一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和封裝蓋板，所述封裝蓋板和玻璃基板形成封閉空間，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極容置在所述封閉空間內(nèi)，所述陽極包括依次疊層設(shè)置在玻璃基板上的第一無機層、金屬層和第二無機層，其中，第一無機層的材質(zhì)為鑭金屬化合物，金屬層的材質(zhì)為金、銀、鋁，第二無機層的材質(zhì)為Ⅷ族的金屬氧化物、ⅥB族的金屬氧化物或ⅦB族的金屬氧化物，該陽極對可見光具有非常高的透過率以及較高的導(dǎo)電率和較高的功函，有利于提高器件的發(fā)光效率；本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光二極管(OLED)具有一種類似三明治的結(jié)構(gòu)，其上下分別是陰極和陽極，二個電極之間夾著單層或多層不同材料種類和不同結(jié)構(gòu)的有機材料功能層，依次為空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。有機電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件，在陽極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽極，電子從陰極分別注入到工作器件的有機材料層中，兩種載流子在有機發(fā)光材料中形成空穴-電子對發(fā)光，然后光從電極一側(cè)發(fā)出。
[0003]目前，OLED在照明和顯示領(lǐng)域的應(yīng)用還沒有大規(guī)模開展，除了光效，使用壽命等方面還未完全達(dá)到市場需求外，價格因素也是制約其大量應(yīng)用的一個重要原因。通常，OLED需要采用氧化銦錫(ΙΤ0)作為陽極，因為ITO具有較高的可見光透過率和較高的導(dǎo)電率，但是金屬銦作為一種貴金屬材料，價格高昂且儲量稀少，因此OLED的價格難以降下來，此外，為了進(jìn)一步提高OLED的發(fā)光效率，還需要將該陽極進(jìn)行優(yōu)化，以利于空穴的注入，并且所采用的材料必須對可見光具有較高的透過率，以便于器件的出光。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中已有報道替代ITO的材料，如印刷有機導(dǎo)電薄膜PED0T-PSS，但是其導(dǎo)電性能較差；而金屬薄膜如Ag，Au等對可見光的透過率較低，也難以大規(guī)模應(yīng)用。有研究者開發(fā)了介質(zhì)層-金屬層-介質(zhì)層(DMD)薄膜，該薄膜將金屬薄膜夾在兩個高折射率的無機物中，調(diào)節(jié)三者的厚度，使光線在這三個薄膜以及薄膜間的界面發(fā)生干涉相消的現(xiàn)象，提高其對可見光的過濾，并且DMD薄膜材料的導(dǎo)電性能也非常好。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和封裝蓋板，所述封裝蓋板和玻璃基板形成封閉空間，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極容置在所述封閉空間內(nèi)，所述陽極包括依次疊層設(shè)置在玻璃基板上的第一無機層、金屬層和第二無機層，其中，所述第一無機層的材質(zhì)為鑭金屬氧化物、鑭金屬氟化物或鑭金屬硼化物，所述金屬層的材質(zhì)為金、銀、鋁，所述第二無機層的材質(zhì)為珊族、VI B族或Vn B族的金屬氧化物；本發(fā)明提供的該有機電致發(fā)光器件采用新型陽極結(jié)構(gòu)，具有較高的透過率、導(dǎo)電性能和空穴注入效率，有利于制備高效的OLED器件；本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法取材容易，工藝簡單。
[0006]一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和封裝蓋板，所述封裝蓋板和玻璃基板形成封閉空間，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極容置在所述封閉空間內(nèi)，所述陽極包括依次疊層設(shè)置在玻璃基板上的第一無機層、金屬層和第二無機層，其中，所述第一無機層的材質(zhì)為鑭金屬氧化物、鑭金屬氟化物或鑭金屬硼化物，所述金屬層的材質(zhì)為金、銀、鋁，所述第二無機層的材質(zhì)為珊族的金屬氧化物、VI B族的金屬氧化物或VII B族的金屬氧化物。
[0007]優(yōu)選地，所述鑭金屬氧化物為氧化鑭(La2O3),所述鑭金屬氟化物為氟化鑭(LaF3),所述鑭金屬硼化物為六硼化鑭(LaB6)。
[0008]優(yōu)選地，所述VDI族的金屬氧化物為氧化鎳(N1)、所述VI B族的金屬氧化物為三氧化鑰(MoO3)或三氧化鶴(WO3),所述VII B族的金屬氧化物為三氧化錸(ReO3)。
[0009]優(yōu)選地，所述第一無機層的厚度為40nm-100nm,所述金屬層的厚度為8nm-20nm,所述第二無機層厚度為3nm-10nm。
[0010]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，所述穴傳輸層的厚度為40nm。
[0011]優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7-四氫基_1，1,7, 7-四甲基-1H，5H，11H-[1]苯并吡喃基[6，7，8-1J]喹嗪_11_酮(C545T)摻雜的8-羥基喹啉鋁(Alq3)的混合材料，所述混合材料中Alq3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，所述發(fā)光層的厚度為1nm0
[0012]優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為氟化鋰(LiF)，厚度為lnm。
[0013]優(yōu)選地,所述陰極的材質(zhì)為金屬銀(Ag),為厚度為lOOnm。
[0014]優(yōu)選地，所述封裝蓋板為玻璃蓋板。
[0015]現(xiàn)有技術(shù)有機電致發(fā)光器件通常采用ITO作為陽極，但金屬銦價格高昂且儲量稀少；印刷有機導(dǎo)電薄膜PED0T-PSS，但是其導(dǎo)電性能較差；而金屬薄膜如Ag，Au等對可見光的透過率較低，也難以大規(guī)模應(yīng)用。
[0016]本發(fā)明采用鑭金屬的氧化物、氟化物或硼化物如La203、LaF3> LaB6作為陽極第一無機層的材料，由于金屬鑭的化合物對可見光具有非常高的透過率，其透光范圍包括
0.2 μ m-2 μ m,因此，該第一無機層的設(shè)置能提高陽極對可見光透過率；其次，本發(fā)明采用金屬如Ag、Au或Al作為陽極金屬導(dǎo)電層的材料，能提高陽極的導(dǎo)電性能；采用珊族、VIB族或VD B族的金屬氧化物如Re03、WO3> MoO3或N1作為陽極第二無機層的材料，由于所述VDI族、VIB族或VIIB族的金屬氧化物具有較高的空穴遷移率，因此能提高陽極的空穴注入效率，進(jìn)而提高器件發(fā)光效率；本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件具有較高的透過率、導(dǎo)電性能及發(fā)光效率，且取材方便，改善了上述現(xiàn)有技術(shù)出現(xiàn)的問題。
[0017]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0018](I)取潔凈玻璃基板置于真空鍍膜室中，設(shè)置真空度為I X 10_5ρ-1 X 10_3Pa，采用熱蒸鍍的方法在所述玻璃基板上依次制備第一無機層、金屬層和第二無機層，形成陽極，其中，所述第一無機層的材質(zhì)為鑭金屬氧化物、鑭金屬氟化物或鑭金屬硼化物，所述金屬層的材質(zhì)為金、銀、鋁，所述第二無機層的材質(zhì)為珊族的金屬氧化物、VI B族的金屬氧化物或Vn B族的金屬氧化物，蒸鍍速率為0.05nm/s-lnm/s ；
[0019](2)在所述陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，蒸鍍速率為0.05nm/s-lnm/s ；
[0020](3)在所述陰極上覆蓋封裝蓋板，所述封裝蓋板和玻璃基板通過光固化粘合劑連接形成封閉空間，將所述陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極容置在所述封閉空間內(nèi)，得到所述有機電致發(fā)光器件。
[0021]優(yōu)選地，所述鑭金屬氧化物為La2O3，所述鑭金屬氟化物為LaF3，所述鑭金屬硼化物為 LaB6。
[0022]優(yōu)選地，所述VDI族的金屬氧化物為Ni O、所述VIB族的金屬氧化物為MoO3或WO3,所述Vn B族的金屬氧化物為ReO3。
[0023]優(yōu)選地，所述第一無機層的厚度為40nm-100nm,所述金屬層的厚度為8nm-20nm,所述第二無機層厚度為3nm-10nm。
[0024]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，所述穴傳輸層的厚度為40nm。
[0025]優(yōu)選地,所述發(fā)光層的材質(zhì)為C545T摻雜的Alq3的混合材料,所述混合材料中Alq3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，所述發(fā)光層的厚度為10nm。
[0026]優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為LiF,厚度為lnm。
[0027]優(yōu)選地,所述陰極的材質(zhì)為金屬Ag,為厚度為lOOnm。
[0028]制備完陰極后，在陰極上覆蓋封裝蓋板進(jìn)行封裝，并在封裝蓋板和玻璃基底形成的密閉空間中設(shè)置干燥劑，便于測試和防止水、氧對器件的侵蝕。
[0029]優(yōu)選地，所述封裝蓋板為玻璃蓋板。
[0030]優(yōu)選地，所述封裝蓋板與所述玻璃基板形成的封閉空間中設(shè)置有干燥劑。
[0031]優(yōu)選地，所述干燥劑為氧化鋇(BaO)或氧化鈣(CaO)。
[0032]優(yōu)選地，所述光固化粘合劑為光固化聚丙烯酸樹脂或光固化環(huán)氧樹脂。
[0033]本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，該方法采用大量無機材料制備器件的功能層，取材容易，工藝簡單；本發(fā)明還在陰極上設(shè)置了封裝蓋板，可以更好地阻擋外界水、氧對器件的侵蝕，進(jìn)一步提高器件的使用壽命。
[0034]實施本發(fā)明實施例，具有以下有益效果:
[0035](I)本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件采用La203、LaF3、LaB6作為陽極第一無機層的材料，相對于Ti02、A1203、SnO2等常用無機化合物，金屬鑭的化合物對可見光具有更高的透過率，透光范圍為0.2 μ m-2 μ m ;其次，本發(fā)明采用Ag、Au或Al作為陽極金屬導(dǎo)電層的材料，能提高陽極的導(dǎo)電性能；采用具有較高的空穴遷移率的Re03、WO3、MoO3或N1作為陽極第二無機層的材料，能提高陽極的空穴注入效率，進(jìn)而提高器件的發(fā)光效率；因此，本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件具有較高的透過率、導(dǎo)電性能及發(fā)光效率，且取材方便，改善了上述現(xiàn)有技術(shù)出現(xiàn)的問題；
[0036](2)本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件在陰極上設(shè)置了封裝蓋板，封裝蓋板與所述玻璃基板形成的封閉空間中設(shè)置有干燥劑，可以更好地阻擋外界水、氧對器件的侵蝕，進(jìn)一步提聞器件的使用壽命；
[0037](3)本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，該方法采用大量無機材料制備器件的功能層，取材容易，工藝簡單。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例1-2提供的有機電致發(fā)光器件的亮度與操作時間關(guān)系圖。

【具體實施方式】
[0040]下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0041]實施例1
[0042]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0043](I)提供玻璃基板，將所述玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干；將潔凈后的玻璃基板置于真空度為lX10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述玻璃基板上依次蒸渡第一無機層，金屬層和第二無機層，形成陽極，得到具有陽極的玻璃基板，其中，所述第一無機層的材質(zhì)為La2O3,厚度為40nm,蒸鍍速率為0.5nm/s,所述金屬層的材質(zhì)為Ag,厚度為1nm,蒸鍍速率為0.lnm/s,所述第二無機層的材質(zhì)為MoO3,厚度為5nm,蒸鍍速率為0.05nm/s ；
[0044](2)再在所述陽極上依次蒸鍍空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其中，空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB,厚度為40nm,蒸鍍速度為0.5nm/s,發(fā)光層的材質(zhì)為C545T摻雜Alq3 (Alq3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%)，厚度為10nm，蒸鍍速度為0.lnm/s,電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm，蒸鍍速度為0.2nm/s,電子注入層的材質(zhì)為LiF，厚度為lnm,蒸鍍速度為0.05nm/s,陰極的材質(zhì)為Ag,厚度為10nm,蒸鍍速度為lnm/s ；
[0045](3)隨后在陰極上覆蓋玻璃蓋板，所述玻璃蓋板通過光固化環(huán)氧樹脂和玻璃基板連接，玻璃基板和玻璃蓋板形成封閉空間，陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極容置在該封閉空間內(nèi)，制得有機電致發(fā)光器件，該器件包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和玻璃蓋板，具體結(jié)構(gòu)表示為:玻璃基板 /La2O3 (40nm) /Ag (1nm) /MoO3 (5nm) /NPB (40nm) /C545T: Alq3 (10%, 1nm)/TPBi (30nm) /LiF(Inm) /Ag (10nm) /玻璃蓋板，其中，C545T:Alq3 (10%, 1nm)中 10%表示Alq3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%,斜杠“/”表不層狀結(jié)構(gòu)，C545T:Alq3中的冒號“:”表不混合，下同。
[0046]圖1為本實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板101、第一無機層102、金屬層103、第二無機層104、空穴傳輸層105、發(fā)光層106、電子傳輸層107、電子注入層108、陰極109和玻璃蓋板110,其中，第一無機層102的材質(zhì)為La2O3,厚度為40nm,金屬層103的材質(zhì)為Ag,厚度為10nm，第二無機層104的材質(zhì)為MoO3，厚度為5nm，空穴傳輸層105的材質(zhì)為NPB，厚度為40nm,發(fā)光層106的材質(zhì)為C545T摻雜Alq3Ulq3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%)，厚度為10nm，電子傳輸層107的材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm，電子注入層108的材質(zhì)為LiF，厚度為lnm，陰極109的材質(zhì)為Ag,厚度為10nm,該實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)可以表不為:玻璃基板 /La2O3 (40nm)/Ag (1nm)/MoO3 (5nm)/NPB (40nm)/C545T: Alq3 (10%, 1nm) /TPBi (30nm) /LiF(lnm)/Ag(100nm)/玻璃蓋板，其中，C545T:Alq3(10%，1nm)中 10%表示 Alq3 的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%,斜杠“/”表不層狀結(jié)構(gòu)，C545T:Alq3中的冒號“:”表不混合。
[0047]實施例2
[0048]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0049](I)提供玻璃基板，將所述玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干；將潔凈后的玻璃基板置于真空度為lX10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述玻璃基板上依次蒸渡第一無機層，金屬層和第二無機層，形成陽極，得到具有陽極的玻璃基板，其中，所述第一無機層的材質(zhì)為LaF3,厚度為10nm,蒸鍍速率為lnm/s,所述金屬層的材質(zhì)為Au,厚度為8nm,蒸鍍速率為0.lnm/s，所述第二無機層的材質(zhì)為WO3，厚度為10nm，蒸鍍速率為0.05nm/s ；
[0050](2)再在所述陽極上依次蒸鍍空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，方法如實施例1所述；
[0051](3)隨后在陰極上覆蓋玻璃蓋板，所述玻璃蓋板通過光固化環(huán)氧樹脂和玻璃基板連接，玻璃基板和玻璃蓋板形成封閉空間，陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極容置在該封閉空間內(nèi)，制得有機電致發(fā)光器件，該器件包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和玻璃蓋板，具體結(jié)構(gòu)表示為:玻璃基板 /LaF3 (10nm) /Au (8nm) /WO3 (1nm) /NPB (40nm) /C545T: Alq3 (10%, 1nm)/TPBi (30nm) /LiF(Inm) /Ag (10nm) / 玻璃蓋板。
[0052]實施例3
[0053]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0054](I)提供玻璃基板，將所述玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干；將潔凈后的玻璃基板置于真空度為lX10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述玻璃基板上依次蒸渡第一無機層，金屬層和第二無機層，形成陽極，得到具有陽極的玻璃基板，其中，所述第一無機層的材質(zhì)為LaB6,厚度為50nm,蒸鍍速率為lnm/s,所述金屬層的材質(zhì)為Al,厚度為20nm,蒸鍍速率為0.lnm/s,所述第二無機層的材質(zhì)為ReO3,厚度為3nm,蒸鍍速率為0.05nm/s ；
[0055](2)再在所述陽極上依次蒸鍍空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，方法如實施例1所述；
[0056](3)隨后在陰極上覆蓋玻璃蓋板，所述玻璃蓋板通過光固化環(huán)氧樹脂和玻璃基板連接，玻璃基板和玻璃蓋板形成封閉空間，陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極容置在該封閉空間內(nèi)，制得有機電致發(fā)光器件，該器件包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和玻璃蓋板，具體結(jié)構(gòu)表示為:玻璃基板 /LaB6 (50nm)/Al (20nm)/ReO3 (3nm)/NPB (40nm)/C545T: Alq3 (10%, 1nm)/TPBi (30nm) /LiF(Inm) /Ag (10nm) / 玻璃蓋板。
[0057]為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了以下對比實施例:
[0058]對比實施例1
[0059]按實施例1所述的方法制備對比實施例1，該對比實施例1與實施例1的區(qū)別在于對比實施例1中陽極采用的材質(zhì)為IT0，厚度為lOOnm，該對比實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/ITO(10nm)/NPB(40nm)/C545T = Alq3(10%，1nm)/TPBi (30nm) /LiF(Inm) /Ag (10nm) /玻璃蓋板，分別對應(yīng)玻璃基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和玻璃蓋板。
[0060]對比實施例2
[0061]按實施例1所述的方法制備對比實施例2，該對比實施例2與實施例1的區(qū)別在于對比實施例2中陽極的材質(zhì)為Ag，厚度為30nm，該對比實施例2制備的有機電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為:玻璃基板 /Ag (30nm) /NPB (40nm) /C545T: Alq3 (10%, 1nm) /TPBi (30nm) /LiF(Inm) /Ag (10nm) /玻璃蓋板，分別對應(yīng)玻璃基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和玻璃蓋板。
[0062]為有效證明本發(fā)明有機電致發(fā)光器件及其制備方法的有益效果，采用光纖光譜儀(美國海洋光學(xué)Ocean Optics公司，型號:USB4000)，電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2400)和色度計(日本柯尼卡美能達(dá)公司，型號:CS-100A)測試本發(fā)明提供的實施例1-3與對比實施例1-2制得的有機電致電致發(fā)光器件的發(fā)光性能數(shù)據(jù)，包括陽極的方塊電阻、透過率和器件的發(fā)光效率，結(jié)果如表1所示:
[0063]表1實施例1-3和對比實施例1-2制備的陽極的方塊電阻、透過率和器件的發(fā)光效率
[0064]

【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和封裝蓋板，所述封裝蓋板和玻璃基板形成封閉空間，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極容置在所述封閉空間內(nèi)，所述陽極包括依次疊層設(shè)置在玻璃基板上的第一無機層、金屬層和第二無機層，其中，所述第一無機層的材質(zhì)為鑭金屬氧化物、鑭金屬氟化物或鑭金屬硼化物，所述金屬層的材質(zhì)為金、銀、鋁，所述第二無機層的材質(zhì)為VDI族的金屬氧化物、VIB族的金屬氧化物或Vn B族的金屬氧化物。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鑭金屬氧化物為氧化鑭，所述鑭金屬氟化物為氟化鑭，所述鑭金屬硼化物為六硼化鑭。
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述珊族的金屬氧化物為氧化鎳，所述VIB族的金屬氧化物為三氧化鎢或三氧化鑰，所述Vn B族的金屬氧化物為三氧化錸。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機層的厚度為40nm-100nm,所述金屬層的厚度為8nm-20nm,所述第二無機層厚度為3nm_10nm。
5.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋板為玻璃蓋板。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟: (1)取潔凈玻璃基板置于真空鍍膜室中，設(shè)置真空度為IX 10_5P-1 X 10?,采用熱蒸鍍的方法在所述玻璃基板上依次制備第一無機層、金屬層和第二無機層，形成陽極，其中，所述第一無機層的材質(zhì)為鑭金屬氧化物、鑭金屬氟化物或鑭金屬硼化物，所述金屬層的材質(zhì)為金、銀、鋁，所述第二無機層的材質(zhì)為珊族的金屬氧化物、VIB族的金屬氧化物或VIIB族的金屬氧化物，蒸鍍速率為0.05nm/s-lnm/s ； (2)在所述陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，蒸鍍速率為0.05nm/s-lnm/s ； (3)在所述陰極上覆蓋封裝蓋板，所述封裝蓋板和玻璃基板通過光固化粘合劑連接形成封閉空間，將所述陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極容置在所述封閉空間內(nèi)，得到所述有機電致發(fā)光器件。
7.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鑭金屬氧化物為氧化鑭，所述鑭金屬氟化物為氟化鑭，所述鑭金屬硼化物為六硼化鑭。
8.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述珊族的金屬氧化物為氧化鎳，所述VIB族的金屬氧化物為三氧化鎢或三氧化鑰，所述VIIB族的金屬氧化物為三氧化錸。
9.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機層的厚度為40nm-100nm,所述金屬層的厚度為8nm-20nm,所述第二無機層厚度為3nm_10nm。
10.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋板為玻璃蓋板。
【文檔編號】H01L51/54GK104183747SQ201310192149
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 王平, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司