專利名稱：傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及影像檢測技術(shù)，特別是涉及一種傳感器。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(The Film Transistor,簡稱TFT)平板X射線傳感器是數(shù)字影像技術(shù)中至關(guān)重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空間及密度分辨率、高信噪比、直接數(shù)字輸出等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于醫(yī)學(xué)影像(如X光胸透)、工業(yè)檢測(如金屬探傷)、安保檢測、航空運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域?，F(xiàn)有的TFT平板X射線傳感器的結(jié)構(gòu)如圖1所示，依次包括:基板1、位于基板I上的柵電極10、位于柵電極10上的柵絕緣層11、位于柵絕緣層11上的有源層12A及歐姆接觸層12B、位于歐姆接觸層12B上且位于同一層的漏極13A、源極13B和與源極13B連接的數(shù)據(jù)線(圖中未示)、位于漏極13A和源極13B上的鈍化層14、位于鈍化層14上的第一 ITO(Indium-Tin Oxide,氧化銦錫)層15A、位于第一 ITO層15A上的絕緣層16、位于絕緣層16上的第二 ITO層15B、位于第二 ITO層15B上的公共電極17、位于公共電極17上且用于粘合樹脂層19的樹脂緩沖層18、位于樹脂緩沖層18上的樹脂層19、以及位于樹脂層19上的用于收集載流子的第三ITO層15C ;光電轉(zhuǎn)化層位于第三ITO層15C上；其中，第一 ITO層15A與第三ITO層15C連接且第一 ITO層15A用于作為存儲電容的一個(gè)極板，第二 ITO層15B和公共電極17連接且第二 ITO層15B用于作為存儲電容的另一個(gè)極板?，F(xiàn)有的TFT平板X射線傳感器在制備過程中，一般需要經(jīng)過10次構(gòu)圖工藝完成，而由于每一次構(gòu)圖工藝中一般都包括掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，所以構(gòu)圖工藝的次數(shù)可以衡量制造TFT平板X射線傳感器的繁簡程度，在TFT平板X射線傳感器的制造過程中，采用的 構(gòu)圖工藝的次數(shù)越少，則生產(chǎn)時(shí)間就越短、生產(chǎn)效率就越高、制造成本也就越低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種傳感器，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不需要單獨(dú)的第一 ITO層和第二 ITO層，簡化了結(jié)構(gòu)。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:一種傳感器，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的多個(gè)像素單元；所述像素單元包括柵極層、有源層和源漏極層；所述柵極層包括柵極和公共電極，位于所述柵極層的公共電極和位于所述源漏極層的源極之間形成存儲電容?？蛇x地，所述源漏極層位于所述襯底基板上，包括相對而置的源極和漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，且所述源極用于作為存儲電容的一個(gè)極板；所述像素單元還包括:位于所述源極和漏極上的歐姆接觸層，所述有源層位于所述歐姆接觸層上且覆蓋所述溝道；[0011]位于所述有源層、襯底基板和源極上的柵極絕緣層，所述柵極和公共電極位于所述柵極絕緣層上且所述公共電極用于作為存儲電容的另一個(gè)極板；位于所述柵極和公共電極上的鈍化層，所述鈍化層中與所述源極對應(yīng)的位置形成信號引導(dǎo)區(qū)過孔；位于鈍化層上的用于收集載流子的導(dǎo)電薄膜層，所述導(dǎo)電薄膜層通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔與所述源極接觸?；蛘?，可選地，所述柵極和公共電極位于所述襯底基板上，所述公共電極用于作為存儲電容的一個(gè)極板；所述像素單元還包括:位于所述柵極和公共電極上的柵極絕緣層，所述有源層位于所述柵極絕緣層上；所述源漏極層位于所述有源層上，包括相對而置的源極和漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，且所述源極用于作為存儲電容的另一個(gè)極板；位于所述源漏極層上的鈍化層，所述鈍化層中與所述源極對應(yīng)的位置形成信號引導(dǎo)區(qū)過孔；位于鈍化層上的用于收集載流子的導(dǎo)電薄膜層，所述導(dǎo)電薄膜層通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔與所述源極接觸。 優(yōu)選地，所述柵極和公共電極位于同一層，所述源極和漏極位于同一層。優(yōu)選地，上述傳感器還包括位于所述導(dǎo)電薄膜層上的光電轉(zhuǎn)化層。優(yōu)選地，上述傳感器還包括位于所述襯底基板上的呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線，所述像素單元位于柵線和數(shù)據(jù)線所界定的陣列內(nèi)；所述漏極與相鄰的數(shù)據(jù)線連接，所述柵極與相鄰的柵線連接。優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線與源極和漏極位于同一層，所述柵線與柵極和公共電極位于
同一層。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電薄膜層是氧化銦錫或銦鋅氧化物的導(dǎo)電薄膜層。優(yōu)選地，上述傳感器為X射線傳感器。本實(shí)用新型提供的傳感器，位于所述柵極層的公共電極和位于所述源漏極層的源極之間形成存儲電容。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的傳感器不需要單獨(dú)的第一 ITO層和第二 ITO層，簡化了結(jié)構(gòu)，進(jìn)而使得傳感器的生產(chǎn)效率提高、制造成本下降。

圖1為現(xiàn)有的TFT平板X射線傳感器的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本實(shí)用新型的第一個(gè)實(shí)施例的傳感器的局部俯視圖；圖3為本實(shí)用新型的第一個(gè)實(shí)施例的傳感器的制造方法流程示意圖；圖4為圖2的A-A處在第一次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖5為圖2的B-B處在第一次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖6為圖2的C-C處在第一次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖7為圖2的A-A處在第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖8為圖2的B-B處在第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖9為圖2的C-C處在第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；[0035]圖10為圖2的A-A處在第三次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖11為圖2的B-B處在第三次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖12為圖2的C-C處在第三次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖13為圖2的A-A處在第四次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖14為圖2的B-B處在第四次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖15為圖2的C-C處在第四次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖16為圖2的A-A處在第五次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖17為圖2的B-B處在第五次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖18為圖2的C-C處在第五次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖19為圖2的A-A處在第六次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖20為圖2的B-B處在第六次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖21為圖2的C-C處在第六次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖22為本實(shí)用新型第二個(gè)實(shí)施例提供的傳感器的局部俯視圖；圖23為本實(shí)用新型第 二個(gè)實(shí)施例提供的傳感器的制造方法流程示意圖；圖24為圖22的A-A處在第一次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖25為圖22的B-B處在第一次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖26為圖22的A-A處在第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖27為圖22的B-B處在第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖28為圖22的A-A處在第三次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖29為圖22的B-B處在第三次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖30為圖22的A-A處在第四次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖31為圖22的B-B處在第四次構(gòu)圖工藝后的截面視圖。主要附圖標(biāo)記說明如下:現(xiàn)有技術(shù):I基板，10柵電極，11柵絕緣層，12A有源層，12B歐姆接觸層，13A漏極，13B源極，14鈍化層，15A第一 ITO層，15B第二 ITO層，15C第三ITO層，16絕緣層，17公共電極，18樹脂緩沖層，19樹脂層；第一個(gè)實(shí)施例:21柵極，22公共電極，23數(shù)據(jù)線，24漏極，25源極，26襯底基板，27歐姆接觸層，28有源層，29柵極絕緣層，30鈍化層，31信號引導(dǎo)區(qū)過孔，32導(dǎo)電薄膜層；第二個(gè)實(shí)施例:41信號引導(dǎo)區(qū)過孔，42柵極，43數(shù)據(jù)線，44襯底基板，45公共電極，46漏極，47有源層，48源極，49柵極絕緣層，50鈍化層,51導(dǎo)電薄膜層。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的傳感器，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的多個(gè)像素單元；所述像素單元包括柵極層、有源層和源漏極層；所述柵極層包括柵極和公共電極，其中，位于所述柵極層的公共電極和位于所述源漏極層的源極之間形成存儲電容。本實(shí)用新型提供的傳感器，位于所述柵極層的公共電極和位于所述源漏極層的源極之間形成存儲電容。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的傳感器不需要單獨(dú)的第一 ITO層和第二 ITO層，簡化了結(jié)構(gòu)，進(jìn)而使得傳感器的生產(chǎn)效率提高、制造成本下降。
以下結(jié)合附圖及具體實(shí)例來進(jìn)一步介紹本實(shí)用新型提供的方案。本實(shí)用新型的第一個(gè)實(shí)施例的傳感器，如圖2和圖4至圖28所示，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的多個(gè)像素單元；所述像素單元包括:位于所述襯底基板上的源漏極層，包括相對而置的源極和漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，且所述源極用于作為存儲電容的一個(gè)極板；位于所述源極和漏極上的歐姆接觸層；位于所述歐姆接觸層上且覆蓋所述溝道的有源層；位于所述有源層、襯底基板和源極上的柵極絕緣層；位于所述柵極絕緣層上的柵極層，包括柵極和公共電極且所述公共電極用于作為存儲電容的另一個(gè)極板； 位于所述柵極和公共電極上的鈍化層，所述鈍化層中與所述源極對應(yīng)的位置形成信號引導(dǎo)區(qū)過孔；位于鈍化層上的用于收集載流子的導(dǎo)電薄膜層，所述導(dǎo)電薄膜層通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔與所述源極接觸。本實(shí)施例的傳感器，所述源極用于作為存儲電容的一個(gè)極板，所述導(dǎo)電薄膜層通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔與所述源極接觸；所述公共電極用于作為存儲電容的另一個(gè)極板。這樣，與導(dǎo)電薄膜層接觸的源極作為存儲電容的一個(gè)極板，公共電極作為存儲電容的另一個(gè)極板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例的傳感器不需要單獨(dú)的第一ITO層和第二ITO層，簡化了結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，所述源極和漏極位于同一層，所述柵極和公共電極位于同一層。這樣，進(jìn)一步簡化了結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，還包括位于導(dǎo)電薄膜層上的光電轉(zhuǎn)化層。進(jìn)一步地，還包括位于所述襯底基板上的呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線，所述像素單元位于柵線和數(shù)據(jù)線所界定的陣列內(nèi)；所述漏極與相鄰的數(shù)據(jù)線連接，所述柵極與相鄰的柵線連接。具體地，所述數(shù)據(jù)線與源極和漏極位于同一層，所述柵線與柵極和公共電極位于同一層。這樣，進(jìn)一步簡化了結(jié)構(gòu)。具體地，所述導(dǎo)電薄膜層是氧化銦錫或銦鋅氧化物的導(dǎo)電薄膜層。具體地，所述傳感器為X射線傳感器。如圖3所示，本實(shí)施例的傳感器的制造方法可共包括六次構(gòu)圖工藝，具體為:[0090]步驟101、在襯底基板26上通過一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線23、漏極24和源極25的圖形；即形成源漏極層，所述源極和漏極位于同一層且所述源極25和漏極24相對而置形成溝道且所述源極25用于作為存儲電容的一個(gè)極板；第一次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖4、圖5和圖6所示；一次構(gòu)圖工藝通常包括基板清洗、成膜、光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序；對于金屬層通常采用物理氣相沉積方式(例如磁控濺射法)成膜，通過濕法刻蝕形成圖形，而對于非金屬層通常采用化學(xué)氣相沉積方式成膜，通過干法刻蝕形成圖形，以下步驟道理相同，不再贅述。步驟102、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于源極25和漏極24之上的歐姆接觸層27的圖形；第二次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖7、圖8和圖9所示；步驟103、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于歐姆接觸層27上的覆蓋溝道的有源層28的圖形；第三次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖10、圖11和圖12所示；步驟104、形成覆蓋有源層28，襯底基板26，數(shù)據(jù)線23和源極25上的柵極絕緣層29，并通過一次構(gòu)圖工藝形成位于柵極絕緣層29上、溝道上方的柵極21的圖形、柵極21連接線的柵線和公共電極22的圖形；即形成位于所述柵極絕緣層上的柵極和公共電極，所述柵極21和公共電極22位于同一層即柵極層且所述公共電極22用于作為存儲電容的另一個(gè)極板；第四次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖13、圖14和圖15所示；步驟105、通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋柵極21，公共電極22和柵極絕緣層29的鈍化層30的圖形，所述鈍化層30中與所述源極對應(yīng)的位置形成信號引導(dǎo)區(qū)過孔31 ;第五次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖16、圖17和圖18所示；步驟106、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于鈍化層30上的用于收集載流子的導(dǎo)電薄膜層32的圖形，所述導(dǎo)電薄膜層32通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔31與所述源極25接觸；第六次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照 圖19、圖20和圖21所示。進(jìn)一步地，還可以在所述導(dǎo)電薄膜層32的上方制作一層光電轉(zhuǎn)化層；該光電轉(zhuǎn)化層可以是由對X射線敏感的材料硒等來制作。此外，步驟101和步驟102也可替換為一次構(gòu)圖工藝完成，具體為:在襯底基板26上連續(xù)沉積數(shù)據(jù)線23、源極25、漏極24和歐姆接觸層27，通過一次灰色調(diào)掩模板形成數(shù)據(jù)線23、源極25、漏極24和歐姆接觸層27的圖形。其中通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層30時(shí)，可使用灰色調(diào)掩模板，將需要保留導(dǎo)電薄膜層32的區(qū)域半曝光，信號引導(dǎo)區(qū)過孔31刻蝕完成后通過灰化工藝將該區(qū)域暴露，沉積導(dǎo)電薄膜層32后剝離光刻膠即可完成圖形化工藝。可見，本實(shí)用新型第一個(gè)的實(shí)施例的傳感器的制造方法可共采用五次或六次構(gòu)圖工藝，對比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。本實(shí)用新型的第二個(gè)實(shí)施例的傳感器，如圖22和圖24至圖31所示，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的多個(gè)像素單元；所述像素單元包括:位于所述襯底基板上的柵極層，包括柵極和公共電極且所述公共電極用于作為存儲電容的一個(gè)極板；[0105]位于所述柵極和公共電極上的柵極絕緣層；位于所述柵極絕緣層上的有源層；位于所述有源層上的源漏極層，包括相對而置的源極和漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，且所述源極用于作為存儲電容的另一個(gè)極板；位于所述源漏極層上的鈍化層，所述鈍化層中與所述源極對應(yīng)的位置形成信號引導(dǎo)區(qū)過孔；位于鈍化層上的用于收集載流子的導(dǎo)電薄膜層，所述導(dǎo)電薄膜層通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔與所述源極接觸。本實(shí)施例的傳感器，所述公共電極用于作為存儲電容的一個(gè)極板；所述源極用于作為存儲電容的另一個(gè)極板，所述導(dǎo)電薄膜層通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔與所述源極接觸。這樣，公共電極作為存儲電容的一個(gè)極板；與導(dǎo)電薄膜層接觸的源極作為存儲電容的一個(gè)極板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例的傳感器不需要單獨(dú)的第一 ITO層和第二 ITO層，簡化了結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，所述柵極和公共電極位于同一層，所述源極和漏極位于同一層。這樣，進(jìn)一步簡化了結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，還包括位于所述導(dǎo)電薄膜層上的光電轉(zhuǎn)化層。進(jìn)一步地，還包括位于所述襯底基板上的呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線，所述像素單元位于柵線和數(shù)據(jù)線所界定的陣列內(nèi)；所述漏極與相鄰的數(shù)據(jù)線連接，所述柵極與相鄰的柵線連接。具體地，所述數(shù)據(jù)線與源極和漏極位于同一層，所述柵線與柵極和公共電極位于同一層。這樣，進(jìn)一步簡化了結(jié)構(gòu)。
具體地，所述導(dǎo)電薄膜層是氧化銦錫或銦鋅氧化物的導(dǎo)電薄膜層。具體地，所述傳感器為X射線傳感器。如圖23所示，本實(shí)施例的傳感器的制造方法可共包括四次構(gòu)圖工藝，具體為:步驟201、在襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成柵極42和公共電極45的圖形；SP形成柵極層，所述柵極42和公共電極45位于同一層即柵極層且所述公共電極45用于作為存儲電容的另一個(gè)極板；第一次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖24和圖25所示；步驟202、形成覆蓋柵極和公共電極上的柵極絕緣層49，并通過一次構(gòu)圖工藝形成位于柵極絕緣層49之上的有源層47的圖形，以及位于有源層47之上的源極48、漏極46和數(shù)據(jù)線43的圖形；即形成源漏極層，所述源極48和漏極46位于同一層即源漏極層且所述源極48和漏極46相對而置形成溝道，且所述源極用于作為存儲電容的另一個(gè)極板；第二次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖26和圖27所示；步驟203、通過一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋源漏極層的鈍化層50的圖形，所述鈍化層50中與所述源極48對應(yīng)的位置形成信號引導(dǎo)區(qū)過孔41 ;第三次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖28和圖29所示；步驟204、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于鈍化層50上的用于收集載流子的導(dǎo)電薄膜層51的圖形，所述導(dǎo)電薄膜層51通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔41與所述源極48接觸；第四次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請參照圖30和圖31所示。進(jìn)一步地，還可以在所述導(dǎo)電薄膜層32的上方制作一層光電轉(zhuǎn)化層；該光電轉(zhuǎn)化層可以是由對X射線敏感的材料硒等來制作。[0123]其中通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層時(shí)，可使用灰色調(diào)掩模板，將需要保留導(dǎo)電薄膜層51的區(qū)域半曝光，信號引導(dǎo)區(qū)過孔41刻蝕完成后通過灰化工藝將該區(qū)域暴露，沉積導(dǎo)電薄膜層51后剝離光刻膠即可完成圖形化工藝?？梢姡緦?shí)用新型的第二個(gè)實(shí)施例的傳感器的制造方法可共采用四次構(gòu)圖工藝，對比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù) 的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種傳感器，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的多個(gè)像素單元；所述像素單元包括柵極層、有源層和源漏極層；其特征在于:所述柵極層包括柵極和公共電極，位于所述柵極層的公共電極和位于所述源漏極層的源極之間形成存儲電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述源漏極層位于所述襯底基板上，包括相對而置的源極和漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，且所述源極用于作為存儲電容的一個(gè)極板； 所述像素單元還包括: 位于所 述源極和漏極上的歐姆接觸層，所述有源層位于所述歐姆接觸層上且覆蓋所述溝道； 位于所述有源層、襯底基板和源極上的柵極絕緣層，所述柵極和公共電極位于所述柵極絕緣層上且所述公共電極用于作為存儲電容的另一個(gè)極板； 位于所述柵極和公共電極上的鈍化層，所述鈍化層中與所述源極對應(yīng)的位置形成信號引導(dǎo)區(qū)過孔； 位于鈍化層上的用于收集載流子的導(dǎo)電薄膜層，所述導(dǎo)電薄膜層通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔與所述源極接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述柵極和公共電極位于所述襯底基板上，所述公共電極用于作為存儲電容的一個(gè)極板； 所述像素單元還包括: 位于所述柵極和公共電極上的柵極絕緣層，所述有源層位于所述柵極絕緣層上；所述源漏極層位于所述有源層上，包括相對而置的源極和漏極，所述源極和漏極之間形成有溝道，且所述源極用于作為存儲電容的另一個(gè)極板； 位于所述源漏極層上的鈍化層，所述鈍化層中與所述源極對應(yīng)的位置形成信號引導(dǎo)區(qū)過孔； 位于鈍化層上的用于收集載流子的導(dǎo)電薄膜層，所述導(dǎo)電薄膜層通過信號引導(dǎo)區(qū)過孔與所述源極接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的傳感器，其特征在于，所述柵極和公共電極位于同一層，所述源極和漏極位于同一層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的傳感器，其特征在于，還包括位于所述導(dǎo)電薄膜層上的光電轉(zhuǎn)化層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的傳感器，其特征在于，還包括位于所述襯底基板上的呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線，所述像素單元位于柵線和數(shù)據(jù)線所界定的陣列內(nèi)；所述漏極與相鄰的數(shù)據(jù)線連接，所述柵極與相鄰的柵線連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的傳感器，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與源極和漏極位于同一層，所述柵線與柵極和公共電極位于同一層。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜層是氧化銦錫或銦鋅氧化物的導(dǎo)電薄膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述傳感器為X射線傳感器。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種傳感器，包括襯底基板和位于襯底基板上的多個(gè)像素單元；所述像素單元包括柵極層、有源層和源漏極層；其特征在于所述柵極層包括柵極和公共電極，位于所述柵極層的公共電極和位于所述源漏極層的源極之間形成存儲電容。本實(shí)用新型，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不需要單獨(dú)的第一ITO層和第二ITO層，簡化了結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L27/146GK203085544SQ20132005101
公開日2013年7月24日 申請日期2013年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月29日
發(fā)明者徐少穎, 謝振宇, 陳旭 申請人:北京京東方光電科技有限公司