導(dǎo)電層11進(jìn)行蝕刻，形成第一圖案化導(dǎo)電線路。
[0051]其中，如圖1d所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件形成第一導(dǎo)電層12的示意圖，其中，形成第一導(dǎo)電層12的導(dǎo)電漿料可以包括銀漿、銅漿、玻璃漿料中的一種或者多種。例如:在第一絕緣層11上以350?1000°C燒結(jié)銀漿圖案化導(dǎo)電線路形成第一導(dǎo)電層12，其中，第一導(dǎo)電層12經(jīng)過(guò)刻蝕后可以形成第一圖案化導(dǎo)電線路。其中，圖1d中的第一導(dǎo)電層12為圖1a中的導(dǎo)電層50的一種示例。
[0052]步驟102、對(duì)所述第一導(dǎo)熱板10和第二導(dǎo)熱板20進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)或釬焊，以使所述第一導(dǎo)熱板10與所述第二導(dǎo)熱板20結(jié)合形成預(yù)留有灌注口的導(dǎo)熱體30，并且所述導(dǎo)熱體30內(nèi)置有網(wǎng)狀材料；
[0053]如圖1e所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電子元件形成導(dǎo)熱體的示意圖，其中，高溫釬焊的溫度范圍可以為200?1000°C，優(yōu)選為500?900°C。例如:將第一導(dǎo)熱板10上沒(méi)有第一絕緣層11和第一導(dǎo)電層12的一面與第二導(dǎo)熱板20結(jié)合，并預(yù)留管型液體灌注口 40，結(jié)合后形成的腔體可以預(yù)先內(nèi)置類似均溫板或熱導(dǎo)管制作所需銅網(wǎng)狀材料等散熱材料，然后對(duì)第一導(dǎo)熱板10和第二導(dǎo)熱板20的邊緣采用200?1000°C的高溫釬焊形成導(dǎo)熱體30 ；
[0054]步驟103、經(jīng)由所述灌注口 40向所述導(dǎo)熱體30的內(nèi)部灌入熱傳導(dǎo)介質(zhì)后，封閉所述灌注口 40 ；
[0055]具體地，如圖1e所示，可以從所述灌注口 40向所述導(dǎo)熱體30的內(nèi)部灌入所述熱傳導(dǎo)介質(zhì)并對(duì)所述導(dǎo)熱體30的內(nèi)部抽真空；然后，采用熱融合方式封閉所述灌注口 40。采用真空法對(duì)灌注口 40進(jìn)行密封處理，可以保證導(dǎo)熱體內(nèi)部的熱傳導(dǎo)介質(zhì)的一致性。其中，熱傳導(dǎo)介質(zhì)可以為甲醇、酒精、丙酮或除汽的純水等液體。
[0056]步驟104、將LED芯片70覆晶安裝在所述堆積層的最外側(cè)的導(dǎo)電層50上。在本實(shí)施例中，LED芯片70覆晶安裝第一導(dǎo)電層12上。
[0057]具體地，可以將所述LED芯片70的表面采用錫膏焊接在所述堆積層的最外側(cè)導(dǎo)電層50上；或在所述LED芯片70的表面鍍金錫合金層，將所述鍍金錫合金層采用共晶方式安裝在所述堆積層的最外側(cè)導(dǎo)電層50上。
[0058]本實(shí)用新型電子元件中，LED芯片70覆晶安裝在形成有包括一個(gè)絕緣層60和一個(gè)導(dǎo)電層50的堆積層的導(dǎo)熱體30上，利用導(dǎo)熱體30對(duì)LED芯片70進(jìn)行快速散熱，有利于提高LED芯片70的散熱性能，延長(zhǎng)使用壽命。例如:均溫板的熱導(dǎo)率是銅的100倍，當(dāng)LED芯片70受電流刺激發(fā)熱狀況下，采用均溫板比銅可以迅速將LED芯片70的發(fā)熱擴(kuò)散。
[0059]實(shí)施例二
[0060]圖2a為本實(shí)用新型實(shí)施例二的電子元件的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b為本實(shí)用新型實(shí)施例二電子元件的制造方法的流程圖，其中，與圖2a、圖2b中與圖1a?圖1e中相同的標(biāo)號(hào)具有相同的含義，如圖2a和圖2b所示，與上一實(shí)施例不同之處在于:該電子元件的堆積層包括交替層疊的多個(gè)絕緣層60和多個(gè)導(dǎo)電層50，相隔一個(gè)絕緣層60的每?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電層50的圖案化導(dǎo)電線路通過(guò)穿過(guò)該絕緣層60的連接部分而電性接觸。
[0061]具體地，如圖2b所示，該電子元件的制造方法與圖1b的主要區(qū)別在于，在執(zhí)行步驟1013之后，步驟101還可以包括以下步驟:
[0062]步驟1014、在前一圖案化導(dǎo)電線路上高溫?zé)Y(jié)絕緣介質(zhì)漿料，形成下一絕緣層31，并使所述下一絕緣層32暴露所述前一圖案化導(dǎo)電線路的預(yù)定部分；
[0063]例如:如圖2a所示，在燒結(jié)銀漿形成的前一圖案化導(dǎo)電線路(例如:實(shí)施例一中的蝕刻第一導(dǎo)電層12形成的第一圖案化導(dǎo)電線路)上，再高溫?zé)Y(jié)絕緣介質(zhì)漿料形成下一絕緣層31，并使所述下一絕緣層31暴露所述前一圖案化導(dǎo)電線路的預(yù)定部分33。圖2a中的絕緣層60可以包括第一絕緣層11和下一絕緣層31，其中，本實(shí)施例不對(duì)下一絕緣層31的層數(shù)進(jìn)行限制。
[0064]步驟1015、在所述下一絕緣層31上高溫?zé)Y(jié)導(dǎo)電漿料，形成下一導(dǎo)電層32。
[0065]步驟1016、對(duì)所述下一導(dǎo)電層32進(jìn)行蝕刻，形成下一圖案化導(dǎo)電線路，并使所述下一圖案化導(dǎo)電線路經(jīng)由所述預(yù)定部分與所述前一圖案化導(dǎo)電線路結(jié)合。
[0066]例如:如圖2a所示，以高溫?zé)Y(jié)銀漿圖案化導(dǎo)電線路形成下一導(dǎo)電層32，并和暴露的前一圖案化導(dǎo)電線路的預(yù)定部分33結(jié)合，這種方法形成的電子元件可以具有兩層的絕緣層60和兩層的導(dǎo)電層50。圖2a中的導(dǎo)電層50可以包括第一導(dǎo)電層12和下一導(dǎo)電層32，其中，本實(shí)施例不對(duì)下一導(dǎo)電層32的層數(shù)進(jìn)行限制。
[0067]此外，可以在執(zhí)行步驟1013之后，反復(fù)執(zhí)行步驟1014到步驟1016，便可制作完成具有多層絕緣層60和導(dǎo)電層50的堆積層。
[0068]如圖2a所示，在實(shí)施例二中，步驟104具體可以為:將所述LED芯片70可以覆晶安裝在下一導(dǎo)電層32上。
[0069]本實(shí)用新型電子元件的制造方法，將LED芯片70覆晶安裝在形成有包括交替層疊的兩個(gè)絕緣層60和兩個(gè)導(dǎo)電層50的堆積層的導(dǎo)熱體30上，利用導(dǎo)熱體30對(duì)LED芯片70進(jìn)行快速散熱，有利于提高LED芯片70的散熱性能，延長(zhǎng)使用壽命。此外，絕緣層60和導(dǎo)電層50都可以為多層，在并聯(lián)、串聯(lián)或增加不同組件時(shí)，導(dǎo)電層50的導(dǎo)線可以在多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中任意組合成導(dǎo)電線路。
[0070]以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型，而并非對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種電子元件，其特征在于，包括: 灌注有熱傳導(dǎo)介質(zhì)的導(dǎo)熱體(30)； 所述導(dǎo)熱體(30)上形成有堆積層，所述堆積層包括交替層疊的至少一個(gè)絕緣層(60)和至少一個(gè)導(dǎo)電層(50)，所述堆積層中與所述導(dǎo)熱體(30)直接接觸的為絕緣層(60)，所述堆積層中位于最外側(cè)的為導(dǎo)電層(50)，并且各所述導(dǎo)電層(50)被圖案化為導(dǎo)電線路； 所述堆積層的最外側(cè)導(dǎo)電層(50 )上覆晶安裝有至少一個(gè)LED芯片(70 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，所述LED芯片(70)包括沿水平方向依次排列的正電極(71)、負(fù)電極(72)以及隔離區(qū)(73)，其中所述水平方向?yàn)榕c所述最外側(cè)導(dǎo)電層(50)平行的方向， 所述隔離區(qū)(73)在所述最外側(cè)導(dǎo)電層(50)上的垂直投影位于所述正電極(71)和負(fù)電極(72)在所述最外側(cè)導(dǎo)電層(50)上的垂直投影之間， 所述隔離區(qū)(73)在所述水平方向上的中心線與所述LED芯片(70)在所述水平方向上的中軸線重疊，并且 所述隔離區(qū)(73)在所述水平方向的寬度(L2)不超過(guò)所述LED芯片在所述水平方向的寬度(LO)的三分之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件，其特征在于，所述LED芯片(70)的正電極(71)和負(fù)電極(72 )均經(jīng)由錫膏與所述最外側(cè)導(dǎo)電層(50 )電性接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件，其特征在于，所述LED芯片(70)的正電極(71)和負(fù)電極(72)均經(jīng)由銀膠與所述最外側(cè)導(dǎo)電層(50)電性接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件，其特征在于，所述LED芯片(70)的正電極(71)和負(fù)電極(72)均經(jīng)由共晶焊接方式與所述最外側(cè)導(dǎo)電層(50)電性接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電子元件，其特征在于，所述堆積層包括一個(gè)絕緣層(60 )和一個(gè)導(dǎo)電層(50 )。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電子元件，其特征在于，所述堆積層包括交替層疊的多個(gè)絕緣層(60)和多個(gè)導(dǎo)電層(50)，相隔一個(gè)絕緣層(60)的每?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電層(50)的圖案化導(dǎo)電線路通過(guò)穿過(guò)該絕緣層(60 )的連接部分而電性接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電子元件，其特征在于，所述導(dǎo)熱體(30)包括第一導(dǎo)熱板(10)和第二導(dǎo)熱板(20)，所述第一導(dǎo)熱板(10)與所述第二導(dǎo)熱板(20)結(jié)合形成的空腔中內(nèi)置有網(wǎng)狀材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子元件，其特征在于，所述導(dǎo)熱體(30)包括第一導(dǎo)熱板(10)和第二導(dǎo)熱板(20)，所述第一導(dǎo)熱板(10)與所述第二導(dǎo)熱板(20)結(jié)合形成的空腔中內(nèi)置有網(wǎng)狀材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于，所述導(dǎo)熱體(30)包括第一導(dǎo)熱板(10)和第二導(dǎo)熱板(20)，所述第一導(dǎo)熱板(10)與所述第二導(dǎo)熱板(20)結(jié)合形成的空腔中內(nèi)置有網(wǎng)狀材料。
【文檔編號(hào)】H01L33/64GK203491305SQ201320420812
【公開(kāi)日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月15日
【發(fā)明者】劉艷, 吳冠辰, 吳裕朝 申請(qǐng)人:劉艷